JPH11174659A - マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法 - Google Patents
マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法Info
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- JPH11174659A JPH11174659A JP34679297A JP34679297A JPH11174659A JP H11174659 A JPH11174659 A JP H11174659A JP 34679297 A JP34679297 A JP 34679297A JP 34679297 A JP34679297 A JP 34679297A JP H11174659 A JPH11174659 A JP H11174659A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光近接効果補正を行ったマスクパタンが、元の
パタンと同一で露光パタンがデバイス動作上もマスク製
造プロセス上も問題がないことを高速に検証したい。 【解決手段】原マスクパタンがパタンデータ入力部１１
０に入力されると、補正パラメータ決定部１２０で補正
を行うためのパラメータを決定し、パタンデータ補正部
１３０で光近接効果補正を行う。一方、第１および第２
の検証用パタンデータ生成部１４０，１５０で原マスク
パタンを最大バイアスだけオーバーサイズおよびアンダ
ーサイズさせた検証用マスクパタンを生成し、第１およ
び第２のパタン比較部１６０，１７０で補正したパタン
データと比較する。補正が限界を越えてない場合には、
判定部１８０で補正が適切と判定され、パタンデータ出
力部１９０より補正されたマスクパタンが出力される。
パタンと同一で露光パタンがデバイス動作上もマスク製
造プロセス上も問題がないことを高速に検証したい。 【解決手段】原マスクパタンがパタンデータ入力部１１
０に入力されると、補正パラメータ決定部１２０で補正
を行うためのパラメータを決定し、パタンデータ補正部
１３０で光近接効果補正を行う。一方、第１および第２
の検証用パタンデータ生成部１４０，１５０で原マスク
パタンを最大バイアスだけオーバーサイズおよびアンダ
ーサイズさせた検証用マスクパタンを生成し、第１およ
び第２のパタン比較部１６０，１７０で補正したパタン
データと比較する。補正が限界を越えてない場合には、
判定部１８０で補正が適切と判定され、パタンデータ出
力部１９０より補正されたマスクパタンが出力される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光用マスクパタ
ンに対して、露光の際の光近接効果に対処して所望のパ
タンを形成するための補正を行うマスクパタン補正装置
とその方法、および、そのような補正の結果のマスクパ
タンが適切に露光可能なマスクパタンか否かを検証する
マスクパタン検証装置とその方法に関する。
ンに対して、露光の際の光近接効果に対処して所望のパ
タンを形成するための補正を行うマスクパタン補正装置
とその方法、および、そのような補正の結果のマスクパ
タンが適切に露光可能なマスクパタンか否かを検証する
マスクパタン検証装置とその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
フォトマスクをウエハ上に投影露光するフォトリソグラ
フィ工程を複数回経る。その工程で用いられるフォトマ
スクは、ガラス基板上に遮光膜が形成された構造をなし
ており、設計されたＣＡＤデータを描画装置用のデータ
に変換し、これを忠実に基板上にパタンニングすること
により作成される。
フォトマスクをウエハ上に投影露光するフォトリソグラ
フィ工程を複数回経る。その工程で用いられるフォトマ
スクは、ガラス基板上に遮光膜が形成された構造をなし
ており、設計されたＣＡＤデータを描画装置用のデータ
に変換し、これを忠実に基板上にパタンニングすること
により作成される。
【０００３】ところで近年、半導体回路の高集積化にと
もない露光するパタンがより微細になっており、フォト
リソグラフィ工程では露光波長近傍のパタンを形成する
ことになっている。その結果、光の干渉効果が顕著とな
り、設計パタンと転写レジストパタンとの間に差異が生
ずる光近接効果が発生している。光近接効果は、具体的
には、たとえば図５（Ａ）に示すように、密に近接して
配置されているラインと、孤立して配置されているライ
ンで線幅に差が生じるような現象として現れる。また、
図６（Ａ）に示すように、ラインの端部で必要異常にパ
タンが丸まってしまい、結果としてラインの長さが短く
なるような現象としても現れる。
もない露光するパタンがより微細になっており、フォト
リソグラフィ工程では露光波長近傍のパタンを形成する
ことになっている。その結果、光の干渉効果が顕著とな
り、設計パタンと転写レジストパタンとの間に差異が生
ずる光近接効果が発生している。光近接効果は、具体的
には、たとえば図５（Ａ）に示すように、密に近接して
配置されているラインと、孤立して配置されているライ
ンで線幅に差が生じるような現象として現れる。また、
図６（Ａ）に示すように、ラインの端部で必要異常にパ
タンが丸まってしまい、結果としてラインの長さが短く
なるような現象としても現れる。
【０００４】このような孤立ラインと繰り返しラインの
線幅差やライン端縮みなどの現象が現れると、ゲート線
幅の制御性劣化や合わせマ−ジンの減少を引き起こし、
トランジスタ特性のバラツキが増大し、最終的にはチッ
プの歩留りが低下し、生産効率に対して著しい悪影響を
与える。この問題は高集積性が要求される繰り返しメモ
リセルにおいて特に致命的になる。そのため、０．３５
μｍ世代以降のメモリの開発においては、光強度シミュ
レーションをベースとした高精度な自動光近接効果補正
（ＯＰＣ：Optical Proximity effect Correction ）シ
ステムが開発され用いられている。
線幅差やライン端縮みなどの現象が現れると、ゲート線
幅の制御性劣化や合わせマ−ジンの減少を引き起こし、
トランジスタ特性のバラツキが増大し、最終的にはチッ
プの歩留りが低下し、生産効率に対して著しい悪影響を
与える。この問題は高集積性が要求される繰り返しメモ
リセルにおいて特に致命的になる。そのため、０．３５
μｍ世代以降のメモリの開発においては、光強度シミュ
レーションをベースとした高精度な自動光近接効果補正
（ＯＰＣ：Optical Proximity effect Correction ）シ
ステムが開発され用いられている。
【０００５】しかしこのような光近接効果は、メモリ周
辺回路領域やＡＳＩＣ（Application Specific Integra
ted Circuit ）系デバイスの１チップランダム回路領域
においても同様の現象を生じさせ、トランジスタ特性へ
の悪影響や合わせマージン減少による歩留り低下を引き
起こしている。ところが、このチップ規模のランダムパ
タンの近接効果を補正するために、光強度シミュレーシ
ョンをベースとした自動ＯＰＣを適用すると、膨大な計
算時間を要し、チップ設計から製造までのＴＡＴに影響
を及ぼすという問題が生じる。数μｍ角程度セル単位の
補正は１０秒程度で行えるが、１チップ全体の補正を同
様の手法で行うと数百日程度かかるためである。
辺回路領域やＡＳＩＣ（Application Specific Integra
ted Circuit ）系デバイスの１チップランダム回路領域
においても同様の現象を生じさせ、トランジスタ特性へ
の悪影響や合わせマージン減少による歩留り低下を引き
起こしている。ところが、このチップ規模のランダムパ
タンの近接効果を補正するために、光強度シミュレーシ
ョンをベースとした自動ＯＰＣを適用すると、膨大な計
算時間を要し、チップ設計から製造までのＴＡＴに影響
を及ぼすという問題が生じる。数μｍ角程度セル単位の
補正は１０秒程度で行えるが、１チップ全体の補正を同
様の手法で行うと数百日程度かかるためである。
