DE3515978A1 - Bilderzeugungsvorrichtung - Google Patents

Bilderzeugungsvorrichtung

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DE3515978A1 DE19853515978 DE3515978A DE3515978A1 DE 3515978 A1 DE3515978 A1 DE 3515978A1 DE 19853515978 DE19853515978 DE 19853515978 DE 3515978 A DE3515978 A DE 3515978A DE 3515978 A1 DE3515978 A1 DE 3515978A1
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Description

Canon Kabushiki Kaisha Tokio, Japan
Bilderzeugungsvorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bilderzeugungsvorrichtung und insbesondere auf eine Bilderzeugungsvorrichtung, die es ermöglicht, nicht nur Sichtanzeigebilder zu liefern, sondern auch als nach einem elektrofotografischen Prozess zu kopierende Vorlage zu dienen.
Bei einer herkömmlichen Bilderzeugungsvorrichtung mit diesen Möglichkeiten wurde eine Flüssigkristalltafel mit einfachem Matrixaufbau eingesetzt, bei dem horizontal und vertikal in einer großen Anzahl Streifenelektroden einander gegenübergesetzt und zwischen diese ein Flüssigkristall eingefügt wurde. Eine solche Flüssigkristalltafel hat jedoch den Mangel, daß die anzuzeigende Informationsmenge nicht ausreichend gesteigert werden kann, da durch die Funktionsweise des Flüssigkristalls Grenzen gesetzt sind. Als Maßnahme zur Steigerung der anzuzeigenden Informationsmenge wurde vor kurzem eine Vorrichtung entwickelt, bei der für ein jeweiliges Bildelement ein Dünnfilmtransistor vorgesehen ist und diese Dünnfilmtran-
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sistoren zu einer Matrix angeordnet sind. Bei einer Bilderzeugungsvorrichtung mit einer vorbestimmten Sichtanzeige-Bildfläche führt jedoch eine Steigerung der anzuzeigenden Informationsmenge zu einer Verkleinerung der Bildelemente. Wenn diese Bilderzeugungsvorrichtung als Reflexions-Vorrichtung eingesetzt wird, entsteht die Unzulänglichkeit, daß Doppelbilder bzw. zwei gesonderte Bildelementebilder durch einen mittels optischer Änderun- IQ gen hervorgerufenen Abbildungsteil einer Flüssigkristallschicht sowie durch einen Schattenteil hervorgerufen werden, der durch die Projektion eines optisch geänderten Teils auf eine lichtstreuende Reflexionsfläche mittels einer externen Beleuchtung gebildet wird.
Wenn ferner unter Benutzung einer solchen Flüssigkristalltafel ein optisches Reflexionssystem für die Sichtanzeige sowie für das Beaufschlagen eines elektrofotografischen Druckers mit Bildlicht benutzt wird, entsteht der Nachteil, daß ein die Elektroden bildendes Metall an einer Reflexionsplatte einen Schatten ergibt, durch den die Sichtanzeigefähigkeit herabgesetzt wird. Von einer solchen Metallelektrode werden keine Streulichtstrahlen abgegeben, so daß an einem KopieraufZeichnungsmaterial ein Schwarzbereich ausgedruckt wird. Wenn eine solche Flüssigkristalltafel als Sichtanzeigetafel eingesetzt wird, wirken diese Metallelektroden als Spiegelfläche, wodurch die Betrachtung erschwert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Bilder-30
zeugungsvorrichtung zu schaffen, die unter Ausschalten der vorstehend beschriebenen Mängel herkömmlicher Bilderzeugungsvorrichtungen einen weiten Bildsichtwinkel sowie hohen Kontrast hat.
Ferner soll mit der Erfindung eine Bilderzeugungsvor-
richtung mit den vorstehend genannten Funktionen geschaffen werden, .welche dünn bzw. flach sowie preiswert herstellbar ist.
Weiterhin soll mit der Erfindung eine Bilderzeugungsvorrichtung geschaffen werden, bei der ein Flüssigkristall mittels Dünnfilmtransistoren angesteuert wird und die als Sichtanzeigetafel für sich einen gut zu betrachtenden ,Q Bildschirm sowie als eine zu kopierende Vorlage zufriedenstellende Funktionen ergibt.
Mit der Erfindung wird gemäß einer Ausgestaltung zur Lösung der Aufgabe eine Bilderzeugungsvorrichtung geschaffen, die eine Flüssigkristalltafel mit einem mit ersten Elektroden versehenen ersten Substrat, einer Flüssigkristallschicht, einem mit einer zweiten Elektrode versehenen zweiten Substrat, einer Polarisiervorrichtung und einer lichtstreuenden Reflexionsvorrichtung, eine
Lichtquelle zum Aufstrahlen von Licht auf das Flüssigkri-ZO
stall von Seite des ersten Substrats her, eine Vorrichtung zum Erzeugen eines den von der Flüssigkristalltafel reflektierten Lichtstrahlen entsprechenden elektrostatischen Bilds und eine Entwicklungsvorrichtung aufweist,
wobei Bildelemente ieweils in einer Zeile und/oder Spalte 25
mit einem Lücken- bzw. Zwischenabstand P zwischen benachbarten Bildelementen angeordnet sind, ein jedes Bildelement an einem Bereich gebildet ist, an dem eine erste und die zweite Elektrode einander über die Flüssigkristallschicht hinweg gegenüberstehen, und der Lücken- bzw. 30
Zwischenabstand P gleich einem Abstand D von der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrode und der Flüssigkristallschicht bis zu der Streureflexionsfläche der Reflexionsvorrichtung oder größer ist.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei-
-9- DE 4805
spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1A ist eine Seitenansicht eines die erfindungsgemäße Bilderzeugungsvorrichtung (mit einer Flüssigkristalltafel) enthaltenden Sichtgerät/Kopiergerät-Systems in der Sichtgerät-Betriebsart.
,Q Fig. 1B ist eine teilweise aufgeschnitten dargestellte Vorderansicht des Systems in der Kopiergerät-Betriebsart.
Fig. 2 ist eine perspektivische Teilansicht eines Substrats mit einer Halbleiter-Ansteuerungsschaltung, bei der Teile einer Flüssigkristalltafel bildende Dünnfilmtransistoren in Form einer Matrix angeordnet sind.
Fig. 3, 6 und 10 zeigen jeweils eine Teilansicht eines 20
in Dickenrichtung vorgenommenen Schnitts durch
eine mittels des in Fig. 2 gezeigten Substrats und eines gegenübergesetzten Substrats aufgebaute Flüssigkristalltafel gemäß einem jeweiligen Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen 25
Bilderzeugungsvorrichtung.
