JPH1010582A - 液晶ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶ディスプレイ装置及びその製造方法Info
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- JPH1010582A JPH1010582A JP4108797A JP4108797A JPH1010582A JP H1010582 A JPH1010582 A JP H1010582A JP 4108797 A JP4108797 A JP 4108797A JP 4108797 A JP4108797 A JP 4108797A JP H1010582 A JPH1010582 A JP H1010582A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ板及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 回路素子を覆いながらその上に形成され
る配向膜と、配向膜上に形成され、画素電極と画素電極
との間のスペ−スを覆うブラックマトリックスを含む。
ブラックマトリックスの下部に位置する配向膜にも液晶
配向のための溝が形成される。また、透明基板上にゲ−
トライン、ＴＦＴ、デ−タライン及び画素電極を形成す
る段階と、前面に配向膜を形成する段階と、配向膜上に
ブラック樹脂膜を形成し、選択的にエッチさせることに
よりブラックマトリックスパタ−ンを形成する段階を含
む。これにより、配向膜のラビング不良内なくなるので
コントラスト及び画質が良好になる。
造方法を提供する。 【解決手段】 回路素子を覆いながらその上に形成され
る配向膜と、配向膜上に形成され、画素電極と画素電極
との間のスペ−スを覆うブラックマトリックスを含む。
ブラックマトリックスの下部に位置する配向膜にも液晶
配向のための溝が形成される。また、透明基板上にゲ−
トライン、ＴＦＴ、デ−タライン及び画素電極を形成す
る段階と、前面に配向膜を形成する段階と、配向膜上に
ブラック樹脂膜を形成し、選択的にエッチさせることに
よりブラックマトリックスパタ−ンを形成する段階を含
む。これにより、配向膜のラビング不良内なくなるので
コントラスト及び画質が良好になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイ装
置及びその製造方法に関する。
置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶ディスプレイ装置は密封し
た液晶に電界を印加する電極を各画素毎に設けてこの画
素の電極に電圧を印加したり印加しないことにより液晶
が光の通過を制御するように構成されている。
た液晶に電界を印加する電極を各画素毎に設けてこの画
素の電極に電圧を印加したり印加しないことにより液晶
が光の通過を制御するように構成されている。
【０００３】この従来の液晶ディスプレイ装置にはアク
ティブマトリックスタイプの薄膜トランジスタを用いる
液晶表示装置があるが、このＴＦＴ ＬＣＤは薄膜トラ
ンジスタと画素電極が配列されているＴＦＴ基板または
下板と、色相を示すためのカラ−フィルタ及び共通電極
の形成されたカラ−フィルタ板または上板、そしてこの
上下基板間に液晶が注入されており、２枚のガラス基板
の両面には可視光線を線偏光させる偏光板がそれぞれ付
着され構成される。
ティブマトリックスタイプの薄膜トランジスタを用いる
液晶表示装置があるが、このＴＦＴ ＬＣＤは薄膜トラ
ンジスタと画素電極が配列されているＴＦＴ基板または
下板と、色相を示すためのカラ−フィルタ及び共通電極
の形成されたカラ−フィルタ板または上板、そしてこの
上下基板間に液晶が注入されており、２枚のガラス基板
の両面には可視光線を線偏光させる偏光板がそれぞれ付
着され構成される。
【０００４】従来の液晶ディスプレイ装置では画素電極
とカラ−フィルタを通過する光りのみ通過させ、その他
の光は遮断させるべきであるが、この目的として用いる
遮光膜パタ−ン（ブラックマトリックス）が主としてカ
ラ−フィルタ板に形成されていた。この場合は上板と下
板を合着する工程におけるマ−ジンが設計に反映され、
すなわちブラックマトリックスの面積が広くなって開口
率を低下させる原因となった。
とカラ−フィルタを通過する光りのみ通過させ、その他
の光は遮断させるべきであるが、この目的として用いる
遮光膜パタ−ン（ブラックマトリックス）が主としてカ
ラ−フィルタ板に形成されていた。この場合は上板と下
板を合着する工程におけるマ−ジンが設計に反映され、
すなわちブラックマトリックスの面積が広くなって開口
率を低下させる原因となった。
【０００５】それで、最近はこのブラックマトリックス
をカラ−フィルタでなくＴＦＴ板に形成する方法が提案
されている。
をカラ−フィルタでなくＴＦＴ板に形成する方法が提案
されている。