【０００６】このような問題に対処するため、１チップ
レベルの補正を行う手法としては、ある程度限られた図
形形状のみを予め設定したルールに基づいて高速に補正
する方法が用いられている。すなわち、マスクレイアウ
ト設計データから予め近接パタンなどを検索しておき、
それぞれのパタンに着目して、正確にパタン寸法及び近
接パタン間形状が形成されるように補正を行い、寸法変
動、形状変化を制御するのである。具体的には、図５
（Ａ）に示すような、密接して繰り返されたパタンのパ
タンの疎密性に起因した光近接効果に対しては、図５
（Ｂ）に示すようにその密部分の線幅を拡張しておくこ
とにより対処する。また、図６（Ａ）に示すような、パ
タンのエッジ縮みに起因した光近接効果に対しては、図
６（Ｂ）に示すように、その線長を少し長くしておくこ
とにより、対処する。
レベルの補正を行う手法としては、ある程度限られた図
形形状のみを予め設定したルールに基づいて高速に補正
する方法が用いられている。すなわち、マスクレイアウ
ト設計データから予め近接パタンなどを検索しておき、
それぞれのパタンに着目して、正確にパタン寸法及び近
接パタン間形状が形成されるように補正を行い、寸法変
動、形状変化を制御するのである。具体的には、図５
（Ａ）に示すような、密接して繰り返されたパタンのパ
タンの疎密性に起因した光近接効果に対しては、図５
（Ｂ）に示すようにその密部分の線幅を拡張しておくこ
とにより対処する。また、図６（Ａ）に示すような、パ
タンのエッジ縮みに起因した光近接効果に対しては、図
６（Ｂ）に示すように、その線長を少し長くしておくこ
とにより、対処する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
補正は、デザインルール程度の間隔距離でパタンエッジ
を分割し、分割したエッジごとに露光後に所望のパタン
が得られるようにバイアスをかけることによって主に行
われる。そのため、補正方法によっては、元のパタンデ
ータとは異なるパタンになってしまったり、フォトマス
クプロセスの製造限界を超えた補正マスクパタンを生成
してしまう可能性があるという問題がある。
補正は、デザインルール程度の間隔距離でパタンエッジ
を分割し、分割したエッジごとに露光後に所望のパタン
が得られるようにバイアスをかけることによって主に行
われる。そのため、補正方法によっては、元のパタンデ
ータとは異なるパタンになってしまったり、フォトマス
クプロセスの製造限界を超えた補正マスクパタンを生成
してしまう可能性があるという問題がある。
【０００８】そのような補正パタンデータがフォトマス
ク製造プロセスに渡された場合、欠陥検査で認識できる
パタンサイズ以下のパタンについてはフォトマスク製造
プロセスで疑似欠陥として認識される場合もあるが、元
のパタンデータとは異なるパタンになってしまった場合
などにはその状態を認識することができない。その結
果、所望の露光パタンが得られず、パタンが欠損した
り、パタンがつながってしまうなどの問題が生じる。ま
た場合によっては、製造した半導体デバイスが動作不良
をとなるという問題も生じる可能性がある。また、疑似
欠陥として検出できた場合でも、疑似欠陥数が多すぎる
とマスク製造プロセスに負担をかけ、マスク作成ＴＡＴ
に影響するという問題も生じる。
ク製造プロセスに渡された場合、欠陥検査で認識できる
パタンサイズ以下のパタンについてはフォトマスク製造
プロセスで疑似欠陥として認識される場合もあるが、元
のパタンデータとは異なるパタンになってしまった場合
などにはその状態を認識することができない。その結
果、所望の露光パタンが得られず、パタンが欠損した
り、パタンがつながってしまうなどの問題が生じる。ま
た場合によっては、製造した半導体デバイスが動作不良
をとなるという問題も生じる可能性がある。また、疑似
欠陥として検出できた場合でも、疑似欠陥数が多すぎる
とマスク製造プロセスに負担をかけ、マスク作成ＴＡＴ
に影響するという問題も生じる。
【０００９】したがって、本発明の目的は、光近接効果
補正を行ったパタンデータが、元のパタンデータと同一
で露光パタンがデバイス動作上問題ないこと、および、
マスク製造プロセス上問題がないことを、高速に検証し
保証することができるマスクパタン検証装置とその方法
を提供することにある。また本発明の他の目的は、マス
クパタンデータに対して、露光パタンがデバイスとして
適切な動作を行い、マスク製造プロセス上も問題が生じ
ないような、適切な光近接効果補正を行うことができる
マスクパタン補正装置とその方法を提供することにあ
る。
補正を行ったパタンデータが、元のパタンデータと同一
で露光パタンがデバイス動作上問題ないこと、および、
マスク製造プロセス上問題がないことを、高速に検証し
保証することができるマスクパタン検証装置とその方法
を提供することにある。また本発明の他の目的は、マス
クパタンデータに対して、露光パタンがデバイスとして
適切な動作を行い、マスク製造プロセス上も問題が生じ
ないような、適切な光近接効果補正を行うことができる
マスクパタン補正装置とその方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、従来技術
が有する前述した課題を解決すべく、鋭意検討を行っ
た。この結果、光近接効果補正結果パタンデータが通常
マスク製造プロセス上問題なくパタン生成されているこ
とを保証し、かつ露光後パタンがデバイス動作上問題な
いことを高速に検証するために、簡略的な図形演算手法
を用いるのが有効であることを見いだし、本発明を案出
するに至った。すなわち、前記目的を達成するために、
この発明は、補正前パタンデータを補正時のバイアスの
最大値を用いてリサイズ処理した結果と補正後パタンデ
ータとの図形演算によって高速に検証することを特徴と
する。
が有する前述した課題を解決すべく、鋭意検討を行っ
た。この結果、光近接効果補正結果パタンデータが通常
マスク製造プロセス上問題なくパタン生成されているこ
とを保証し、かつ露光後パタンがデバイス動作上問題な
いことを高速に検証するために、簡略的な図形演算手法
を用いるのが有効であることを見いだし、本発明を案出
するに至った。すなわち、前記目的を達成するために、
この発明は、補正前パタンデータを補正時のバイアスの
最大値を用いてリサイズ処理した結果と補正後パタンデ
ータとの図形演算によって高速に検証することを特徴と
する。
【００１１】したがって、本発明のマスクパタン検証装
置は、露光用原マスクパタンに所定の補正を行って得ら
れたマスクパタンに対して、適切に補正が行われた否か
を検証する装置であって、前記原マスクパタンに対し
て、前記所定の補正における所定の最大限の補正が行わ
れたのに相当するマスクパタンであって、露光工程にお
いて適切に処理が可能なマスクパタンである検証用マス
クパタンを生成する検証用マスクパタン生成手段と、前
記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された検
証用マスクパタンとを比較するマスクパタン比較手段
と、前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマス
クパタンが適切なマスクパタンか否かを判定する判定手
段とを有する。
置は、露光用原マスクパタンに所定の補正を行って得ら
れたマスクパタンに対して、適切に補正が行われた否か
を検証する装置であって、前記原マスクパタンに対し
て、前記所定の補正における所定の最大限の補正が行わ
れたのに相当するマスクパタンであって、露光工程にお
いて適切に処理が可能なマスクパタンである検証用マス
クパタンを生成する検証用マスクパタン生成手段と、前
記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された検
証用マスクパタンとを比較するマスクパタン比較手段
と、前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマス
クパタンが適切なマスクパタンか否かを判定する判定手
段とを有する。
