KR100692685B1 - 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents
반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
상기 하측기판 상에 증착되는 광 차단막, 상기 광 차단막의 상부에 형성되는 상기 소오스 및 드레인 금속층, 상기 소오스 및 드레인 금속층의 상부에 각각 증착되는 오믹 콘택층, 상기 오믹 콘택층 상에 형성된 비정질 실리콘층, 상기 비정질 실리콘층 전면에 형성된 절연막, 상기 절연막과 비정질 실리콘층 상부에 게이트 금속층을 갖는 박막 트랜지스터;
상기 하측기판 상에 증착되는 반사막 앰보싱 광 차단막, 상기 반사막 앰보싱 광 차단막의 상부에 형성되며 상기 드레인 금속층과 전기적으로 연결되도록 하고 반사전극이면서 동시에 화소전극으로 사용되도록 하며 올록 볼록하도록 형성된 한 쌍의 반사판, 상기 반사판 전면에 형성된 절연막을 갖는 화소영역;
상기 하측기판의 액티브 영역 외곽에 형성된 게이트 패드용 광 차단막, 상기 광 차단막 상에 형성되는 비정질 실리콘층, 상기 비정질 실리콘층 전면에 형성된 절연막, 상기 비정질 실리콘층과 절연막의 상부에 형성된 게이트 금속층을 갖는 게이트 패드;
상기 하측기판의 상기 액티브 영역 외곽에 형성된 데이터 패드용 소오스 금속층;
상기 박막 트랜지스터의 게이트 금속층 및 상기 게이트 패드의 게이트 금속층 상부를 포함하는 상기 하측기판 전면에 형성된 보호막;
상기 박막 트랜지스터의 광 차단막, 상기 반사판, 상기 데이터 패드용 소오스 금속층 및 상기 게이트 패드용 광 차단막이 형성되지 않은 상기 보호막 상에 코팅되는 공통 전극;
상측기판과, 상기 하측기판상의 반사판에 대응되는 상측기판상의 영역에 형성되며 상기 하측기판의 공통전극과 전기적으로 등전위이도록 된 상측기판 공통전극과, 상기 상측기판과 상기 상측기판 공통전극의 사이에 컬러필터로 구성되며,
상기 반사판과 상기 하측기판의 공통전극과의 전계에 의해 주로 액정을 구동하며, 상기 상측기판 공통전극에 의해 상기 상측기판 및 상기 하측기판 사이의 전위차를 제거하도록 하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
(b) 상기 하측기판 상에 광차단 물질을 증착하여 박막 트랜지스터가 형성될 영역에 형성되는 광 차단막, 반사판이 형성될 영역에 형성되는 반사막 엠보싱용 광 차단막 및 게이트 패드용 광 차단막을 동시에 형성하는 단계;
(c) 소오스 및 드레인전극으로 사용되는 금속층으로, 상기 박막 트랜지스터의 광 차단막의 상부에 형성하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하고, 동시에 상기 반사막 엠보싱용 광 차단막의 상부에 형성하여 그 형태가 올록볼록한 반사판을 형성하고, 데이터 패드용 소오스 금속층을 동시에 형성하는 단계;
(d) 상기 박막 트랜지스터의 소오스 및 드레인 금속층의 상부에 각각 비정질 실리콘을 증착하여 오믹 콘택층을 형성하는 단계;
(e) 상기 오믹 콘택층 및 상기 게이트 패드용 광차단막 상에 제1 및 제2 비정질 실리콘층을 각각 형성하는 단계;
(f) 상기 비정질 실리콘층, 상기 반사판 및 상기 소오스 금속층이 형성된 기판의 전면 상에 절연 물질을 도포하여 절연막을 형성하는 단계;
(g) 상기 절연막의 상부에 도전성 금속을 증착하여 상기 제1 및 제2 비정질 실리콘층 상부에 게이트 금속층을 형성하는 단계;
(h) 상기 박막 트랜지스터의 게이트 금속층 및 상기 게이트 패드부의 게이트 금속층이 형성된 상기 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계;
(i) 상기 박막 트랜지스터의 광 차단막, 상기 반사판, 상기 데이터 패드용 소오스 금속층 및 상기 게이트 패드용 광 차단막이 형성되지 않은 상기 보호막 상에 공통 전극을 형성하는 단계;
(j) 상측기판을 준비하는 단계;
(k) 상기 상측기판 상에 컬러필터 및 블랙매트릭스를 형성하는 단계;
(l) 상기 컬러필터 및 블랙매트릭스상의 면 중에서 상기 하측기판상에 형성된 상기 반사판에 대응되는 영역에 형성되며, 상기 하측기판의 상기 공통전극과 등전위를 가지도록 된 하측기판 공통전극을 형성하는 단계;
(m) 상기 반사판과 상기 하측기판의 공통전극과의 전계에 의해 주로 액정을 구동하며, 상기 상측기판 공통전극에 의해 상기 상측기판 및 상기 하측기판 사이의 전위차를 제거하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 투과형 액정표시장치용 어레이 기판 제조 방법을 제공한다.
