KR100881525B1

KR100881525B1 - 포토마스크의 판정 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR100881525B1
Application number: KR1020060114372A
Authority: KR
Inventors: 도시야 고따니; 가즈야 후꾸하라; 교꼬 이즈하
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바
Priority date: 2005-11-21
Filing date: 2006-11-20
Publication date: 2009-02-05
Also published as: CN100529969C; JP2007142275A; CN1971427A; US7925090B2; US20070130560A1; KR20070053625A

Abstract

제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과, 제2 노광 장치에 설정할 수 있는 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과, 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과, 적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족하고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 있다고 판단하는 공정을 구비한 포토마스크의 판정 방법이다.

포토마스크, 마스크 패턴, 노광 장치, 광근접 효과 보정, 가공 패턴

Description

포토마스크의 판정 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법{PHOTOMASK DETERMINATION METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시 형태의 방법을 나타낸 플로우차트.

도 2는 본 발명의 실시 형태의 방법을 나타낸 플로우차트.

도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 것으로, 새로운 포토마스크를 작성하는 방법의 일례를 나타낸 플로우차트.

도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 것으로, 새로운 포토마스크를 작성하는 방법의 다른 예를 나타낸 플로우차트.

[특허문헌 1] 일본 특개평 9-319067호 공보

본 출원은 2005년 11월 21일 출원된 일본 특허 출원 제2005-336183호에 기초한 것으로 그 우선권 주장을 하며, 그 전체 내용은 본 명세서에서 참조로서 원용된다.

본 발명은, 포토마스크의 판정 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것 이다.

반도체 장치의 미세화 및 고집적화에 수반하여, 원하는 치수를 갖는 패턴을 고정밀도로 형성하는 것이, 점점 더 중요하게 되어 오고 있다. 그러나, 패턴이 미세화되면, 광근접 효과(OPE)에 의해, 원하는 형상을 갖는 패턴을 충실하게 형성할 수 없게 된다. 따라서, 실제의 포토마스크에서는, 마스크 패턴에 광근접 효과 보정(OPC)을 실시하여, 원하는 형상을 갖는 패턴이 얻어지도록 하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).

광근접 효과는 일반적으로 노광 장치의 특성에 의존하기 때문에, 노광 장치마다 광근접 효과는 상이하다. 그 때문에, 임의의 노광 장치에 대해서 적절한 광근접 효과 보정이 실시된 포토마스크이어도, 노광 장치를 변경하면 원하는 형상을 갖는 패턴이 얻어지지 않게 된다. 원하는 형상을 갖는 패턴을 얻기 위해서는, 변경한 노광 장치에 적합한 광근접 효과 보정이 실시된 포토마스크를 새롭게 작성할 필요가 있다. 그러나, 새로운 포토마스크를 작성하는 것은, 제조 기간의 증대로 이어진다. 변경한 노광 장치의 노광 파라미터(예를 들면, 조명 형상)를 조정함으로써, 새로운 포토마스크를 작성하지 않고 적정한 노광을 행하는 것도 가능하다. 즉, 노광 파라미터를 조정함으로써 소정의 조건을 충족시키는 패턴이 얻어지면, 노광 장치를 변경한 경우에 새로운 포토마스크를 작성할 필요는 없다.

그러나, 노광 파라미터의 조정에는 한계가 있기 때문에, 노광 파라미터의 조정에 의해 항상 소정의 조건을 충족시키는 패턴이 얻어진다고는 할 수 없다. 노광 파라미터의 조정에 의해 소정의 조건을 충족시키는 패턴이 얻어지지 않게 된 경우에는 결국, 새로운 포토마스크를 작성하게 된다. 노광 파라미터의 조정 작업은, 공장 등의 제조 현장에서 시행 착오적으로 행해진다. 조정 작업에 의해 소정의 조건을 충족시키는 패턴이 얻어지지 않게 된 경우에는, 조정 작업에 써버린 시간이 쓸데 없게 된다. 그 때문에, 제조 기간의 한층 더한 증대를 초래하는 것으로 된다.