【００１２】また、本発明のマスクパタン補正装置は、
露光用原マスクパタンに対して所定の補正を行う補正手
段と、前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正に
おける所定の最大限の補正が行われたのに相当するマス
クパタンであって、露光工程において適切に処理が可能
なマスクパタンである検証用マスクパタンを生成する検
証用マスクパタン生成手段と、前記補正が行われたマス
クパタンおよび前記生成された検証用マスクパタンとを
比較するマスクパタン比較手段と、前記比較結果に基づ
いて、前記補正が行われたマスクパタンが適切なマスク
パタンか否かを判定する判定手段とを有する。
露光用原マスクパタンに対して所定の補正を行う補正手
段と、前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正に
おける所定の最大限の補正が行われたのに相当するマス
クパタンであって、露光工程において適切に処理が可能
なマスクパタンである検証用マスクパタンを生成する検
証用マスクパタン生成手段と、前記補正が行われたマス
クパタンおよび前記生成された検証用マスクパタンとを
比較するマスクパタン比較手段と、前記比較結果に基づ
いて、前記補正が行われたマスクパタンが適切なマスク
パタンか否かを判定する判定手段とを有する。
【００１３】特定的には、前記検証用マスクパタン生成
手段は、前記原マスクパタンの各マスクパタンについ
て、その輪郭を全方向について所定の長さ拡張すること
により前記検証用マスクパタンを生成し、前記マスクパ
タン比較手段は、前記検証用マスクパタンに前記補正が
行われたマスクパタンが包含されるか否かを図形演算に
より求め前記比較を行い、前記判定部は、前記比較によ
り前記検証用マスクパタンに前記補正が行われたマスク
パタンが包含されていた場合に、前記マスクパタンが適
切と判定する。好適には、前記検証用マスクパタン生成
手段は、前記拡張により、複数のマスクパタン部分が接
触する場合および複数のマスクパタン部分が露光工程に
おいて適切に分離できる距離以下に近接する場合に、当
該マスクパタン部分が露光工程において適切に分離でき
る距離以上に分離した位置に保持されるように前記検証
用マスクパタンの生成を行う。
手段は、前記原マスクパタンの各マスクパタンについ
て、その輪郭を全方向について所定の長さ拡張すること
により前記検証用マスクパタンを生成し、前記マスクパ
タン比較手段は、前記検証用マスクパタンに前記補正が
行われたマスクパタンが包含されるか否かを図形演算に
より求め前記比較を行い、前記判定部は、前記比較によ
り前記検証用マスクパタンに前記補正が行われたマスク
パタンが包含されていた場合に、前記マスクパタンが適
切と判定する。好適には、前記検証用マスクパタン生成
手段は、前記拡張により、複数のマスクパタン部分が接
触する場合および複数のマスクパタン部分が露光工程に
おいて適切に分離できる距離以下に近接する場合に、当
該マスクパタン部分が露光工程において適切に分離でき
る距離以上に分離した位置に保持されるように前記検証
用マスクパタンの生成を行う。
【００１４】また特定的には、前記検証用マスクパタン
生成手段は、前記原マスクパタンの各マスクパタンにつ
いて、その輪郭を全方向について所定の長さ縮小するこ
とにより前記検証用マスクパタンを生成し、前記マスク
パタン比較手段は、前記検証用マスクパタンが前記補正
が行われたマスクパタンに包含されるか否かを図形演算
により求め前記比較を行い、前記判定部は、前記比較に
より前記検証用マスクパタンが前記補正が行われたマス
クパタンに包含されていた場合に、前記マスクパタンが
適切と判定する。好適には、前記検証用マスクパタン生
成手段は、前記縮小により、マスクパタンが分離する場
合および露光工程において適切に接触した状態が保持で
きる幅より細い幅になる場合に、当該マスクパタン部分
が露光工程において適切に接触した状態が保持できる幅
以上の幅になるように前記検証用マスクパタンの生成を
行う。
生成手段は、前記原マスクパタンの各マスクパタンにつ
いて、その輪郭を全方向について所定の長さ縮小するこ
とにより前記検証用マスクパタンを生成し、前記マスク
パタン比較手段は、前記検証用マスクパタンが前記補正
が行われたマスクパタンに包含されるか否かを図形演算
により求め前記比較を行い、前記判定部は、前記比較に
より前記検証用マスクパタンが前記補正が行われたマス
クパタンに包含されていた場合に、前記マスクパタンが
適切と判定する。好適には、前記検証用マスクパタン生
成手段は、前記縮小により、マスクパタンが分離する場
合および露光工程において適切に接触した状態が保持で
きる幅より細い幅になる場合に、当該マスクパタン部分
が露光工程において適切に接触した状態が保持できる幅
以上の幅になるように前記検証用マスクパタンの生成を
行う。
【００１５】また、本発明のマスクパタン検証方法は、
露光用原マスクパタンに所定の補正を行って得られたマ
スクパタンに対して、適切に補正が行われた否かを検証
する方法であって、前記原マスクパタンに対して、前記
所定の補正における所定の最大限の補正が行われたのに
相当するマスクパタンであって、露光工程において適切
に処理が可能なマスクパタンである検証用マスクパタン
を生成し、前記補正が行われたマスクパタンおよび前記
生成された検証用マスクパタンとを比較し、前記比較結
果に基づいて、前記補正が行われたマスクパタンが適切
なマスクパタンか否かを判定する。
露光用原マスクパタンに所定の補正を行って得られたマ
スクパタンに対して、適切に補正が行われた否かを検証
する方法であって、前記原マスクパタンに対して、前記
所定の補正における所定の最大限の補正が行われたのに
相当するマスクパタンであって、露光工程において適切
に処理が可能なマスクパタンである検証用マスクパタン
を生成し、前記補正が行われたマスクパタンおよび前記
生成された検証用マスクパタンとを比較し、前記比較結
果に基づいて、前記補正が行われたマスクパタンが適切
なマスクパタンか否かを判定する。
【００１６】さらに、本発明のマスクパタン補正方法
は、露光用原マスクパタンに対して所定の補正を行い、
前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における
所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタ
ンであって、露光工程において適切に処理が可能なマス
クパタンである検証用マスクパタンを生成し、前記補正
が行われたマスクパタンおよび前記生成された検証用マ
スクパタンとを比較し、前記比較結果に基づいて、前記
補正が行われたマスクパタンが適切なマスクパタンか否
かを判定する。
は、露光用原マスクパタンに対して所定の補正を行い、
前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における
所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタ
ンであって、露光工程において適切に処理が可能なマス
クパタンである検証用マスクパタンを生成し、前記補正
が行われたマスクパタンおよび前記生成された検証用マ
スクパタンとを比較し、前記比較結果に基づいて、前記
補正が行われたマスクパタンが適切なマスクパタンか否
かを判定する。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態のマスクデ
ータ補正装置について図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本実施の形態のマスクデータ補正装置１００の
構成を示すブロック図である。マスクデータ補正装置１
００は、パタンデータ入力部１１０、補正パラメータ決
定部１２０、パタンデータ補正部１３０、第１の検証用
パタンデータ生成部１４０、第２の検証用パタンデータ
生成部１５０、第１のパタン比較部１６０、第２のパタ
ン比較部１７０、判定部１８０およびパタンデータ出力
部１９０を有する。