【０００６】ＴＦＴ板にブラックマトリックスを形成す
る技術の一例はピクセルの一部が図１のようなレイアウ
トに図２のような断面を有するようになるものがある。
る技術の一例はピクセルの一部が図１のようなレイアウ
トに図２のような断面を有するようになるものがある。
【０００７】図１及び図２に示したような従来の技術に
おける液晶ディスプレイを製造する方法は、まず透明基
板１上にゲ−ト電極２及びゲ−トライン２’を形成し、
前面にゲ−ト絶縁膜４を形成し、真性半導体層とＮ＋半
導体層を形成した後ＴＦＴ素子が形成される部分のみ残
して取り除いて真性半導体層及びＮ＋半導体層パタ−ン
５、６を形成する。
おける液晶ディスプレイを製造する方法は、まず透明基
板１上にゲ−ト電極２及びゲ−トライン２’を形成し、
前面にゲ−ト絶縁膜４を形成し、真性半導体層とＮ＋半
導体層を形成した後ＴＦＴ素子が形成される部分のみ残
して取り除いて真性半導体層及びＮ＋半導体層パタ−ン
５、６を形成する。
【０００８】そして、導電物質を蒸着してからパタニン
グしてソ−ス及びドレイン電極８とデ−タライン３を形
成し、透明な絶縁層９を全面にデポジションした後パタ
ニングしてドレイン電極と画素電極を接続するためのコ
ンタクトホ−ルをドレイン電極上に形成し、導電層を蒸
着しパタニングして画素領域に画素電極１０を形成す
る。
グしてソ−ス及びドレイン電極８とデ−タライン３を形
成し、透明な絶縁層９を全面にデポジションした後パタ
ニングしてドレイン電極と画素電極を接続するためのコ
ンタクトホ−ルをドレイン電極上に形成し、導電層を蒸
着しパタニングして画素領域に画素電極１０を形成す
る。
【０００９】それから、遮光用金属配線で遮光できない
部分にブラック有機材料、すなわちブラック樹脂を用い
てブラックマトリックスパタ−ン１８を形成する。
部分にブラック有機材料、すなわちブラック樹脂を用い
てブラックマトリックスパタ−ン１８を形成する。
【００１０】バックライトから投射される光が遮光用金
属配線（ゲ−トライン２’、デ−タライン３）とブラッ
ク有機材料よりなるブラックマトリックスにより遮光さ
れ、画素電極領域部位へのみ通過される。
属配線（ゲ−トライン２’、デ−タライン３）とブラッ
ク有機材料よりなるブラックマトリックスにより遮光さ
れ、画素電極領域部位へのみ通過される。
【００１１】次いで、このブラックマトリックスパタ−
ンを含めて全面に液晶を配向させるための配向膜に例え
ばポリイミド層を形成した後ラビングする。
ンを含めて全面に液晶を配向させるための配向膜に例え
ばポリイミド層を形成した後ラビングする。
【００１２】次の工程は上板の基板１６にカラ−フィル
タ１５、対向電極１４及び上板の配向膜１３の形成され
たカラ−フィルタ板とＴＦＴ板とを結合させ液晶１２を
密封して液晶ディスプレイパネルを製作する。
タ１５、対向電極１４及び上板の配向膜１３の形成され
たカラ−フィルタ板とＴＦＴ板とを結合させ液晶１２を
密封して液晶ディスプレイパネルを製作する。
【００１３】このように製作されたディスプレイパネル
ではワ−ドラインのゲ−トラインを通して印加される電
圧により真性半導体層及びＮ＋半導体層パタ−ン５、６
とソ−ス及びドレインの含まれ形成されたＴＦＴがタ−
ンオンされ、ソ−スに連結されているデ−タライン３に
印加されるデ−タ電圧がドレインに連結され、ドレイン
に連結された画素電極をデ−タ電圧に充電させる。する
と、画素電極に充電された電圧とカラ−フィルタ板の共
通電極１４に印加された共通電圧により液晶に所定の方
向と大きさで電界が印加され液晶が電界により位置を変
更する。この液晶の位置変更により画素電極１０と液晶
１２及びカラ−フィルタ板のカラ−フィルタ１５を通し
て光が通過される。
ではワ−ドラインのゲ−トラインを通して印加される電
圧により真性半導体層及びＮ＋半導体層パタ−ン５、６
とソ−ス及びドレインの含まれ形成されたＴＦＴがタ−
ンオンされ、ソ−スに連結されているデ−タライン３に
印加されるデ−タ電圧がドレインに連結され、ドレイン
に連結された画素電極をデ−タ電圧に充電させる。する
と、画素電極に充電された電圧とカラ−フィルタ板の共
通電極１４に印加された共通電圧により液晶に所定の方
向と大きさで電界が印加され液晶が電界により位置を変
更する。この液晶の位置変更により画素電極１０と液晶
１２及びカラ−フィルタ板のカラ−フィルタ１５を通し
て光が通過される。
【００１４】液晶ディスプレイパネルでは通過する光を
デ−タ電圧により制御するためには画素電極のデ−タ電
圧が液晶の位置を容易に制御すべきである。
デ−タ電圧により制御するためには画素電極のデ−タ電
圧が液晶の位置を容易に制御すべきである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したＴＦ
Ｔ板にブラックマトリックスを形成した場合は、カラ−
フィルタ板とＴＦＴ板を合着する時のマ−ジンに鑑みて
広くした部分ほどのブラックマトリックスの面積は狭く
