JP3270821B2 - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP3270821B2
JP3270821B2 JP35648597A JP35648597A JP3270821B2 JP 3270821 B2 JP3270821 B2 JP 3270821B2 JP 35648597 A JP35648597 A JP 35648597A JP 35648597 A JP35648597 A JP 35648597A JP 3270821 B2 JP3270821 B2 JP 3270821B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
light
crystal display
display device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP35648597A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10311982A (ja
Inventor
和彦 津田
眞理子 伴
朝子 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP35648597A priority Critical patent/JP3270821B2/ja
Priority to US09/038,987 priority patent/US6262783B1/en
Publication of JPH10311982A publication Critical patent/JPH10311982A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3270821B2 publication Critical patent/JP3270821B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータ、モバイルコンピュータ、ワードプロセッサなど
の情報端末機器、その他、携帯電話、電子スチルカメ
ラ、ＶＴＲ、カーナビゲーション、液晶テレビなどの表
示手段として好適に用いられる反射型液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、反射型液晶表示装置は薄型、軽
量、低消費電力という特長を有することから特に携帯情
報端末の情報表示手段として汎用されている。
【０００３】この反射型液晶表示装置においては、ペー
パーホワイト表示を可能とするために反射拡散板の開発
が多数行われている。例えば、特開平６−２７４８１号
公報には感光性樹脂を使用した拡散反射板の技術が記載
されている。
【０００４】上記公報によれば、感光性樹脂で凹凸をパ
ターニングする際、フォトマスクを設置し、ステッパ露
光機で露光していた。ステッパ露光機の場合、１ショッ
トで露光できる面積はおよそ５型以下に限られていた。
したがって、それよりも大きい面積を露光する場合は露
光場所をずらせながら２ショット以上の露光が必要であ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、例えば５型
よりも大きなサイズの拡散反射板の作製プロセスにおい
て複数ショットの露光を行う場合、それぞれのショット
毎に緻密な作業を伴うマスク、基板、ステッパ間相互の
位置合せ工程が必要なため、作業効率の著しい低下を招
いていた。また、仮に位置合わせが正確に行われたとし
ても、ステッパにおける必然的な光量分布や光線のひず
み（平行度等の違い）により、継ぎ目（各ショットにお
ける露光領域の境界）を境に露光条件が異なるため、継
ぎ目部分では凹凸形状が急激に変化し、これが反射電極
の光学特性に反映されてつなぎ目や表示むらが観察され
るという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、一対の基板間に液晶層が存在し、一方の基板上
に、スイッチング素子と、部分的に光透過部を有する遮
光性膜と、該遮光性膜の上方に光透過部を有する補助容
量電極と、該遮光性膜および補助容量電極を覆い凹凸形
状を有した絶縁層と、前記スイッチング素子に導通した
反射画素電極、が存在していることを特徴とし、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【０００７】前記部分的に光透過部を有する遮光性膜が
共通信号配線であって、該共通信号配線と前記補助容量
電極とが絶縁層を介して互いに重なり合うことにより、
補助容量を形成するものであることが好ましい。
【０００８】または、前記補助容量電極と、次段または
前段のスイッチング素子に電圧を供給するためのゲート
信号配線とが、絶縁層を介して互いに重畳することによ
り補助容量を形成するものであってもよい。
【０００９】さらに、前記ゲート信号配線の一部が画素
内部へ延在して、前記補助容量電極と重畳していること
が好ましい。
【００１０】前記補助容量電極が部分的に欠落してお
り、かつ、前記遮光性膜の光透過部と一致しているもの
であってもよい。
【００１１】また、前記遮光性膜の光透過部の形状がほ
ぼ円形であり、隣り合う光透過部の距離が３ミクロン以
上５０ミクロン以下であり、前記絶縁層がポジ型感光性
樹脂で構成されていることが望ましい。
【００１２】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、二枚の基板間に液晶を挟持した反射型液晶表示装置
の製造方法において、一方の基板上に、部分的に欠落し
た遮光性膜を形成する工程と、透明かつ導電性を有する
材料からなる補助容量電極を形成する工程と、前記遮光
性膜と前記補助容量電極とを覆う絶縁層を形成する工程
と、前記一方の基板の、前記絶縁層が形成された側とは
反対側から露光する工程と、含むことを特徴とすること
により上記目的が達成される。
【００１３】以下、上記構成による作用を説明する。
【００１４】本発明の反射型液晶表示装置によれば、欠
落部を有する絶縁層をパターニングする際、下部の遮光
領域をマスクパターンとして基板裏面からの露光を行う
ことによるセルフアライメントが可能となる。これによ
り、フォトマスクが不要となると共に大型露光機による
一括露光が可能となり、ステッパ露光の場合に生じたつ
なぎ目や表示むらを解消することができる。さらに、補
助容量電極が設けられているので液晶駆動のための補助
容量を形成することができ、これにより良好な表示品位
を有する反射型液晶表示装置を提供することができる。
【００１５】請求項２の発明によれば、反射電極表面の
凹凸形状が補助容量形成のための共通信号配線を利用し
た裏面露光を施したセルフアライメントにより形成され
ているので、簡単なプロセスによりつなぎ目や表示むら
の発生がなく、かつ、補助容量により良好な表示品位を
有する反射型液晶表示装置を提供することができる。
【００１６】請求項３の発明によれば、遮光性膜の上方
に形成した補助容量電極をゲート信号配線と重ね合せる
構成により、簡単に補助容量を形成することができる。
【００１７】請求項４の発明によれば、ゲート信号配線
と補助容量電極とが重畳する構成とすることにより、ゲ
ート信号配線の延在した補助容量電極との重なり領域と
補助容量電極との間で補助容量が形成されるため、共通
電極配線を設けなくても補助容量を形成することができ
る。
【００１８】請求項５の発明によれば、遮光性膜の欠落
部分と補助容量電極の欠落部分との平面位置を略一致さ
せておくことにより、上層の画素電極表面に良好な散乱
特性を与える凹凸形状を形成することが可能となる。こ
のような構造となっていない場合、例えば、遮光性膜の
欠落部分に遮光性または光透過率の低い補助容量電極が
重畳しているような部分が存在すれば、絶縁層のパター
ニングの際に基板裏面から露光すると、遮光性膜の欠落
部分を覆う補助容量電極がマスクとなり、この部分に存
在する絶縁層が完全にパターニングされない。この結