ータ補正装置について図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本実施の形態のマスクデータ補正装置１００の
構成を示すブロック図である。マスクデータ補正装置１
００は、パタンデータ入力部１１０、補正パラメータ決
定部１２０、パタンデータ補正部１３０、第１の検証用
パタンデータ生成部１４０、第２の検証用パタンデータ
生成部１５０、第１のパタン比較部１６０、第２のパタ
ン比較部１７０、判定部１８０およびパタンデータ出力
部１９０を有する。
【００１８】まず、マスクデータ補正装置１００の各部
の構成および機能について説明する。パタンデータ入力
部１１０には、ＣＡＤなどにより設計された回路データ
がレイアウトされた結果の、露光用のマスクパタンデー
タが入力される。入力されたパタンデータは、補正パラ
メータ決定部１２０、第１の検証用パタンデータ生成部
１４０および第２の検証用パタンデータ生成部１５０に
出力される。
の構成および機能について説明する。パタンデータ入力
部１１０には、ＣＡＤなどにより設計された回路データ
がレイアウトされた結果の、露光用のマスクパタンデー
タが入力される。入力されたパタンデータは、補正パラ
メータ決定部１２０、第１の検証用パタンデータ生成部
１４０および第２の検証用パタンデータ生成部１５０に
出力される。
【００１９】補正パラメータ決定部１２０は、結果とし
て最適な露光パタンが得られるように、後段のパタンデ
ータ補正部１３０で補正を行うためのパラメータを決定
する。補正パラメータ決定部１２０においては、デザイ
ンルールやパタンデータ入力部１１０より入力されたパ
タンデータ、および、経験的に設定された条件などに基
づいてそのパラメータを決定する。決定されたパラメー
タは、パタンデータ入力部１１０より入力されたパタン
データとともに、パタンデータ補正部１３０に出力され
る。補正パラメータ決定部１２０においては、１つのパ
タンデータに対して、最初は所定の初期パラメータを決
定するが、そのパラメータに基づいて行われた光近接効
果補正が適切でなかった場合には、判定部１８０からパ
ラメータの修正指示が入力される。その場合、補正パラ
メータ決定部１２０は、その指示に基づいて、前回光近
接効果補正に供したパラメータを修正し、再びパタンデ
ータ補正部１３０に出力する。
て最適な露光パタンが得られるように、後段のパタンデ
ータ補正部１３０で補正を行うためのパラメータを決定
する。補正パラメータ決定部１２０においては、デザイ
ンルールやパタンデータ入力部１１０より入力されたパ
タンデータ、および、経験的に設定された条件などに基
づいてそのパラメータを決定する。決定されたパラメー
タは、パタンデータ入力部１１０より入力されたパタン
データとともに、パタンデータ補正部１３０に出力され
る。補正パラメータ決定部１２０においては、１つのパ
タンデータに対して、最初は所定の初期パラメータを決
定するが、そのパラメータに基づいて行われた光近接効
果補正が適切でなかった場合には、判定部１８０からパ
ラメータの修正指示が入力される。その場合、補正パラ
メータ決定部１２０は、その指示に基づいて、前回光近
接効果補正に供したパラメータを修正し、再びパタンデ
ータ補正部１３０に出力する。
【００２０】パタンデータ補正部１３０は、補正パラメ
ータ決定部１２０より入力される補正パラメータに基づ
いて、同じく入力されるパタンデータに対して所定の光
近接効果補正を行う。具体的には、たとえば図５（Ａ）
に示すような、ラインの疎密により露光した線幅が異な
ってしまうような光近接効果に対して、図５（Ｂ）に示
すように、露光した時にそれらの線幅が同じになるよう
に、密集しているラインの線幅を孤立しているラインの
線幅より太くする補正を行う。また、図６（Ａ）に示す
ような、ラインの端部が削れてしまいラインの長さが縮
んでしまう光近接効果に対して、図６（Ｂ）に示すよう
に、露光した時に線長が元に戻るように、そのラインの
端部を長手方向に少し延ばすような補正を行う。補正の
行われたパタンデータは、第１のパタン比較部１６０、
第２のパタン比較部１７０およびパタンデータ出力部１
９０に出力される。
ータ決定部１２０より入力される補正パラメータに基づ
いて、同じく入力されるパタンデータに対して所定の光
近接効果補正を行う。具体的には、たとえば図５（Ａ）
に示すような、ラインの疎密により露光した線幅が異な
ってしまうような光近接効果に対して、図５（Ｂ）に示
すように、露光した時にそれらの線幅が同じになるよう
に、密集しているラインの線幅を孤立しているラインの
線幅より太くする補正を行う。また、図６（Ａ）に示す
ような、ラインの端部が削れてしまいラインの長さが縮
んでしまう光近接効果に対して、図６（Ｂ）に示すよう
に、露光した時に線長が元に戻るように、そのラインの
端部を長手方向に少し延ばすような補正を行う。補正の
行われたパタンデータは、第１のパタン比較部１６０、
第２のパタン比較部１７０およびパタンデータ出力部１
９０に出力される。
【００２１】第１の検証用パタンデータ生成部１４０
は、パタンデータ入力部１１０より入力された原パタン
データを、最大バイアスだけオーバーサイズさせた第１
の検証用パタンデータを生成し、第１のパタン比較部１
６０に出力する。この最大バイアスは、パタンデータ補
正部１３０において光近接効果補正を行う際に、ライン
のエッジを補正する最大の補正幅である。なお、この検
証用パタンデータを生成する際に、ライン同士が接触す
る場合、あるいは、ラインの間隔がフォトマスク製造プ
ロセスの製造限界を越えた間隔となる場合には、この間
隔を限度としてリサイズを行う。すなわち、第１の検証
用パタンデータ生成部１４０においては、プロセスの限
界以内で正しい露光パタンを得るための最大のパタンが
レイアウトされたパタンデータを生成する。
は、パタンデータ入力部１１０より入力された原パタン
データを、最大バイアスだけオーバーサイズさせた第１
の検証用パタンデータを生成し、第１のパタン比較部１
６０に出力する。この最大バイアスは、パタンデータ補
正部１３０において光近接効果補正を行う際に、ライン
のエッジを補正する最大の補正幅である。なお、この検
証用パタンデータを生成する際に、ライン同士が接触す
る場合、あるいは、ラインの間隔がフォトマスク製造プ
ロセスの製造限界を越えた間隔となる場合には、この間
隔を限度としてリサイズを行う。すなわち、第１の検証
用パタンデータ生成部１４０においては、プロセスの限
界以内で正しい露光パタンを得るための最大のパタンが
レイアウトされたパタンデータを生成する。
【００２２】第２の検証用パタンデータ生成部１５０
は、パタンデータ入力部１１０より入力された原パタン
データを、最大バイアスだけアンダーサイズさせた第２
の検証用パタンデータを生成し、第２のパタン比較部１
７０に出力する。この最大バイアスは、パタンデータ補
正部１３０において光近接効果補正を行う際に、ライン
のエッジを補正する最大の補正幅である。なお、この検
証用パタンデータを生成する際に、ラインが切れる場
合、あるいは、ラインの線幅がフォトマスク製造プロセ
スの製造限界を越えた幅となる場合には、この間隔を限
度としてリサイズを行う。すなわち、第２の検証用パタ
ンデータ生成部１５０においては、プロセスの限界以内
で正しい露光パタンを得るための最小のパタンがレイア
ウトされたパタンデータを生成する。
は、パタンデータ入力部１１０より入力された原パタン
データを、最大バイアスだけアンダーサイズさせた第２
の検証用パタンデータを生成し、第２のパタン比較部１
７０に出力する。この最大バイアスは、パタンデータ補
正部１３０において光近接効果補正を行う際に、ライン
のエッジを補正する最大の補正幅である。なお、この検
証用パタンデータを生成する際に、ラインが切れる場
合、あるいは、ラインの線幅がフォトマスク製造プロセ
スの製造限界を越えた幅となる場合には、この間隔を限
度としてリサイズを行う。すなわち、第２の検証用パタ
ンデータ生成部１５０においては、プロセスの限界以内
で正しい露光パタンを得るための最小のパタンがレイア
ウトされたパタンデータを生成する。
【００２３】第１のパタン比較部１６０は、パタンデー