なって開口率の増加に効果があるが、逆にブラックマト
リックスの存する部位が周囲のピクセル電極部位より極
めて高くて段差が大きくなるので、配向膜に溝を形成す
るために施すラビング工程時にブラックマトリックスの
境界部位の配向膜には溝形成が不良になる。
Ｔ板にブラックマトリックスを形成した場合は、カラ−
フィルタ板とＴＦＴ板を合着する時のマ−ジンに鑑みて
広くした部分ほどのブラックマトリックスの面積は狭く
なって開口率の増加に効果があるが、逆にブラックマト
リックスの存する部位が周囲のピクセル電極部位より極
めて高くて段差が大きくなるので、配向膜に溝を形成す
るために施すラビング工程時にブラックマトリックスの
境界部位の配向膜には溝形成が不良になる。
【００１６】図３は前述したような液晶ディスプレイパ
ネルのＴＦＴ板表面の平面図である、図４は図３のIV−
IV線断面の一部を示した断面図である。
ネルのＴＦＴ板表面の平面図である、図４は図３のIV−
IV線断面の一部を示した断面図である。
【００１７】前述した図１及び図２に示したように、Ｔ
ＦＴ板のトポロジ−はゲ−トラインまたはデ−タライン
及び画素電極などの回路構成要素とパッシベ−ション膜
などが形成されたＴＦＴ板の表面２０上のブラックマト
リックス１８が１μｍ以上厚く形成されるので、周辺よ
り段差が大きくてその断面を見れば、図４において
“ｐ”に示したコ−ナ部分の配向膜に形成される溝が特
に不良になる。
ＦＴ板のトポロジ−はゲ−トラインまたはデ−タライン
及び画素電極などの回路構成要素とパッシベ−ション膜
などが形成されたＴＦＴ板の表面２０上のブラックマト
リックス１８が１μｍ以上厚く形成されるので、周辺よ
り段差が大きくてその断面を見れば、図４において
“ｐ”に示したコ−ナ部分の配向膜に形成される溝が特
に不良になる。
【００１８】それで、ブラックマトリックスパタ−ンに
おいて周囲１ないし２μｍ範囲に位置する液晶は配向が
容易になされなくて下部の光が漏れ、よってコントラス
ト比率が低下され画質が劣る。
おいて周囲１ないし２μｍ範囲に位置する液晶は配向が
容易になされなくて下部の光が漏れ、よってコントラス
ト比率が低下され画質が劣る。
【００１９】本発明の目的はＴＦＴ板に形成されたブラ
ックマトリックスにより発生される液晶の配向不良を解
消してディスプレイの画質を向上させる液晶ディスプレ
イ装置を提供することである。
ックマトリックスにより発生される液晶の配向不良を解
消してディスプレイの画質を向上させる液晶ディスプレ
イ装置を提供することである。
【００２０】本発明の他の目的は、前述したＴＦＴ板を
製造するに適した液晶ディスプレイ装置の製造方法を提
供することである。
製造するに適した液晶ディスプレイ装置の製造方法を提
供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前述した本発明の目的を
達成するために、本発明による液晶ディスプレイ装置
は、多数の画素電極を含むＴＦＴ板の回路素子を覆いな
がらその上に形成された配向膜と、前記配向膜上に形成
され、画素電極と画素電極との間のスペ−スを覆うブラ
ックマトリックスを含む。
達成するために、本発明による液晶ディスプレイ装置
は、多数の画素電極を含むＴＦＴ板の回路素子を覆いな
がらその上に形成された配向膜と、前記配向膜上に形成
され、画素電極と画素電極との間のスペ−スを覆うブラ
ックマトリックスを含む。
【００２２】ブラックマトリックスの下部に位置する配
向膜にも液晶の配向のための溝が形成されている。
向膜にも液晶の配向のための溝が形成されている。
【００２３】また、本発明の液晶ディスプレイ装置を製
作する方法は、透明基板上にワ−ドライン（ゲ−トライ
ンまたは走査線）、ＴＦＴ、デ−タライン及び画素電極
を形成する段階と、前面に配向膜を形成する段階と、前
記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、選択的にエッチ
させることによりブラックマトリックスパタ−ンを形成
する段階を含む。
作する方法は、透明基板上にワ−ドライン（ゲ−トライ
ンまたは走査線）、ＴＦＴ、デ−タライン及び画素電極
を形成する段階と、前面に配向膜を形成する段階と、前
記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、選択的にエッチ
させることによりブラックマトリックスパタ−ンを形成
する段階を含む。
【００２４】ブラックマトリックは配向膜上にブラック
樹脂膜を全面にコ−ティングし、露光及び現像工程を施
してパタ−ンを形成すればよく、ブラック樹脂膜は感光
性を有し、現像後には光を遮断する性質を有する樹脂で
あって、２６０℃までは耐熱性を有し、光の透過が５０
％以下となる材料を用いて膜を形成する。
樹脂膜を全面にコ−ティングし、露光及び現像工程を施
してパタ−ンを形成すればよく、ブラック樹脂膜は感光
性を有し、現像後には光を遮断する性質を有する樹脂で