果、画素電極表面の隣合う凹凸同士が癒着する等してこ
の部分に入射した光は干渉を起こしやすくなり、表示ム
ラが発生する等の不具合をなす。本発明によれば、この
ような表示品位の低下を回避することが可能となる。
【００１９】請求項６の発明によれば、欠落部が存在し
ていても配線として機能する。さらに、円柱状の凹部を
形成することにより樹脂が円柱の底面に溜まるので、凹
凸部が癒着して平坦部が生じることがなく、入射光を散
乱させやすい。
【００２０】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法に
よれば、欠落部を有する絶縁層をパターニングする際、
下部の遮光領域をマスクパターンとして基板裏面からの
露光を行うことによるセルフアライメントが可能とな
る。これにより、フォトマスクが不要となると共に大型
露光機による一括露光が可能となり、ステッパ露光の場
合に生じたつなぎ目や表示むらを解消することができ
る。同時に、補助容量を形成するための構造も容易に形
成することが可能となり、良好な表示品位を有する反射
型液晶表示装置を提供することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）本発明の一実施形態に関し、以下に説明
を行う。まず、実施形態の反射型液晶表示装置の構成に
ついて説明を行う。図１は、本実施形態の反射型液晶表
示装置の反射電極側基板の部分平面図である。また、図
２は本実施形態の反射型液晶表示装置の一画素部分の断
面構造（図１のＡ−Ａ断面）を示す図である。
【００２２】図１、図２において、反射型液晶表示装置
は反射電極側基板２００とカラーフィルタ側基板３０
０、さらにこれら二枚の基板間に挟持された液晶層２５
０とからなる。
【００２３】上記反射電極側基板２００は、基板２０１
と、基板２０１上に形成されたゲート信号配線２０４お
よびソース信号配線２１１、これらゲート信号配線２０
４とソース信号配線２１１の交差部に形成されたＴＦＴ
２３０、少なくともＴＦＴ２３０および信号配線の一部
を被覆する絶縁層２４０、絶縁層２４０に形成されたコ
ンタクトホールを介してＴＦＴ２３０のドレイン電極２
１３に接続された画素電極４２３、遮光性材料からなり
補助容量を形成するための共通電極配線２０５、補助容
量電極２１４、および配向膜２１８からなるものであ
る。本実施形態の共通電極配線２０５にはカラーフィル
タ側基板に設けられた対向電極と同電位の信号が印加さ
れると共に、補助容量電極２１４と同様、液晶駆動の際
の補助容量を形成する電極としても機能する。また、上
記画素電極４２３は光反射性を有する材料により形成さ
れる反射電極である。そして、上記ＴＦＴ２３０はゲー
ト電極２０３、ゲート絶縁膜２０７、半導体層２０８、
ｎ型半導体層２１０、ソース電極２１２およびドレイン
電極２１３からなるものである。
【００２４】他方、上記カラーフィルタ側基板３００は
基板３０１、カラーフィルタ３０２、対向電極３０３、
配向膜３０４から構成されている。
【００２５】また、上記液晶層２５０としては本実施形
態では黒色色素を混入したゲストホスト液晶を用いてい
る。
【００２６】この反射型液晶表示装置において、ゲート
信号配線２０４および共通電極配線２０５には複数の円
形の穴（欠落部２０６）がランダムに配置されており、
これよりも上部に形成された絶縁層２４０および画素電
極４２３表面には上記欠落部２０６の形状に対応した凹
部が存在している。このような、光反射性を有する画素
電極４２３表面の凹凸に対して液晶表示装置外部から入
射した光は散乱され、ペーパーホワイトを表示すること
ができる。
【００２７】尚、本実施形態では画素電極４２３の下部
に絶縁層２４０を介してゲート信号配線２０４および共
通電極配線２０５を設ける構成としているが、ゲート信
号配線２０４は電圧が印加されている時間が十分短いた
め、このような構成であっても容量結合による表示への
影響は無視することができる。また、本実施形態では画
素電極４２３と自段及び前段または次段のゲート信号配
線とを重ね合せているがこの限りでなく、所望する表示
品位が得られないかパターニング精度によっては前段ま
たは次段のゲート信号配線のみに重ね合せるものでもよ
いし、或いは、何れのゲート信号配線にも重ね合わさな
い構成でもよい。例えば、間に存在する絶縁層の厚みが
十分でないために寄生容量が生じ、これにより表示品位
に著しい低下が見られる場合には、少なくとも前段また
は次段のゲート信号配線と重ね合わさない構成とするこ
とが望ましい。
【００２８】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の
製造方法を図３から５を用いて説明する。ここで、図
３、図４および図５はこの反射型液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。尚、以下に説明する
製造方法では、図１に示す上面図も同時に参照する。
【００２９】まず、図３（ａ）に示すように、絶縁性の
透明な基板２０１上に遮光性膜としてＴａ膜２０２（膜
厚：１０００Å〜５０００Å）をスパッタリング法によ
って形成した。基板２０１として、ここでは３２０ｍｍ
×４００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラスを用いたが、こ
の他にＳｉ、プラスチック等を用いても良い。
【００３０】続いて、図３（ｂ）に示すように上記Ｔａ
膜２０２をパターニングし、ゲート信号配線（図示せ
ず）、ゲート電極２０３および補助容量形成のための共
通電極配線２０５を形成する。尚、このときゲート信号
配線２０４および共通電極配線２０５には複数の円形の
穴（欠落部２０６）がランダムに配置されるようにパタ
ーニングを行っている。
【００３１】パターニング方法としては、ポジ型フォト
レジストをスピンコート法によって塗布した後、ステッ
パ露光機によって露光し、現像・エッチング・レジスト
剥離工程（これら一連の工程を以下フォトリソ工程と称
する）を経ることにより行った。
【００３２】上記欠落部２０６としては、直径３〜１０
μｍの円形の穴がゲート信号配線２０４および共通電極
配線２０５の面積の２〜８０％の割合でランダムに配置
されるようパターニングを行った。本実施形態において
はこの割合を３０％とした。尚、ゲート信号配線２０４
と後に形成する画素電極４２３との重なりも表示部とな
るよう（凹凸形成可能）な構成とした。それらの重なり
領域が少ない場合には、ゲート信号配線２０４に欠落部
２０６を設ける必要はない。
【００３３】また、共通電極配線２０５およびゲート信
号配線２０４の線幅は任意に選択できるが、その際には
フォトリソグラフィの精度と配線抵抗によって支配され
る。本実施形態では、共通電極配線２０５の線幅はおよ
そ２０μｍ、ゲート信号配線２０４の線幅はおよそ３０
μｍとした。
【００３４】また、本実施形態の場合、ゲート信号配線
２０４と共通電極配線２０５とを同じ金属材料で形成し
ているがこの構成に限定される必要はなく、それぞれ別
の材料を使用しても構わない。さらに、画素電極４２３
の下部に絶縁層２４０を介してゲート信号配線２０４お
よび共通電極配線２０５を形成する構成としたが、ゲー
ト信号配線２０４は電圧が印加されている時間が十分短
いため、このような構成であっても容量結合による表示
への影響は無視することができる。
【００３５】次に、図３（ｃ）に示すようにプラズマＣ
ＶＤ法により、ゲート絶縁膜２０７として窒化シリコン
を膜厚が１０００〜５０００Åとなるよう、続いて半導
体層２０８としてシリコンを膜厚が１００〜５００Åと
なるように堆積した。本実施形態ではゲート絶縁膜２０
７を３０００Å、半導体層２０８を３００Åで形成し
た。
【００３６】次に、図３（ｄ）に示すように、半導体層
のエッチングストッパ２０９となる窒化シリコンをプラ
ズマＣＶＤ法によって膜厚が１０００〜５０００Åとな
るよう堆積した後、フォトリソ法によりパターニングし
た。本実施形態では３０００Åの膜厚で形成した。
【００３７】次に、図３（ｅ）、（ｆ）に示すように、