タ補正部１３０で光近接効果補正が行われた補正後パタ
ンデータと、第１の検証用パタンデータ生成部１４０で
生成された第１の検証用パタンデータとを比較し、第１
の検証用パタンデータの中に、補正後パタンデータが完
全に包含されているか否かをチェックする。具体的に
は、第１のパタン比較部１６０は、補正後パタンデータ
から第１の検証用パタンデータを図形演算により引き、
補正後パタンデータの残分を検出し、それら２つのパタ
ンデータの比較結果として判定部１８０に出力する。
タ補正部１３０で光近接効果補正が行われた補正後パタ
ンデータと、第１の検証用パタンデータ生成部１４０で
生成された第１の検証用パタンデータとを比較し、第１
の検証用パタンデータの中に、補正後パタンデータが完
全に包含されているか否かをチェックする。具体的に
は、第１のパタン比較部１６０は、補正後パタンデータ
から第１の検証用パタンデータを図形演算により引き、
補正後パタンデータの残分を検出し、それら２つのパタ
ンデータの比較結果として判定部１８０に出力する。
【００２４】第２のパタン比較部１７０は、パタンデー
タ補正部１３０で光近接効果補正が行われた補正後パタ
ンデータと、第２の検証用パタンデータ生成部１５０で
生成された第２の検証用パタンデータとを比較し、補正
後パタンデータの中に、第２の検証用パタンデータが完
全に包含されている否かをチェックする。具体的には、
第２のパタン比較部１７０は、第２の検証用パタンデー
タから補正後パタンデータを図形演算により引き、第２
の検証用パタンデータの残分を検出し、それら２つのパ
タンデータの比較結果として判定部１８０に出力する。
タ補正部１３０で光近接効果補正が行われた補正後パタ
ンデータと、第２の検証用パタンデータ生成部１５０で
生成された第２の検証用パタンデータとを比較し、補正
後パタンデータの中に、第２の検証用パタンデータが完
全に包含されている否かをチェックする。具体的には、
第２のパタン比較部１７０は、第２の検証用パタンデー
タから補正後パタンデータを図形演算により引き、第２
の検証用パタンデータの残分を検出し、それら２つのパ
タンデータの比較結果として判定部１８０に出力する。
【００２５】判定部１８０は、第１のパタン比較部１６
０における判定結果および第２のパタン比較部１７０に
おける判定結果に基づいて、パタンデータ補正部１３０
で生成された光近接効果補正されたパタンデータが適切
か否かを判定する。判定部１８０は、第１のパタン比較
部１６０より入力される補正後パタンデータの残分、お
よび、第２のパタン比較部１７０より入力される第２の
パタンデータの残分がともに０の時に、生成された補正
後パタンデータは適切に補正がなされたものと判定し、
パタンデータ出力部１９０にその補正後パタンデータの
出力を指示する。
０における判定結果および第２のパタン比較部１７０に
おける判定結果に基づいて、パタンデータ補正部１３０
で生成された光近接効果補正されたパタンデータが適切
か否かを判定する。判定部１８０は、第１のパタン比較
部１６０より入力される補正後パタンデータの残分、お
よび、第２のパタン比較部１７０より入力される第２の
パタンデータの残分がともに０の時に、生成された補正
後パタンデータは適切に補正がなされたものと判定し、
パタンデータ出力部１９０にその補正後パタンデータの
出力を指示する。
【００２６】第１のパタン比較部１６０より入力される
補正後パタンデータの残分、および、第２のパタン比較
部１７０より入力される第２のパタンデータの残分のい
ずれか一方でも０でなかった場合には、生成された補正
後パタンデータは適切に補正がなされなかったものと判
定する。その場合、判定部１８０は、補正パラメータ決
定部１２０に対して、パタンデータ補正部１３０におけ
る光近接効果補正の際に参照されるパラメータの変更を
指示する。
補正後パタンデータの残分、および、第２のパタン比較
部１７０より入力される第２のパタンデータの残分のい
ずれか一方でも０でなかった場合には、生成された補正
後パタンデータは適切に補正がなされなかったものと判
定する。その場合、判定部１８０は、補正パラメータ決
定部１２０に対して、パタンデータ補正部１３０におけ
る光近接効果補正の際に参照されるパラメータの変更を
指示する。
【００２７】パタンデータ出力部１９０は、判定部１８
０より光近接効果補正が適切に行われた旨の判定結果が
入力された場合に、パタンデータ補正部１３０より入力
される補正後パタンデータを外部に出力する。
０より光近接効果補正が適切に行われた旨の判定結果が
入力された場合に、パタンデータ補正部１３０より入力
される補正後パタンデータを外部に出力する。
【００２８】次に、マスクデータ補正装置１００の動作
について説明する。露光用の原マスクパタンデータがパ
タンデータ入力部１１０を介してマスクデータ補正装置
１００に入力されると、補正パラメータ決定部１２０に
おいて補正を行うためのパラメータが決定され、そのパ
ラメータに基づいてパタンデータ補正部１３０において
光近接効果補正が行われる。具体的には、図５に示すよ
うに、ラインの疎密により露光した線幅が異なってしま
うような光近接効果に対しては、露光した時にそれらの
線幅が同じになるように、密集しているラインの線幅を
孤立しているラインの線幅より太くする補正を行う。ま
た、図６に示すような、ラインの端部が削れてしまいラ
インの長さが縮んでしまう光近接効果に対しては、露光
した時に線長が元に戻るように、そのラインの端部を長
手方向に少し延ばすような補正を行う。
について説明する。露光用の原マスクパタンデータがパ
タンデータ入力部１１０を介してマスクデータ補正装置
１００に入力されると、補正パラメータ決定部１２０に
おいて補正を行うためのパラメータが決定され、そのパ
ラメータに基づいてパタンデータ補正部１３０において
光近接効果補正が行われる。具体的には、図５に示すよ
うに、ラインの疎密により露光した線幅が異なってしま
うような光近接効果に対しては、露光した時にそれらの
線幅が同じになるように、密集しているラインの線幅を
孤立しているラインの線幅より太くする補正を行う。ま
た、図６に示すような、ラインの端部が削れてしまいラ
インの長さが縮んでしまう光近接効果に対しては、露光
した時に線長が元に戻るように、そのラインの端部を長
手方向に少し延ばすような補正を行う。
【００２９】一方、入力された原パタンデータを最大バ
イアスだけオーバーサイズさせた、図２（Ａ）に示すよ
うな第１の検証用パタンデータを、第１の検証用パタン
データ生成部１４０において、また、入力された原パタ
ンデータを最大バイアスだけアンダーサイズさせた、図
３（Ａ）に示すような第２の検証用パタンデータを、第
２の検証用パタンデータ生成部１５０において各々生成
する。そして、第１のパタン比較部１６０において、図
２（Ｂ）に示すように、補正後パタンデータから第１の
検証用パタンデータを図形演算により引き、補正後パタ
ンデータの残分を検出し、また第２のパタン比較部１７
０において、図３（Ｂ）に示すように、第２の検証用パ
タンデータから補正後パタンデータを図形演算により引
き、第２の検証用パタンデータの残分を検出し、各々２
つのパタンデータの比較結果として判定部１８０に出力
する。
イアスだけオーバーサイズさせた、図２（Ａ）に示すよ
うな第１の検証用パタンデータを、第１の検証用パタン
データ生成部１４０において、また、入力された原パタ
ンデータを最大バイアスだけアンダーサイズさせた、図
３（Ａ）に示すような第２の検証用パタンデータを、第
２の検証用パタンデータ生成部１５０において各々生成
する。そして、第１のパタン比較部１６０において、図
２（Ｂ）に示すように、補正後パタンデータから第１の
検証用パタンデータを図形演算により引き、補正後パタ
ンデータの残分を検出し、また第２のパタン比較部１７
０において、図３（Ｂ）に示すように、第２の検証用パ
タンデータから補正後パタンデータを図形演算により引
き、第２の検証用パタンデータの残分を検出し、各々２
つのパタンデータの比較結果として判定部１８０に出力
する。
【００３０】判定部１８０においては、それら第１のパ