あって、２６０℃までは耐熱性を有し、光の透過が５０
％以下となる材料を用いて膜を形成する。
【００２５】安定な温度で製品を使用すること及び以下
のプロセスの安定性のためには２５０℃より高い耐熱性
を備え、また、コントラスト比の改善のために５０％よ
り小さい透過率を備えるブラック樹脂を用いることが望
ましい。さらに、セルギャップを適正に保つためにはブ
ラック樹脂の厚さは１．５μｍより小さいことが望まし
い。
のプロセスの安定性のためには２５０℃より高い耐熱性
を備え、また、コントラスト比の改善のために５０％よ
り小さい透過率を備えるブラック樹脂を用いることが望
ましい。さらに、セルギャップを適正に保つためにはブ
ラック樹脂の厚さは１．５μｍより小さいことが望まし
い。
【００２６】また、ブラックマトリックスは配向膜上に
光遮断性質を有する光遮断膜を形成した後、フォトエジ
ストを用いた写真食刻工程で前記光遮断膜をパタニング
して形成しても良い。
光遮断性質を有する光遮断膜を形成した後、フォトエジ
ストを用いた写真食刻工程で前記光遮断膜をパタニング
して形成しても良い。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の望ましい実施の形態を詳述する。
明の望ましい実施の形態を詳述する。
【００２８】図５ないし図８において図１ないし図４で
使う参照符号と同一なものを指すものについては同一符
号を付する。
使う参照符号と同一なものを指すものについては同一符
号を付する。
【００２９】本発明は、まず透明基板１０１上にゲ−ト
電極２２を形成し、全面にゲ−ト絶縁膜４０を形成し、
真性半導体層とＮ＋半導体層を形成した後ＴＦＴ素子が
形成される部分のみ残し取り除いて半導体パタ−ンの真
性半導体領域５０とＮ＋半導体層領域６０を形成する。
電極２２を形成し、全面にゲ−ト絶縁膜４０を形成し、
真性半導体層とＮ＋半導体層を形成した後ＴＦＴ素子が
形成される部分のみ残し取り除いて半導体パタ−ンの真
性半導体領域５０とＮ＋半導体層領域６０を形成する。
【００３０】そして、導電物質を蒸着した後パタニング
してデ−タライン３０と連結されるソ−ス８１、画素電
極と連結されるドレイン電極８２及びデ−タライン３０
を形成する。
してデ−タライン３０と連結されるソ−ス８１、画素電
極と連結されるドレイン電極８２及びデ−タライン３０
を形成する。
【００３１】次いで、導電層を全面に蒸着しパタニング
してドレイン電極と連結された画素電極１００を形成す
る。この際、導電層を形成前に透明な絶縁層９０を全面
にデポジションした後、この絶縁層９０をパタニングし
てドレイン電極と画素電極を接続するためのコンタクト
ホ−ルをドレイン電極８２上に形成した後、導電層を蒸
着し画素電極をパタニングすればさらに安全でかつ画素
電極をデ−タライン３０との境界部位まで重畳させ形成
できるのでさらに広面積を有させることができる。
してドレイン電極と連結された画素電極１００を形成す
る。この際、導電層を形成前に透明な絶縁層９０を全面
にデポジションした後、この絶縁層９０をパタニングし
てドレイン電極と画素電極を接続するためのコンタクト
ホ−ルをドレイン電極８２上に形成した後、導電層を蒸
着し画素電極をパタニングすればさらに安全でかつ画素
電極をデ−タライン３０との境界部位まで重畳させ形成
できるのでさらに広面積を有させることができる。
【００３２】次いで、液晶を配向させるための配向膜２
１０、例えばポリイミド、ポリアミドまたはシリコン酸
化物（ＳｉＯ2 ）を形成した後、ラビング工程を進む。
１０、例えばポリイミド、ポリアミドまたはシリコン酸
化物（ＳｉＯ2 ）を形成した後、ラビング工程を進む。
【００３３】また、ここで液晶を配向させるための配向
膜、例えばポリビニルシンナメ−ト（ＰＶＣＮ）、ポリ
ビニルフルオロシンナメ−ト（ＰＶＣＮ−Ｆ）、ポリシ
ロキシ酸系列またはポリビニルクロライド（ＰＶＣ）な
どで層を形成した後ラビング工程を行わず光配向が可能
になる。
膜、例えばポリビニルシンナメ−ト（ＰＶＣＮ）、ポリ
ビニルフルオロシンナメ−ト（ＰＶＣＮ−Ｆ）、ポリシ
ロキシ酸系列またはポリビニルクロライド（ＰＶＣ）な
どで層を形成した後ラビング工程を行わず光配向が可能
になる。
【００３４】それから、このラビングされたり光配向さ
れた配向膜２１０上に画素電極以外の部分を遮光するた
めの遮光膜パタ−ンを形成する。この遮光膜パタ−ンで
あるブラックマトリックスパタ−ン２８０はブラック樹
脂をコ−ティングし、露光及び現像工程を施して形成す
る。
れた配向膜２１０上に画素電極以外の部分を遮光するた
めの遮光膜パタ−ンを形成する。この遮光膜パタ−ンで
あるブラックマトリックスパタ−ン２８０はブラック樹
脂をコ−ティングし、露光及び現像工程を施して形成す
る。
【００３５】ブラック樹脂はフォトレジストフィルムの
ように感光性を有し現像後には光を遮断する性質を有す
る樹脂であって、２５０℃までは耐熱性を有し光の透過
が５０％以下となる材料を用い、コ−ティングされたブ