도 10은 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판에서 유도 분극 발생을 설명하는 도면이다. (가)는 본 발명의 액정 표시 장치에서 음의 신호 전압이 인가될 시 배향막내에 발생하는 전기장 차폐를 나타내며, (나)는 양의 신호 전압이 인가될 시 배향막 내에 발생하는 전기장 차폐를 나타낸다. 상측기판 및 하측기판의 공통 전극에 따른 전위차가 없는 경우, 상측 배향막과 하측 배향막 사이에 전위차가 없어지며, 좌우로의 전하 적층도 상측과 하측의 배향막이 다르게 배열되어 액정이 약간 비틀려질 뿐 잔상을 발생시키는 좌우의 전하 편중 현상은 없다.
Claims (5)
- 하측기판;상기 하측기판 상에 증착되는 광 차단막, 상기 광 차단막의 상부에 형성되는 상기 소오스 및 드레인 금속층, 상기 소오스 및 드레인 금속층의 상부에 각각 증착되는 오믹 콘택층, 상기 오믹 콘택층 상에 형성된 비정질 실리콘층, 상기 비정질 실리콘층 전면에 형성된 절연막, 상기 절연막과 비정질 실리콘층 상부에 게이트 금속층을 갖는 박막 트랜지스터;상기 하측기판 상에 증착되는 반사막 앰보싱 광 차단막, 상기 반사막 앰보싱 광 차단막의 상부에 형성되며 상기 드레인 금속층과 전기적으로 연결되도록 하고 반사전극이면서 동시에 화소전극으로 사용되도록 하며 올록 볼록하도록 형성된 한 쌍의 반사판, 상기 반사판 전면에 형성된 절연막을 갖는 화소영역;상기 하측기판의 액티브 영역 외곽에 형성된 게이트 패드용 광 차단막, 상기 광 차단막 상에 형성되는 비정질 실리콘층, 상기 비정질 실리콘층 전면에 형성된 절연막, 상기 비정질 실리콘층과 절연막의 상부에 형성된 게이트 금속층을 갖는 게이트 패드;상기 하측기판의 상기 액티브 영역 외곽에 형성된 데이터 패드용 소오스 금속층;상기 박막 트랜지스터의 게이트 금속층 및 상기 게이트 패드의 게이트 금속층 상부를 포함하는 상기 하측기판 전면에 형성된 보호막;상기 박막 트랜지스터의 광 차단막, 상기 반사판, 상기 데이터 패드용 소오스 금속층 및 상기 게이트 패드용 광 차단막이 형성되지 않은 상기 보호막 상에 코팅되는 공통 전극;상측기판과, 상기 하측기판상의 반사판에 대응되는 상측기판상의 영역에 형성되며 상기 하측기판의 공통전극과 전기적으로 등전위이도록 된 상측기판 공통전극과, 상기 상측기판과 상기 상측기판 공통전극의 사이에 컬러필터로 구성되며,상기 반사판과 상기 하측기판의 공통전극과의 전계에 의해 주로 액정을 구동하며, 상기 상측기판 공통전극에 의해 상기 상측기판 및 상기 하측기판 사이의 전위차를 제거하도록 하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판.