タン比較部１６０において得られた補正後パタンデータ
の残分、および、第２のパタン比較部１７０において得
られたより入力される第２のパタンデータの残分がとも
に０の時に、光近接効果補正が適切になされたものと判
定し、パタンデータ出力部１９０にその補正後パタンデ
ータの出力を指示する。また、いずれかに残分が存在し
た時に、光近接効果補正が適切になされなかったものと
判定して、補正パラメータ決定部１２０に対して、光近
接効果補正の際に参照されるパラメータの変更を指示す
る。以後、この変更されたパラメータを用いて、再びパ
タンデータ補正部１３０で光近接効果補正が行われ、第
１のパタン比較部１６０および第２のパタン比較部１７
０で第１および第２の検証用パタンデータとの比較が行
われ、判定部１８０で補正の適切性が判定される。この
処理は、適切な光近接効果補正が行われるまで続けられ
る。
タン比較部１６０において得られた補正後パタンデータ
の残分、および、第２のパタン比較部１７０において得
られたより入力される第２のパタンデータの残分がとも
に０の時に、光近接効果補正が適切になされたものと判
定し、パタンデータ出力部１９０にその補正後パタンデ
ータの出力を指示する。また、いずれかに残分が存在し
た時に、光近接効果補正が適切になされなかったものと
判定して、補正パラメータ決定部１２０に対して、光近
接効果補正の際に参照されるパラメータの変更を指示す
る。以後、この変更されたパラメータを用いて、再びパ
タンデータ補正部１３０で光近接効果補正が行われ、第
１のパタン比較部１６０および第２のパタン比較部１７
０で第１および第２の検証用パタンデータとの比較が行
われ、判定部１８０で補正の適切性が判定される。この
処理は、適切な光近接効果補正が行われるまで続けられ
る。
【００３１】このように、マスクデータ補正装置１００
においては、適切に露光工程が行える限界のパタンデー
タを予め生成し、補正が行われたパタンデータをこの生
成されたパタンデータと比較することにより、補正の適
切性を判定するようにしている。したがって、簡単な図
形演算を行うことにより、光近接効果補正が行われたパ
タンデータに対して、パタンの欠損やパタンのつながり
などのパタンの変形や、プロセス上の製造限界を越えた
パタンの存在を検出することができる。また、この方法
によるパタンデータの検証や、どのようなパタンデータ
の補正を行ったとしても、その適切性をチェックするこ
とができる。
においては、適切に露光工程が行える限界のパタンデー
タを予め生成し、補正が行われたパタンデータをこの生
成されたパタンデータと比較することにより、補正の適
切性を判定するようにしている。したがって、簡単な図
形演算を行うことにより、光近接効果補正が行われたパ
タンデータに対して、パタンの欠損やパタンのつながり
などのパタンの変形や、プロセス上の製造限界を越えた
パタンの存在を検出することができる。また、この方法
によるパタンデータの検証や、どのようなパタンデータ
の補正を行ったとしても、その適切性をチェックするこ
とができる。
【００３２】その結果、パタンデータを補正処理したこ
とによるマスク製造プロセスにおける問題を未然に防ぐ
ことができ、マスク製造時の障害による納期遅れなどを
防ぐことができ、所望の納期に所望のマスクパタンを得
ることができる。
とによるマスク製造プロセスにおける問題を未然に防ぐ
ことができ、マスク製造時の障害による納期遅れなどを
防ぐことができ、所望の納期に所望のマスクパタンを得
ることができる。
【００３３】なお、本発明のマスクパタン補正装置は、
本実施例に限られるものではなく、種々の改変が可能で
ある。たとえば、前述したマスクデータ補正装置１００
においては、原パタンデータを最大バイアスでオーバー
サイズする第１の検証用パタンデータ生成部１４０と、
原パタンデータを最大バイアスでアンダーサイズする第
２の検証用パタンデータ生成部１５０との両方を具え、
それら両方の検証用パタンデータを用いて、補正したパ
タンデータの検証を行っている。しかしながら、たとえ
ばマスク製造工程に特定の光近接効果が生じるような特
性がある場合などには、その効果に対してのみ対処する
ような、いずれか一方の検証用パタンデータのみを用い
て検証するようにしてもよい。
本実施例に限られるものではなく、種々の改変が可能で
ある。たとえば、前述したマスクデータ補正装置１００
においては、原パタンデータを最大バイアスでオーバー
サイズする第１の検証用パタンデータ生成部１４０と、
原パタンデータを最大バイアスでアンダーサイズする第
２の検証用パタンデータ生成部１５０との両方を具え、
それら両方の検証用パタンデータを用いて、補正したパ
タンデータの検証を行っている。しかしながら、たとえ
ばマスク製造工程に特定の光近接効果が生じるような特
性がある場合などには、その効果に対してのみ対処する
ような、いずれか一方の検証用パタンデータのみを用い
て検証するようにしてもよい。
【００３４】また、本発明は、マスクデータ補正装置１
００のような構成の装置としてのみ実現されるものでは
なく、汎用の計算機装置などにより構成してもよい。そ
のように本発明を実現した場合の処理手順を図４に示
す。このマスクデータ補正装置においては、原マスクパ
タンデータが入力されると（ステップＳ１）、補正を行
うためのパラメータを決定し（ステップＳ２）、そのパ
ラメータに基づいて光近接効果補正を行う（ステップＳ
３）。そして、その補正が行われたパタンデータを、原
パタンデータを最大バイアスだけオーバーサイズさせた
パタンデータ、および、原パタンデータを最大バイアス
だけアンダーサイズさせたパタンデータとを前述したよ
うな方法により比較し、補正が適切に行われたか否かを
チェックする（ステップＳ４）。補正が適切に行われて
いれば、一連の補正処理を終了し、補正が適切でなけれ
ば、ステップＳ２の補正パラメータ決定以降の処理を繰
り返す。このような手順を計算機装置などにより行って
も、本発明を実施することができる。
００のような構成の装置としてのみ実現されるものでは
なく、汎用の計算機装置などにより構成してもよい。そ
のように本発明を実現した場合の処理手順を図４に示
す。このマスクデータ補正装置においては、原マスクパ
タンデータが入力されると（ステップＳ１）、補正を行
うためのパラメータを決定し（ステップＳ２）、そのパ
ラメータに基づいて光近接効果補正を行う（ステップＳ
３）。そして、その補正が行われたパタンデータを、原
パタンデータを最大バイアスだけオーバーサイズさせた
パタンデータ、および、原パタンデータを最大バイアス
だけアンダーサイズさせたパタンデータとを前述したよ
うな方法により比較し、補正が適切に行われたか否かを
チェックする（ステップＳ４）。補正が適切に行われて
いれば、一連の補正処理を終了し、補正が適切でなけれ
ば、ステップＳ２の補正パラメータ決定以降の処理を繰
り返す。このような手順を計算機装置などにより行って
も、本発明を実施することができる。
【００３５】また、光近接効果補正の方法は、本実施の
形態の方法に限られるものではなく、任意の補正を行っ
てよい。
形態の方法に限られるものではなく、任意の補正を行っ
てよい。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光近接効果補正を行ったパタンデータが、元のパタンデ
ータと同一で露光パタンがデバイス動作上問題ないこ
と、および、マスク製造プロセス上問題がないことを、
高速に検証し保証することができるマスクパタン検証装
置とその方法を提供することができる。また、マスクパ
タンデータに対して、露光パタンがデバイスとして適切
な動作を行い、マスク製造プロセス上も問題が生じない
ような、適切な光近接効果補正を行うことができるマス
クパタン補正装置とその方法を提供することができる。
光近接効果補正を行ったパタンデータが、元のパタンデ
ータと同一で露光パタンがデバイス動作上問題ないこ
と、および、マスク製造プロセス上問題がないことを、
高速に検証し保証することができるマスクパタン検証装
置とその方法を提供することができる。また、マスクパ