ｎ型半導体層２１０として若干の不純物を付与したｎ型
シリコンをプラズマＣＶＤ法によって膜厚が１００〜１
０００Åとなるよう堆積した。本実施形態では３００Å
の膜厚で堆積し、フォトリソ工程によりパターニングし
た。パターニングの際、先に形成したエッチングストッ
パ２０９によって下部の半導体層２０８はエッチングさ
れずに残る。この後、先に形成したゲート絶縁膜２０７
の内、基板端部のゲート端子接続部分（図示せず）をフ
ォトリソ工程により除去した。
【００３８】次に、図３（ｇ）に示すように、ソース信
号配線２１１とソース電極２１２およびドレイン電極２
１３としてＴｉをスパッタリング法によって膜厚が１０
００〜５０００Åとなるよう堆積した後、フォトリソ工
程によってパターニングを行った。本実施形態では３０
００Åの膜厚として形成した。ここで図１に示すような
反射型液晶表示装置において、ソース信号配線２１１に
は常に信号が印加されているため、画素電極４２３の下
に絶縁層（図示せず：この場合は後に詳述するレジスト
凹凸層）を介してソース信号配線２１１を配置するとク
ロストーク発生の原因となる場合がある。そこで、画素
電極４２３とソース信号配線２１１とが重ならないよう
な構成とすることが望ましい。また、この構成とした場
合、ソース信号配線２１１の線幅は開口率に大きな影響
を与えるため細くしておく方が望ましいが、その反面、
細すぎるとフォトリソ工程の不良による断線や抵抗値の
上昇等の不具合を生じることがあるため、この線幅につ
いては適宜考慮する必要がある。例えば画素サイズを１
００×３００μｍ程度とした場合には、ソース信号配線
２１１の線幅を５〜３０μｍの範囲とすることが望まし
く、本実施形態では１０μｍとした。
【００３９】また、ドレイン電極２１３の形状について
は開口率とフォトリソグラフィの精度によって支配され
るが、Ｔｉで形成したため遮光性を有し、基板裏面から
の露光によるパターニングは不可能であるので、ドレイ
ン電極２１３上に凹凸部を形成することができない。つ
まりドレイン電極２１３上の画素電極４２３の領域は表
示に寄与しにくいため、高い開口率を得るためにはでき
るだけドレイン電極２１３は小さいことが望ましい。反
面、ドレイン電極２１３と上層の画素電極４２３の導電
性を確保するためには一定以上の面積が必要である。以
上の理由により、本実施形態ではドレイン電極の大きさ
を図７に示すような形状とし、その大きさを１０×１０
μｍ程度とした。
【００４０】続いて図３（ｈ）に示すように、補助容量
電極２１４として、スパッタリング法によりＩＴＯを膜
厚が２００〜１５００Åとなるよう成膜した後、フォト
リソ工程によりパターニングを行った。本実施形態では
膜厚を５００Åとして形成した。また、遮光膜（本実施
形態では共通電極配線２０５）の欠落部２０６の平面位
置と略同じ位置に欠落部２１５が設けられるように、所
々円形が設置されたフォトマスクを基板上面に設置して
パターニングを行った。補助容量電極２１４として不透
明な金属膜や半透明なシリコン膜などを使用した場合に
は特に、遮光膜の欠落部２０６と一致させた欠落部２１
５が設けられるよう、所々円形が設置されたフォトマス
クを前面に設置してパターニングを行うとよい。尚、補
助容量電極が透光性、遮光性、半透明にかかわらずその
面積が小さく、表示にあまり影響しない場合や補助容量
電極２１４がレジスト４２０の感光波長の光を透過する
材質である場合等には遮光膜の欠落部２０６と一致させ
た円形の欠落部を設けなくても良い。
【００４１】或いは、例えば反射電極表面の凹凸形状の
段差が激しいために液晶の配向乱れが生じる等によって
所望の反射特性が得られない場合には、補助容量電極２
１４に欠落部２１５を設けないか、または欠落部２１５
の大きさを変更する等して基板表面の凹凸形状を制御し
ても構わない。
【００４２】さらに、光を散乱させるための凹凸形状を
表面に備えた反射画素電極４２３の形成方法について図
４を用いて以下に説明する。まず、図４（ａ）に示すよ
うに、レジスト４２０として例えばＯＦＰＲ−８００
（商品名：東京応化社製）をスピンコート法により約
１．０μｍの膜厚で成膜した。次に、１００℃で３０秒
間プリベークした後、ゲート信号配線２０４や共通電極
配線２０５等の遮光領域をマスクとして基板の裏面から
露光する。ステッパを用いる必要がなく、裏面露光機を
用いて露光を行うため３２０ｍｍ×４００ｍｍの基板を
一度に露光することが可能となり、凹凸部に継ぎ目むら
が生じない。
【００４３】続いて、図４（ｂ）に示すようにステッパ
露光機を用いてドレイン電極２１３上にコンタクトホー
ルを形成すべく、フォトマスクを前面に設置して露光し
た後、図４（ｃ）に示すように現像液としてＮＭＤ−３
（商品名：東京応化社製）の２．３８％溶液を行いて現
像し、レジスト４２０を微細な凹凸として成形した。さ
らに、図４（ｄ）に示すように基板を１２０〜２５０℃
で熱処理し、レジスト４２０の残り部分の角がとれた
後、２００℃、３０分間の熱処理により硬化させると基
板表面にはなめらかな凹凸連続面が形成される。
【００４４】次に、さらに凹凸をなめらかにするため
に、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように２層目のレジ
スト４２２として、例えば上記レジスト４２０と同様の
ＯＦＰＲ−８００（商品名：東京応化社製）をスピンコ
ート法により約０．３μｍの膜厚となるよう塗布した。
次に、１００℃で３０秒間プリベークした後、ステッパ
露光機を用いてドレイン電極上の２層目のレジスト領域
にコンタクトホールを形成すべくフォトマスクを基板上
面に設置して露光する。次に、現像液としてＮＭＤ−３
（商品名：東京応化社製）の２．３８％溶液を用いて現
像を行い、続いて２００℃で３０分間加熱処理を行っ
た。
【００４５】続いて、図５（ｃ）に示すように、加熱処
理を行うことによって２層目のレジスト４２２が熱だれ
を起こし、更になめらかで平坦部分の少ない凹凸形状が
形成される。
【００４６】最後に図５（ｄ）に示すように、反射画素
電極４２３としてＡｌをスパッタリング法によって膜厚
が５００〜５０００Åとなるよう、本実施形態は２００
０Åで形成し、フォトリソ工程によりパターニングを行
った。さらに、画素電極４２３を形成した後、この上に
配向膜２１８を形成することにより反射電極側基板２０
０が完成する。
【００４７】この反射電極側基板２００とこれに対向す
る基板として、基板３０１上にカラーフィルタ３０２、
対向電極３０３、配向膜２１８が備えられたカラーフィ
ルタ側基板３００とを、スペーサーを介して貼り合わせ
た。さらに、二枚の基板の間に液晶層を封入した。本実
施形態では黒色色素を混入したゲストホスト液晶に光学
活性物質を少量混入したものを使用した。その他、反射
板や位相差板を設定させた複屈折モードを利用すること
もできる。
【００４８】以上の工程により本実施形態の反射型液晶
表示装置が完成する。この反射型液晶表示装置を点灯表
示させたところ、縦ぎ目や反射特性のむらは見られず、
全面にわたって均−な表示が得られた。
【００４９】特に、本実施形態によれば、図６に示すよ
うにゲート信号配線２０４と共通電極配線２０５との間
の間隙部分（以下、抜き部と称する）２２０には直線状
の溝が存在している。このため、周囲光が入射した場合
には溝に垂直な方向の反射が顕著となった。すなわち、
ゲート信号配線２０４と垂直な方向に対してより明るい
反射特性を有する反射型表示装置を提供することができ
た。
【００５０】尚、図６に示すように（ドレイン電極、コ
ンタクトホール、補助容量電極は省略してある）共通電
極配線２０５のソース信号配線２１１との交差部Ｗ1及
び、ゲート信号配線２０４のソース信号配線２１１との
交差部を他の部分に対してくびれた構造とし、重畳面積
を小さくすることによって図１の場合に比べてクロスト
ークの発生を抑制することができる。
【００５１】以上説明したように本発明の反射型液晶表
示装置によれば、欠落部を有する絶縁層をパターニング
する際、下部の遮光領域をマスクパターンとして基板裏