ラック樹脂の厚さが約１．５μｍ以下とならせれば良
い。このブラックマトリックスパタ−ンは光が遮断され
るゲ−トライン２２とデ−タライン３０及び画素電極領
域を除いた全領域にのみ形成しても良いが、パタニング
工程の便宜上画素電極領域を除いた全領域に形成すれば
良い。
ように感光性を有し現像後には光を遮断する性質を有す
る樹脂であって、２５０℃までは耐熱性を有し光の透過
が５０％以下となる材料を用い、コ−ティングされたブ
ラック樹脂の厚さが約１．５μｍ以下とならせれば良
い。このブラックマトリックスパタ−ンは光が遮断され
るゲ−トライン２２とデ−タライン３０及び画素電極領
域を除いた全領域にのみ形成しても良いが、パタニング
工程の便宜上画素電極領域を除いた全領域に形成すれば
良い。
【００３６】安定な温度で製品を使用すること及び以下
のプロセスの安定性のためには２５０℃より高い耐熱性
を備え、また、コントラスト比の改善のために５０％よ
り小さい透過率を備えるブラック樹脂を用いることが望
ましい。さらに、セルギャップを適正に保つためにはブ
ラック樹脂の厚さは１．５μｍより小さいことが望まし
い。
のプロセスの安定性のためには２５０℃より高い耐熱性
を備え、また、コントラスト比の改善のために５０％よ
り小さい透過率を備えるブラック樹脂を用いることが望
ましい。さらに、セルギャップを適正に保つためにはブ
ラック樹脂の厚さは１．５μｍより小さいことが望まし
い。
【００３７】画素電極領域以外の領域において光が漏れ
る領域は全部ブラック樹脂のみで覆う。画素電極１０
０、デ−タライン及びゲ−トラインを除いた全領域には
ブラック樹脂膜を残留させれば良い。
る領域は全部ブラック樹脂のみで覆う。画素電極１０
０、デ−タライン及びゲ−トラインを除いた全領域には
ブラック樹脂膜を残留させれば良い。
【００３８】バックライトから投射される光は金属配線
（ゲ−トライン２２、デ−タライン３０）とブラック有
機材料よりなるブラックマトリックス２８０により遮光
され画素電極１００が形成された領域へのみ通過され
る。
（ゲ−トライン２２、デ−タライン３０）とブラック有
機材料よりなるブラックマトリックス２８０により遮光
され画素電極１００が形成された領域へのみ通過され
る。
【００３９】この次の工程は従来のように、カラ−フィ
ルタ板の基板１６０にカラ−フィルタ１５０、対向電極
１４０及びカラ−フィルタ板の配向膜１３０の形成され
たカラ−フィルタ板とＴＦＴ板を結合させ液晶１２０を
密封して液晶ディスプレイパネルを制作する。
ルタ板の基板１６０にカラ−フィルタ１５０、対向電極
１４０及びカラ−フィルタ板の配向膜１３０の形成され
たカラ−フィルタ板とＴＦＴ板を結合させ液晶１２０を
密封して液晶ディスプレイパネルを制作する。
【００４０】図７は図５の上部表面を示した平面図であ
り、図８は図７のVIII−VIII線断面図である。
り、図８は図７のVIII−VIII線断面図である。
【００４１】前述したように本発明のＴＦＴ板の表面構
造はゲ−トライン２２またはデ−タライン３０及び画素
電極１００などの回路構成要素とパッシベ−ション膜な
どが形成されたＴＦＴ板の表面２００上に配向膜２１０
が均一に形成され、この配向膜２１０には溝形成が一定
になされており、ブラックマトリックス２８はこの配向
膜２１０上に１μｍ以上厚く形成される。それで図４に
おいて、“ｐ”で示したコ−ナ部の配向膜２１０に形成
される溝が一定になる。したがって、ブラックマトリッ
クスパタ−ン２８０において周囲１ないし２μｍ範囲に
位置する液晶の配向も順調になされるのでコントラスト
比率及び画質が良好になる。
造はゲ−トライン２２またはデ−タライン３０及び画素
電極１００などの回路構成要素とパッシベ−ション膜な
どが形成されたＴＦＴ板の表面２００上に配向膜２１０
が均一に形成され、この配向膜２１０には溝形成が一定
になされており、ブラックマトリックス２８はこの配向
膜２１０上に１μｍ以上厚く形成される。それで図４に
おいて、“ｐ”で示したコ−ナ部の配向膜２１０に形成
される溝が一定になる。したがって、ブラックマトリッ
クスパタ−ン２８０において周囲１ないし２μｍ範囲に
位置する液晶の配向も順調になされるのでコントラスト
比率及び画質が良好になる。
【００４２】このような工程で製作されたディスプレイ
パネルの動作は従来と同様であるが、すなわちワ−ドラ
インであるゲ−トライン２２を通して印加される電圧に
より半導体層５０、６０とソ−ス８１及びドレイン８２
が含まれ形成されたＴＦＴがタ−ンオンされ、ソ−スに
連結されているデ−タライン３０に印加されるデ−タ電
圧がドレイン８２に連結され、ドレイン８２に連結され
た画素電極１００をデ−タ電圧で充電させる。すると、
画素電極１００に充電された電圧とカラ−フィルタ板の
共通電極１４０に印加された共通電圧により液晶に所定
の方向と大きさで電界が加えられ液晶が電界により位置
を変更する。この液晶の位置変更により画素電極１００