タンデータに対して、露光パタンがデバイスとして適切
な動作を行い、マスク製造プロセス上も問題が生じない
ような、適切な光近接効果補正を行うことができるマス
クパタン補正装置とその方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態のマスクデータ補正装置
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示したマスクデータ補正装置の第１の検
証用パタンデータ生成部および第１のパタン比較部で行
われる処理を説明するための図である。
証用パタンデータ生成部および第１のパタン比較部で行
われる処理を説明するための図である。
【図３】図１に示したマスクデータ補正装置の第２の検
証用パタンデータ生成部および第２のパタン比較部で行
われる処理を説明するための図である。
証用パタンデータ生成部および第２のパタン比較部で行
われる処理を説明するための図である。
【図４】本発明の他の実施の形態であって、マスクデー
タの補正および検証を汎用の計算機装置で実施する場合
の処理の流れを示すフローチャートである。
タの補正および検証を汎用の計算機装置で実施する場合
の処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】光近接効果およびそれに対する補正方法を説明
するための第１の図である。
するための第１の図である。
【図６】光近接効果およびそれに対する補正方法を説明
するための第２の図である。
するための第２の図である。
１００…マスクデータ補正装置、１１０…パタンデータ
入力部、１２０…補正パラメータ決定部、１３０…パタ
ンデータ補正部、１４０…第１の検証用パタンデータ生
成部、１５０…第２の検証用パタンデータ生成部、１６
０…第１のパタン比較部、１７０…第２のパタン比較
部、１８０…判定部、１９０…パタンデータ出力部
入力部、１２０…補正パラメータ決定部、１３０…パタ
ンデータ補正部、１４０…第１の検証用パタンデータ生
成部、１５０…第２の検証用パタンデータ生成部、１６
０…第１のパタン比較部、１７０…第２のパタン比較
部、１８０…判定部、１９０…パタンデータ出力部
Claims (15)
- 【請求項１】露光用原マスクパタンに所定の補正を行っ
て得られたマスクパタンに対して、適切に補正が行われ
た否かを検証する装置であって、 前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における
所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタ
ンであって、露光工程において適切に処理が可能なマス
クパタンである検証用マスクパタンを生成する検証用マ
スクパタン生成手段と、 前記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された
検証用マスクパタンとを比較するマスクパタン比較手段
と、 前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマスクパ
タンが適切なマスクパタンか否かを判定する判定手段
と、 を有するマスクパタン検証装置。 - 【請求項２】前記検証用マスクパタン生成手段は、前記
原マスクパタンの各マスクパタンについて、その輪郭を
全方向について所定の長さ拡張することにより前記検証
用マスクパタンを生成し、 前記マスクパタン比較手段は、前記検証用マスクパタン
に前記補正が行われたマスクパタンが包含されるか否か
を図形演算により求め前記比較を行い、 前記判定部は、前記比較により前記検証用マスクパタン
に前記補正が行われたマスクパタンが包含されていた場
合に、前記マスクパタンが適切と判定する請求項１記載
のマスクパタン検証装置。 - 【請求項３】前記検証用マスクパタン生成手段は、前記
拡張により、複数のマスクパタン部分が接触する場合お
よび複数のマスクパタン部分が露光工程において適切に
分離できる距離以下に近接する場合に、当該マスクパタ
ン部分が露光工程において適切に分離できる距離以上に
分離した位置に保持されるように前記検証用マスクパタ
ンの生成を行う請求項２記載のマスクパタン検証装置。 - 【請求項４】前記検証用マスクパタン生成手段は、前記
原マスクパタンの各マスクパタンについて、その輪郭を
全方向について所定の長さ縮小することにより前記検証
用マスクパタンを生成し、 前記マスクパタン比較手段は、前記検証用マスクパタン
が前記補正が行われたマスクパタンに包含されるか否か
を図形演算により求め前記比較を行い、 前記判定部は、前記比較により前記検証用マスクパタン
が前記補正が行われたマスクパタンに包含されていた場
合に、前記マスクパタンが適切と判定する請求項１記載
のマスクパタン検証装置。 - 【請求項５】前記検証用マスクパタン生成手段は、前記
縮小により、マスクパタンが分離する場合および露光工
程において適切に接触した状態が保持できる幅より細い
幅になる場合に、当該マスクパタン部分が露光工程にお
いて適切に接触した状態が保持できる幅以上の幅になる
ように前記検証用マスクパタンの生成を行う請求項４記
載のマスクパタン検証装置。 - 【請求項６】前記検証用マスクパタン生成手段は、前記
原マスクパタンの各マスクパタンについて、その輪郭を
全方向について所定の長さ拡張することにより第１の検
証用マスクパタンを生成し、前記原マスクパタンの各マ
スクパタンについて、その輪郭を全方向について所定の
長さ縮小することにより第２の検証用マスクパタンを生
成し、 前記マスクパタン比較手段は、前記第１の検証用マスク
パタンに前記補正が行われたマスクパタンが包含される
か否か、および、前記第２の検証用マスクパタンが前記
補正が行われたマスクパタンに包含されるか否かを、各
々図形演算により求め前記比較を行い、 前記判定部は、前記比較により前記第１の検証用マスク
パタンに前記補正が行われたマスクパタンが包含されて
おり、かつ、前記第２の検証用マスクパタンが前記補正
が行われたマスクパタンに包含されていた場合に、前記
マスクパタンが適切と判定する請求項１記載のマスクパ
タン検証装置。 - 【請求項７】前記検証用マスクパタン生成手段は、 前記拡張により、複数のマスクパタン部分が接触する場
合および複数のマスクパタン部分が露光工程において適
切に分離できる距離以下に近接する場合に、当該マスク
パタン部分が露光工程において適切に分離できる距離以
上に分離した位置に保持されるように前記検証用マスク
パタンの生成を行い、 前記縮小により、マスクパタンが分離する場合および露
光工程において適切に接触した状態が保持できる幅より
細い幅になる場合に、当該マスクパタン部分が露光工程
において適切に接触した状態が保持できる幅以上の幅に
なるように前記検証用マスクパタンの生成を行う請求項
６記載のマスクパタン検証装置。 - 【請求項８】露光用原マスクパタンに所定の補正を行っ
て得られたマスクパタンに対して、適切に補正が行われ
た否かを検証する方法であって、 前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における
所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタ
ンであって、露光工程において適切に処理が可能なマス
クパタンである検証用マスクパタンを生成し、 前記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された
検証用マスクパタンとを比較し、 前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマスクパ
タンが適切なマスクパタンか否かを判定するマスクパタ
ン検証方法。 - 【請求項９】露光用原マスクパタンに対して所定の補正
を行う補正手段と、 前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における
所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタ
ンであって、露光工程において適切に処理が可能なマス
クパタンである検証用マスクパタンを生成する検証用マ
スクパタン生成手段と、 前記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された
検証用マスクパタンとを比較するマスクパタン比較手段
と、 前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマスクパ
タンが適切なマスクパタンか否かを判定する判定手段
と、 を有するマスクパタン補正装置。 - 【請求項１０】前記補正手段における前記原マスクパタ
ンに対する所定の補正は、露光の際の光近接効果に対処
して所望のパタンを形成するための補正である請求項９
記載のマスクパタン補正装置。 - 【請求項１１】前記検証用マスクパタン生成手段は、前
記原マスクパタンの各マスクパタンについて、その輪郭
を全方向について所定の長さ拡張することにより前記検
証用マスクパタンを生成し、 前記マスクパタン比較手段は、前記検証用マスクパタン
に前記補正が行われたマスクパタンが包含されるか否か
を図形演算により求め前記比較を行い、 前記判定部は、前記比較により前記検証用マスクパタン
に前記補正が行われたマスクパタンが包含されていた場
合に、前記マスクパタンが適切と判定する請求項９記載
のマスクパタン補正装置。 - 【請求項１２】前記検証用マスクパタン生成手段は、前
記拡張により、複数のマスクパタン部分が接触する場合
および複数のマスクパタン部分が露光工程において適切
に分離できる距離以下に近接する場合に、当該マスクパ
タン部分が露光工程において適切に分離できる距離以上
に分離した位置に保持されるように前記検証用マスクパ
タンの生成を行う請求項１１記載のマスクパタン補正装
置。 - 【請求項１３】前記検証用マスクパタン生成手段は、前
記原マスクパタンの各マスクパタンについて、その輪郭
を全方向について所定の長さ縮小することにより前記検
証用マスクパタンを生成し、 前記マスクパタン比較手段は、前記検証用マスクパタン
が前記補正が行われたマスクパタンに包含されるか否か
を図形演算により求め前記比較を行い、 前記判定部は、前記比較により前記検証用マスクパタン
が前記補正が行われたマスクパタンに包含されていた場
合に、前記マスクパタンが適切と判定する請求項９記載
のマスクパタン補正装置。 - 【請求項１４】前記検証用マスクパタン生成手段は、前
記縮小により、マスクパタンが分離する場合および露光
工程において適切に接触した状態が保持できる幅より細
い幅になる場合に、当該マスクパタン部分が露光工程に
おいて適切に接触した状態が保持できる幅以上の幅にな
るように前記検証用マスクパタンの生成を行う請求項１
３記載のマスクパタン補正装置。 - 【請求項１５】露光用原マスクパタンに対して所定の補
正を行い、 前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における
所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタ
ンであって、露光工程において適切に処理が可能なマス
クパタンである検証用マスクパタンを生成し、 前記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された
検証用マスクパタンとを比較し、 前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマスクパ
タンが適切なマスクパタンか否かを判定するマスクパタ
ン補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34679297A JPH11174659A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34679297A JPH11174659A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11174659A true JPH11174659A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18385854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34679297A Pending JPH11174659A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11174659A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901569B2 (en) | 2002-07-05 | 2005-05-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Corrected mask pattern verification apparatus and corrected mask pattern verification |
| US7010775B2 (en) | 2002-07-22 | 2006-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for creating mask pattern for circuit fabrication and method for verifying mask pattern for circuit fabrication |
| US7115343B2 (en) | 2004-03-10 | 2006-10-03 | International Business Machines Corporation | Pliant SRAF for improved performance and manufacturability |
| JP2007086717A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Hynix Semiconductor Inc | レイアウト対レイアウト検査方法を用いた光学近接効果補正の検証方法 |
| JP2009031820A (ja) * | 2008-11-10 | 2009-02-12 | Fujitsu Microelectronics Ltd | リソグラフィ用データ補正装置及びその装置での処理をコンピュータにて行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体 |
| US9836565B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-12-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic design automation method and apparatus thereof |
| US11372324B2 (en) * | 2019-02-11 | 2022-06-28 | United Microelectronics Corporation | Method for correcting mask pattern and mask pattern thereof |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP34679297A patent/JPH11174659A/ja active Pending
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| US11372324B2 (en) * | 2019-02-11 | 2022-06-28 | United Microelectronics Corporation | Method for correcting mask pattern and mask pattern thereof |
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