面からの露光を行うことによるセルフアライメントが可
能となる。これにより、フォトマスクが不要となると共
に、大型露光機による一括露光が可能となり、ステッパ
露光の場合に生じたつなぎ目や表示むらを解消すること
ができる。また、これと共に補助容量電極が設けられて
いるので、液晶駆動のための補助容量を形成することが
でき、良好な表示品位を有する反射型液晶表示装置を提
供することができる。
【００５２】（実施形態２）本実施形態では、欠落部を
有する遮光領域としてゲート信号配線および共通電極配
線の他、画素毎に独立した島状の遮光部を設けた点で上
記実施形態１と異なる。図８に本実施形態の反射型液晶
表示装置の部分上面図を示す。尚、図８では、ドレイン
電極、コンタクトホール、画素電極は省略しているが、
上記実施形態１と同様の構成である。
【００５３】図８において、各画素に対応して島状にパ
ターニングされた遮光部２３０と、共通電極配線２０５
と、ゲート信号配線２０４とに、欠落部２０６が設けら
れている。他の構成については上記実施形態１と同様で
ある。
【００５４】製造方法については、まず絶縁性透明基板
上にＴａ膜（膜厚：１０００Å〜５０００Å）をスパッ
タリング法によって形成した後、フォトリソ工程により
ゲート信号配線２０４やゲート電極２０３、および補助
容量形成のための共通電極配線２０５、島状の遮光部２
３０を形成するためのパターニングを行った。このと
き、上記実施形態１と同様の欠落部を同時にパターニン
グしておいた。
【００５５】以下の工程も上記実施形態１と同様の方法
を用いることにより反射型液晶表示装置を完成させた。
【００５６】この反射型液晶表示装置を点灯表示させた
ところ、継ぎ目や反射特性のむらは見られず、全面にわ
たって均一な表示が観察された。特に、本実施形態の場
合、抜き部２２０にゴミ（導電性の粒子など）が存在し
ていたとしても、遮光部２３０が画素毎に独立した島状
となっているので同じゲート信号配線２０４に沿った画
素全てにゲート信号が入力されて線欠陥となることはな
く、画素単位の点欠陥のみに抑えることができるので、
点灯表示時に欠陥が目立ちにくいという利点を有する。
【００５７】（実施形態３）本実施形態では、欠落部を
有する遮光領域がゲート信号配線と共通電極配線とから
構成されている点は実施形態１と同様であるが、抜き部
の形状をジグザグとした点が異なる。図９に本実施形態
の反射型液晶表示装置の部分上面図を示す。尚、図９で
はドレイン電極、コンタクトホール、補助容量電極は省
略しているが、上記実施形態と同様の形態である。
【００５８】図９において、抜き部２２０を構成するゲ
ート信号配線２０４の図面下側の一辺と共通電極配線の
図面上側の一辺の形状がそれぞれジグザグとなり、図面
上方向の頂点部分と図面下方向の頂点部分とが対向する
ように配置されている。ゲート信号配線２０４と共通電
極配線２０５の間の抜き部２２０に対応して、上部の反
射画素電極（図示せず）の表面には、ジグザグの溝状の
凹凸が形成されている。
【００５９】製造方法としてはまず、上記実施形態１と
同様、絶縁性透明基板２０１上にＴａ膜２０２（膜厚：
１０００Å〜５０００Å）をスパッタリング法によって
形成した後、ゲート信号配線２０４、ゲート電極２０
３、および補助容量形成のための共通電極配線２０５の
パターニングを行うためにフォトリソ工程を行う。この
ときのマスクパターンが上記実施形態１と異なる。この
後の工程は実施形態１と同様にして行い、反射型液晶表
示装置を完成させた。
【００６０】この反射型液晶表示装置を点灯表示させた
ところ、縦ぎ目や反射特性のむらは観察されず全面にわ
たって均−な表示が得られた。
【００６１】特に、抜き部２２０に対応する画素電極４
２３の表面にはジグザグの溝状の凹凸が形成されている
ため、全方位にわたって均−に明るい反射型表示素子が
得られた。
【００６２】尚、本実施形態では抜き部２２３の形状を
ジグザグとしたがこの形状に限定されるものではなく、
これ以外にも入射光が全方位にわたって散乱されるよう
な形状であればよい。
【００６３】（実施形態４）本実施形態では、補助容量
電極をゲート信号配線の上部に重畳させた場合について
説明する。図１０に本実施形態の反射型液晶表示装置の
上面図を示す。
【００６４】実施形態１と同様の方法で絶縁性透明基板
上にＴａ膜（膜厚：１０００Å〜５０００Å）をスパッ
タリング法によって形成した。
【００６５】次に、フォトリソ工程によりゲート信号配
線２０４やゲート電極２０３を形成するために上記Ｔａ
膜のパターニングを行う。本実施形態の場合、ゲート信
号配線２０４のー部が画素内部へ延在して補助容量電極
２１４と重なるような構成となっているため、上記実施
形態で形成した共通電極配線が不要となる。このように
して、スイッチング素子に信号を与える自段のゲート信
号配線ではなく、前段又は次段のゲート信号配線に補助
容量電極を重ねることにより、所謂「Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔ
ｅ型」の構成となる。
【００６６】以下の工程も上記実施形態１と同様にして
反射型液晶表示装置を完成させ、これを点灯表示させた
ところ、継ぎ目や反射特性のむらは観察されず全面にわ
たって均−な表示が得られた。
【００６７】本実施形態では、上記実施形態２および３
で形成した抜き部を設けない構成となっている。従っ
て、その分、画素電極表面に凹凸を多く形成することが
でき、散乱特性を向上できるという利点がある。
【００６８】尚、以上の実施形態１から４においてはボ
トムゲートタイプＴＦＴについて記載したがこれによっ
て制限されるものではなく、トップゲートタイプＴＦＴ
においても適応可能である。
【００６９】（実施形態５）本実施形態でも上記実施形
態４と同様、補助容量電極をゲート信号配線上にゲート
絶縁膜を介して重畳させた構成（Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔｅ
型）について説明を行なう。
【００７０】図１１は、本実施形態の反射型液晶表示装
置の上面図、図１２（ａ）〜（ｆ）は、図１１のＢ−Ｂ
断面図であり、反射型液晶表示装置の製造方法を示す図
である。尚、図１１に示す反射型液晶表示装置は、反射
電極側基板と上記実施形態１のカラーフィルタ側基板、
さらにこれら二枚の基板間に挟持された液晶層とからな
る。
【００７１】まず、本実施形態の構成について図１１を
用いて説明する。上記反射電極側基板は、基板２０１
と、基板２０１上に形成されたゲート信号配線２０４お
よびソース信号配線２１１、これらゲート信号配線２０
４とソース信号配線２１１の交差部に形成されたＴＦＴ
２３０、少なくともＴＦＴ２３０および信号配線の一部
を被覆する絶縁層（図示せず）、絶縁層に形成されたコ
ンタクトホールを介してＴＦＴ２３０のドレイン電極２
１３に接続された画素電極４２３、遮光層４３０、補助
容量電極２１４、および配向膜２１８からなるものであ
る。本実施形態では上記実施形態４同様、共通電極配線
を設けず、補助容量電極２１４がドレイン電極２１３に
接続されていると共に次段または前段のゲート信号配線
２０４に絶縁膜を介して重畳させることによって、液晶
駆動のための補助容量を形成する構成となっている。
【００７２】また、上記画素電極４２３、ＴＦＴ２３
０、さらに上記カラーフィルタ側基板３００は上記実施
形態と同様である。
【００７３】この反射型液晶表示装置において、ゲート
信号配線２０４及びソース信号配線２１１に囲まれた画
素内部には遮光層４３０がランダムに配置されており、
これよりも上方に形成され、ネガ型感光性樹脂からなる
レジスト４２０および画素電極４２３表面には上記遮光
層４３０の形状に対応した凹凸が存在している。このよ
うな、光反射性を有する画素電極４２３表面の凹凸に対
して液晶表示装置外部から入射した光が散乱されること
によってペーパーホワイトを呈することができる。
【００７４】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の