- (a) 하측기판을 준비하는 단계;(b) 상기 하측기판 상에 광차단 물질을 증착하여 박막 트랜지스터가 형성될 영역에 형성되는 광 차단막, 반사판이 형성될 영역에 형성되는 반사막 엠보싱용 광 차단막 및 게이트 패드용 광 차단막을 동시에 형성하는 단계;(c) 소오스 및 드레인전극으로 사용되는 금속층으로, 상기 박막 트랜지스터의 광 차단막의 상부에 형성하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하고, 동시에 상기 반사막 엠보싱용 광 차단막의 상부에 형성하여 그 형태가 올록볼록한 반사판을 형성하고, 데이터 패드용 소오스 금속층을 동시에 형성하는 단계;(d) 상기 박막 트랜지스터의 소오스 및 드레인 금속층의 상부에 각각 비정질 실리콘을 증착하여 오믹 콘택층을 형성하는 단계;(e) 상기 오믹 콘택층 및 상기 게이트 패드용 광차단막 상에 제1 및 제2 비정질 실리콘층을 각각 형성하는 단계;(f) 상기 비정질 실리콘층, 상기 반사판 및 상기 소오스 금속층이 형성된 기판의 전면 상에 절연 물질을 도포하여 절연막을 형성하는 단계;(g) 상기 절연막의 상부에 도전성 금속을 증착하여 상기 제1 및 제2 비정질 실리콘층 상부에 게이트 금속층을 형성하는 단계;(h) 상기 박막 트랜지스터의 게이트 금속층 및 상기 게이트 패드부의 게이트 금속층이 형성된 상기 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계;(i) 상기 박막 트랜지스터의 광 차단막, 상기 반사판, 상기 데이터 패드용 소오스 금속층 및 상기 게이트 패드용 광 차단막이 형성되지 않은 상기 보호막 상에 공통 전극을 형성하는 단계;(j) 상측기판을 준비하는 단계;(k) 상기 상측기판 상에 컬러필터 및 블랙매트릭스를 형성하는 단계;(l) 상기 컬러필터 및 블랙매트릭스상의 면 중에서 상기 하측기판상에 형성된 상기 반사판에 대응되는 영역에 형성되며, 상기 하측기판의 상기 공통전극과 등전위를 가지도록 된 하측기판 공통전극을 형성하는 단계;(m) 상기 반사판과 상기 하측기판의 공통전극과의 전계에 의해 주로 액정을 구동하며, 상기 상측기판 공통전극에 의해 상기 상측기판 및 상기 하측기판 사이의 전위차를 제거하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 투과형 액정표시장치용 어레이 기판 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 (e) 단계는(e-1) 상기 제1 및 제2 오믹 콘택층, 상기 한쌍의 반사판, 및 상기 게이트 패드용 광차단막이 형성된 상기 기판 상에 비정질 실리콘을 증착하여 실리콘 층을 형성하는 단계; 및(e-2) 상기 실리콘 층을 식각하여 상기 오믹 콘택층 및 상기 게이트 패드용 광차단막에만 제1 및 제2 n+ 비정질 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 투과형 액정표시장치용 어레이 기판 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 (g) 단계는(g-1) 상기 절연막의 상부에 도전성 금속을 증착하여 도전성 금속층을 형성하는 단계;(g-2) 상기 도전성 금속층의 상부에 양성 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(530)을 형성하는 단계; 및(g-3) 상기 포토레지스트 층이 형성된 상기 도선성 금속층을 노광하고 현상함으로써 상기 현상되어져 제거된 포토레지스트층 사이로 노출된 상기 도전성 금속층을 제거하여 상기 제1 및 제2 소오스 금속층 사이에 상기 박막 트랜지스터의 게 이트 금속층 및 게이트 패드용 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 투과형 액정표시장치용 어레이 기판 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 반사판 및 상기 보호막을 동시에 패터닝하여 상기 데이터 패드용 소오스 금속층을 노출하는 소오스 콘택홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 투과형 액정표시장치용 어레이 기판 제조 방법.
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