と液晶１２０及びカラ−フィルタ板のカラ−フィルタ１
５０を通して光が通過される。
パネルの動作は従来と同様であるが、すなわちワ−ドラ
インであるゲ−トライン２２を通して印加される電圧に
より半導体層５０、６０とソ−ス８１及びドレイン８２
が含まれ形成されたＴＦＴがタ−ンオンされ、ソ−スに
連結されているデ−タライン３０に印加されるデ−タ電
圧がドレイン８２に連結され、ドレイン８２に連結され
た画素電極１００をデ−タ電圧で充電させる。すると、
画素電極１００に充電された電圧とカラ−フィルタ板の
共通電極１４０に印加された共通電圧により液晶に所定
の方向と大きさで電界が加えられ液晶が電界により位置
を変更する。この液晶の位置変更により画素電極１００
と液晶１２０及びカラ−フィルタ板のカラ−フィルタ１
５０を通して光が通過される。
【００４３】前述した実施例では逆千鳥状ＩＯＰタイプ
の液晶ディスプレイ装置を例として説明したが、その他
の千鳥状タイプやコプラ−ナタイプまたは逆コプラ−ナ
タイプなどの場合もデ−タライン、ゲ−トライン、画素
電極、ＴＦＴなどが形成された表面に配向膜を形成し、
その上にブラックマトリックスパタ−ンを形成する本発
明の方法が適用されうる。
の液晶ディスプレイ装置を例として説明したが、その他
の千鳥状タイプやコプラ−ナタイプまたは逆コプラ−ナ
タイプなどの場合もデ−タライン、ゲ−トライン、画素
電極、ＴＦＴなどが形成された表面に配向膜を形成し、
その上にブラックマトリックスパタ−ンを形成する本発
明の方法が適用されうる。
【００４４】本発明の説明では共通電極とカラ−フィル
タが上板に置かれることを例として説明したが、共通電
極及び／またはカラ−フィルタがＴＦＴ板に形成される
場合も実現できる。
タが上板に置かれることを例として説明したが、共通電
極及び／またはカラ−フィルタがＴＦＴ板に形成される
場合も実現できる。
【００４５】前述したような方法で製作された液晶ディ
スプレイ装置のＴＦＴ板は配向膜が多数の画素電極とＴ
ＦＴ、ゲ−トライン、デ−タラインなどを覆いながらこ
れらの上に形成され、ブラックマトリックスは配向膜上
に形成されるが、画素電極以外の領域に光の通過が遮断
されるようにブラックマトリックスが形成される。
スプレイ装置のＴＦＴ板は配向膜が多数の画素電極とＴ
ＦＴ、ゲ−トライン、デ−タラインなどを覆いながらこ
れらの上に形成され、ブラックマトリックスは配向膜上
に形成されるが、画素電極以外の領域に光の通過が遮断
されるようにブラックマトリックスが形成される。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるディス
プレイ装置には配向膜のラビング不良がなくなるのでコ
ントラスト及び画質が良好になる。
プレイ装置には配向膜のラビング不良がなくなるのでコ
ントラスト及び画質が良好になる。
【図１】従来の液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ板におい
てＴＦＴが置かれる一部のレイアウト図である。
てＴＦＴが置かれる一部のレイアウト図である。
【図２】図１のII−II線断面と液晶及びカラ−フィルタ
板の一部断面図である。
板の一部断面図である。
【図３】図１の上部表面を示した平面図である。
【図４】図３のIV−IV線断面図である。
【図５】本発明の液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ板にお
いてＴＦＴが置かれる一部のレイアウト図である。
いてＴＦＴが置かれる一部のレイアウト図である。
【図６】図５のVI−VI線断面と液晶及びカラ−フィルタ
板の一部断面図である。
板の一部断面図である。
【図７】図５の上部表面を示した平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線断面図である。
【符号の説明】 １０ 透明基板 ２２ ゲ−ト電極 ３０ デ−タライン ４０ ゲ−ト絶縁膜 ９０ 絶縁層 １００ 画素電極 １４０ 共通電極 ２１０ 配向膜 ２８０ ブラックマトリックスパタ−ン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1337 ５２５ Ｇ０２Ｆ 1/1337 ５２５ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 21/336 (72)発明者 キョウン−ナム リム 大韓民国、ソウル、ジョンロ−ク、スンイ ン １−ドン 81
Claims (25)
- 【請求項１】 液晶ディスプレイ装置において、 多数の画素電極を含むＴＦＴ板の回路素子を覆いながら
その上に形成された配向膜と、 前記配向膜上に形成され、画素電極と画素電極との間の
スペ−スを覆うブラックマトリックスを含めてなること
を特徴とする液晶ディスプレイ装置。 - 【請求項２】 前記配向膜の下部には透明基板上にＴＦ