製造方法を図１２を用いて説明する。尚、以下に説明す
る製造方法では図１１に示す上面図も同時に参照する。
【００７５】まず、図１２（ａ）に示すように、上記実
施形態１と同様の方法にて絶縁性の透明な基板２０１上
に遮光性膜としてＴａ膜２０２を形成する。
【００７６】続いて、図１２（ｂ）に示すように上記Ｔ
ａ膜２０２をパターニングし、ゲート信号配線２０４、
ゲート電極２０３および遮光層４３０を形成し、さらに
ゲート絶縁膜２０７を表示部全面に塗布する。
【００７７】尚、ゲート信号配線２０４の線幅は任意に
選択できるが、その際にはフォトリソグラフィの精度と
配線抵抗によって支配される。本実施形態ではゲート信
号配線２０４の線幅をおよそ３０μｍとした。
【００７８】そして、遮光層４３０は各々分離された複
数の円柱状のＴａ膜がランダムに配置されたものであ
る。良好な反射特性を得るために、隣り合う円柱状のＴ
ａ膜同士の距離を３ミクロン以上５０ミクロン以下とす
ることが好ましく、本実施形態でもそのような値に設定
した。また、遮光層４３０としては直径３ミクロン以上
１０ミクロン以下の円柱がゲート信号配線２０４とソー
ス信号配線２１１とによって囲まれる画素内部領域の面
積の２〜８０％の割合でランダムに配置されるようパタ
ーニングを行うことが好ましい。本実施形態においては
この割合を３０％とした。
【００７９】次に、図１２（ｃ）に示すように上記実施
形態と同様の構成のＴＦＴ２３０を形成し、このＴＦＴ
２３０に接続する補助容量電極２１４をＩＴＯにて形成
し、さらにその上にはネガ型感光性樹脂からなる絶縁層
４２１をスピンコート法により塗布する。このとき、補
助容量電極２１４は次段または前段のゲート信号配線２
０４と上記ゲート絶縁膜２０７を介して重なり合う一方
で、ドレイン電極２１３と電気的に接続されるように形
成されている。尚、補助容量電極２１４はＩＴＯでなく
とも導電性金属膜であってもよいし、透明、不透明の何
れであってもよい。
【００８０】その後、基板裏面から一括露光してステッ
パ露光機によって露光しフォトリソ工程を経て熱処理を
行なうと、図１２（ｄ）に示すように基板表面になめら
かな凹凸連続面が形成される。尚、これらの工程は上記
実施形態１と同様の方法及び条件にて行なう。また、後
にドレイン電極２１３と画素電極４２３とを導通させる
ためのコンタクトホールの形成についても同様である。
【００８１】ここで、露光工程においてはゲート信号配
線２０４、遮光層４３０等の遮光領域をマスクとするこ
とによって基板の裏面から露光するので、マスクと基板
とのアライメント作業を必要とせず、さらにステッパを
用いなくとも裏面露光機を用いたセルフアライメントが
可能なため、例えば３２０ｍｍ×４００ｍｍ程度の比較
的大きな基板を一度に露光することが可能となり、表示
上、継ぎ目むらが生じない。
【００８２】次に、図１２（ｅ）に示すようにさらに凹
凸を滑らかにするために、実施形態１と同様、２層目の
レジストを塗布、プリベークした後、コンタクトホール
を形成し、続いて、２００℃で３０分間加熱処理を行
う。これにより更になめらかで平坦部分の少ない凹凸形
状が基板表面に形成される。
【００８３】最後に、図１２（ｆ）に示すように、実施
形態１と同様の方法にて反射画素電極４２３としてＡｌ
をスパッタリング法によって成膜し、パターニングを行
なう。画素電極４２３を形成した後、この上に図示しな
いが配向膜を形成することにより反射電極側基板が完成
する。
【００８４】この反射電極側基板とカラーフィルタ側基
板とをスペーサーを介して貼り合わせた。さらに、二枚
の基板の間に液晶層を封入する。本実施形態でも黒色色
素を混入したゲストホスト液晶に光学活性物質を少量混
入したものを使用する。
【００８５】以上の工程により本実施形態の反射型液晶
表示装置が完成する。尚、本実施形態の場合、ゲート信
号配線２０４と遮光層４３０とを同じ金属材料で形成し
ているため同一工程で形成されるがこの構成に限定され
る必要はなく、それぞれ別の材料を使用しても構わな
い。
【００８６】また、図１２に示すような反射型液晶表示
装置においても、上記実施形態にて説明した理由により
クロストークを抑制するため画素電極４２３とソース信
号配線２１１とが重ならないような構成としている。さ
らに、ドレイン電極２１３の形状についても上記実施形
態と同様の理由から１０×１０μｍ程度の大きさとして
いる。
【００８７】尚、本実施形態では補助容量電極２１４に
欠落部２１５を設ける構成としていない。所望の反射特
性に応じて補助容量電極２１４に欠落部２１５を設けな
くてもよい。
【００８８】本実施形態では、補助容量電極２１４をゲ
ート信号配線２０４上に重畳させると共に共通信号配線
を設けない構成とすることにより、画素内部でより多数
の凹凸を形成できるため、散乱特性を向上できるという
利点がある。特にソース信号配線２１１およびゲート信
号配線２０４とに囲まれた画素内部領域において、本実
施形態では上記実施形態と比較して、基板表面の円形
（レジストとしてポジ型を用いた場合には凸部、ネガ型
の場合には凹部）をゲート信号配線のより近傍に設ける
ことができるので、より広範囲に多数の凹凸を形成する
ことができる。
【００８９】ここで、本実施形態同様のＣｓ ｏｎ Ｇａ
ｔｅ型液晶表示装置の他の例を図１３及び１４に示す。
これらの図においては簡単化するため反射電極を省略し
ているが、上述のそれと同様、コンタクトホールを介し
てＴＦＴドレイン電極と接続される。また、図中の参照
符号は以上の実施形態で説明したものと同様のものとす
る。
【００９０】本実施形態とこれらの例との相違について
述べる。図１３は補助容量電極２１４の形状が異なり、
図１４は遮光層の形状が上記実施形態１と同様となって
いる。
【００９１】以上本発明の反射型液晶表示装置及びその
製造方法について実施形態１〜５に従い説明してきた
が、本発明は上記実施形態のみに限定されるものではな
い。
【００９２】例えば上記実施形態として、ボトムゲート
タイプＴＦＴについて記載したが本発明はトップゲート
タイプＴＦＴにおいても適応可能である。また、ゲート
信号配線２０４と後に形成する画素電極４２３との重な
りも表示部となるよう（凹凸形成可能）な構成としても
よい。さらには、凹凸形成のために遮光層に設けた円形
パターンは必ずしも円形である必要はなく、例えば多角
形、楕円形、帯状であってもよい。
【００９３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
射画素電極表面の凹凸パターンが、裏面露光によるセル
フアライメント（自己整合）により形成されるので、工
程が簡略化されると同時にステッパ露光機を使用した複
数回露光による継ぎ目が発生しなくなる。従って、継ぎ
目のない均一な表示を呈する反射型液晶表示装置が得ら
れる。さらに、補助容量電極が設けられているので、液
晶駆動のための補助容量を形成することができ、これに
より良好な表示品位を有する反射型液晶表示装置を提供
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の反射型液晶表示装置の反射電極側
基板の部分平面図である。
【図２】実施形態１の反射型液晶表示装置の一画素部分
の断面構造を示す図である。
【図３】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
【図４】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
【図５】実施形態１の反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
【図６】一実施形態の反射型液晶表示装置の部分平面図
である。
【図７】実施形態１におけるＴＦＴの部分拡大図であ
る。
【図８】実施形態２の反射型液晶表示装置の部分上面図
を示す。
【図９】実施形態３の反射型液晶表示装置の部分上面図
を示す。
【図１０】実施形態４の反射型液晶表示装置の上面図を
示す。
【図１１】実施形態５の反射型液晶表示装置の上面図を