Fig. 4 ist eine schematische Schnittansicht zur Erläuterung einer Unscharfe eines an einem entgegengesetzten Substrat reflektierten Bild.
Fig. 5A und 5B sind Schnittansichten von Beispielen für die bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung angewandten Gestaltung eines gegenübergesetzten beschichteten Substrats.
Fig. 7 ist eine Draufsicht auf ein Dünnfilmtransistor-
Substrat gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Fig. 8A ist die Ansicht eines Schnitts längs einer Linie
A-A in Fig. 7.
Fig. 8B ist die Ansicht eines Schnitts längs einer Linie
B-B in Fig. 7.
Fig. 9 ist die der Fig. 8A entsprechende Ansicht eines
Schnitts durch ein Dünnfilmtransistor-Substrat
gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Es wird zunächst der grundlegende Aufbau eines Gerätesystems beschrieben, bei dem eine erfindungsgemäße Bilderzeugungsvorrichtung (mit einer Flüssigkristalltafel) als Sichtgerät oder aber als Original bzw. Vorlage für einen elektrofotografischen Drucker eingesetzt wird. Die Fig. 1A ist eine Seitenansicht des Gerätesystems bei der Verwendung als Sichtgerät, während die Fig. IB eine teilweise aufgeschnitten dargestellte Vorderansicht des Gerätesystems in der Kopier- bzw. Druck-Betriebsart ist.
Nach Fig. 1 ist an der Oberseite eines gewöhnlichen Druckerhauptteils ein Vorlagentisch 2 angeordnet, an dem zumindest eine mit einer Vorlage in Berührung kommende, nachstehend als Auflagefläche 2a bezeichnete Fläche 2a
aus lichtdurchlässigem Material wie Glas besteht. An dem 3U
Vorlagentisch 2 ist schwenkbar eine Tafel 3 als Flüssigkristalltafel der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung angebracht. Wenn gemäß Fig. IA die Tafel 3 aufrecht gestellt ist, kann das Gerät als Sichtgerät benutzt
werden. D.h., die Tafel 3 ergibt wie bei einer herkömmli-35
chen Flüssigkristall-Sichtanzeigevorrichtung eine Refle-
xions-Sichtanzeige mittels Umgebungs-Lichtstrahlen L oder mittels einer gesonderten Lichtquelle. Wenn andererseits eine Hartkopie bzw. Blattkopie von einem an der Tafel 3 angezeigten Bild erwünscht ist, wird die Tafel 3 auf die Auflagefläche 2a des Vorlagentischs 2 geschwenkt, so daß das an der Tafel 3 angezeigte Bild genau wie eine gewöhnliche Vorlage kopiert werden kann. Die Fig. 1 zeigt eine Kopierpapierkassette 4, ein Ausgabefach 5, Kopier-
^q papier 13 und Bestandteile 6 bis 12 eines herkömmlichen elektrofotografischen Druckers. Im einzelnen ist mit 6 eine fotoempfindliche Trommel, mit 7 eine Ladevorrichtung, mit 8 eine Entwicklungsvorrichtung, mit 9 eine Bildübertragungs-Ladevorrichtung, mit 10 eine Reinigungs-
jc Vorrichtung, mit 11 eine Lampe zum Beleuchten einer Vorlage und mit 12 eine Linsenanordnung (Warenzeichen: Selfoc) bezeichnet.
Der Vorlagentisch 2 kann bewegbar oder feststehend sein, jedoch muß die Tafel 3 an der Auflagefläche 2a festgelegt sein. Zur Vereinfachung der Darstellung ist in der Fig.
1B ein bewegbarer Vorlagentisch 2 gezeigt, wogegen im Falle eines feststehenden Vorlagentischs eine Lichtquelle zur Vorlagenbeleuchtung und ein optisches System zur Trommelbelichtung (entsprechend der Lampe 11 und der Linsenanordnung 12 bei diesem Ausführungsbeispiel 1 als bewegbares optisches System ausgelegt werden.
Ein solches optisches System wird derart ausgelegt und
aufgebaut, daß für die Beleuchtung einer gewöhnlichen 30
Vorlage in der Form eines Blatts, eines Buchs oder dergleichen mittels der Lampe 11 die Linsenanordnung 12 so angeordnet ist, daß sie keine Lichtstrahlen (gemäß der Darstellung durch 14 in Fig. 1B) empfängt, die von der
Vorlage unter Spiegelreflexion zurückgeworfen werden. oo
Dies ist deshalb der Fall, weil dann, wenn die von der
Vorlage spiegelnd reflektierten Lichtstrahlen in die Linsenanordnung 12 eintreten würden, auch die von dem Vorlagentisch selbst reflektierten Lichtstrahlen von der Linsenanordnung 12 aufgenommen werden, so daß kein Kopiebild ausreichend hoher Qualität erzielt werden kann. D.h., an der Trommel 6 dürfen nur die Lichtstrahlen fokussiert werden, die durch die Oberfläche der Vorlage gestreut und reflektiert sind.
Als nächstes wird der Aufbau der bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung verwendeten Tafel 3 beschrieben.
, j- Die Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Substrats mit einer Halbleiter-Ansteuerungsschaltung in Form einer Matrixanordnung von Dünnfilmtransistoren, die jeweils ein Element der Tafel bilden. Die Fig. 3 ist eine Teilansicht eines Schnitts durch eine Flüssigkristall-Sichtanzeige-Tafel, die das in Fig. 2 gezeigte Substrat enthält. Das in Fig. 2 gezeigte Substrat ist ein Substrat 21 aus Glas oder dergleichen, das einen Bildschirm bildet und an dem die Matrixanordnung aus den Ansteuerungs-Dünnfilmtransistoren mit einer Dichte in der Größenordnung
oc von 2 bis 10 Linien/mm ausgebildet ist. Die Dünnfilmtransistoren haben Gateleitungen 22aa und 22ab (in Form dünner Leiterfilme aus Metall), die über einer Hauptfläche des Substrats 21 ausgebildet sind, und Gate-Elektroden 22a, 22b, 22c und 22d, die über den Gateleitungen
22aa und 22ab ausgebildet sind. Zumindest die Gate-30
Elektroden sind jeweils eine lichtundurchlässige bzw. das Licht abschirmende Elektrode aus Al, Mo, Cr oder dergleichen. Die Dünnfilmtransistoren weisen ferner dünne Halbleiterfilme 24a, 24b, 24c und 24d, die auf Isolierfilmen
23 über den Gate-Elektroden 22a, 22b, 22c bzw. 22d gebil-35
det sind, Sourceleitungen 25a und 25b (in Form von
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Leiterfilmen), die jeweils an ein Ende der betreffenden dünnen Halbleiterfilme 24a, 24b, 24c und 24d angeschlossen sind und Drain-Elektroden 26a, 26b, 26c und 26d auf, die jeweils an das andere Ende des entsprechenden Halbleiterfilms 24a, 24b, 24c bzw. 24d angeschlossen sind.
