DE69314197T2

DE69314197T2 - Reflektierendes Substrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, die dieses benutzt

Info

Publication number: DE69314197T2
Application number: DE69314197T
Authority: DE
Inventors: Naofumi Kimura; Seiichi Mitsui; Hisakazu Nakamura; Yasunori Shimada; Hirohisa Tanaka; Koji Taniguchi
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-02-19
Filing date: 1993-02-19
Publication date: 1998-04-02
Anticipated expiration: 2013-02-20
Also published as: EP0557110B1; EP0557110A2; KR930018306A; US5418635A; KR100187329B1; DE69314197D1; EP0557110A3; TW540747U

Description

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HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1. Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein reflektierendes Aktivmatrixsubstrat und ein Gegensubstrat, die keine Hintergrundbeleuchtung verwenden, ein Verfahren zum Herstellen derselben und eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung unter Verwendung derselben.

2. Beschreibung der einschlägigen Technik

In den letzten Jahren hat sich die Anwendung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen auf Textprozessoren, Laptop-PCs, miniaturisierte Fernsehgeräte usw. schnell entwickelt. Insbesondere verbraucht eine reflektierende Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, die eine Anzeige unter Verwendung von Reflexion von von außen einfallendem Licht ausführt, wenig elektrische Energie, da es nicht erforderlich ist, eine Hintergrundbeleuchtung zu verwenden, und sie kann dünn und mit geringem Gewicht hergestellt werden. Aus diesem Grund wird reflektierenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen viel Aufmerksamkeit geschenkt. Herkömmlicherweise werden ein verdrillt-nematisches (TN) System und ein superverdrillt-nematisches (STN) System bei reflektierenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen verwendet.
Jedoch wird gemäß diesen Systemen die Hälfte der optischen Stärke natürlichen Lichts aufgrund eines linearen Polarisators nicht verwendet, der in der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vorhanden ist, so dass die Anzeige dunkel wird. Angesichts dieses Nachteils wurde ein Anzeigemodus vorgeschlagen, bei dem die gesamte optische Stärke natürlichen Lichts wirkungsvoll genutzt werden kann. Ein Beispiel hierfür ist ein Gast-wirt-System vom Phasenübergangstyp (D. L. White und G. N. Taylor, J. Appl. Phys. 45, 4718 (1974)).
Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung unter Verwendung eines Anzeigemodus gemäß dem Gast-Wirt-System vom Phasenübergangstyp verwendet einen Cholesterisch-nematischen-Phasenübergangseffekt, wie er durch ein elektrisches Feld hervorgerufen wird, und sie erfordert keine Polarisationsplatte, wie einen linearen Polarisator. Es wurde auch eine reflektierende, mehrfarbige Anzeige vorgeschlagen, die durch Kombinieren dieses Typs von Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung mit einem Mikrofarbfilter erhalten wird (Tatsuo Uchida usw., Proceedings of the SID, Vol 29/2, 157 (1988)).
Um in einem Anzeigemodus, der keine Polarisationsplatte benötigt, eine hellere Anzeige zu erzielen, sollte die Stärke des Lichts, das unter einem beliebigen Einfallswinkel auf einen Anzeigeschirm fällt und das in vertikaler Richtung zu diesem gestreut wird, erhöht werden. Zu diesem Zweck ist es erforderlich, eine reflektierende Platte mit regelmäßig optimierter Reflexionscharakteristik herzustellen, in dem diese Reflexionscharakteristik der reflektierenden Platte reguliert wird. In der Literaturstelle, die die oben genannte reflektierende, mehrfarbige Anzeige vorschlägt, ist eine reflektierende Platte beschrieben, die dadurch erhalten wird, dass die Form von Ungleichmäßigkeiten eingestellt wird, die an der Oberfläche eines isolierenden Glassubstrats ausgebildet sind, und ein metallischer Dünnfilm, wie ein Dünnfilm aus Ag, auf dem Glassubstrat mit dieser Ungleichmäßigkeit ausgebildet wird.
Jedoch wird bei der oben genannten reflektierenden Platte die Ungleichmäßigkeit (konvexe und konkave Abschnitte) dadurch ausgebildet, dass die Oberfläche des Glassubstrats mit einem Poliermittel gekratzt wird. Demgemäß können die Ungleichmäßigkeiten nicht in regelmäßiger Weise ausgebildet werden, was die Reproduzierbarkeit der Form der Ungleichmäßigkeiten verringert. Außerdem kann, wenn das so hergestellte Glassubstrat verwendet wird, keine reflektierende Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit zufriedenstellenden Reflexionseigenschaften in stabiler Weise geschaffen werden.
Um den oben genannten Nachteil zu überwinden, hat die Anmelderin die folgende reflektierende Platte vorgeschlagen (japanische Patentanmeldung Nr. 3-4573 oder das Dokument EP-A-0 495 679, das Stand der Technik gemäß Art. 54 (3; EPÜ) bildet.
Es wird ein photoempfindliches Harz auf ein isolierendes Substrat aufgetragen und das so erhaltene Substrat wird strukturiert. Dann wird das Substrat so wärmebehandelt, dass die Oberkante des Musters abgerundet wird. Danach wird es ermöglicht, dass ein Polymerharz auf das isolierende Substrat mit dem Muster fließt, um darauf einen Polymerharzfilm auszubilden. Auf dem Polymerharzfilm wird ein reflektierender Dünnfilm mit optischer Reflexionsfunktion ausgebildet, wodurch eine reflektierende Platte erhalten wird.
Da die so hergestellte reflektierende Platte einen reflektierenden Dünnfilm aufweist, bei dem die Oberflächen der konvexen und konkaven Abschnitte gleichmäßig sind, ist es unwahrscheinlich, dass Mehrfachreflexionen hervorgerufen werden, und es kann eine helle Anzeige erzielt werden. Jedoch hat der reflektierende Dünnfilm, der auf einem Abschnitt des isolierenden Substrats ausgebildet ist, unter dem kein Muster vorhanden ist, manchmal ebene Form. In einigen Fällen besteht ein Problem dahingehend, dass reflektiertes Licht, das eine Wellenlängen-Abhängigkeit zeigt, erzeugt wird, wodurch eine Interferenzfarbe hervorgerufen wird (d.h. eine durch Interferenzlicht erzeugte Farbe).
Das Dokument EP-A-0 084 930, auf dem der Oberbegriff von Anspruch 1 beruht, offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines reflektierenden Substrats mit mindestens einer reflektierenden Elektrode, die auf einem isolierenden Trägersubstrat vorhanden ist, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Herstellen eines Polymerharzfilms auf dem Substrat und Herstellen der mindestens einen reflektierenden Elektrode auf dem Polymerharzfilm. Konvexe Abschnitte sind zwischen dem Substrat und dem Harzfilm vorhanden. Die konvexen Abschnitte haben alle dieselbe Höhe, und dies bewirkt, dass die Elektroden flache Gebiete aufweisen. Daher treten Interferenzeffekte auf, so dass Licht nicht gleichmäßig reflektiert wird.
Das Dokument EP-A-0 084 930 offenbart ebenfalls ein entsprechendes reflektierendes Substrat, auf dem der Oberbegriff von Anspruch 4 beruht.