Ｔ、ゲ−トライン及びデ−タラインが形成され、 前記ゲ−トラインとデ−タラインはＴＦＴを通して前記
画素電極と連結されるように構成されることを特徴とす
る請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 【請求項３】 前記ブラックマトリックスの下部に位置
する配向膜にも液晶配向のための溝が形成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装
置。 - 【請求項４】 前記配向膜はポリイミドよりなることを
特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 【請求項５】 前記配向膜はポリアミドよりなることを
特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 【請求項６】 前記配向膜はシリコン酸化膜よりなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装
置。 - 【請求項７】 前記配向膜はポリビニルシンナメ−トよ
りなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプ
レイ装置。 - 【請求項８】 前記配向膜はポリビニルフルオロシンナ
メ−トよりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶
ディスプレイ装置。 - 【請求項９】 前記配向膜はポリシトキシ酸系列、また
はポリビニルクロライドよりなることを特徴とする請求
項１に記載の液晶ディスプレイ装置。 - 【請求項１０】 液晶ディスプレイ装置を製作する方法
において、 透明基板上にゲ−トライン、ＴＦＴ、デ−タライン及び
画素電極を形成する段階と、 前面に配向膜を形成する段階と、 前記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、選択的にエッ
チさせることによりブラックマトリックスパタ−ンを形
成する段階を含めてなることを特徴とする液晶ディスプ
レイ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 透明基板上にゲ−トライン、ＴＦＴ、
デ−タラインを形成した後絶縁膜で全面を覆った後画素
電極と連結する部位にコンタクトホ−ルをオプンした後
画素電極を形成することを特徴とする請求項１０に記載
の液晶ディスプレイ装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ブラックマトリックスパタ−ンを
形成する段階は、 前記配向膜上にブラック樹脂膜を全面にコ−ティング
し、露光及び現像工程を施してパタ−ンを形成すること
を特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置
の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ブラック樹脂膜は、 感光性を有し現像後には光を遮断する性質を有する樹脂
であって、２６０℃までは耐熱性を有し、光の透過が５
０％以下となる材料を用いて膜を形成することを特徴と
する請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記ブラックマトリックスパタ−ンを
形成する段階は、 前記配向膜上に光遮断性質を有する光遮断膜を形成した
後、フォトレジストを用いた写真食刻工程で前記光遮膜
をパタニングすることを特徴とする請求項１０に記載の
液晶ディスプレイ装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記配向膜を形成する工程はポリイミ
ド膜を形成し、ラビング工程を施して形成することを特
徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製
造方法。 - 【請求項１６】 前記配向膜を形成する工程はポリアミ
ド膜を形成し、ラビング工程を施して形成することを特
徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製
造方法。 - 【請求項１７】 前記配向膜を形成する工程はシリコン
酸化物で膜を形成し、ラビング工程を施して形成するこ
とを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装
置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記配向膜を形成する工程はポリビニ
ルシンナメ−トで膜を形成し、光配向により形成するこ
とを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装
置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記配向膜を形成する工程はポリビニ