Die Fig. 3 zeigt eine Flüssigkristalltafel mit der Elektrodenplatte gemäß Fig. 2 und einem gegenübergesetz-
^q ten Substrat. In der Fig. 3 sind mit 21 und 31 lichtdurchlässige Substrate aus Glas, Kunststoff oder dergleichen und mit 26c und 26d die vorstehend genannten Drain-Elektroden bezeichnet, die Anzeigeelemente bzw. Anzeigeeinheiten bilden; mit 32 ist eine Gegenelektrode
^g bezeichnet. Die Drain-Elektroden 26c und 26d (usw.) sind durch lichtdurchlässige Leiterfilme aus In2O,, SnO2 oder dergleichen gebildet.
Die Sourceleitungen 25a, 25b usw. bestehen aus einem Metall wie Al, Cr, Mo, Au, Ag, Pt, Pd, Cu oder dergleichen. Bei diesem Beispiel sind allein über den Gate-Elektroden 22a und 22b jeweils Isolierfilme 33a bzw. 33b gebildet. Wenn es erforderlich ist, wird an der Gegenelektrode ein Isolierfilm 34 gebildet. Die Halbleiterfilme 24c und 24d weisen beispielsweise CdS, CdSe, Te oder amorphes Silicium auf. Zwischen die Substrate ist ein Abstandshalter 35 und eine Flüssigkristallschicht 36 eingefügt.
n Bei der Verwendung von Flüssigkristall der verdrillten nematischen bzw. TN-Art werden die Oberflächen der Isolierschicht 32 und einer gegenüberliegenden Isolierschicht 37 einer Ausrichtungsbehandlung unterzogen. Die Ausrichtungsbehandlung besteht darin, daß diese Isolierschichten durch schräges Aufdampfen geformt werden oder 35
mit feinen Rillen versehen werden, die sich in einer
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vorbestimmten Richtung erstrecken. Die Ausrichtung bzw. Orientierung, des Flüssigkristalls kann auch dadurch bewerkstelligt werden, daß auf der Oberfläche der Isolicrschicht ein Polymerfilm geformt und dieser gerieben wird.
Bei der vorstehend beschriebenen Flüssigkristalltafel kann zur Sichtanzeige die verdrillte nematische bzw. TN-Struktur genutzt werden. Lichtstrahlen Io, die in der
IQ erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung auf die Tafel fallen, werden mittels eines ersten linearen Polarisators 40 linear polarisiert, wonach sie in die Flüssigkristallschicht 36 eindringen. Kenn keine Spannung angelegt wird, wird die Polarisationsebene um 90° verdreht, wonach das
,c linear polarisierte Licht einen zweiten Polarisator 41 erreicht. Die Polarisierebene des zweiten Polarisators wird so ausgerichtet, daß dieses polarisierte Licht durchgelassen wird. D.h., der erste und der zweite Polarisator werden (unter Nikolscher Oberkreuzung) so angeordnet, daß ihre Polarisierebenen miteinander rechte Winkel bilden. Danach wird das Licht von einer Streureflexionsplatte 42 reflektiert, so daß es zur Lichteintrittseite zurückkehrt, wobei aber infolge der streuenden Reflexion die Richtungen eine Zufallverteilung erhalten;
_P- für die Sichtanzeige ergibt sich ein Hellzustand. An einem Bereich, an dem zwischen die obere und die untere Elektrode eine Spannung angelegt wird, wird durch die Flüssigkristallschicht an dem einfallenden Licht die Ebene der Polarisation des ersten Polarisators nicht
geändert, so daß das Licht zwar den zweiten Polarisator 3U
erreicht, von diesem aber nicht durchgelassen wird, so daß ein Dunkelzustand entsteht.
Die Fig. 4 zeigt die Zusammenhänge zwischen einem BiId-
elementeteil, der sich auf die vorstehend beschriebene 35
Weise optisch ändert, und einem sich hieraus ergebenden
Schattenteil, wobei nur die Anordnung von optisch wirkenden Teilen gezeigt ist.
Im allgemeinen beträgt die Dicke einer Flüssigkristallschicht, die sich optisch ändert, ungefähr 10 pm, so daß die Schicht im Vergleich zu dem Substrat außerordentlich dünn ist. Andererseits sind die beiden Polarisatoren 40 und 41 , mit denen diese optischen Änderungen erfaßt ^Q werden, voneinander um die Strecke zwischen dem Dünnfilmtransistoren-Substrat und der Gegenelektrodenplatte bzw. dem Gegensubstrat beabstandet; wenn die Änderungen mittels des Reflexionslichts aus dem Umgebungslicht erfaßt werden, wird die Lichtstreuungsplatte bzw. Streute reflexionsplatte noch weiter hinter dem zweiten Polarisator angeordnet.
An den Bildelementeinheiten, an denen optische Änderungen auftreten, dringen schräg einfallende Lichtstrahlen Io in Flüssigkristallschichten 43a, 43b und 43c ein. Die Schicht 43b ist der vorangehend beschriebene Bereich, an den Spannung angelegt wird. Dadurch wird ein mit A bezeichneter Bereich dunkel, so daß auf dem Hintergrund des Streulichts von der Reflexionsplatte 42 ein dunkler Punkt n_ wahrgenommen werden kann. Dabei wird die Fläche der Projektion dieses Bereichs A auf die Reflexionsplatte 42 dunkel und damit zu einem Schatten in einem Bereich B. An einem Bereich, an dem sich die Bereiche A und B überlappen, entsteht ein wahrnehmbarer bzw. sichtbarer schwarzer Punkt. Dies bedeutet, daß im Vergleich zu dem Fall, daß nur der Bereich A eine Wahrnehmungseinheit bildet, durch den Bereich B eine übermäßige Verwischung bzw. Unscharfe hervorgerufen wird.
Nimmt man bei diesem Beispiel an, daß ein Tei lungs- bzw. 35
Zwischenabstand P zwischen den Bildelementen bei deren
Anordnung in einer Zeile oder Spalte ungefähr 0,5 mm beträgt und ein Abstand D zwischen dem Ort der die optischen Änderungen zeigenden Flüssigkristallschicht 43b und der das Reflexionsbild erzeugenden lichtstreuenden Reflexionsplatte 42 0,5 mm ist, so erzeugt in dem Fall, daß das einfallende Licht einen Neigungswinkel von 45° in bezug auf die Vertikale hat, ein optisches Bild der Schicht 43b ein Schattenbild, das um einen ganzen LückenjQ bzw. Zwischenabstand versetzt ist. In der Praxis ist jedoch der Zwischenabstand geringer und liegt in der Größenordnung von 0,1 mm, so daß in diesem Fall unter Beibehaltung der anderen Bedingungen das Schattenbild um fünf Lücken- bzw. Zwischenabstände versetzt ist.
Bei der Bilderzeugungsvorrichtung wird der Abstand von der Flüssigkristallschicht über den zweiten Polarisator bis zu der lichtstreuenden Reflexionsplatte so festgelegt, daß er gleich oder geringer als der TeiLungs- bzw. Zwischenabstand zwischen den Anzeigebildelementen ist; dadurch kann die vorstehend beschriebene Unscharfe des Reflexionsbilds vermieden werden, wobei sich hierdurch die zu diesem Zweck dienende äußere Gestaltung des Gegensubstrats ergibt.
Die Gründe für das Festlegen des Verhältnisses zwischen dem Abstand D von der Grenzfläche zwischen dem Gegenelektroden-Substrat und dem Flüssigkristall bis zu der streuenden Reflexionsplatte und dem Bildelemente-Zwin schenabstand P auf "1" oder weniger sind folgende: Der erste Grund ist durch den Umstand gegeben, daß das Verhältnis "1" ein Grenzwert ist, bei dem im Falle von unter 45° einfallendem Licht das tatsächliche Flüssigkristallbild und der Schattenteil bzw. das Schattenbild nicht
vollständig voneinander getrennt sein können. Der zweite 35
Grund ist der, daß bei einem Einfallwinkel des einfallen-
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den Lichts von 45° oder darüber (i) eine Totalreflexion des einfallenden Lichts auftritt, (ii) die optische Weglänge des einfallenden Lichts groß ist, so daß eine Streuung entsteht und kein scharfes Bild erzeugt wird, und ferner, falls der Einfallwinkel groß ist, (iii) der Polarisierungsgrad verringert ist und das Schattenbild abgeschwächt ist. Durch irgendeinen dieser Gründe wird die Auswirkung des Schattenbilds verringert.
Dieses Verhältnis D/P soll jedoch vorzugsweise 1/2 oder weniger betragen, wobei es im Prinzip besser ist, wenn das Verhältnis kleiner ist bzw. der Abstand D geringer ist.
Der Aufbau der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung beruht auf einer Gestaltung, mit der diese Bedingungen erfüllt werden können. Die Fig. 5A und 5B zeigen Beispiele für den Aufbau des gegenübergesetzten bzw. Gegensubstrats gemäß Fig. 3. Eine Gegenelektrode 56 steht mit der Oberfläche des Flüssigkristalls in Berührung und besteht aus einem lichtdurchlässigen Leiterfilm aus In7O,, SnO7 oder dergleichen oder einem dünnen Film aus Gold, der wie im vorstehend beschriebenen Fall das Licht
-j. in einem gewissen Ausmaß durchläßt. Der lichtdurchlässige Leiterfilm bzw. die Gegenelektrode 56 wird von einem Substrat 55 abgestützt, das bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung vorzugsweise durch einen lichtdurchlässigen Polymerfilm gebildet ist. Gemäß einem Beispiel kann monoaxial gerecktes Polyester, Polyethersulfon
und dergleichen verwendet werden, während auch gemäß weiteren Beispielen Polycarbonat, Polysulfon, ein Film aus zu Urethan umgewandelten Polyol, ein Cellulosefilm oder dergleichen verwendet werden kann. Zwischen diesem
Substrat 55 für den Leiterfilm und einem Substrat 53 ist 35
ein Polarisierfilm 54 gehalten, der vorzugsweise ein sog.
H-FiIm, nämlich ein Polarisierfilm aus langkettigem, mit Jod eingefärbtem Polyvinylalkohol ist. Ferner wird vorteilhaft ein mit einem dichromatischen Farbstoff eingefärbter Polarisierfilm eingesetzt. Das Substrat 53 kann aus dem gleichen Material wie das Substrat 55 besteht und wird vorzugsweise durch einen lichtdurchlässigen Film aus Cellulose, Acrylharz oder dergleichen gebildet. Im weiteren werden eine Klebemittelschicht 52 und eine Re-
-^q flexionsplatte 51 aus Al oder dergleichen aufgebracht, deren Oberfläche streuend reflektiert. Wenn als Gegensubstrat gemäß Fig. 3 das Gegensubstrat gemäß der vorstehenden Beschreibung verwendet wird, das die durchsichtige Elektrode und den Polarisator in Form einer Einheit
,C enthält, wird mit dem vorwiegend Polymermaterialien enthaltenden Schichtenaufbau ein Aufbau erzielt, mit dem die bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung vorgeschriebene Lagebeziehung zwischen der Flüssigkristall-Oberfläche und der Reflexionsfläche erreicht werden kann.
nn D.h., es können jeweilige Dicken von 0,3 μιπ bei der lichtdurchlässigen Gegenelektrode 56, von 25 bis 100 μΐη bei dem Substrat 55, von 4 bis 15 pm bei dem Polarisator bzw. Polarisierfilm 54, von 25 bis 100 μΐη bei dem Substrat 53 und von 2 bis 3 bzw. bis zu 10 μπι bei der Klebe-
op- mittelschicht 52 erhalten werden. Daher ist es möglich, einen Abstand von 50 bis 200 μπι von der mit dem Flüssigkristall in Berührung stehenden Oberfläche der Gegenelektrode 56 bis zu der reflektierenden Fläche der Reflexionsplatte 51 zu erhalten.
Dadurch kann mittels des auf die vorstehend beschriebene
Weise gestalteten Aufbaus für die Reflexionsbetriebsart eine Dichte von maximal 20 bis 5 Linien/mm erzielt werden. Falls ein geringeres Auflösungsvermögen ausrei- __ chend ist, entstehen natürlich keine nachteiligen Auswirkungen. Die Fig. 5B zeigt ein weiteres Anwendungsbeispiel
für den Einsatz innerhalb eines Bereichs, der bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung hinsichtlich des Zusammenhangs des Dickenabstands von der Flüssißkristall-Grenzflache bis zu der Reflexionsschicht mit dem Bildelemente-Zwischenabstand zugelassen ist. Der in dieser Fig. 5B gezeigte Schichtenaufbau enthält einen an einem Polymerfilm 55 ausgebildeten lichtdurchlässigen Leiterfilm 56, einen zwischen Polymerfilme 55a und 53
^q eingelegten Polarisator 54 und eine Streureflexionsplatte 51, wobei diese Schichten mittels Klebemittelschichten 52a und 52 zu einer Einheit zusammengefaßt sind. Durch diese Anordnung ist es möglich, einen lichtdurchlässigen Leiterfilm, einen Polarisator und eine Reflexionsplatte,
je die jeweils in getrennten Schritten vorbereitet werden, zu einer Baueinheit zusammenzufassen. Daher werden die jeweiligen Vorbereitungsschritte nicht durch die Funktionen der anderen Bauteile eingeschränkt.
Die Fig. 6 zeigt eine Flüssigkristall-Sichtanzeige-Tafel, die auf die Weise aufgebaut ist, daß der in Fig. 2 gezeigten Elektrodenplatte der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung ein Streureflexionsfilm und dergleichen hinzugefügt wird und die Platte dann mit einem
ot- Gegensubstrat zusammengesetzt wird. Die Fig. 6 zeigt lichtdurchlässige Substrate 31 und 21 aus Glas, Kunststoff oder dergleichen, Drain-Elektroden 26c und 26d, die jeweils die vorstehend beschriebenen Sichtanzeige-Einheiten bilden, und eine Gegenelektrode 52. Die Drain-Elek-
troden 26c, 26d usw. sind lichtdurchlässige Leiterfilme 30
aus In2O,, SnOo oder dergleichen. Isolierfilme 33a und 33b sind nur über Gate-Elektroden 22a, 22b usw. ausgebildet. Falls es erwünscht ist, kann ein (die Gegenelektrode vollständig abdeckender) Isolierfilm 34 geformt werden. Halbleiter bzw. Halbleiterfilme 24c und 24d enthalten beispielsweise CdS, CdSe, Te oder amorphes Silicium.
Ferner sind ein Abstandshalter 35 und eine Flüssigkristallschicht-So gezeigt.
Wenn die TN-Betriebsart angewandt wird bzw. ein entsprechendes Flüssigkristall eingesetzt wird, werden die Oberflächen des Isolierfilms 34 und eines gegenübergesetzten zweiten Isolierfilms 67 einer Ausrichtungs-Behandlung unterzogen. Die Ausrichtungs-Behandlung
jQ besteht darin, daß der Isolierfilm selbst durch schräge Vakuumablagerung abgelagert wird oder der Film feine Rillen erhält, die sich in einer vorbestimmten Richtung erstrecken. Die Ausrichtung bzw. Orientierung kann auch dadurch erreicht werden, daß über der Oberfläche dieses Isolierfilms ein Polymerfilm gebildet und dieser gerieben wird.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ferner nach dem Aufbau der Dünnfilmtransistoren gemäß Fig. 2 der zweite Isolierfilm 67 aufgebracht; wenn der Halbleiter fotoleitfähig ist, werden Lichtabschirmfilme 68a und 68b aus einem geeigneten Metall oder lichtabsorbierendem Material (als Farbstoff- oder Pigmentschicht) gebildet. Diese Sichtanzeigetafel der erfindungsgemäßen Bilderzeugungs-Vorrichtung hat bei diesem Ausführungsbeispiel das Merkmal, daß mit Ausnahme der Lichtabschirmfilme 68a und 68b sowie der Gate-Elektroden 22a, 22b, 22c, die zum Verhindern der Fotoleitung des Halbleiters oberhalb bzw. unterhalb der Halbleiterfilme 24c, 24d, ... angeordnet
sind, alle Elektroden und Leitungsteile aus lichtdurch-30
lässigen Materialien bestehen.
Als nächstes wird kurz ein Verfahren zur Ansteuerung einer Sichtanzeigetafel mit einer solchen Dünnfilmtransistor-Matrix beschrieben. Wenn beispielsweise an die Gateleitungen 22aa und 22ab eine Ansteuerungsspannung an-
gelegt wird und unter Abtastung (nur während der Zeit des Anliegens eines Signals an einer Gateleitung) an die Sourceleitungen 25a und 25b ein Bildsignal angelegt wird, werden die Kanäle zwischen den Source-Elektroden bzw. Sourceleitungen (25a, 25b) und den Drain-Elektroden (26c, 26d) an gewählten Kreuzungspunkten der Kreuzungspunkte zwischen diesen Elektroden leitend, so daß zwischen der jeweiligen Drain-Elektrode und der Gegenelektrode ein -^q elektrisches Feld errichtet wird. Hierdurch wird die Anordnung der Moleküle des Flüssigkristalls derart verändert, daß eine Sichtanzeige herbeigeführt wird.
Bei dieser Sichtanzeigetafel kann die verdrillte nematisehe bzw. TN-Betriebsart angewandt werden, nämlich TN-Flüssigkristall verwendet werden. Die auf die Sichtanzeigetafel der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung fallenden Lichtstrahlen Io werden mittels des ersten linearen Polarisators 40 linear polarisiert, wonach sie
_n in die Flüssigkristallschicht eintreten, in der ihre Polarisationsebene um 90° gedreht wird, wenn keine Spannung anliegt. Die linear polarisierten Lichtstrahlen erreichen den zweiten Polarisator 41. Die Polarisationsebene des zweiten Polarisators ist so ausgerichtet, daß
„,. diese linear polarisierten Lichtstrahlen durchgelassen werden. D.h., die Polarisationsebenen des ersten und des zweiten Polarisators sind unter gegenseitigem rechten Winkel angeordnet. Danach werden die Lichtstrahlen von der Streureflexionsplatte 42 reflektiert und zu der Lichteintrittsseite zurückgeführt. Infolge der Streureflexion sind aber die Reflexionsrichtungen zufallsverteilt und die Anzeige zeigt einen Hellzustand. An einem Bereich, an dem zwischen der oberen und der unteren Elektrode eine Spannung anliegt, wird durch die Flüssigkristallschicht die Polarisationsebene des mittels des
ersten Polarisators polarisierten einfallenden Lichts
nicht verändert, so daß dieses den zweiten Polarisator unverändert erreicht. Diese Lichtstrahlen werden von dem zweiten Polarisator nicht durchgelassen, so daß der Dunkelzustand vorliegt.
Die Fig. 7 ist eine Draufsicht, die ein weiteres Beispiel für den Dünnfilmtransistoren-Aufbau bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung zeigt. Fig. 8A ist die Ansicht eines Schnitts längs einer Linie A-A in Fig. 7, während die Fig. 8B die Ansicht eines Schnitts längs einer Linie B-B in Fig. 7 ist. Die Anordnung unterscheidet sich etwa von der in den Fig. 2 und 3 gezeigten, wobei die in diesen Figuren benutzten Bezugszeichen zur Bezeichnung von Teilen verwendet sind, die die gleichen Funktionen haben.
In diesen Fig. 7 und 8 sind Teile, die zur Sichtanzeige mitwirken, die Drain-Elektroden 26a, 26b, 26c,...,
on während die anderen Halbleiter- und Leitungsteile nicht zur Sichtanzeige beitragen. Bei dieser Gestaltung bestehen natürlich die Sichtanzeigeteile aus lichtdurchlässigem Material. Wenn die Sourceleitungen 25a, 25b und 25c und die Gateleitungen 22aa und 22ab aus Metallen bestehen, lassen sie kein Licht durch, und zwar unabhängig davon, ob der Sichtanzeigeteil eingeschaltet ist oder nicht. Infolgedessen werden im Falle einer in Fig. 6 gezeigten Zelle für die Reflexionsbetriebsart auf die Reflexionplatte Schatten geworfen, so daß zu einem Betrachter oder einem optischen Aufnehmer hin als streuend reflektiertes Licht nicht das erwünschte Licht I. abgegeben wird. D.h., durch die von diesen Metallteilen gebildeten Lichtabfangbereiche wird das Bild bzw. das Bildfeld dunkler. Wenn hierbei die Halbleiterteile bzw. -Filme aus einem fotoleitfähigen Material gemäß der vorste-
henden Beschreibung bestehen, ist es anzustreben, die
-23- DE 4805
Halbleiterteile bzw. -filme optisch abzuschirmen. Bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung werden hierzu an den Halbleiterfilmen 24a, 24b, 24c, ....Lichtabschirmelemente angebracht, aber die anderen, nicht zur Sichtanzeige beitragenden Teile aus lichtdurchlässigem Material gebildet, so daß die unerwünschte Abschattung verringert wird. Die Fig. 8A veranschaulicht einen Fall, bei dem nur über dem Dünnfilmtransistor-Teil an der Gateleitung 22aa eine Metallschicht 122 liegt, während die anderen Elektroden und Leitungen lichtdurchlässig sind. Die Fig. 8B zeigt ein Beispiel, bei dem die Sourceleitungen und die Drain-Elektroden (Anzeigeelektroden 26a, 26b und 26d) lichtdurchlässige Leitungen bzw. Elektroden sind·
Bei der vorstehend beschriebenen Gestaltung werden die einfallenden und reflektierten Lichtstrahlen nur von den Halbleiterteilen bzw. -filmen abgefangen, die im wesent-
„« liehen den Lichtdurchlaß verhindern; dies kann jedoch außer Acht gelassen werden, da die Fläche der Halbleiterfilme klein ist. Die anderen Leitungen bzw. Elektroden außer den Bildelement-Elektroden ergeben den Hellzustand, der bewirkt, daß das Bild hell gehalten wird. Mit der
„,. vorstehend beschriebenen Gestaltung wird wirkungsvoll ein sog. Schwarz-Störpegel verringert, der bei der Verwendung der Tafel als Vorlage für die Elektrofotografie nicht für die Sichtanzeige benötigt wird.
Zur Vereinfachung der Erläuterung sind in den Fig. 6 bis
8 die lichtdurchlässigen Elektroden in direktem Kontakt mit den Halbleiterteilen bzw. -filmen 24b, 24d, ... dargestellt; als Abwandlung ist es jedoch auch möglich, die Leiterelektrodenteile und die Anzeigeelektrodenteile mit
__ den Halbleiterteilen über mit Verunreinigungen dotierten
+
dünnen η -Filmen zu verbinden oder die lichtdurchlässi-
gen lilcktrodcntc ilc zum Teil über ein Metall anzuschliessen. Die Fig. 9 stellt ein Beispiel für eine derartige Abwandlung dar. Die Fig. 9 zeigt ein Dünnfilmtransistoren-Substrat 21, eine Gateleitung 22aa als lichtdurchlässige Elektrode, einen unmittelbar unterhalb eines Halbleiterteils angeordneten und zur Lichtabschirmung dienenden Gate-Teil 122, eine erste Isolierschicht 33, eine lichtdurchlässig ausgebildete Bildelement-Elektrode 26b
,Q und einen Halbleiterfilm 24b, der elektrisch jeweils über eine n+-Schicht 91 mit einer Source-Elektrode 25 aus Metall bzw. einer Drain-Elektrode 92 aus Metall verbunden ist, an welche durch eine nicht bezeichnete, in der Isolierschicht 33 ausgebildete Kontaktöffnung hindurch
lt- die Bildelement-Elektrode 26b angeschlossen ist. Ober den> aus diesen Bestandteilen gebildeten Dünnfilmtransistor ist eine zweite Isolierschicht 67 ausgebildet, wobei nötigenfalls über dem Halbleiterteil eine Schicht 68 aus einem Lichtabschirmmetall oder einem das Licht absorbierendem Material gebildet werden kann.
Im Falle der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele ist das Dünnfilmtransistor-Substrat an der Lichtstrahleneintrittsseite angeordnet, jedoch ist es ersichtlich, daß die gleichen Wirkungen auch dann erzielt werden 25
können, wenn an der Lichtstrahleneintrittseite die gemeinsame Elektrode bzw. Gegenelektrode angeordnet ist.
Die Fig. 10 ist die Ansicht eines Schnitts längs einer
Linie III-III in Fig. 2 und zeigt ein weiteres Ausfüh-30
rungsbeispiel der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind Gate-Elektroden 22a und 22b jeweils mit streuenden bzw. diffundierenden Teilen bzw. Bereichen 109a bzw. 109b abgedeckt,
die vorzugsweise lichtdurchlässig sind und an der Licht-35
Strahleneintrittsseite angeordnet sind und die die glei-
-25- DE 4805
ehe Lichtstreuwirkung wie die streuende Reflexionsplatte 42 haben, piese Lichtstreubereiche sind nicht nur zum Ausschalten unerwünschter Wirkungen der Gate-Elektroden c aus Metall oder einer Legierung, wie zum Verhindern der Erzeugung eines schlecht zu betrachtenden Bilds bei der Sichtanzeige und unerwünschter schwarzer Flecken in Kopierbildern, sondern auch zum Unterdrücken gleichartiger unerwünschter Wirkungen von aus einem lichtundurch-
-^q lässigenn Metall oder einer lichtundurchlässigen Legierung bestehenden Sourceleitungen oder Drain-Elektroden der Dünnfilmtransistoren bzw. Feldeffekttransistoren wirkungsvoll. Die Gateleitungen, Sourceleitungen und Teile der Drain-Elektroden der Dünnfilmtransistoren
«c werden gemeinsam durch den Ausdruck "an eine (ein Bildelement erzeugende) Elektrode an einem Substrat angeschlossene Leitungsteile" erfaßt. In dieser Hinsicht können die Lichtstreubereiche, falls sie sowohl lichtdurchlässig als auch lichtstreuend bzw. diffus sind, weiter als die Gateleitungen bzw. Gate-Elektroden selbst ausgebildet werden, um die Lichtstreuungswirkung zu verbessern. Zur Ausbildung der Lichtstreubereiche kann das Substrat so behandelt werden, daß eine Streuwirkung auftritt, oder es kann die Außenfläche des Substrats 21 so bearbeitet werden, daß Lichtstrahlen gestreut werden. Es ist jedoch ersichtlich, daß die bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung anwendbare Behandlung zum Erzielen der Streuung nicht auf diese vorstehend genannten beiden Verfahren eingeschränkt ist. Das einfachste
Verfahren zum Bilden eines Lichtstreubereichs besteht U
darin, die Glasfläche unterhalb der auf das Substrat 21 aufgebrachten Elektroden- bzw. Leitungsteile aus Metall selektiv bzw. gezielt mit Fluorwasserstoffsäure aufzurauhen, und kann nach einem herkömmlichen fotolithografischen Verfahren bewerkstelligt werden, welches bei der 35
Herstellung von Halbleitervorrichtungen sowie auch zur
-26- DE 4805
Festlegung der Lagen bei nachfolgenden Schritten angewandt wird. . Für die einfallenden Lichtstrahlen Io zeigen die auf der aufgerauhten Oberfläche ausgebildeten Metallen Gate-Elektroden eine ausreichende Streuung.
Geeignete Streuflächen können derart gestaltet werden, daß die Streuungseigenschaften der Lichtstreubereiche 109a, 109b, .... mit den Eigenschaften der streuenden ,Q Reflexionsplatte 42 vergleichbar sind. Bei dem Aufrauhen der Glasfläche können die Streuungseigenschaften beispielsweise durch das beliebige Wählen der Konzentration der Fluorwasserstoffsäure, der Ätzzeit und der Temperatur bestimmt werden.
Die vorstehend beschriebenen, in Fig. 10 gezeigten Lichtstreubereiche 109a und 109b können auch durch eine örtliche Kristallisierung des Substrats 21 gebildet werden. Die örtliche Kristallisierung kann durch Erwärmen und
Abkühlen dieser Bereiche erreicht werden, was mittels 20
Laserstrahlen bewerkstelligt werden kann. Ferner gibt es ein Verfahren, bei dem in diese Bereich von außen her Verunreinigungen injiziert werden, wodurch die Bereiche die Fähigkeit zum Streuen des Lichts erhalten. Beispielsweise kann wirkungsvoll ein Ioneniniektionsverfahren an-25
gewandt werden. Darüberhinaus ist es möglich, in diese Bereiche streuende Teilchen einzubetten. Als streuende Teilchen können Stoffe benutzt werden, deren Brechungsindex von demjenigen des Substratmaterials verschieden ist. Weiterhin ist es möglich, an der Fläche des Sub-
strats, die der Fläche gegenüberliegt, an der die Dünnfilmtransistoren ausgebildet sind, Lichtstreubereiche durch Drucken oder dergleichen oder durch Aufbringen eines zusätzlichen Lichtstreufilms bzw. einer zusätzlichen Lichtstreuplatte auszubilden. Dieses Verfahren ist
nur dann wirkungsvoll, wenn das Substrat 21 in bezug auf
den Teilungsabstand bzw. Zwischenabstand der Sichtanzeige-Bildelemente verhältnismäßig dünn ist.
Gemäß der vorangehenden Beschreibung war das Dünnfilmtransistor-Substrat an der Lichtstrahleneintrittseite angeordnet, jedoch ist es ersichtlich, daß dann, wenn eine gemeinsame bzw. Gegenelektrode an der Lichtstrahleneintrittseite angeordnet ist, die gleichen Wirkungen -^q dadurch erzielbar sind, daß die Elektroden bzw. Leitungen mit das Licht streuenden Oberflächen versehen werden.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung werden bei der erfindungsgemäßen Bilderzeugungsvorrichtung an der Lichtstrah-
jc leneintrittseite von Metall-Elektroden oder -leitungen für das Bilden der Dünnfilmtransistoren stark streuende Bereiche ausgebildet, so daß eine Flüssigkristall-Bilderzeugungsvorrichtung geschaffen wird, die sowohl eine Sichtanzeigetafel mit einem gut zu sehenden Bild als auch
n eine Vorlage zum Kopieren ohne unnötige schwarze Punkte ergibt.
Eine Bilderzeugungsvorrichtung weist eine Flüssigkristalltafel mit einem aus dem Substrat, an dem erste Elektroden angebracht sind, einer Flüssigkristallschicht, einem zweiten Substrat, an dem eine zweite Elektrode angebracht ist, einer Polarisiervorrichtung und einer lichtstreuenden Reflexionsvorrichtung, eine Lichtquelle für die Abgabe von Licht zu der Flüssigkristallschicht von der Seite des ersten Substrats her, eine Vorrichtung zum Erzeugen eines den von der Flüssigkristalltafel reflektierten Lichtstrahlen entsprechenden elektrostatischen Ladungsbilds und eine Entwicklungsvorrichtung auf. Bildelemente werden jeweils in einer Zeile und/oder
Spalte mit einem Zwischenabstand P zwischen benachbarten 35
Bildelementen angeordnet, wobei jedes Bildelement an
einem Bereich ausgebildet wird, an dem jeweils die erste und die zweite Elektrode einander über die Flüssigkristallschicht hinweg gegenüberstehen, und wobei der Zwischenabstand P gleich einem Abstand D von der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrode und der Flüssigkristallschicht bis zu der Streureflexionsfläche der lichtstreuenden Reflexionsvorrichtung oder größer ist.

Claims (17)

Patentansprüche
1. Bilderzeugungsvorrichtung, gekennzeichnet durch eine Flüssigkristalltafel (3) mit einem ersten Substrat (21), an dem erste Elektroden (26) ausgebildet sind, einer Flüssigkristallschicht (36), einem zweiten Sub- * strat (31; 53), an dem eine zweite Elektrode (32; 56) ^ ausgebildet ist, einer Polarisiervorrichtung (40, 41; 54) * und einer lichtstreuenden Reflexionsvorrichtung (42; 51), eine Lichtquelle (11) für die Abgabe von Licht an die Flüssigkristallschicht von der Seite des ersten Substrats her, eine Ladungsbild-Erzeugungsvorrichtung (6, 7, 12) zum Erzeugen eines den von der Flüssigkristalltafel reflektierten Lichtstrahlen entsprechenden elektrostatischen Bilds und eine Entwicklungsvorrichtung, wobei Bildelemente in einer jeweiligen Zeile und/oder Spalte mit einem Zwischenabstand P benachbarter Bildelemente angeordnet sind, ein jedes Bildelenent an einem Bereich gebildet ist, an dem die erste und die zweite Elektrode einander über die Flüssigkristallschicht gegenübergesetzt. sind und der Zwischenabstand P gleich einem Abstand D von der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrode und der Flüssigkristallschicht bis zu der Streureflexionsfläche der Reflexionsvorrichtung oder größer ist.
A /O C
3515978 ■■·-·-·.;:■■-■ ■-·-· DE480S
2. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Elektroden (26) in einer Vielzahl vorgesehen und in Form einer Matrix angeordnet sind, wobei jede der ersten Elektroden an einen Dünnfilmtransistor (22 bis 26) angeschlossen ist.
3. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnfilmtransistoren (22 bis 26) an dem ersten Substrat (21) angebracht sind.
4. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterteil (24) eines jeden der Dünnfilmtransistoren (22 bis 26) amorphes Silicium aufweist.
5. Bilderzeugungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Polarisiervorrichtung (40, 41) zwei Polarisatoren aufweist, die unter Nikolscher Überkreuzung angeordnet sind.
6. Bilderzeugungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand D im Bereich von 50 bis 200 pm liegt und die Anzahl von Bildelementen je mm zwischen 20 und 5 beträgt.
7. Bilderzeugungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenabstand P der Bildelemente und der Abstand D die Bedingung D/P < 1/2 erfüllen.
8. Bilderzeugungsvorrichtung, gekennzeichnet durch eine Flüssigkristalltafel (3) mit einem ersten Substrat (21), an dem erste Elektroden (26) ausgebildet sind,
einer Flüssigkristallschicht (36), einem zweiten Sub-35
strat (31; 53), an dem eine zweite Elektrode (32; 56)
35 159/0 _3- DE 4805
ausgebildet ist, einer Polarisiervorrichtung (40, 41; 54) und einer lichtstreuenden Reflexionsvorrichtung (42; 51),
eine Lichtquelle (11) für die Abgabe von Licht an die Flüssigkristallschicht von der Seite des ersten Substrats her, eine Ladungsbild-Erzeugungsvorrichtung (6, 7, 12) zum Erzeugen eines den von der Flüssigkristalltafel reflektierten Lichtstrahlen entsprechenden elektrostatischen Bilds und eine Entwicklungsvorrichtung, wobei die
"LQ ersten Elektroden in einer Vielzahl vorgesehen und in Form einer Matrix angeordnet sind, jede der ersten Elektroden an einen Dünnfilmtransistor (22 bis 26) angeschlossen ist und die an dem mit den Dünnfilmtransistoren versehenen ersten Substrat gebildeten Elektroden mit Aus-
ic nähme der an den Halbleitern (24) der Dünnfilmtransistoren gebildeten Elektroden als lichtdurchlässige Elektroden ausgebildet sind.
9. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 8, da-„n durch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse eines jeden der Dünnfilmtransistoren (22 bis 26) aus einem Metall oder einer Legierung bestehen.
10. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, _5 dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterteil (24) eines
jeden der Dünnfilmtransistoren (22 bis 26) amorphes Silicium aufweist.
11. Bilderzeugungsvorrichtung nach einem der An-Sprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Polarisiervorrichtung (40, 41) zwei Polarisatoren aufweist, die unter Nikolscher Oberkreuzung angeordnet sind.
12. Bilderzeugungsvorrichtung, gekennzeichnet durch
eine Flüssigkristalltafel (3) mit einem ersten Substrat 35
(21), an dem erste Elektroden (26) ausgebildet sind,
einer Flüssigkristallschicht (36), einem zweiten Substrat (31; 53), an dem eine zweite Elektrode (32; 56) ausgebildet ist, einer Polarisiervorrichtung (40, 41; 54) und einer lichtstreuenden Reflexionsvorrichtung (42; 51), eine Lichtquelle (11) für die Abgabe von Licht an die Flüssigkristallschicht von der Seite des ersten Substrats her, eine Ladungsbild-Erzeugungsvorrichtung (6, 7, 12) zum Erzeugen eines den von der Flüssigkristalltafel
jQ reflektierten Lichtstrahlen entsprechenden elektrostatischen Bilds und eine Entwicklungsvorrichtung, wobei die Bildelemente jeweils in einer Zeile und/oder einer Spalte angeordnet sind, ein jedes der Bildelemente an einem Bereich gebildet ist, an dem die erste und die zweite Elektrode einander über die Flüssigkristallschicht gegenübergesetzt sind, an den Bildelementen jeweils die erste oder die zweite Elektrode an einen lichtundurchlässigen Leitungsteil aus einem Metall oder einer Legierung angeschlossen ist und eine lichtdurchlässige Streuvorrichtung (109) für das Zerstreuen eines durch den lichtundurchlässigen Leitungsteil gebildeten Schattens vorgesehen ist.
13. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Streuvorrichtung (109) an einer Stelle angeordnet ist, die dem lichtundurchlässigen Leitungsteil an dem ersten Substrat (21) entspricht.
14. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 12 oder 30
13, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Elektroden (26) in einer Vielzahl vorgesehen und in Form einer Matrix angeordnet sind, wobei jede der ersten Elektroden an einen Dünnfilmtransistor (22 bis 26) angeschlossen
-5- DE 4805
15. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnfilmtransistoren (22 bis 26) an dem ersten Substrat (21) angebracht sind.
16. Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 14 oder
15, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterteil (24) eines jeden der Dünnfilmtransistoren (22 bis 26) amorphes Silicium aufweist.
17. Bilderzeugungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Polarisiervorrichtung (40, 41) zwei Polarisatoren aufweist, die unter Nikolscher Oberkreuzung angeordnet sind.
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