示す。
【図１２】実施形態５の反射型液晶表示装置の製造方法
を説明するための断面図である。
【図１３】実施形態５における他の実施形態を示す図で
ある。
【図１４】実施形態５における他の実施形態を示す図で
ある。
【符号の説明】
２００ 反射電極側基板 ２０１、３０１ 基板 ２０２ Ｔａ膜 ２０３ ゲート電極 ２０４ ゲート信号配線 ２０５ 共通電極配線 ２０６、２１５ 欠落部 ２０７ ゲート絶縁膜 ２０８ 半導体層 ２０９ エッチングストッパ ２１０ ｎ型半導体層 ２１１ ソース信号配線 ２１２ ソース電極 ２１３ ドレイン電極 ２１４ 補助容量電極 ２１８ 配向膜 ２２０ 抜き部 ２３０ ＴＦＴ ２４０、４２１ 絶縁層 ２５０ 液晶層 ３００ カラーフィルタ側基板 ３０２ カラーフィルタ ３０３ 対向電極 ３０４ 配向膜 ４２０、４２２ レジスト ４２３ 画素電極 ４３０ 遮光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ (56)参考文献 特開 平６−273800（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−13196（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−159776（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02B 5/00 G02F 1/1333 500 G02F 1/1335 520 G02F 1/1368 G02F 9/30 338

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶層が存在し、一方の
    基板上に、スイッチング素子と、部分的に光透過部を有
    する遮光性膜と、該遮光性膜の上方に光透過部を有する
    補助容量電極と、該遮光性膜および補助容量電極を覆い
    凹凸形状を有した絶縁層と、前記スイッチング素子に導
    通した反射画素電極、が存在していることを特徴とする
    反射型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記部分的に光透過部を有する遮光性膜
    が共通信号配線であって、該共通信号配線と前記補助容
    量電極とが絶縁層を介して互いに重なり合うことによ
    り、補助容量を形成することを特徴とする請求項１記載
    の反射型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記補助容量電極と、次段または前段の
    スイッチング素子に電圧を供給するためのゲート信号配
    線とが、絶縁層を介して互いに重畳することにより補助
    容量を形成することを特徴とする請求項１記載の反射型
    液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記ゲート信号配線の一部が画素内部へ
    延在して、前記補助容量電極と重畳していることを特徴
    とする請求項３記載の反射型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記補助容量電極が部分的に欠落してお
    り、かつ、前記遮光性膜の光透過部と一致していること
    を特徴とする請求項１から４の何れか記載の反射型液晶
    表示装置。
  6. 【請求項６】 前記遮光性膜の光透過部の形状がほぼ円
    形であり、隣り合う光透過部の距離が３ミクロン以上５
    ０ミクロン以下であり、前記絶縁層がポジ型感光性樹脂
    で構成されていることを特徴とする請求項１から５の何
    れか記載の反射型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 二枚の基板間に液晶を挟持した反射型液
    晶表示装置の製造方法において、 一方の基板上に、部分的に欠落した遮光性膜を形成する
    工程と、 透明かつ導電性を有する材料からなる補助容量電極を形
    成する工程と、 前記遮光性膜と前記補助容量電極とを覆う絶縁層を形成
    する工程と、 前記一方の基板の、前記絶縁層が形成された側とは反対
    側から露光する工程と、を含むことを特徴とする反射型
    液晶表示装置の製造方法。
JP35648597A 1997-03-12 1997-12-25 反射型液晶表示装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3270821B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35648597A JP3270821B2 (ja) 1997-03-12 1997-12-25 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US09/038,987 US6262783B1 (en) 1997-03-12 1998-03-12 Liquid crystal display device with reflective electrodes and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5723697 1997-03-12
JP9-57236 1997-03-12
JP35648597A JP3270821B2 (ja) 1997-03-12 1997-12-25 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10311982A JPH10311982A (ja) 1998-11-24
JP3270821B2 true JP3270821B2 (ja) 2002-04-02

Family

ID=26398254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35648597A Expired - Fee Related JP3270821B2 (ja) 1997-03-12 1997-12-25 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6262783B1 (ja)
JP (1) JP3270821B2 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459463B2 (en) * 1997-06-14 2002-10-01 L.G. Philips Lcd Co., Ltd. Reflective liquid crystal display having a bent shape and method of manufacturing thereof
JP3321807B2 (ja) * 1998-09-10 2002-09-09 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル用基板，液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに液晶パネル用基板の製造方法
JP2000098393A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2000122095A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
KR20000031459A (ko) * 1998-11-06 2000-06-05 윤종용 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100474529B1 (ko) * 1998-11-27 2005-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치및그제조방법