Gemäß einer ersten Erscheinungsform der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines reflektierenden Substrats mit mindestens einer reflektierenden Elektrode auf einem isolierenden Trägersubstrat geschaffen, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: (a) Herstellen eines Polymerharzfilms auf dem Substrat und (b) Herstellen der mindestens einen reflektierenden Elektrode auf dem Polymerharzfilm;
wobei es ferner den Schritt (c) des Herstellens konvexer Abschnitte aus photoempfindlichem Harz in einem Bereich unter demjenigen, unter dem die mindestens eine Elektrode vorhanden ist, umfasst, wobei dieser Schritt (c) vor dem Schritt (a) ausgeführt wird;
wobei die konvexen Abschnitte eine erste Anzahl konvexer Abschnitte mit einer ersten Höhe und eine zweite Anzahl konvexer Abschnitte mit einer zweiten Höhe, die von der ersten Höhe verschieden ist, aufweisen, so dass die Oberfläche der mindestens einen Elektrode einer durchgehenden Wellenform ohne irgendwelche ebenen Abschnitte folgt.
Eine zweite Erscheinungsform der Erfindung schafft ein reflektierendes Substrat mit mindestens einer reflektierenden Elektrode, die auf einem isolierenden Trägersubstrat vorhanden ist;
wobei konvexe Abschnitte mit einer ersten Anzahl konvexer Abschnitte mit einer ersten Höhe und einer zweiten Anzahl konvexer Abschnitte mit einer zweiten Höhe, die von der ersten Höhe verschieden ist, zwischen dem Substrat und dem mindestens einen Elektrodenfilm vorhanden sind, wobei die Oberfläche der mindestens einen Elektrode einer durchgehenden Wellenform ohne irgendwelche ebenen Abschnitte folgt.
Die Erfindung schafft auch eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem reflektierenden Substrat, wie oben angegeben, einem zweiten, dem reflektierenden Substrat gegenüberstehenden Substrat und einer Flüssigkristallschicht, die dicht zwischen das reflektierende Substrat und das zweite Substrat eingeschlossen ist.
Bevorzugte Merkmale der Erfindung sind in Ansprüchen 2, 3, 5 und 6 dargelegt.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die ein reflektierendes Aktivmatrixsubstrat gemäß einem Beispiel 1 zeigt.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 1.
Fig. 3a bis 3e sind Schnittansichten, die den Herstellprozess für eine Pixelelektrode im reflektierenden Aktivmatrixsubstrat von Fig. 1 veranschaulichen.
Fig. 4 ist eine Draufsicht, die eine zum Herstellen des reflektierenden Aktivmatrixsubstrats des Beispiels 1 verwendete Photomaske zeigt.
Fig. 5 ist eine Ansicht, die ein Verfahren zum Messen der Reflexionscharakteristik der Pixelelektrode mit optischer Reflexionsfunktion veranschaulicht.
Fig. 6 ist ein schematisches Diagramm, das die Erzeugung von Interferenzlicht veranschaulicht.
Fig. 7a ist eine Schnittansicht, die eine Pixelelektrode eines Vergleichsbeispiels 1 zeigt.
Fig. 7b ist eine Schnittansicht, die eine Pixelelektrode eines Vergleichsbeispiels 2 zeigt.
Fig. 8 ist ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen dem Reflexionsvermögen und der Wellenlänge der Pixelelektrode des Beispiels 1 zeigt.
Fig. 9a ist ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen dem Reflexionsvermögen und der wellenlänge der Pixelelektrode des Vergleichsbeispiels 1 zeigt.
Fig. 9b ist ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen dem Reflexionsvermögen und der wellenlänge der Pixelelektrode des Vergleichsbeispiels 2 zeigt.
Fig. 10a bis 10c sind Schnittansichten, die den Herstellprozess der Pixelelektrode von Fig. 1 durch ein anderes Verfahren veranschaulichen.
Fig. 11 ist eine Schnittansicht, die eine reflektierende Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung gemäß einem Beispiel 3 zeigt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Die Erfindung wird nun durch veranschaulichende Beispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
Als erstes wird ein Grundprinzip der Erfindung beschrieben.
Fig. 6 zeigt einen Zustand, in dem Licht auf ein Glassubstrat fällt, wobei das einfallende Licht an einem reflektierenden Film reflektiert wird, um aus dem Glassubstrat auszutreten. Es wird angenommen, dass dann Interferenzlicht erzeugt wird, wenn Licht, das unter einem Einfallswinkel Θi auf das Glassubstrat fällt, am Dach und am Fuß eines konvexen Abschnitts des reflektierenden Films reflektiert wird und unter einem Austrittswinkel Θo aus dem Glassubstrat austritt. Dabei ist die optische Pfaddifferenz zwi-40 schen dem am Dach reflektierten Licht und dem am Fuß reflektierten Licht durch die folgende Gleichung 1 repräsentiert:
wobei Θi' der Einfallswinkel des Lichts am Fuß des reflektierenden Films ist; Θo' des Austrittswinkel des Lichts am Fuß desselben ist; L der Abstand zwischen den Eintrittspunkten der beiden Lichtstrahlen am Glassubstrat ist; h die Höhe zwischen den Reflexionspunkten der beiden Lichtstrahlen am Dach und am Fuß des reflektierenden Films ist und n das Reflexionsvermögen des Glassubstrats ist.
Die Gleichung 1 kann nur dann berechnet werden, wenn Θi = Θo, Θi' = gelten. Wenn Θi = Θo Θ, Θi' = Θo' = Θ' angenommen werden, ist demgemäß die optische Pfaddifferenz δdurch die folgende Gleichung 2 repräsentiert:
δ= h{2n/cosΘ' - 2tanΘ' sineΘ} (2)
Wenn beliebige Wellenlängen λ1 und λ2 betrachtet werden, schwächen Licht mit λ1 und Licht mit λ2 einander im Fallδ/λ1 = m + 1/2 (m ist eine ganze Zahl); und Licht mit λ1 und Licht mit λ2 verstärken einander im Fall von δ/λ2 = m. Demgemäß kann die folgende Gleichung 3 erhalten werden:
δ(1/λ1 - 1/λ2) = ± 1/2 (3)
Die Gleichung 3 kann auch wie folgt ausgedrückt werden:
δ= (λ1 λ2) / (2 (λ2 - λ1)) (4)
Demgemäß kann die Höhe h aus den Gleichungen 2 und 4 durch die folgende Gleichung 5 repräsentiert werden:
h 1/2 {(λ1 λ2) / (λ2 - λ1)} .{coseΘ'/(2n - 2sinΘ' sinΘ)} (5)
Wie oben beschrieben, haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung herausgefunden, dass zum Verhindern von Interferenzlicht die Oberfläche des reflektierenden Films in Form einer kontinuierlichen Welle ohne irgendwelche flache Abschnitte ausgebildet werden sollte.
Angesichts des Obigen wird gemäß der Erfindung das folgende Verfahren zum Herstellen eines reflektierenden Films verwendet.
Auf einem Trägerelement in Plattenform werden zwei oder mehr konvexe Abschnitte mit verschiedenen Höhen ausgebildet. Dann wird ein Film aus einem Polymerharz oder dergleichen auf dem Trägerelement mit den konvexen Abschnitten ausgebildet, und darauf wird ein reflektierender Dünnfilm mit optischer Reflexionsfunktion hergestellt.
Wenn der so hergestellte reflektierende Dünnfilm auf eine Pixelelektrode eines Aktivmatrixsubstrats und/oder eine Gegenelektrode auf einem Gegensub strat aufgetragen wird, weisen die Pixelelektrode und/oder die Gegenelektrode eine reflektierende Fläche in Form einer kontinuierlichen Welle ohne irgendwelche ebene Abschnitte auf, so dass reflektierte Lichtstrahlen nicht miteinander interferieren. Darüber hinaus ist, wenn die konvexen Abschnitte optisch unter Verwendung einer Photomaske hergestellt werden, die Herstellung der konvexen Abschnitte mit guter Reproduzierbarkeit bei denselben Lichteinstrahlungsbedingungen möglich.

Beispiele

Beispiel 1

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines reflektierenden Aktivmatrixsubstrats 20 gemäß der Erfindung zeigt. Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie A-A in Fig. 1. Im reflektierenden Aktivmatrixsubstrat 20 sind eine Vielzahl yon Gatebusleitungen 22 (d.h. Abrasterleitungen) und eine Vielzahl von Sourcebusleitungen 24 (d.h. Signalleitungen) auf einem isolierenden Glassubstrat 11 (d.h. einem Trägersubstrat) so vorhanden, dass sie einander schneiden. In einem durch jede Gatebusleitung 22 und jede Sourcebusleitung 24 gebildeten Rechteckbereich ist eine Pixelelektrode 19 mit optischer Reflexionsfunktion vorhanden. An einer Ecke des Rechteckbereichs, in dem jede Pixelelektrode 19 ausgebildet ist, zweigt eine Gateelektrode 23 von jeder Gatebusleitung 22 ab, und im vorderen Endabschnitt jeder Gateelektrode 23 ist ein Dünnfilmtransistor (TFT) 21 als Schaltelement ausgebildet. Die Gateelektrode 23 bildet einen Teil des TFT 21.
Ferner zweigt in einer Kette des rechteckigen Bereichs, in den jede Pixelelektrode 19 ausgebildet ist, eine Sourceelektrode 25 von jeder Sourcebusleitung 24 ab. Der vordere Endabschnitt der Sourceelektrode 25 überlappt die Gateelektrode 23 in isolierendem Zustand. Die Sourceelektrode 25 bildet einen Teil des TFT 21. Eine Drainelektrode 26 des TFT 21 ist ein Stück entfernt von der Sourceelektrode 25 vorhanden und überlappt die Gateelektrode 23 in isoliertem Zustand. Jede Drainelektrode 26 ist elektrisch mit jeder Pixelelektrode 19 verbunden.
Wie es in Fig. 2 dargestellt ist, ist der TFT 21 über der auf dem Glassubstrat 11 ausgebildeten Gateelektrode 23 vorhanden. Die Gateelektrode 23 ist mit einem Gateisolierfilm 11a bedeckt, der auf der gesamten Oberfläche des Glassubstrats 11 ausgebildet ist. Auf einem Teil des Gateisolierfilms ha ist eine Halbleiterschicht 27 so ausgebildet, dass sie einen Bereich über der Gateelektrode 23 bedeckt. Ein Paar Kontaktschichten 28 ist so ausgebildet, dass sie beide Enden der Halbleiterschicht 27 bedecken. Die Sourceelektrode 25 ist so ausgebildet, dass sie eine des Paars der Kontaktschichten 28 bedeckt, und die Drainelektrode 26 ist so ausgebildet, dass sie die andere des Paars Kontaktschichten 28 bedeckt.
Unter der Pixelelektrode 19 mit der oben genannten optischen Reflexionsfunktion sind auf dem Glassubstrat 11 abwechselnd konvexe Abschnitte 14a und 14b ausgebildet. Die Höhe der konvexen Abschnitte 14a ist höher als die der konvexen Abschnitte 14b gemacht. Ein Polymerharzfilm 15 ist so ausgebildet, dass er die konvexen Abschnitte 14a und 14b bedeckt. Die Oberfläche des Polymerharzfilms 15 verläuft aufgrund des Vorliegens der konvexen Abschnitte 14a und 14b mit Wellenform. Der Polymerharzf ilm 15 ist beinahe auf der gesamten Oberfläche des Glassubstrats 11 wie auch unter der Pixelelektrode 19 ausgebildet. Beim vorliegenden Beispiel besteht der Polymerharzfilm 15 aus einem photpempfindlichen Harz (Handelsname: OFPR-800, hergestellt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Die Pixelelektrode 19 ist auf dem Polymerharzfilm 15 ausgebildet, mit einer Oberfläche in Form einer kontinuierlichen Welle, und sie besteht z.B. aus Al mit optischer Reflexionsfunktion. Die Pixelelektrode 19 ist über ein Kontaktloch 29 elektrisch mit der Drainelektrode 26 verbunden.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf Fig. 3 ein Verfahren zum Herstellen der Pixelelektrode 19, die ein Hauptabschnitt des oben genannten reflektierenden Aktivmatrixsubstrats 20 ist, beschrieben.
Wie es in Fig. 3a dargestellt ist, wird ein Resistfilm 12 aus einem photoempfindlichen Harz durch Schleuderbeschichten auf dem Glassubstrat 11 hergestellt. Beim vorliegenden Beispiel wird als Glassubstrat 11 ein Glassubstrat mit einer Dicke von 1,1 mm (Handelsname: 7059, hergestellt von Corning Inc.) verwendet. Als Resistfilm 12 wird das oben genannte photoempfindliche Harz (Handelsname: OFPR-800, hergestellt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) verwendet. Der Resistfilm 12 wird vorzugsweise durch Schleuderbeschichten im Bereich von 500 U/Min. bis 3.000 U/Min. hergestellt. Beim vorliegenden Beispiel wird der Resistfilm 12 durch Schleuderbeschichten bei 1.500 U/Min. für 30 Sekunden hergestellt, und seine Dicke beträgt 2,5 µm. Beim vorliegenden Beispiel ist OFPR-800, hergestellt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., verwendet; jedoch ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. Es kann jedes beliebige positive oder negative photoempfindliche Harzmaterial verwendet werden, das durch einen Belichtungsprozess strukturiert werden kann. Z.B. können OMR-83, OMR-85, ONNR-20, OFPR-2, OFPR-830 oder OFPR-500, hergestellt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.; oder TF-20, 1300-27 oder 1400- 27, hergestellt von Shipley Far East Ltd. verwendet werden. Außerdem können von Toray Industries Inc. hergestelltes Photoneece; von Sekisui Fine Chemical Co., Ltd., hergestelltes RW101 und von Nippon Kayaku Co., Ltd., herge stelltes R101, R633 verwendet werden.
Als nächstes wird das Glassubstrat 11, auf dem der Resistfilm 12 hergestellt wurde, vorgebrannt, z.B. bei 90 ºC für 30 Minuten. Auf dem Resistfilm 12 wird, wie in Fig. 3b dargestellt, eine in Fig. 4 dargestellte Photomaske 13 angeordnet, und in diesem Zustand wird die Photomaske 13 Licht ausgesetzt, wie dies durch Pfeile repräsentiert ist. Die Photomaske 13 besteht aus einer Platte 13c mit Musterlöchern 13a und 13b. Beim vorliegenden Beispiel hat das Musterloch 13a runde Form mit einem Durchmesser von 5 µm, und das Musterloch 13b hat runde Form mit einem Durchmesser von 3 µm. Diese Musterlöcher 13a, und 13b sind zufällig in der Platte 13c ausgebildet, und der Abstand zwischen benachbarten Musterlöchern 13a und 13b beträgt 2 µm oder mehr. Hier sei darauf hingewiesen, dass es dann, wenn der Abstand zu groß ist, schwierig ist, die Oberfläche des Polymerharzfilms 15 in Form einer kontinuierlichen Welle auszubilden. Beim vorliegenden Beispiel ist die Konfiguration der Musterlöcher 13a und 13b der Photomaske 13 rund; jedoch kann jede beliebige Form wie rechteckig, oval und Streifenform verwendet werden.
Als nächstes wird das so erhaltene Laminat (d.h. das Glassubstrat 11 und der Resistfilm 12) in einer Entwicklungslösung von 2,38 %, z.B. aus von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., hergestelltem NMD-3 entwickelt. Aufgrund der Entwicklung werden, wie es in Fig. 3c dargestellt ist, eine Vielzahl winziger konvexer Abschnitte 14a' und 14b' mit verschiedenen Höhen auf einer Fläche des Glassubstrats 11 ausgebildet. Die oberen Ecken der konvexen Abschnitte 14a' und 14b' sind quadratisch. Hierbei sind die Höhen der den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' entsprechenden Bereiche kurz nach dem Belichtungsschritt identisch. Jedoch weisen die jeweiligen konvexen Abschnitte 14a' und 14b' während des Entwicklungsschritts aufgrund der Differenz der Querschnitte der gehärteten konvexen Abschnitte 14a' und 14b' verschiedene Höhen auf. Beim vorliegenden Beispiel wird ein konvexer Abschnitt 14a mit einer Höhe von 2,48 µm durch ein Musterloch 13a mit einem Durchmesser von 5 µm ausgebildet, während ein konvexer Abschnitt 14b mit einer Höhe von 1,64 µm durch ein Musterloch 13b mit einem Durchmesser von 3 µm ausgebildet wird. Die Höhe der konvexen Abschnitte 14a' und 14b' kann abhängig von der Größe der Musterlöcher 13a und 13b, der Belichtungszeit und der Entwicklungszeit variiert werden. Die Größe der Musterlöcher 13a und 13b ist nicht auf die oben genannte begrenzt.
Beim vorliegenden Beispiel wird käuflich verfügbares NMD-3 (Entwicklungslösung von 2,38 %) verwendet. Die zugehörige Konzentration liegt vorzugsweise im Bereich von 1 % bis 5 %. Darüber hinaus gehören, zusätzlich zu NMD-3, NMD-W und DE-3 (beide derselben werden von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., hergestellt) zu Beispielen für die Entwicklungslösung.
Als nächstes wird das Glassubstrat 11, auf dem die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' ausgebildet sind, bei 200 ºC für eine Stunde wärmebehandelt, wodurch die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' erweichen. So werden die oberen Ecken der konvexen Abschnitte 14a' und 14b' umgebogen, wie es in Fig. 3d dargestellt ist.
Auf dem wärmebehandelten Glassubstrat 11 wird der Polymerharzfilm 15 durch Schleuderbeschichten ausgebildet, wie es in Fig. 3e dargestellt ist. Als Polymerharz wird das oben genannte OFPR-800 verwendet. Der Polymerharzfilm 15 wird durch Schleuderbeschichten hergestellt, vorzugsweise im Bereich von 1.000 U/Min. bis 3.000 U/Min. Beim vorliegenden Beispiel wird der Polymerharzfilm 15 durch Schleuderbeschichten bei 2.000 U/Min. hergestellt. Im Ergebnis kann der Polymerharzfilm 15 mit einer Oberfläche in Form einer kontinuierlichen Welle selbst auf einem ebenen Abschnitt (d.h. einem Abschnitt zwischen den konvexen Abschnitten 14a und 14b) auf dem Glassubstrat 11 hergestellt werden.
Danach wird die aus Al bestehende Pixelelektrode 19 z.B. durch Sputtern auf dem Polymerharzfilm 15 hergestellt. Zusätzlich zu Al gehören zu Beispielen des für die Pixelelektrode 19 verwendeten Materials Ni, Cr, Ag und dergleichen mit optischer Reflexionsfunktion. Die Dicke der Pixelelektrode 19 liegt vorzugsweise im Bereich von 0,01 bis 1,0 µm.
Die so hergestellte Pixelelektrode 19 mit optischer Reflexionsfunktion hat eine Oberfläche in Form einer kontinuierlichen Welle ohne irgendeinen ebenen Abschnitt, da der Polymerharzfilm 15 so hergestellt wurde, dass er eine Oberfläche in Form einer kontinuierlichen Welle aufweist.
Die Wellenlängenabhängigkeit des an der Pixelelektrode 19 reflektierten Lichts wird so gemessen, wie es in Fig. 5 dargestellt ist. In Fig. 5 ist eine Struktur dargestellt, bei der die Pixelelektrode 19 in einer tatsächlichen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung verwendet ist. Genauer gesagt, ist ein Attrappenglas 18 aus Glas mit einem Brechungsindex von 1,5 in Bezug auf eine tatsächliche Flüssigkristallschicht als Glassubstrat verwendet. Das Attrappenglas 18 wird mittels eines UV-härtbaren Klebers 17 mit einem Brechungsindex von 1,5 in Kontakt mit dem reflektierenden Aktivmatrixsubstrat 20 gebracht.
Eine optische Quelle L1 wird so platziert, dass einfallendes Licht L1' unter einem Einfallswinkel Θi (d.h. dem Winkel zwischen dem einfallenden Licht L1' und einer Normale ml) auf das Attrappenglas 18 fällt, während ein Photomultimeter L2 so platziert wird, dass es Licht L2' empfängt, das unter einem Austrittswinkel Θo (d.h. dem Winkel zwischen dem reflektierten Licht L' und einer Normale m2) durch das Attrappenglas 18 austritt. So misst das Photomultimeter L2 die Stärke des Lichts, das unter dem Einfallswinkel Θi auf das Attrappenglas 18 fällt und unter dem Austrittswinkel Θo aus diesem austritt. Beim vorliegenden Beispiel wird, damit das von der optischen Quelle L1 emittierte und an der Oberfläche des Attrappenglases 18 reflektierte Licht nicht vom Photomultimeter L2 empfangen wird, ein Einfallswinkel Θi von 30º und ein Austrittswinkel Θo von 20º verwendet.
Zum Vergleich werden ebenfalls auch eine Pixelelektrode 19a (Vergleichsbeispiel 1),die wie in Fig. 7a dargestellt, ausgebildet ist, und eine Pixelelektrode 19b (Vergleichsbeispiel 2), wie in Fig. 7b dargestellt, gemessen. Beim Vergleichsbeispiel 1 ist die Pixelelektrode 19a unmittelbar auf den runden, konvexen Abschnitten 14a und 14b ausgebildet, ohne dass der Polymerharzfilm ausgebildet ist. Demgemäß sind zwischen den konvexen Abschnitten 14a und 14b ebene Abschnitte 16a ausgebildet. Beim Vergleichsbeispiel 2 ist die Pixelelektrode 19b auf den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' mit quadratischen, oberen Ecken ausgebildet, wobei der Polymerharzfilm 15 zwischen der Pixelelektrode 19b und den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' eingebettet ist. So befinden sich Abschnitte der Pixelelektrode 19b über den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' in im Wesentlichen flacher Form. Die Pixelelektroden 19a und 19b bestehen beide aus Al.
Fig. 8 zeigt die Reflexionscharakteristik (Wellenlängenabhängigkeit) für das reflektierte Licht beim vorliegenden Beispiel. Die Fig. 9a und 9b zeigen die Reflexionscharakteristik (Wellenlängenabhängigkeit) des reflektierten Lichts bei den Vergleichsbeispielen 1 und 2. In den Fig. 8, 9a und 9b ist auf der horizontalen Achse die Wellenlänge aufgetragen, während auf der vertikalen Achse das Reflexionsvermögen aufgetragen ist. Wie es aus diesen Figuren ersichtlich ist, hängt bei beiden Vergleichsbeispielen 1 und 2 das Reflexionsvermögen von der Wellenlänge ab, und bei diesen Beispielen besteht ein Problem dahingehend, dass eine Interferenzfarbe hervorgerufen wird. Im Gegensatz hierzu ist beim vorliegenden Beispiel das Reflexionsvermögen weniger von der Wellenlänge abhängig, und demgemäß zeigt das reflektierte Licht kein Interferenzlicht. Die Messungen werden unter den oben genannten Bedingungen ausgeführt, so dass die Ergebnisse den Reflexionseigenschaften zwischen der Oberfläche der Pixelelektrode 19 und einer echten Flüssigkristallschicht entsprechen. D.h., dass die Ergebnisse des vorliegenden Beispiels solchen entsprechen, wie sie im Fall einer tatsächlichen Anwendung erhalten werden.

Beispiel 2

Die Fig. 10a bis 10c veranschaulichen einen Herstellprozess für die Pixelelektrode von Fig. 1 gemäß einem anderen Verfahren. Wie es in Fig. 10a dargestellt ist, werden die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' mit verschiedenen Höhen auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 auf dem Glassubstrat 11 hergestellt. Hier wird eirt Film mit den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' als erster Film bezeichnet.
Als nächstes wird, wie es in Fig. 10b dargestellt ist, ein flüssiges Material wie ein Acrylharz auf die konvexen Abschnitte 14a', 14b' und zwischen benachbarte konvexe Abschnitte aufgetragen und gehärtet, um einen zweiten Film 41 zu bilden. Dabei befindet sich das flüssige Material aufgrund der Oberflächenspannung auf den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' in konvexer Form; außerdem befindet sich das flüssige Material zwischen den benachbarten konvexen Abschnitten in konkaver Form. Demgemäß sind nach dem Aushärten neue konvexe Abschnitte 14a und 14b auf der Oberfläche des Glassubstrats 11 ausgebildet.
Als nächstes wird, wie es in Fig. 10c dargestellt ist, die aus einem Licht reflektierenden Material bestehende Pixelelektrode 19 auf dem zweiten Film 41 hergestellt.
Wenn das flüssige Material auf den ersten Film aufgetragen wird, so dass das Glassubstrat 11 demselben nicht ausgesetzt wird, werden keine ebenen Abschnitte auf dem ersten Film mit den konvexen Abschnitten 14a' und 14b' ausgebildet. Demgemäß kann eine reflektierende Platte erhalten werden, die weniger wellenlängen-abhängig ist. Als Material für den zweiten Film 41 können, zusätzlich zum Acrylharz, Harze vom Epoxidtyp oder dergleichen in flüssigem Zustand verwendet werden, die nach dem Beschichten gehärtet werden können. Als Material für die Pixelelektrode 19 können Al, Ag, Ni, Cr usw. mit hohem Reflexionsvermögen verwendet werden.
Die so hergestellte Pixelelektrode 19 hängt weniger von der Wellenlänge ab, auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1, und sie erzeugt kaum irgendwelches Interferenzlicht.
Beim Beispiel 2 werden die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' mit verschiedenen Höhe auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 hergestellt; jedoch kann ein anderes Verfahren verwendet werden. Ein Beispiel hierfür wird wie folgt kurz beschrieben.
Als erstes wird zum Herstellen der konvexen Abschnitte 14b' mit kleinerer Höhe ein Resistfilm so auf dem Glassubstrat 11 hergestellt, dass er eine Dicke aufweist, die der Höhe der konvexen Abschnitte 14b' entspricht. Das Glassubstrat 11, auf dem die unteren konvexen Abschnitte ausgebildet werden, wird unter Verwendung einer Photomaske mit Licht bestrahlt und entwickelt. In dieser Photomaske sind nur die Musterlöcher 13b mit dem kleineren Durchmesser ausgebildet, und es erfolgt eine Wärmebehandlung bei 200 ºC für eine Stunde, wodurch die konvexen Abschnitte erweicht und gehärtet werden. Als nächstes wird, um die konvexen Abschnitte 14a' mit größerer Höhe auszubilden, ein Resistfilm auf dem Glassubstrat 11 hergestellt, auf dem die konvexen Abschnitte 14b' ausgebildet sind, wobei die Dicke des Resistfilms der Höhe der konvexen Abschnitte 14a' entspricht. Das Glassubstrat 11, auf dem die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' ausgebildet sind, wird unter Verwendung einer Photomaske Licht ausgesetzt und entwickelt. In dieser Photomaske sind nur die Musterlöcher 13a mit dem größeren Durchmesser vorhanden, und es erfolgt eine Wärmebehandlung bei 200 ºC für eine Stunde, wodurch die konvexen Abschnitte erweicht und gehärtet werden. Im Ergebnis kann ein Glassubstrat 11 erhalten werden, auf dem die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' mit verschiedenen Höhen vorhanden sind, wie in Fig. 10a dargestellt. Gemäß diesem Verfahren ist es auch möglich, dass die konvexen Abschnitte 14a' mit größerer Höhe als erste ausgebildet werden und dann die konvexen Abschnitte 14b' mit kleinerer Höhe ausgebildet werden. Insbesondere können in diesem Fall konvexe Abschnitte mit kleinerer Höhe und konvexe Abschnitte mit größerer Höhe (konvexe Abschnitte mit verschiedenen Höhen) abwechselnd ausgebildet werden, so dass die Form einer kontinuierlichen Welle erzielbar ist.
Bei den Beispielen 1 und 2 werden zwei Arten konvexer Abschnitte 14a und 14b mit verschiedenen Höhen hergestellt. Stattdessen können drei Arten konvexer Abschnitte mit verschiedenen Höhen hergestellt werden.
Die Gründe, weswegen zwei oder mehr Arten konvexer Abschnitte mit verschiedenen Höhe hergestellt werden, wird nachfolgend beschrieben.
Wenn die Höhen zweier benachbarter konvexer Abschnitte übereinstimmen, besteht die Wahrscheinlichkeit, dass von Abschnitten der Pixelelektrode, wie sie jeder Oberfläche der konvexen Abschnitte entsprechen, reflektierte Lichtstrahlen miteinander interferieren. Demgemäß kann, wenn die Höhen aller konvexer Abschnitte verschieden gemacht werden, die Wellenlängenabhängigkeit verringert werden.
Wenn die Pixelelektrode 19 so ausgebildet wird, dass sie einen Teil der Gatebusleitung 22 und einen Teil der Sourcebusleitung 24 überlappt, wie es in Fig. 1 dargestellt ist, ist es bevorzugt, dass auf der Kante der Pixelelektrode 19 kein konvexer Abschnitt hergestellt wird. Aufgrund dieser Struktur können Strukturierungsdefekte der Pixelelektrode 19 verhindert werden. Darüber hinaus wird die Pixelelektrode 19 aufgrund dieser Struktur überlappend mit der Gatebusleitung 22 und der Sourcebusleitung 24 hergestellt; die Pixelelektrode 19 und die Gatebusleitung 22 werden ohne irgendeinen gegenseitigen Spalt hergestellt; und die Pixelelektrode 19 und die Sourcebusleitung 24 werden ohne irgendeinen gegenseitigen Spalt hergestellt. Demgemäß kann die Fläche der Pixelelektrode 19 vergrößert werden. Wenn die Fläche der Pixelelektrode 19 vergrößert ist, wird die numerische Apertur eines Anzeigeschirms groß, was zu einer hellen Anzeige führt. Wenn jedoch Probleme hinsichtlich Isolierungsdefekten existieren, ist es bevorzugt, dass auf den überlappten Abschnitten kein konvexer Abschnitt ausgebildet wird.
Das Polymerharz 15 beim Beispiel 1 kann auf dem TFT 21 so hergestellt werden, dass es den TFT 21 bedeckt. Beim Beispiel 2 kann ein Abschnitt des ersten Films, wie er die konvexen Abschnitte 14a' und 14b' bildet und über dem TFT 21 liegt, so beibehalten werden, dass er den TFT 21 bedeckt. Alternativ kann der zweite Film 41 so ausgebildet werden, dass er den TFT 21 bedeckt.
In diesem Fall existiert der Vorteil, dass es nicht wahrscheinlich ist, dass der TFT 21 freigelegt wird, und er ist geschützt.
Bei den oben genannten Beispielen wird der TFT 21 als Schaltelement verwendet. Die Erfindung ist nicht hierauf beschränkt. Es kann ein anderes Schaltelement verwendet werden, wie ein Metall-Isolator-Metall(MIM)-Element, eine Diode oder ein Varistor.

Beispiel 3

Fig. 11 zeigt ein Beispiel einer reflektierenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 40, bei der das in Fig. 1 dargestellte reflektierende Aktivmatrixsubstrat 20 verwendet ist. In der reflektierenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 40 ist ein Gegensubstrat 30 vorhanden, das dem reflektierenden Aktivmatrixsubstrat 20 gegenübersteht. Eine Flüssigkristallschicht 35 ist unter Verwendung einer Flüssigkristall-Abdichtungsschicht (nicht dargestellt) dicht zwischen das reflektierende Aktivmatrixsubstrat 20 und das Gegensubstrat 30 eingeschlossen. Die Flüssigkristall-Abdichtungsschicht wird dadurch erhalten, dass ein klebendes Abdichtungsmittel, das mit Abstandshaltern mit einem Durchmesser von 7 um vermischt ist, durch Siebdruck aufgebracht wird.
Das Gegensubstrat 30 umfasst eine isolierende Komplementärfarbfilter-Platte 32, eine transparente Gegenelektrode 33 und einen Flüssigkristall-Ausrichtungsfilm 34. Die isolierende Komplementärfarbfilter-Platte 32 wird auf einem Glassubstrat 31 hergestellt. Die Gegenelektrode 33 wird auf der gesamten Oberfläche der Komplementärfarbfilter-Platte 32 hergestellt, und sie besteht aus Indiumzinnoxid (ITO) mit einer Dicke von 100 nm. Der Flüssigkristall-Ausrichtungsfilm 34 wird ebenfalls an einer Fläche der Flüssigkristallschicht 35, und zwar auf der Seite des reflektierenden Aktivmatrixsubstrats 20, hergestellt.
Das reflektierende Aktivmatrixsubstrat 20 und das Gegensubstrat 30 werden auf die folgende Weise erhalten.
Die Flüssigkristall-Ausrichtungsfilme 34 werden jeweils auf die Oberflächen des reflektierenden Aktivmatrixsubstrats 20 bzw. des Gegensubstrats 30 aufgetragen und gebrannt.
Die Flüssigkristallschicht 35 wird auf die folgende Weise abgedichtet zwischen dem reflektierenden Aktivmatrixsubstrat 20 und dem Gegensubstrat 30 angebracht.
Die Flüssigkristall-Abdichtungsschicht wird zwischen dem reflektierenden Aktivmatrixsubstrat 20 und dem Gegensubstrat 30 hergestellt, gefolgt von einem Evakuierungsvorgang. Als Flüssigkristallmaterial 35 wird ein Gemisch verwendet, dass durch Mischen von 4,5 % optisch aktivem Material (Handelsname: S811, hergestellt von Merck & Co., Inc.) mit einem Flüssigkristall (Handelsname: ZL12327, hergestellt von Merck & Co., Inc.) erhalten wird. Dieser Flüssigkristall ist ein Gast-Wirt-Flüssigkristall, in den z.B. ein schwarzer, dichroitischer eingemischt ist.
Wenn eine Spannung an die Pixelelektrode 19 und die Gegenelektrode 33 in der reflektierenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 40 mit dem oben genannten Aufbau angelegt wird, beträgt das Reflexionsvermögen für einfallendes Licht (das unter einem Einfallswinkel von 300 auf das Glassubstrat fällt) in Richtung der Normalen auf dem Glassubstrat ungefähr 20 %, das Kontrastverhältnis ist 5 und es ist keine Interferenzfarbe erkennbar. Demgemäß kann eine zufriedenstellende, helle Anzeige erzielt werden. Bei der reflektierenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 40 ist die Flüssigkristallschicht 35 auf der Oberfläche des reflektierenden Aktivmatrixsubstrats 20 auf der Seite der Pixelelektrode 19 ausgebildet, so dass keine Parallaxe existiert und eine zufriedenstellende, helle Anzeige erzielt werden kann.
Beim vorliegenden Beispiel liegt die Pixelelektrode 19 auf der Seite der Flüssigkristallschicht 35. Demgemäß ist es wünschenswert, dass die Hohe der
konvexen Abschnitte 14a und 14b kleiner als die Dicke einer Zelle gemacht werden und die Schrägen der konvexen Abschnitte 14a und 14b einen flachen Verlauf aufweisen, so dass die Ausrichtung der Flüssigkristallschicht 35 nicht gestört wird.
Darüber hinaus ist beim vorliegenden Beispiel das Glassubstrat 11 als isolierendes Substrat verwendet. Selbst wenn ein undurchsichtiges Substrat wie ein Si-Substrat verwendet wird, können ähnliche Effekte erzielt werden. In diesem Fall besteht der Vorteil, dass eine Peripherieschaltung auf dem Substrat integriert werden kann.
Beim vorliegenden Beispiel verfügt die Pixelelektrode 19 über optische Reflexionsfunktion; jedoch ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. Es ist auch möglich, dass die Pixelelektrode 19 aus einer transparenten Elektrode hergestellt wird und die Gegenelektrode 33 mit optischer Reflexionsfunktion versehen ist. In diesem Fall ist die Komplementärfarbfilter-Platte 32 auf der Seite des Aktivmatrixsubstrats 20 vorhanden. Obwohl eine Gegenelektrode 33 mit optischer Reflexionsfunktion verwendet wird, können dieselben Techniken wie bei den Beispielen 1 und 2 bei der Gegenelektrode 33 angewandt werden.
Beim vorliegenden Beispiel ist der Gast-Wirt-Modus vom Phasenübergangstyp als Anzeigemodus verwendet. Die Erfindung ist nicht hierauf beschränkt. Z.B. können ein Lichtabsorptionsmodus wie ein Gast-Wirt-Modus vom Zweischichttyp; ein Anzeigemodus vom Lichtstreutyp, wie bei einem LCD vom Typ mit dispergiertem Polymer usw. verwendet; und ein Doppelbrechungs-Anzeigemodus, wie in einem ferroelektrischen LCD verwendet, genutzt werden.
Wie oben beschrieben, wird die Pixelelektrode oder die Gegenelektrode mit optischer Reflexionsfunktion gemäß der Erfindung in Form einer kontinuierlichen Welle hergestellt, so dass die Wellenlängenabhängigkeit verringert werden kann, was zu einer zufriedenstellenden, hellen Anzeige ohne jede Interferenzfarbe führt. Ferner können, wenn die konvexen Abschnitte durch einen Photolithographieprozess unter Verwendung einer Photomaske hergestellt werden, diese konvexen Abschnitte mit guter Reproduzierbarkeit ausgebildet werden, und die Oberfläche der Pixelelektrode kann aufgrund der konvexen Abschnitte ebenfalls mit guter Reproduzierbarkeit hergestellt werden.
Dem Fachmann sind verschiedene andere Modifizierungen ersichtlich, und sie können von ihm leicht ausgeführt werden, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Demgemäß soll der Schutzumfang der beigefügten Ansprüche nicht auf die hier dargelegte Beschreibung beschränkt sein, sondern vielmehr sollen die Ansprüche breit ausgelegt werden.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines reflektierenden Substrats mit mindestens einer reflektierenden Elektrode (19), die auf einem isolierenden Trägersubstrat (11) vorhanden ist, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:

(a) Herstellen eines Polymerharzfilms auf dem Substrat und

(b) Herstellen der mindestens einen reflektierenden Elektrode auf dem Polymerharzfilm;

dadurch gekennzeichnet, dass es ferner einen Schritt (c) des Herstellens konvexer Abschnitte (14a, 14b; 14'a, 14'b) aus photoempfindlichem Harz in einem Bereich unter demjenigen, in dem die mindestens eine Elektrode vorhanden ist, aufweist, wobei dieser Schritt (c) vor dem Schritt (a) ausgeführt wird; wobei die konvexen Abschnitte eine erste Anzahl konvexer Abschnitte mit einer ersten Höhe und eine zweite Anzahl konvexer Abschnitte mit einer zweiten Höhe, die von der ersten Höhe verschieden ist, aufweisen, so dass die Oberfläche der mindestens einen Elektrode einer durchgehenden Wellenform ohne irgendwelche ebenen Abschnitte folgt.

2. Verfahren zum Herstellen eines reflektierenden Substrats nach Anspruch 1, bei dem die konvexen Abschnitte (14a, 14b; 14'a, 14'b) unter Verwendung einer Photolithographietechnik mit einer Photomaske hergestellt werden.

3. Verfahren zum Herstellen eines reflektierenden Substrats nach Anspruch 1, bei dem die konvexen Abschnitte (14a, 14b; 14'a, 14'b) zufällig ausgebildet werden.

4. Reflektierendes Substrat mit mindestens einer reflektierenden Elektrode (19), die auf einem isolierenden Trägersubstrat (11) vorhanden ist;

dadurch gekennzeichnet, dass konvexe Abschnitte (14a, 14b; 14'a, 14'b) mit einer ersten Anzahl konvexer Abschnitte mit einer ersten Höhe und einer zweiten Anzahl konvexer Abschnitte mit einer zweiten Höhe, die von der ersten Höhe verschieden ist, zwischen dem Substrat (1) und dem mindestens einen Elektrodenfilm (19) vorhanden sind, wobei die Oberfläche der mindestens einen Elektrode einer durchgehenden Wellenform ohne irgendwelche ebenen Abschnitte folgt.

5. Reflektierendes Substrat nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die konvexen Abschnitte (14a, 14b; 14'a, 14'b) zufällig ausgebildet sind.

6. Reflektierendes Substrat nach Anspruch 4 oder 5, ferner mit einem Polymerfilm, der zwischen den konvexen Abschnitten (14a, 14b, 14'a, 14'b) und der mindestens einen reflektierenden Elektrode (19) angeordnet ist.

7. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit:

- einem reflektierenden Substrat, wie es durch einen der Ansprüche 4 bis 6 definiert ist;

- einem zweiten Substrat (30), das dem reflektierenden Substrat gegenübersteht; und

- einer Flüssigkristallschicht (35), die dicht zwischen das reflektierende Substrat und das zweite Substrat eingeschlossen ist.