JPH07254012A - 露光データ作成方法及びその装置 - Google Patents

露光データ作成方法及びその装置

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JPH07254012A
JPH07254012A JP4435394A JP4435394A JPH07254012A JP H07254012 A JPH07254012 A JP H07254012A JP 4435394 A JP4435394 A JP 4435394A JP 4435394 A JP4435394 A JP 4435394A JP H07254012 A JPH07254012 A JP H07254012A
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JP
Japan
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processing
basic
exposure
layout data
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JP4435394A
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Manabu Yoshida
学 吉田
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】修正後の露光データ作成時間を短縮する。 【構成】予め設計され、階層構造をなすレイアウトデー
タ11に対してその階層構造を保持したままサイジン
グ、スケーリング、ミラー等の第1の基本処理14を行
い、その基本処理後のデータを基本処理済レイアウトデ
ータ12として一旦記憶する。そして、記憶した基本処
理済レイアウトデータ12に対して図形展開、論理処
理、領域分割、フォーマット変換等の変換処理15を行
い露光データ13を作成する。一方、レイアウトデータ
11に修正がある場合には、その修正部分に対してのみ
第2の基本処理16にて基本処理を行う。そして、入れ
換え処理17にてその基本処理を行った修正部分と、格
納してある先の基本処理済レイアウトデータ12の修正
が必要な部分とを入れ換る。そして、その入れ換えた基
本処理済レイアウトデータ12に対して変換処理15を
行い露光データ13を作成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は露光データ作成方法及び
その装置に係り、詳しくはマスク、レチクル、ウェハに
描画する露光データの修正方法に関するものである。
【0002】近年、半導体装置(LSI)は大規模・高
集積化が進められる一方で、その開発期間の短縮が要求
されている。そのため、論理回路データに基づいて作成
されたレイアウトデータを半導体装置を作成するために
必要となるマスク等を描画するための露光データに変換
する処理時間も時間がかかるようになってきている。
【0003】一方、開発中の半導体装置においては、設
計ミス等によりパターン修正が頻繁に行われ、その修正
毎に露光データに変換する処理が必要である。従って、
この露光データに変換する処理においてもその処理時間
の短縮が望まれている。
【0004】
【従来の技術】一般に、半導体装置は使用される用途に
応じて仕様、即ち搭載機能が決定され、その仕様に基づ
いてCAD(Computer Aided Design )装置等を用いて
論理設計、回路設計が行われる。そして、回路設計され
た論理回路に基づいて素子を配置した半導体装置の図形
データであるレイアウトデータが生成される。
【0005】レイアウトデータから露光データに変換す
る処理(以下、データ作成処理という)は、先ずレイア
ウトデータ展開処理が行われる。レイアウトデータはそ
のデータが階層構造に格納されている。
【0006】半導体装置は複数種類のゲート、抵抗等に
より設計される。そして、半導体装置に多く使用される
複数のゲート、抵抗等による回路ブロックはマクロとし
て定義される。そして、そのマクロを示すフィグを使用
して設計、配置することにより効率のよい設計を行って
いる。また、フィグを使用することにより論理回路及び
レイアウトデータの大きさを小さくしている。
【0007】しかし、露光データは半導体装置に使用さ
れる全ての図形データ、即ちマクロに定義されたゲー
ト、抵抗等の素子レベルの図形データが必要となる。そ
のため、レイアウトデータの階層構造を素子レベルに展
開する展開処理が行われる。そして、展開された全ての
素子に対してデータ作成処理が行われ、露光データが作
成される。
【0008】この生成されたレイアウトデータを実際に
マスク、レチクル、ウェハに描画する描画装置(例えば
EB露光装置:Electron Beam Exposure System )に入