ルフルオロシンナメ−トで膜を形成し、光配向により形
成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディス
プレイ装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記配向膜を形成する工程はポリシロ
キシ酸系列で膜を形成し、光配向により形成することを
特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の
製造方法。 - 【請求項２１】 前記配向膜を形成する工程はポリビニ
ルクロライドで膜を形成し、光配向により形成すること
を特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置
を製造方法。 - 【請求項２２】 液晶ディスプレイ装置を製作する方法
において、 透明基板上にゲ−トライン、ＴＦＴ、デ−タライン及び
画素電極を形成する段階と、 前面に配向膜素材物質で膜を形成し、ラビング工程を施
して配向膜を形成する段階と、 前記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、画素電極領域
以外の領域で光が漏れる領域上にのみ前記ブラック樹脂
を残し、その他の領域に存するブラック樹脂膜は取り除
くことによりブラックマトリックスパタ−ンを形成する
段階を含めてなることを特徴とする液晶ディスプレイ装
置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記光が漏れる領域以外のブラック樹
脂膜を取り除く工程は、 画素電極、デ−タライン及びゲ−トラインを除いた全領
域のブラック樹脂膜を取り除くことを特徴とする請求項
２２に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。 - 【請求項２４】 液晶ディスプレイ装置を製作する方法
において、 透明基板上にゲ−トライン、ＴＦＴ、デ−タライン及び
画素電極を形成する段階と、 前面に配向膜素材物質で膜を形成し、光配向により配向
膜を形成する段階と、 前記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、画素電極領域
以外の領域で光が漏れる領域上にのみ前記ブラック樹脂
を残し、その他の領域に存するブラック樹脂膜は取り除
くことによりブラックマトリックスパタ−ンを形成する
段階を含めてなることを特徴とする液晶ディスプレイ装
置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記光が漏れる領域以外のブラック樹
脂膜を取り除く工程は、 画素電極、デ−タライン及びゲ−トラインを除いた全領
域のブラック樹脂膜を取り除くことを特徴とする請求項
２４に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR96-6617 | 1996-03-13 | ||
| KR1019960006617A KR100220854B1 (ko) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 액정 디스플레이 디바이스의 tft 판 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010582A true JPH1010582A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=19452949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4108797A Pending JPH1010582A (ja) | 1996-03-13 | 1997-02-25 | 液晶ディスプレイ装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5854663A (ja) |
| JP (1) | JPH1010582A (ja) |
| KR (1) | KR100220854B1 (ja) |
| DE (1) | DE19709204B9 (ja) |
| FR (1) | FR2746195B1 (ja) |
| GB (1) | GB2311403B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100552292B1 (ko) * | 1998-09-11 | 2006-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2006350347A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
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