KR100723599B1 (ko) * 1999-02-25 2007-06-04 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법과 반사형액정표시장치의 제조용 마스크
JP3471246B2 (ja) * 1999-03-29 2003-12-02 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3564358B2 (ja) * 1999-03-29 2004-09-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2001194662A (ja) 2000-01-14 2001-07-19 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3626652B2 (ja) 2000-01-21 2005-03-09 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US6563559B2 (en) 2000-02-02 2003-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel
KR100687490B1 (ko) * 2000-02-10 2007-02-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 제조방법
TWI300150B (en) * 2000-02-16 2008-08-21 Toshiba Matsushita Display Tec Reflective-type display element, reflector and method of producing the same
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP1296174B1 (en) * 2000-04-28 2016-03-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon
WO2002010806A1 (fr) * 2000-07-28 2002-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Feuille reflechissante, son procede de fabrication et unite d'affichage y faisant appel
US6734924B2 (en) * 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7480019B2 (en) * 2001-01-25 2009-01-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a substrate for an lcd device
TW548689B (en) * 2001-01-25 2003-08-21 Fujitsu Display Tech Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP3866522B2 (ja) * 2001-02-14 2007-01-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR100796936B1 (ko) * 2001-05-15 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2002323705A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP4790937B2 (ja) * 2001-07-09 2011-10-12 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
KR100433805B1 (ko) * 2001-10-11 2004-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3722116B2 (ja) * 2002-01-23 2005-11-30 セイコーエプソン株式会社 反射型電気光学装置、および電子機器
KR100840253B1 (ko) * 2002-04-08 2008-06-20 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
JP4110885B2 (ja) 2002-08-27 2008-07-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器
TWI250342B (en) * 2002-09-30 2006-03-01 Seiko Epson Corp Electro-optic device and electronic apparatus
KR100936905B1 (ko) * 2002-12-13 2010-01-15 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
WO2004061521A1 (ja) * 2002-12-27 2004-07-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. 電子装置製造方法及び電子装置
JP3575764B2 (ja) * 2003-03-18 2004-10-13 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4067097B2 (ja) * 2003-03-18 2008-03-26 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100692685B1 (ko) * 2003-12-29 2007-03-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
JP4744156B2 (ja) * 2005-01-19 2011-08-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4301227B2 (ja) * 2005-09-15 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器並びにコンデンサー
JP4919644B2 (ja) * 2005-10-04 2012-04-18 三菱電機株式会社 液晶表示装置
TWI315424B (en) * 2005-12-30 2009-10-01 Au Optronics Corp Display panel and pixel element thereof
JP2007079595A (ja) * 2006-10-30 2007-03-29 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP5283926B2 (ja) * 2008-02-25 2013-09-04 株式会社東芝 光透過型金属電極およびその製造方法
KR101056233B1 (ko) * 2010-03-16 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
JP6050728B2 (ja) * 2012-07-24 2016-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ付き液晶表示装置、及び電子機器