이와 같이, 노광 장치를 변경한 경우에는, 새로운 포토마스크를 작성하거나, 노광 파라미터를 조정한다고 하는 2가지 대응책이 생각된다. 그러나, 어느쪽의 대응책을 적용할 것인지에 대한 명확한 판단 기준이 없기 때문에, 제조 기간의 증대를 초래한다. 따라서, 노광 장치를 변경한 경우의 대응에 대해서, 조기에 또한 적확하게 판단을 행하는 것이 중요한 과제이다.

본 발명의 제1 시점에 따른 포토마스크의 판정 방법은, 제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과, 제2 노광 장치에 설정할 수 있는 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과, 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과, 적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 있다고 판단하는 공정을 구비한다.

본 발명의 제2 시점에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과, 제2 노광 장치에 설정할 수 있는 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과, 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과, 적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 있다고 판단하는 공정과, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 있다는 판단에 기초하여, 상기 포토마스크의 마스크 패턴을 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영하는 공정을 구비한다.

본 발명의 제3 시점에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과, 제2 노광 장치에 설정할 수 있는 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과, 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과, 적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 있다고 판단하는 공정과, 모든 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키지 않고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 없다고 판단하는 공정과, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용할 수 없다는 판단에 기초하여, 새로운 포토마스크를 작성하는 공정과, 상기 새로운 포토마스크의 마스크 패턴을 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영하는 공정을 구비한다.

<실시예>

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.

도 1 및 도 2는, 본 발명의 실시 형태의 방법을 나타낸 플로우차트이다.

우선, 임의의 노광 장치(노광 장치 A)용으로 작성된 포토마스크(포토마스크 A)를 다른 노광 장치(노광 장치 B)에서도 사용 가능한지의 여부를 시뮬레이션에 의해 검증하기 위해, 포토마스크 A의 마스크 패턴(마스크 패턴 A)을 시뮬레이션 툴 내에 규정한다(S1). 포토마스크 A의 마스크 패턴 A에는, 노광 장치 A에 적합한 광근접 효과 보정이 실시되고 있다.

다음으로, 노광 장치 B에 설정할 수 있는 복수의 노광 조건을 시뮬레이션 툴 내에 규정한다. 노광 조건(노광 파라미터)으로서는, 예를 들면 노광 장치 B의 조명 형상(여기에서는, 조명 형상 1∼3)을 이용한다(S2). 노광 장치는 가변 σ기구 를 구비하고 있고, 가변 σ기구에 의해 조명의 크기를 물리적으로 조정하는 것이 가능하다. 따라서, 노광 장치 B의 가변 σ기구에 의한 조정 가능 범위 내에서, 복수의 조명 형상을 규정한다. 또한, 조명 형상은, 조명광의 강도 분포에 대응하는 것으로서, 예를 들면 조명 위치와 광강도에 의해 나타낼 수 있다.

다음으로, 노광 장치 B에 의해 기판 위에 투영되는 마스크 패턴 A의 투영상(광학상)을, 복수의 노광 조건(조명 형상) 각각에 대해서 예측한다(S3). 즉, 스텝 S1에서 규정된 마스크 패턴 A의 데이터 및 스텝 S2에서 규정된 노광 장치 B의 조명 형상의 데이터를 이용하여, 복수의 조명 형상 각각에 대해서 마스크 패턴 A의 투영상(투영상 1∼3)을 산출한다. 또한, 마스크 패턴 A가 투영되는 기판으로서는, 포토레지스트가 형성된 반도체 웨이퍼를 상정한다.

다음으로, 투영상에 기초하는 기판 표면의 가공 패턴을, 복수의 노광 조건(조명 형상) 각각에 대해서 예측한다(S4). 즉, 반도체 웨이퍼 위에 형성되는 포토레지스트 패턴의 예측 형상을, 투영상의 데이터를 이용해서 산출한다.

다음으로, 산출된 가공 패턴(포토레지스트 패턴) 각각을, 기준 패턴과 비교한다(S5). 기준 패턴으로서는, 마스크 패턴 A용의 설계 패턴(광근접 효과 보정이 실시되어 있지 않은 패턴)을 이용한다. 구체적으로는, 상기 가공 패턴(가공 패턴 1∼3)과 상기 설계 패턴과의 치수차를, 설계 패턴의 전체 영역에서 산출한다.

다음으로, 스텝 S5의 비교 결과에 기초하여, 상기 치수차가 허용 치수차보다 큰 개소(위험 개소)의 수를, 가공 패턴 각각에 대해서 산출한다(S6).

다음으로, 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하기 위해서, 위험 개소의 수가 허용수 이하인지의 여부를, 가공 패턴 각각에 대해서 판단한다(S7).

위험 개소의 수가 허용수 이하인 가공 패턴은, 소정의 조건을 충족시키고 있다고 판단한다(S8). 위험 개소의 수가 허용수 이하가 아닌 가공 패턴은, 소정의 조건을 충족시키고 있지 않다고 판단한다(S9). 또한, 적어도 하나의 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단한다(S10).

적어도 하나의 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 포토마스크 A를 노광 장치 B에 적용할 수 있다고 판단한다(S11). 또한, 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키는 조명 형상을, 노광 장치 B에 적용할 수 있다고 판단한다(S12). 모든 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있지 않은 경우에는, 포토마스크 A는 노광 장치 B에 적용할 수 없다고 판단한다(S13).

이상과 같이 해서, 임의의 노광 장치(노광 장치 A)용으로 작성된 포토마스크 A를 다른 노광 장치(노광 장치 B)에 적용할 수 있을 것인지의 여부가, 시뮬레이션에 의해 판단된다. 또한, 노광 장치 B에 적용 가능한 조명 형상도 시뮬레이션에 의해 판단된다.

포토마스크 A가 노광 장치 B에 적용할 수 있다고 판단된 경우에는, 그러한 판단에 기초하여, 포토마스크 A를 사용해서 노광 공정을 행한다. 즉, 포토마스크 A의 마스크 패턴 A를, 노광 장치 B에 의해 기판(포토레지스트가 형성된 반도체 웨이퍼) 위에 실제로 투영한다(S21). 또한, 현상을 행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고(S22), 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 반도체 웨이퍼를 가공한다(S23). 또한, 여기서 말하는 반도체 웨이퍼의 가공에는, 반도체 웨이퍼 본체 위에 형성된 도전막이나 절연막의 에칭이 포함된다.

포토마스크 A가 노광 장치 B에 적용할 수 없다고 판단된 경우에는, 그러한 판단에 기초하여, 노광 장치 B에 적용 가능한 새로운 포토마스크(포토마스크 B)를 작성한다(S24). 작성한 포토마스크 B의 마스크 패턴 B를, 노광 장치 B에 의해 기판(포토레지스트가 형성된 반도체 웨이퍼) 위에 실제로 투영한다(S25). 또한, 현상을 행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고(S26), 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 반도체 웨이퍼를 가공한다(S27). 또한, 반도체 웨이퍼의 가공에는, 이미 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 본체 위에 형성된 도전막이나 절연막의 에칭이 포함된다.

새로운 포토마스크 B를 작성하는 경우에는, 포토마스크 A의 설계 패턴을 수정하거나, 혹은 포토마스크 A의 마스크 패턴을 수정한다. 어떠한 경우에도, 수정된 포토마스크를 노광 장치 B에 적용한 경우에 위험 개소의 수가 적어지도록, 수정을 행하는 것이 중요하다.

도 3은, 포토마스크 A의 설계 패턴을 수정해서 포토마스크 B를 작성하는 경우의 방법을 나타낸 플로우차트이다.

우선, 포토마스크 A의 설계 패턴을 준비한다(S31). 계속해서, 포토마스크 A의 설계 패턴을 수정한다. 도 1에 도시한 시뮬레이션에 의해, 위험 개소의 위치는 이미 파악되어 있기 때문에, 주로 위험 개소 근방의 설계 패턴(설계 레이아웃)을 수정한다(S32). 계속해서, 수정된 설계 패턴에 대하여 광근접 효과 보정을 실시하 고, 포토마스크 B용의 마스크 패턴을 생성한다(S33). 또한, 생성된 마스크 패턴을 포토마스크 위에 형성함으로써, 포토마스크 B가 얻어진다(S34). 또한, S33의 스텝에서 마스크 패턴을 생성한 단계에서, 도 1에 도시한 시뮬레이션과 마찬가지인 시뮬레이션을 행하고, 생성된 마스크 패턴을 노광 장치 B에 적용 가능한지의 여부를 판단하도록 하여도 된다.

도 4는, 포토마스크 A의 마스크 패턴을 수정해서 포토마스크 B를 작성하는 경우의 방법을 나타낸 플로우차트이다.

우선, 포토마스크 A의 설계 패턴을 준비한다(S41). 계속해서, 포토마스크 A의 설계 패턴에 대하여, 노광 장치 B에 적합한 광근접 효과 보정을 실시하고, 포토마스크 B용의 마스크 패턴을 생성한다(S42). 즉, 포토마스크 A의 광근접 효과 보정 조건과는 서로 다른 광근접 효과 보정 조건에서, 포토마스크 B용의 마스크 패턴을 생성한다. 또한, 광근접 효과 보정 조건에는, 노광 장치의 조명 형상, 노광 장치의 렌즈 수차, 포토레지스트의 PEB(Post Exposure Bake) 조건, 포토레지스트의 현상 조건, 에칭 조건 등이 포함된다. 또한, 생성된 마스크 패턴을 포토마스크 위에 형성함으로써, 포토마스크 B가 얻어진다(S43). 또한, S42의 스텝에서 마스크 패턴을 생성한 단계에서, 도 1에 도시한 시뮬레이션과 마찬가지인 시뮬레이션을 행하고, 생성된 마스크 패턴을 노광 장치 B에 적용 가능한지의 여부를 판단하도록 하여도 된다.

이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 임의의 노광 장치(노광 장치 A)용으로 작성된 포토마스크(포토마스크 A)를 다른 노광 장치(노광 장치 B)에서도 사용할 수 있을 것인지의 여부를, 복수의 노광 조건을 이용한 시뮬레이션에 의해 미리 판단해 둔다. 따라서, 노광 장치를 변경한 경우에, 노광 파라미터를 조정할지 혹은 새로운 포토마스크를 작성할지 중, 어느 쪽의 대응책을 강구하면 좋을지를, 조기에 또한 적확하게 판단할 수 있다. 따라서, 노광 장치를 변경한 경우에 조기에 또한 적확하게 대응하는 것이 가능하여, 반도체 장치의 제조 기간의 증대를 방지할 수 있다.

또한, 전술한 실시 형태에서는, 시뮬레이션 시에 규정하는 노광 조건(노광 파라미터)으로서 조명 형상을 이용했지만, 조명 형상 이외의 노광 파라미터를 이용해도 된다. 예를 들면, 노광 장치의 광학계의 수차, 노광 장치의 광학계의 투과율, 노광광의 편광도 등을 노광 파라미터로서 이용해도 된다. 또한, 이들 노광 파라미터를 조합해서 복수의 노광 조건을 규정하도록 하여도 된다.

또한, 전술한 실시 형태에서 설명한 방법은, 물론, 해당 방법의 수순이 기술된 프로그램에 의해 동작이 제어되는 컴퓨터에 의해, 실현하는 것이 가능하다. 상기 프로그램은, 자기 디스크 등의 기록 매체 혹은 인터넷 등의 통신 회선(유선 회선 혹은 무선 회선)에 의해 제공하는 것이 가능하다.

당업자라면, 부가적인 장점 및 변경이 용이하게 가능하다. 따라서, 광범위한 국면에서, 본 발명은 여기에 도시하고 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시에에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 특허 청부 범위 및 그 등가물로 정의된 일반적인 발명의 개념의 사상이나 범주에서 벗어나지 않고 다양한 변형이 이루어질 수 있다.

본 발명에 따르면, 노광 장치를 변경한 경우에 조기에 또한 적확하게 대응하는 것이 가능하여, 반도체 장치의 제조 기간의 증대를 방지할 수 있다.

Claims

제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과,

제2 노광 장치에 설정 가능한 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과,

상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대하여 예측하는 공정과,

상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과,

상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과,

적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 가능하다고 판단하는 공정

을 구비한 포토마스크의 판정 방법.
제1항에 있어서,

상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 가능하다고 판단한 경우에, 상기 가공 패턴이 상기 소정의 조건을 충족시키는 노광 조건을 상기 제2 노광 장치에 적용한다고 판단하는 공정을 더 구비하는 포토마스크의 판정 방법.
제1항에 있어서,

상기 마스크 패턴에는, 상기 제1 노광 장치에 적합한 광근접 효과 보정이 실시되어 있는 포토마스크의 판정 방법.
제1항에 있어서,

상기 가공 패턴이 상기 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정은, 상기 가공 패턴을 기준 패턴과 비교하는 공정을 포함하는 포토마스크의 판정 방법.
제4항에 있어서,

상기 가공 패턴을 기준 패턴과 비교하는 공정은, 상기 가공 패턴과 상기 기준 패턴과의 치수차를 구하는 공정을 포함하는 포토마스크의 판정 방법.
제5항에 있어서,

상기 가공 패턴이 상기 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정은, 상기 치수차가 허용 치수차보다 큰 개소의 수를 구하는 공정을 포함하는 포토마스크의 판정 방법.
제1항에 있어서,

상기 가공 패턴은, 포토레지스트 패턴을 포함하는 포토마스크의 판정 방법.
삭제
제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과,

제2 노광 장치에 설정 가능한 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과,

상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대하여 예측하는 공정과,

상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과,

상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과,

적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 가능하다고 판단하는 공정과,

상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 가능하다는 판단에 기초하여, 상기 포토마스크의 마스크 패턴을 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영하는 공정

을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
제1 노광 장치용 포토마스크의 마스크 패턴을 규정하는 공정과,

제2 노광 장치에 설정 가능한 복수의 노광 조건을 규정하는 공정과,

상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영되는 상기 마스크 패턴의 투영상을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과,

상기 투영상에 기초해서 기판 표면에 형성되는 가공 패턴을, 상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서 예측하는 공정과,

상기 복수의 노광 조건 각각에 대해서, 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는지의 여부를 판단하는 공정과,

적어도 하나의 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 가능하다고 판단하는 공정과,

모든 상기 노광 조건에 대해서 상기 가공 패턴이 소정의 조건을 충족시키지 않고 있는 경우에는, 상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 불가능하다고 판단하는 공정과,

상기 포토마스크를 상기 제2 노광 장치에 적용 불가능하다는 판단에 기초하여, 새로운 포토마스크를 작성하는 공정과,

상기 새로운 포토마스크의 마스크 패턴을 상기 제2 노광 장치에 의해 기판 위에 투영하는 공정

을 구비한 반도체 장치의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 새로운 포토마스크를 작성하는 공정은, 상기 포토마스크의 설계 패턴을 수정하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 새로운 포토마스크를 작성하는 공정은, 상기 포토마스크의 마스크 패턴을 수정하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 새로운 포토마스크의 마스크 패턴에는, 상기 제2 노광 장치에 적합한 광근접 효과 보정이 실시되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.