力可能な露光データに変換される。露光データには半導
体装置の作成に必要な複数のマスクに対応するレイヤ毎
にマスク等が描画される。そして、描画されたマスク、
レチクル、ウェハにより半導体装置のチップが作成され
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、作成した半
導体装置のチップの動作テストを行った場合、設計ミス
(例えば遅延時間不足)等により半導体装置の一つのフ
ィグに修正(例えばMOSトランジスタのゲート幅を広
くする)が必要となる場合がある。このとき、CAD装
置を用いてレイアウト設計により該当するMOSトラン
ジスタのゲート幅のみを修正(広くする)したレイアウ
トデータが作成される。
【0010】しかしながら、修正したレイアウトデータ
を露光データに変換する場合、展開処理された全ての素
子に対してデータ作成処理が行われる。従って、修正し
た素子のみではなく、修正していない素子に対してもデ
ータ作成処理が行われるので、その変換に要する時間は
初回の変換時間と同じだけかかってしまう。そして、こ
の変換時間は半導体装置の集積度に応じて長くなる。従
って、集積度の高い半導体装置ほどその修正に要する時
間が長くなるので、半導体装置の開発が遅れるという問
題があった。
【0011】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、修正後の露光データ作
成時間を短縮することのできる露光データ作成方法及び
その装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、予め設計され、階層構造をなすレイアウトデ
ータに対してその階層構造を保持したままサイジング、
スケーリング、ミラー等の基本処理を行い、その基本処
理後のデータを基本処理済レイアウトデータとして記憶
する。そして、記憶した基本処理済レイアウトデータに
対して図形展開、論理処理、領域分割、フォーマット変
換等の変換処理を行い露光データを作成する。
【0013】レイアウトデータが修正された場合には、
その修正部分に対してのみ基本処理を行い、その基本処
理を行った修正部分と、格納してある先の基本処理済レ
イアウトデータデータの修正が必要な部分とを入れ換
る。そして、その入れ換えた基本処理済レイアウトデー
タに対して変換処理を行い露光データを作成する。
【0014】
【作用】従って、本発明によれば、レイアウトデータは
その階層構造を保持したままでサイジング、スケーリン
グ、ミラー等の基本処理が行われ、その基本処理後のデ
ータが基本処理済レイアウトデータとして記憶される。
そして、基本処理済レイアウトデータに対して図形展
開、論理処理、領域分割、フォーマット変換等の変換処
理が行われ露光データが作成される。
【0015】レイアウトデータが修正された場合、その
修正部分に対してのみ基本処理が行われ、その基本処理
された修正部分を先の基本済レイアウトデータの修正が
必要となる部分と入れ換えられる。そして、入れ換えら
れた基本処理済レイアウトデータに対して変換処理が行
われ露光データが作成される。
【0016】その結果、レイアウトデータの修正がなさ
れていない部分に対して基本処理は行われない。
【0017】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図1〜
図6に従って説明する。図2は本発明を適用した露光デ
ータ作成装置のシステム構成を示す模式図である。露光
データ作成装置1はCAD装置からなり、中央処理装置
(以下、CPUという)2、メモリ3、キーボード(マ
ウス等を含む)4、プリンタ5及びCRT等の表示器6
はシステムバス7により互いに接続されている。CPU
2はメモリ3に記憶された所定のプログラムデータに基
づいて動作するようになっている。
【0018】メモリ3にはCPU2が実行する前記プロ
グラムとその実行に必要な各種データが予め記憶される
とともに、当該プログラムデータに基づくCPU2の処
理結果等が一時格納されるようになっている。キーボー
ド4はメモリ3に格納され前記プログラムの実行に必要
なデータを入力したり、プリンタ5や表示器6に処理結
果等の出力命令を入力するために用いられる。
【0019】また、メモリ3には図1に示すようなレイ
アウトデータ11、基本処理済レイアウトデータ(以
下、中間データという)12及び露光データ13が設定
されている。レイアウトデータ11は例えば磁気ディス
ク等の外部記憶媒体からメモリ3に読み込まれて格納さ
れている。レイアウトデータ11は階層構造にそのデー
タが格納されている。
【0020】半導体装置のパターンを設計する場合、半
導体装置の全体を一度にパターン化するのではなく、半
導体装置を構成する多数のゲート回路から基本型の回路
を抽出し、それらをパターン設計した後、基本型の回路
の配置設計を行うというように、半導体装置を複数の階
層に分けて設計し、設計の効率化を図っている。この半
導体装置の階層の一例を図3に示す。
【0021】図3に示すように、最上位の階層にはフィ
グ20が設けられている。フィグ20には次の階層のフ
ィグ21〜23が定義されている。フィグ23には最下
位の階層のフィグ24〜26が定義されている。尚、各
フィグ20〜26は上述した多数のゲート回路から抽出
された基本型の回路を示している。
【0022】中間データ12には露光データ作成装置1
により基本処理が施されたデータが格納され、その中間
データ12はレイアウトデータ11と同一の階層構造に
より構成されている。露光データ13には露光データ作
成装置1により作成されたデータ、即ちマスク等を作成
するための描画データが格納される。そして、中間デー
タ12及び露光データ13はメモリ3に格納された後、
外部記憶媒体に書き込まれるようになっている。
【0023】CPU2はメモリ3に記憶されたプログラ
ムデータに基づき、図1に示す処理フローを実行するよ
うになっている。即ち、CPU2はプログラムデータに
基づいて第1の基本処理14、変換処理15と、第2の
基本処理16及び入れ換え処理17の各処理工程を実行
するようになっている。
【0024】露光データ作成装置1のCPU2はキーボ
ード4の操作によりレイアウト検証処理が起動される
と、図1に示す処理フローに従って動作する。即ち、第
1の基本処理14において、レイアウトデータ11に格
納されたフィグ20のレイアウトデータを読み込む。そ
して、読み込んだレイアウトデータに対して基本処理を
行う。基本処理は、サイジング処理、ミラー処理、スケ
ーリング処理である。そして、第1の基本処理14は各
フィグ21〜26に対してもそれぞれ行われるようにな
っている。
【0025】尚、サイジング処理とは、マスク、レチク
ルを用いてウェハ上のレジストに露光する際に、パター
ンが所望の幅より太くなったり、細くなったり、また、
ウェハをエッチングする場合にもパターンの太り、細り
がある。この場合において、パターンの太り、細りを予
測して所望のパターン幅を得るために、パターンの幅を
予め細く、又は太くする処理を意味し、シフト処理とも
いう。
【0026】また、ミラー処理とは、ゲート回路の図形
データに対して線対称のデータをレイアウトデータとし
ている場合において、その図形データを線対称(ミラ
ー)した図形データを生成する処理を意味する。また、
マスク、レチクルを作成する場合、そのマスク、レチク
ルの基板に対してレジストを上にして描画し、ウェハに
縮小露光する場合はレジストを基板より下にして行う場
合がある。このとき、マスク、レジストを描画するデー
タは反転したデータである必要がある。この反転したデ
ータを作成する処理を意味する場合もある。
【0027】また、スケーリング処理とは、マスク、レ
チクルを作成する場合、その大きさを実際に作成する半
導体装置のチップより大きく(例えば10倍)に生成す
る。この大きく生成したマスク、レチクルを縮小投影す
ることにより所望の大きさのチップを作成している。マ
スク、レチクルに付着したゴミ等は縮小投影することに
より、問題とならない大きさとなり、半導体装置のチッ
プを安定して作成することができる。そのため、各ゲー
ト回路を10倍にした露光データを作成するための処理
を意味する。
【0028】そして、CPU2は、図4に示すように、
フィグ20〜26内のデータ、即ちゲート回路等に対し
て基本処理のサイジング処理、ミラー処理、スケーリン
グ処理を行い、基本処理済のフィグ20A〜26Aを生
成する。このとき、基本処理済のフィグ20A〜26A
もレイアウトデータ11のフィグ20〜26と同じ階層
構造となっている。そして、この基本処理済のフィグ2
0A〜26Aを中間データ12としてメモリ3に格納す
る。
【0029】次に、CPU2は変換処理15において、
フィグ20A〜26Aに対して変換処理を行う。即ち、
階層構造に分けたフィグ20A〜26Aに基づいて図形
展開を行い半導体装置全体のパターンデータを生成す
る。このパターンデータはマスク等の描画に必要となる
複数のレイヤ毎のデータとなっている。そして、各レイ
ヤ毎に論理処理、領域分割を行う。
【0030】尚、図形展開(単に展開ともいう)とは、
階層構造をなす中間データ12のフィグ20A〜26A
を半導体装置全体のパターンデータとするための処理を
意味している。
【0031】また、論理処理とは、1つのマスク等のレ
イヤにおいて図形の重なりがある場合、その重なった部
分に対して露光を行うとその重なった部分の回りに影響
を及ぼしたり、重なった部分だけ露光時間が長くなる。
そのため、一方の図形をその重なった部分を取り除いた
図形とする処理を意味する。重なり除去処理ともいう。
【0032】また、領域分割とは、EB露光装置等にお
いて、描画するための電子ビーム(EB:Electron Bea
m )を磁力により偏向して描画する場合、その偏向には
限度があり、また余り偏向させると図形が歪む場合があ
る。そのため、EB露光装置の偏向できる領域に半導体
装置の図形データを分割し、その分割した図形データ毎
に描画を行うための処理を意味する。
【0033】更に、フォーマット変換とは、EB露光装
置に露光データを読み込ませるために必要となる処理で
あって、図形の座標データのみではなく、EB露光装置
を動かすためのデータ、例えば光源のオン・オフ(シャ
ッターのオン・オフ)等のデータを付加するための処理
を意味する。座標データはそのEB装置に対してベクト
ルデータをラスタデータに変換している。
【0034】そして、マスク等の描画を行うEB装置等
の描画装置において読み込み可能なデータにフォーマッ
トを変換する。このフォーマット変換後のデータを露光
データ13に格納して初回の露光データ作成処理が終了
する。
【0035】この作成された露光データ13をEB装置
等の描画装置に読み込ませ、マスク、レチクルを描画、
又はウェハに直接描画することにより半導体装置のチッ
プが作成される。
【0036】今、半導体装置のチップを実際に動作させ
てテストを行った結果、設計ミスによりレイアウトデー
タ11の一部、例えば図4に示す最下位層のフィグ26
Aに修正が必要になったとする。このとき、設計者はフ
ィグ26Aに対応するレイアウトデータ11のフィグ2
6を修正すべく論理設計又は回路設計を修正する。そし
て、設計者はフィグ26に代えて図5に示すフィグ26
Bを生成する。尚、図示しないがフィグ26Bは図3に
示すレイアウトデータ11のフィグ26が存在する最下
位の階層に形成される。そして、その上段の階層にある
フィグ23にはフィグ24,25及び修正後のフィグ2
6Bが定義されている。また、レイアウトデータ11に
はフィグ26を修正してフィグ26Bを生成したことを
示す修正情報が格納されている。
【0037】そして、CPU2は第2の基本処理16に
おいて、第1の基本処理14と同様に基本処理を行な
う。このとき、CPU2はレイアウトデータ11に格納
された修正情報に基づいて修正のあったフィグ26Bに
対してのみ基本処理を行うようになっている。即ち、レ
イアウトデータ11の修正情報は、フィグ26を修正
し、フィグ26Bを生成したことを示している。従っ
て、CPU2は、図5に示すように、フィグ26Bをレ
イアウトデータ11から読み出す。そして、CPU2は
第1の基本処理14と同様に第2の基本処理16におい
てサイジング処理、ミラー処理、スケーリング処理等の
基本処理を行い、基本処理済のフィグ26Cを生成す
る。
【0038】一方、フィグ20〜25は修正していない
ので、その基本処理後のデータは中間データ12に格納
されている。従って、フィグ20〜25に対して第2の
基本処理16において基本処理を再度行う必要はない。
【0039】次に、CPU2は入れ換え処理17を行
う。即ち、CPU2は、図6に示すように、第2の基本
処理16にて生成されたフィグ26Cと中間データ12
のフィグ26Aとを入れ換える。このとき、フィグ23
Aに定義された最下位の階層のフィグ24A,25A,
26Aをフィグ24A,25A,26Cと定義する。こ
れにより、中間データ12の階層構造はレイアウトデー
タ11の階層構造と同じとなる。また、中間データ12
は修正したフィグ26Bの基本処理を行ったフィグ26
Cを含んでいる。
【0040】そして、変換処理15において、CPU2
はこの入れ換え処理17の終了した中間データ12に対
して図形展開、論理処理、領域分割、フォーマット変換
等を行い、露光データ13を作成し、フィグ26の修正
に対する露光データ作成処理を終了する。
【0041】このように、本実施例では、第1の基本処
理14においてレイアウトデータ11に対してその階層
構造のまま基本処理を行い、その基本処理後のデータを
中間データ12に格納する。そして、その中間データ1
2に対して変換処理15にて変換処理を行い、露光デー
タ13を作成するようにした。
【0042】一方、レイアウトデータ11の階層構造を
なすフィグに対して修正を行った場合、その修正したフ
ィグ26Bに対してのみ第2の基本処理部16にて基本
処理を行い、その基本処理後のフィグ26Cを生成す
る。そして、入れ換え処理17において、生成したフィ
グ26Cと中間データ12の修正を必要とするフィグ2
6とを入れ換える。そして、入れ換え処理の終了した中
間データ12に対して変換処理15において変換処理を
行い、露光データ13を作成するようにした。
【0043】その結果、修正が必要のないフィグ20〜
25に対して基本処理を行わないので、フィグ20〜2
5に対して基本処理を行う時間だけ修正に対する露光デ
ータ作成処理の処理時間を短縮することができる。
【0044】尚、本発明は前記実施例の他、以下の態様
で実施するようにしてもよい。 (1)上記実施例では、1つのフィグ26に対して修正
を行ったが、複数のフィグに対して修正を行うようにし
てもよい。この場合においても、実施例と同様の効果が
得られる。
【0045】(2)上記実施例では、レイアウトデータ
11を3層の階層構造としたが、2層又は4層以上複数
の階層構造に形成してもよい。この場合においても、実
施例と同様の効果が得られる。
【0046】(3)上記実施例のレイアウト検証装置1
を半導体装置の論理設計のための装置や、配線設計用の
CAD装置と同一のCPU2で行う。これにより、論理
設計、レイアウトから露光データ作成まで一貫して行う
ことができ、半導体装置の開発時間をより短縮すること
ができる。
【0047】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
一部修正後の露光データ作成時間を短縮するできる優れ
た効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例の露光データ作成処理を示すフローチ
ャートである。
【図2】露光データ作成装置のシステム構成を示す概略
図である。
【図3】レイアウトデータの階層構造を説明する図であ
る。
【図4】作成された露光データを説明する図である。
【図5】一部のレイアウトデータの修正を説明する図で
ある。
【図6】修正後の露光データを説明する図である。
【符号の説明】
11 レイアウトデータ 12 基本処理済レイアウトデータ 13 露光データ 14 第1の基本処理手段 15 変換処理手段 16 第2の基本処理手段 17 入れ換え処理手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 予め設計され、階層構造をなすレイアウ
    トデータから露光データを作成する露光データ作成方法
    であって、 前記レイアウトデータの階層構造を保持したままサイジ
    ング、スケーリング、ミラー等の基本処理を行い、その
    基本処理後のデータを基本処理済レイアウトデータとし
    て記憶し、基本処理済レイアウトデータに対して図形展
    開、論理処理、領域分割、フォーマット変換等の変換処
    理を行い露光データを作成し、 前記レイアウトデータが修正された場合には、その修正
    部分に対してのみ基本処理を行い、その基本処理を行っ
    た修正部分と、格納してある先の基本処理済レイアウト
    データデータの修正が必要な部分とを入れ換え、その入
    れ換えた基本処理済レイアウトデータに対して変換処理
    を行い露光データを作成するようにしたことを特徴とす
    る露光データ作成方法。
  2. 【請求項2】 予め設計され、階層構造をなすレイアウ
    トデータ(11)から露光データ(13)を作成する露
    光データ作成装置において、 前記レイアウトデータ(11)の階層構造を保持したま
    まサイジング、スケーリング、ミラー等の基本処理を行
    し、そのデータを基本処理済レイアウトデータ(12)
    として一旦記憶する第1の基本処理手段(14)と、 前記第1の基本処理手段(14)により記憶された基本
    処理済レイアウトデータ(12)に対して図形展開、論
    理処理、領域分割、フォーマット変換等の変換処理を行
    い露光データを作成する変換処理手段(15)と、 前記レイアウトデータ(11)に修正がある場合には、
    その修正部分に対してのみ基本処理を行う第2の基本処
    理手段(16)と、 前記第2の基本処理手段(16)にて基本処理を行った
    修正部分と、格納してある先の基本処理済レイアウトデ
    ータの修正が必要な部分とを入れ換える入れ換え処理手
    段(17)とを備えたことを特徴とする露光データ作成
    装置。
JP4435394A 1994-03-15 1994-03-15 露光データ作成方法及びその装置 Withdrawn JPH07254012A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013102074A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Advantest Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013102074A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Advantest Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

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