JP2014041372A (ja) * 2013-10-02 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN104217994B (zh) * 2014-08-29 2017-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113451279B (zh) 2020-03-26 2023-09-12 群创光电股份有限公司 电容器及电子装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456336A (en) * 1981-10-06 1984-06-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company High brightness internal reflector for liquid crystal displays and its method of fabrication
JPS58125084A (ja) * 1982-01-21 1983-07-25 株式会社東芝 液晶表示装置およびその製造方法
KR940005124B1 (ko) * 1989-10-04 1994-06-11 호시덴 가부시기가이샤 액정표시소자
JP2698218B2 (ja) * 1991-01-18 1998-01-19 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
DE69220643T2 (de) * 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
TW540747U (en) 1992-02-19 2003-07-01 Sharp Kk A reflective substrate and a liquid crystal display device using the same
JP3066192B2 (ja) 1992-07-10 2000-07-17 シャープ株式会社 反射型アクティブマトリクス基板の製造方法
EP0576303B1 (en) * 1992-06-26 1998-10-14 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type liquid crystal display device
JPH0675237A (ja) * 1992-08-28 1994-03-18 Sharp Corp 反射型液晶表示装置
US5691791A (en) * 1993-07-30 1997-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective liquid crystal display device and reflector
JP3093604B2 (ja) * 1994-06-20 2000-10-03 キヤノン株式会社 液晶表示装置
US5610741A (en) * 1994-06-24 1997-03-11 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector
JP3097945B2 (ja) * 1994-10-03 2000-10-10 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
JP2768313B2 (ja) * 1995-06-13 1998-06-25 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置
JP3229789B2 (ja) 1995-10-04 2001-11-19 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
KR100236612B1 (ko) * 1996-02-03 2000-01-15 구본준 액티브 매트릭스 액정표시 장치의 보조용량소자 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6262783B1 (en) 2001-07-17
JPH10311982A (ja) 1998-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3270821B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US8294855B2 (en) Method of fabricating a liquid crystal display device
US8072565B2 (en) Transflective liquid crystal display device
KR101288835B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
JPH10221704A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US8064024B2 (en) Transflective thin film transistor substrate of liquid crystal display device having a contact electrode connecting a data link to a data line
US8054420B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP3471246B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP2004093826A (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP4241265B2 (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4107047B2 (ja) 半透過型液晶表示装置
JPH09230379A (ja) 液晶表示装置とその製造方法
JP2000214475A (ja) 液晶表示装置
JP3603444B2 (ja) 対向基板、その製造方法、液晶表示素子及び投射型液晶表示装置
KR100957588B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2002031797A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2003315788A (ja) 半透過型液晶表示装置およびその製造方法
JP4375172B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
JP3575764B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR20110029921A (ko) 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100995581B1 (ko) 컬러필터기판, 이를 갖는 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP2004069827A (ja) 電気光学装置、その製造方法及び電子機器
JP2009192672A (ja) 液晶装置及び電子機器
JP4067097B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR101023975B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이를 형성하기 위한 박막 트랜지스터기판의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080118

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090118

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100118

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees