JP2006053248A - 設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 設計パターンデータ作成方法は、第1の設計パターンデータに基づいて第1のマスクパターンデータを作成する工程S1と、第1のマスクパターンデータに基づいて該第1のマスクパターンデータに対応したウェハ上に形成される第1のウェハパターンを予測する工程S5と、第1のウェハパターンと第1の設計パターンデータに対応した第1の設計パターンとの差分が、予め決められた許容変動量内に収まっているか否かを判断する工程S6と、差分が許容変動量内に収まっていない場合、差分に対応した箇所の第1の設計パターンデータを修正する工程S7と、第1の設計パターンデータから修正された差分に対応した箇所の第1の設計パターンデータが除かれたデータと、修正された差分に対応した箇所の第1の設計パターンデータとを合成し、第2の設計パターンデータを作成する工程S10とを含む。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る設計パターンデータの作成工程からウェハパターンの作成工程までの流れを示すフローチャートである。設計パターンデータは、例えば半導体集積回路装置のデータである。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る設計パターンデータの作成工程からウェハパターンの作成工程までの流れを示すフローチャートである。なお、図1と対応する部分には図1と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。また、特に言及していない項目については第1の実施形態に準ずるものとする。
Claims (6)
- ウェハ上に形成するべきパターンに対応した設計パターンデータを決定する設計パターンデータ作成方法であって、
第1の設計パターンデータに基づいて第1のマスクパターンデータを作成する工程と、
前記第1のマスクパターンデータに基づいて該第1のマスクパターンデータに対応した前記ウェハ上に形成されるウェハパターンを予測する工程と、
前記予測したウェハパターンと前記ウェハ上に形成するべき前記パターンとの差分が、予め決められた許容変動量内に収まっているか否かを判断する工程と、
前記差分が前記許容変動量内に収まっていない場合、前記第1の設計パターンデータのうち前記差分に対応した箇所を含む部分を選択的に修正する工程と、
前記選択的に修正した箇所を含む部分に対応した前記第1のマスクパターンデータと、前記第1のマスクパターンデータから前記選択的に修正した箇所を含む部分に対応した前記第1のマスクパターンデータが除かれたデータとを合成し、第2の設計パターンデータを作成する工程と
を含むことを特徴とする設計パターンデータ作成方法。 - ウェハ上に形成するべきパターンに対応したマスクパターンデータを決定するマスクパターンデータ作成方法であって、
第1の設計パターンデータに基づいて第1のマスクパターンデータを作成する工程と、
前記第1のマスクパターンデータに基づいて該第1のマスクパターンデータに対応した前記ウェハ上に形成されるウェハパターンを予測する工程と、
前記予測したウェハパターンと前記ウェハ上に形成するべき前記パターンとの差分が、予め決められた許容変動量内に収まっているか否かを判断する工程と、
前記差分が前記許容変動量内に収まっていない場合、前記予測した前記ウェハパターンの前記差分に対応した箇所の中心付近から所定の範囲を超えた領域内に含まれる部分に対応した、前記第1の設計パターンデータを選択的に修正し、第1の部分修正パターンデータを作成する工程と、
前記第1の設計パターンデータから前記第1の部分修正パターンデータが除かれたデータと前記第1の部分修正パターンデータとを合成し、第2の設計パターンデータを作成する工程と、
第2の設計パターンデータに基づいて第2のマスクパターンデータを作成する工程と
を含むことを特徴とするマスクパターンデータ作成方法。 - 前記第2の設計パターンデータを作成する工程の後、前記第2の設計パターンデータを第1の設計ウェハパターンとして、前記差分が前記許容変動量内に収まるまで、前記ウェハ上のウェハパターンを予測する工程から前記第2の設計パターンデータを作成する工程までの一連の工程を繰り返すことを特徴とする請求項2に記載のマスクパターンデータ作成方法。
- 第1の設計パターンデータに基づいて第1のマスクパターンデータを作成する工程と、
前記第1のマスクパターンデータに基づいて該第1のマスクパターンデータに対応した前記ウェハ上に形成されるウェハパターンを予測する工程と、
前記予測したウェハパターンと前記ウェハ上に形成するべき前記パターンとの差分が、予め決められた許容変動量内に収まっているか否かを判断する工程と、
前記差分が前記許容変動量内に収まっていない場合、前記予測した前記ウェハパターンの前記差分に対応した箇所の中心付近から所定の範囲を超えた領域内に含まれる部分に対応した、前記第1の設計パターンデータを選択的に修正し、第1の部分修正パターンデータを作成する工程と、
前記第1の設計パターンデータから前記第1の部分修正パターンデータが除かれたデータと前記第1の部分修正パターンデータとを合成し、第2の設計パターンデータを作成する工程と、
第2の設計パターンデータに基づいて第2のマスクパターンデータを作成する工程と、
前記第2のマスクパターンデータを用いて露光装置によりマスクブランクス上にパターンを描画し、フォトマスクを形成する工程と
を含むことを特徴するマスク製造方法。 - 第1の設計パターンデータに基づいて第1のマスクパターンデータを作成する工程と、
前記第1のマスクパターンデータに基づいて該第1のマスクパターンデータに対応した前記ウェハ上に形成されるウェハパターンを予測する工程と、
前記予測したウェハパターンと前記ウェハ上に形成するべき前記パターンとの差分が、予め決められた許容変動量内に収まっているか否かを判断する工程と、
前記差分が前記許容変動量内に収まっていない場合、前記予測した前記ウェハパターンの前記差分に対応した箇所の中心付近から所定の範囲を超えた領域内に含まれる部分に対応した、前記第1の設計パターンデータを選択的に修正し、第1の部分修正パターンデータを作成する工程と、
前記第1の設計パターンデータから前記第1の部分修正パターンデータが除かれたデータと前記第1の部分修正パターンデータとを合成し、第2の設計パターンデータを作成する工程と、
第2の設計パターンデータに基づいて第2のマスクパターンデータを作成する工程と、
前記第2のマスクパターンデータを用いて露光装置によりマスクブランクス上にパターンを描画し、フォトマスクを形成する工程と、
前記フォトマスクを用いたリソグラフィグラフィプロセスによりウェハを含む基板上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングし、パターンを形成する工程と
を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。 - コンピュータに、ウェハ上に形成するべきパターンに対応したマスクパターンデータを決定するマスクパターンデータ作成方法の手順を実行させるものであって、
第1の設計パターンデータに基づいて第1のマスクパターンデータを作成させる手順と、
前記第1のマスクパターンデータに基づいて該第1のマスクパターンデータに対応した前記ウェハ上に形成されるウェハパターンを予測させる手順と、
前記予測したウェハパターンと前記ウェハ上に形成するべき前記パターンとの差分が、予め決められた許容変動量内に収まっているか否かを判断させる手順と、
前記差分が前記許容変動量内に収まっていない場合、前記予測した前記ウェハパターンの前記差分に対応した箇所の中心付近から所定の範囲を超えた領域内に含まれる部分に対応した、前記第1の設計パターンデータを選択的に修正し、第1の部分修正パターンデータを作成させる手順と、
前記第1の設計パターンデータから前記第1の部分修正パターンデータが除かれたデータと前記第1の部分修正パターンデータとを合成し、第2の設計パターンデータを作成させる手順と、
第2の設計パターンデータに基づいて第2のマスクパターンデータを作成させる手順と
を実行させるためのプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004233615A JP2006053248A (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | 設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム |
US11/200,176 US7526748B2 (en) | 2004-08-10 | 2005-08-10 | Design pattern data preparing method, mask pattern data preparing method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and program recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004233615A JP2006053248A (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | 設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006053248A true JP2006053248A (ja) | 2006-02-23 |
Family
ID=35799140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004233615A Pending JP2006053248A (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | 設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7526748B2 (ja) |
JP (1) | JP2006053248A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008122948A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | 設計レイアウト作成方法、半導体装置の製造方法、及びコンピュータ読み取り可能な媒体 |
JP2009134335A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Jedat Inc | パネル基板データ検証システム及びプログラム |
JP2009527057A (ja) * | 2006-02-17 | 2009-07-23 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | Icレイアウトの電気特性の計算 |
JP2009229812A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラム |
JP2009259892A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置製造方法およびパターン寸法設定プログラム |
JP2010040898A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | パターンレイアウトの修正方法 |
US7752595B2 (en) | 2006-08-28 | 2010-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for verifying and correcting post-OPC pattern layout |
US7797068B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect probability calculating method and semiconductor device manufacturing method |
US8127256B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern data generation method, design layout generating method, and pattern data verifying program |
US8230379B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Layout generating method for semiconductor integrated circuits |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7448012B1 (en) | 2004-04-21 | 2008-11-04 | Qi-De Qian | Methods and system for improving integrated circuit layout |
US7827519B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-11-02 | Cadence Design Systems, Inc. | Method, system, and computer program product for preparing multiple layers of semiconductor substrates for electronic designs |
US7962866B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-06-14 | Cadence Design Systems, Inc. | Method, system, and computer program product for determining three-dimensional feature characteristics in electronic designs |
US8296695B1 (en) | 2010-06-11 | 2012-10-23 | Altera Corporation | Method and apparatus for performing fast incremental resynthesis |
JP2012203005A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | パターン作成方法および半導体装置の製造方法 |
US8832621B1 (en) | 2011-11-28 | 2014-09-09 | Cadence Design Systems, Inc. | Topology design using squish patterns |
WO2021076120A1 (en) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Applied Materials, Inc. | Lithography system and method of forming patterns |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09222720A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Ricoh Co Ltd | マスクパターンの製造方法及び装置 |
JP2002006475A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-09 | Toshiba Corp | マスクパターン設計方法及びその方法により形成されるマスク |
JP2002026126A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | デザインルール作成方法、デザインルール作成システム及び記録媒体 |
JP2002131882A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、マスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体、及び半導体装置の製造方法 |
WO2003052512A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Sony Corporation | Appareil et procede permettant de corriger un motif de masque, procede de fabrication d'un masque et procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
JP2004219587A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法と、光近接補正パターンを有するフォトマスク |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6553544B2 (en) * | 2000-04-04 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for design of partial circuit |
JP3892205B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | レイアウトコンパクション方法 |
US6578190B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Process window based optical proximity correction of lithographic images |
US6961920B2 (en) * | 2003-09-18 | 2005-11-01 | International Business Machines Corporation | Method for interlayer and yield based optical proximity correction |
-
2004
- 2004-08-10 JP JP2004233615A patent/JP2006053248A/ja active Pending
-
2005
- 2005-08-10 US US11/200,176 patent/US7526748B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09222720A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Ricoh Co Ltd | マスクパターンの製造方法及び装置 |
JP2002006475A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-09 | Toshiba Corp | マスクパターン設計方法及びその方法により形成されるマスク |
JP2002026126A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | デザインルール作成方法、デザインルール作成システム及び記録媒体 |
JP2002131882A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、マスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体、及び半導体装置の製造方法 |
WO2003052512A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Sony Corporation | Appareil et procede permettant de corriger un motif de masque, procede de fabrication d'un masque et procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
JP2004219587A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法と、光近接補正パターンを有するフォトマスク |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527057A (ja) * | 2006-02-17 | 2009-07-23 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | Icレイアウトの電気特性の計算 |
US7797068B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect probability calculating method and semiconductor device manufacturing method |
US7752595B2 (en) | 2006-08-28 | 2010-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for verifying and correcting post-OPC pattern layout |
TWI401581B (zh) * | 2006-10-20 | 2013-07-11 | Toshiba Kk | 半導體積體電路設計佈局產生方法、半導體裝置製造方法、及電腦可讀取媒體 |
US8230379B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Layout generating method for semiconductor integrated circuits |
JP2008122948A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | 設計レイアウト作成方法、半導体装置の製造方法、及びコンピュータ読み取り可能な媒体 |
US8127256B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern data generation method, design layout generating method, and pattern data verifying program |
JP2009134335A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Jedat Inc | パネル基板データ検証システム及びプログラム |
JP4594994B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラム |
US8146022B2 (en) | 2008-03-24 | 2012-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern data generation method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and pattern data generation program |
JP2009229812A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラム |
JP2009259892A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置製造方法およびパターン寸法設定プログラム |
US8617999B2 (en) | 2008-04-14 | 2013-12-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device and computer readable medium for storing pattern size setting program |
JP2010040898A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | パターンレイアウトの修正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060033049A1 (en) | 2006-02-16 |
US7526748B2 (en) | 2009-04-28 |
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