JP3856889B2 - 反射型表示装置および電子デバイス - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、薄膜半導体を用いた半導体装置で構成される反射型表示装置に関する。特に、反射型の液晶表示装置の構成に関する。また、それら反射型表示装置を利用した電子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、モバイルコンピュータや携帯電話（ＰＨＳを含む）等の携帯情報端末機器（携帯機器）が急速に普及してきたため、反射型液晶表示装置が注目されている。反射型液晶表示装置は光源となるバックライトを必要としないため、携帯機器の小型化、軽量化、低消費電力化を実現できる。
【０００３】
ここで従来の反射型液晶表示装置を構成する画素マトリクス回路を作製する工程について簡単に説明する。なお、画素マトリクス回路とは液晶に印加される電界を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をマトリクス状に配置した回路であり、液晶表示装置の画像表示領域を構成する。
【０００４】
まず、図２において２０１は絶縁表面を有する基板、２０２は第１の画素ＴＦＴの活性層、２０３は第２の画素ＴＦＴの活性層である。第１の画素ＴＦＴと第２の画素ＴＦＴとの間の距離は画素ピッチに相当し、高精細な表示になるほど短くなる傾向にある。
【０００５】
また、２０４はゲイト絶縁膜である。そして、その上にはゲイト電極２０５、２０６が形成される。このゲイト電極２０５、２０６は図示しないゲイト線と接続している。こうして図２（Ａ）の状態が得られる。
【０００６】
次に、一導電性を付与する不純物イオン（Ｎ型ならばリン（Ｐ）、Ｐ型ならばボロン（Ｂ））を活性層２０２、２０３に添加する。その結果、ソース領域２０７、２０８、ドレイン領域２０９、２１０、チャネル形成領域２１１、２１２が形成される。（図２（Ｂ））
【０００７】
次に、第１の層間絶縁膜２１３を形成し、コンタクトホールを開けてソース電極２１４、２１５およびドレイン電極２１６、２１７を形成する。こうして図２（Ｃ）に示す状態が得られる。
【０００８】
さらに、第２の層間絶縁膜２１８を形成し、その上にブラックマスク２１９を形成する。その上には第３の層間絶縁膜２２０を形成し、最後に画素電極２２１を形成する。画素電極２２１は入射光を反射する金属薄膜で形成し、反射電極としての機能を持たせる。（図２（Ｄ））
【０００９】
この時、ブラックマスク２１９は画素電極（反射電極）２２１の隙間となる領域の下方に配置される。なお、図２（Ｄ）では個別のパターンに見えるが実際にはマトリクス状に全て繋がっている。この様に配置されたブラックマスク２１９は画素電極２２１の隙間から漏れた光をカットする役割を果たす。
【００１０】
以上の工程によって図２（Ｄ）に示す様な画素マトリクス回路が完成する。そして、この後、公知のセル組み工程によって画素マトリクス回路を形成した基板と対向基板との間に液晶を挟持することで反射型液晶表示装置が完成する。
【００１１】
なお、図２（Ｄ）に示す構造とは異なる例としてソース電極２１４、２１５と画素電極２２１の隙間とを合わせることでソース電極２１４、２１５をブラックマスクとして活用することもある。しかしながら、ソース／ドレイン電極の線幅は微細化される傾向にあり、さらに画素電極のパターニング精度（隙間の間隔に影響する）を考慮すると、この提案にも限界があると言える。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記反射型液晶表示装置の作製工程を大幅に簡略化するための技術を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
少なくとも対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、
を少なくとも有する反射型表示装置において、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた絶縁膜からなることを特徴とする。
【００１４】
また、他の発明の構成は、
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
少なくとも対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、
を少なくとも有する反射型表示装置において、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた有機性樹脂膜からなることを特徴とする。
【００１５】
上述の構成において、前記有機性樹脂膜としてはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料を用いることが可能である。
【００１６】
また、他の発明の構成は、
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
少なくとも対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、
を少なくとも有する反射型表示装置を具備する電子デバイスにおいて、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた絶縁膜からなることを特徴とする。
【００１７】
また、他の発明の構成は、
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
少なくとも対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、
を少なくとも有する反射型表示装置を具備する電子デバイスにおいて、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた有機性樹脂膜からなることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明では反射型表示装置のスイッチング素子である複数のＴＦＴを形成するにあたって、層間絶縁膜（絶縁層）としてカーボン系材料又は顔料を分散させた絶縁膜（特に有機性樹脂膜）を用いるものである。
【００１９】
例えば、図１（Ｅ）に示す様に、ソース／ドレイン配線１２０〜１２３と画素電極１２５、１２６とを絶縁分離するための絶縁層として本発明を用いることで遮光性を有する絶縁層１２４が形成できる。
【００２０】
本発明を用いるとブラックマスクを別途設ける必要がないので、製造工程を大幅に簡略化し、製造コストの低減、製造歩留りの向上、製造スループットの向上を実現することが可能である。
【００２１】
【実施例】
〔実施例１〕
本実施例では、反射型液晶表示装置の画素マトリクス回路（第１の画素ＴＦＴと第２の画素ＴＦＴのみ記載）を形成する場合の例について説明する。説明には図１を用いる。
【００２２】
まず、絶縁表面を有する基板として、表面に下地膜（図示せず）を形成したガラス基板１０１を用いる。ガラス基板以外にも石英基板、セラミック基板、シリコン基板等を用いることもできる。
【００２３】
次に、結晶性珪素膜でなる活性層１０２、１０３を形成する。なお、活性層１０２は後に第１の画素ＴＦＴを構成し、活性層１０３は後に第２の画素ＴＦＴを構成することになる。
【００２４】
結晶性珪素膜は減圧熱ＣＶＤ法によって直接的に形成しても良いし、非晶質珪素膜を結晶化させても良い。本実施例では10〜75nm（代表的には15〜45nm）の非晶質珪素膜を特開平7-130652号公報記載の技術を用いて結晶化させる。活性層１０２、１０３は上記公報記載の技術により得られた結晶性珪素膜を島状にパターニングして形成したものである。
【００２５】
活性層１０２、１０３を形成したら、ゲイト絶縁膜１０４として酸化珪素膜を120 nmの厚さに成膜する。ゲイト絶縁膜１０４としては、他にもＳｉＯx Ｎy で示される酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜およびそれらの積層膜を用いても良い。
【００２６】
次に、ゲイト絶縁膜１０４上にアルミニウムを主成分とする材料でなる電極パターン（図示せず）を形成する。なお、この電極パターンは後にゲイト電極およびゲイト配線となる（これらの配線を第１の配線と呼ぶ）。
【００２７】
そして、２回の陽極酸化工程により多孔質状の陽極酸化膜１０５、１０６および緻密な陽極酸化膜１０７、１０８を形成する。この陽極酸化工程の条件は特開平7-135318号公報を参照すれば良い。また、前述の電極パターンの陽極酸化されなかった領域がゲイト電極１０９、１１０として画定する。（図１（Ａ））
【００２８】
なお、アルミニウムを主成分とする材料以外にもタンタル、モリブデン、タングステン等の陽極酸化可能な材料を用いても良い。また、一導電性を付与した結晶性珪素膜を用いても良い。
【００２９】
図１（Ａ）に示す状態が得られたら、一導電性を付与する不純物イオンを添加する。なお、本実施例では画素ＴＦＴをＮチャネル型とするためにＰイオン（またはＡｓイオン）を添加する。加速電圧は８０ｋｅＶとし、ドーズ量は１×１０15atoms/cm2 とする。
【００３０】
この不純物イオンの添加工程の際、ゲイト電極１０９、１１０および多孔質状の陽極酸化膜１０５、１０６がマスクとなって自己整合的にソース領域１１１、１１２およびドレイン領域１１３、１１４が形成される。（図１（Ｂ））
【００３１】
次に、多孔質状の陽極酸化膜１０５、１０６を除去した後、再びＰイオン（またはＡｓイオン）の添加工程を行う。今回のイオン添加工程は、加速電圧は８０ｋｅＶとし、ドーズ量は１×１０14atoms/cm2 と前回の添加工程よりも少なくする。
【００３２】
その結果、ソース領域１１１、１１２およびドレイン領域１１３、１１４はさらに導電性が高まり、前回多孔質状の陽極酸化膜１０５、１０６で遮蔽されていた領域１１５、１１６にはソース／ドレイン領域よりも低い濃度でＰイオンが添加される。この領域１１５、１１６は低濃度不純物領域と呼ばれ、特にドレイン領域側に位置するものはＬＤＤ領域とも呼ばれる。また、同時に不純物の添加されないチャネル形成領域１１７、１１８が画定する。（図１（Ｃ））
【００３３】
図１（Ｃ）に示す状態が得られたら、ファーネスアニール、レーザーアニール、ランプアニール等による加熱処理を施して活性層に添加された不純物イオンの活性化を行う。また、この時、不純物イオンを添加することによって活性層が受けたダメージを修復させることができる。
【００３４】
以上の様にしてＴＦＴの基本的な部分が完成したら、第１の絶縁層１１９を形成し、コンタクトホールを介してソース配線１２０、１２１およびドレイン配線１２２、１２３を形成する（これらの配線を第２の配線と呼ぶ）。
【００３５】
こうして図１（Ｄ）に示す状態が得られる。図１（Ｄ）に示す状態が得られたら、第１の画素ＴＦＴおよび第２の画素ＴＦＴを覆う様に第２の絶縁層１２４を形成する。ここで本発明では第２の絶縁層１２４としてカーボン系材料（グラファイトを含む）又は顔料を分散させた絶縁膜を用いる。これらカーボン系材料又は顔料は、絶縁膜に遮光性を持たせるものであれば良い。従って、顔料としては黒色顔料が好ましいと言える。
【００３６】
また、絶縁膜としては酸化珪素膜や有機性樹脂膜を用いることができるが、本実施例では有機性樹脂膜を用いる。有機性樹脂膜としてはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル等を用いることができる。
【００３７】
これらの有機性樹脂膜の利点は、▲１▼スピンコート法により容易に成膜できる点、▲２▼高いスループットで厚い絶縁膜を形成できる点、▲３▼優れた平坦面を得られる点が挙げられる。特に、アクリルは最も安価で平坦性に優れるだけでなく、感光性なので直接露光してパターニングが可能であるという特徴を有している。
【００３８】
また、第２の絶縁層１２４は酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素または有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造としても良い。本発明はこの様な積層構造でなる絶縁層とした場合にも、少なくとも一層がカーボン系材料又は顔料を分散させた遮光膜であれば効果を得ることが可能である。
【００３９】
こうして第２の絶縁層１２４を形成したら、コンタクトホールを形成して画素電極１２５、１２６を形成する。画素電極１２５、１２６はそれぞれドレイン電極１２２、１２３と接続し、それぞれ第１の画素ＴＦＴおよび第２の画素ＴＦＴと電気的に接続される。（図１（Ｅ））
【００４０】
なお、画素電極１２５、１２６は反射率の高い材料を用いる。本実施例ではアルミニウムを主成分とする材料を用いている。画素電極１２５、１２６の表面状態は直視型表示装置ならば凹凸を設けた状態とし、投影型表示装置ならば鏡面状態とするなどの工夫が有効である。
【００４１】
最後に、水素を含む雰囲気中において加熱処理を施し、活性層の不対結合手を水素で終端する。この水素化処理によってＴＦＴの特性が大幅に改善される。以上の様にして、反射型液晶表示装置の画素マトリクス回路が完成する。
【００４２】
図１（Ｅ）に示される様に、本発明の構成では画素電極１２５、１２６の下の絶縁層１２４が全てブラックマスク（遮光膜）として機能するので、画素電極間の隙間から侵入した光が活性層に到達することはない。即ち、ＴＦＴ構造やＴＦＴサイズに影響されることなく、完全に活性層を入射光から保護することが可能である。
【００４３】
以上の様に、本発明によれば従来のブラックマスクの成膜工程、ブラックマスクのパターニング工程およびブラックマスクと画素電極とを絶縁分離する絶縁層の形成工程を省略した上で、完全な遮光性を確保することができる。
【００４４】
従って、反射型表示装置の製造工程を簡略化し、スループットおよび歩留りを大幅に向上させることが可能である。また、製造コストを大幅に低減することが可能である。
【００４５】
〔実施例２〕
本実施例では同一基板上に画素マトリクス回路とドライバー回路とを集積化したアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置を作製する工程例を図３に示す。なお、本発明は本実施例に限定されるべきものではない。
【００４６】
まず、図３（Ａ）において３０１はガラス基板、３０２は下地膜（酸化珪素膜）、３０３〜３０５は活性層、３０６はＣＶＤ法により形成したゲイト絶縁膜である。なお、活性層３０３〜３０５は実施例１に示した工程に従って形成すれば良い。また、３０３はＣＭＯＳ回路を構成するＮチャネル型ＴＦＴの活性層、３０４はＣＭＯＳ回路を構成するＰチャネル型ＴＦＴの活性層、３０５は画素ＴＦＴの活性層である。
【００４７】
次に、図示しないアルミニウムを主成分とする金属膜を成膜し、パターニングによって後のゲイト電極の原型を形成する。ここで本発明者らによる特開平7-135318号公報記載の技術を利用する。同公報記載の技術を利用することで多孔質状の陽極酸化膜３０７〜３０９、緻密な陽極酸化膜３１０〜３１２、ゲイト電極３１３〜３１５が形成される。
【００４８】
次に、ゲイト電極３１３〜３１５、多孔質状の陽極酸化膜３０７〜３０９をマスクとしてゲイト絶縁膜３０６をドライエッチング法によりエッチングし、ゲイト絶縁膜３１６〜３１８を形成する。そしてその後、多孔質状の陽極酸化膜３０７〜３０９を除去する。こうしてゲイト絶縁膜３１６〜３１８の端部が露出した状態となる。（図３（Ｂ））
【００４９】
次に、Ｎ型を付与する不純物イオンを２回に分けて添加する。本実施例では、まず１回目の不純物添加を高加速電圧で行い、ｎ- 領域を形成する。この時、加速電圧が高いので不純物イオンは露出した活性層表面だけでなく露出したゲイト絶縁膜の端部の下にも添加される。さらに、２回目の不純物添加を低加速電圧で行い、ｎ+ 領域を形成する。この時は加速電圧が低いのでゲイト絶縁膜がマスクとして機能する。
【００５０】
以上の工程を経て、ＣＭＯＳ回路を構成するＮチャネル型ＴＦＴのソース領域３１９、ドレイン領域３２０、低濃度不純物領域３２１、チャネル形成領域３２２が形成される。また、画素ＴＦＴを構成するＮチャネル型ＴＦＴのソース領域３２３、ドレイン領域３２４、低濃度不純物領域３２５、チャネル形成領域３２６が画定する。（図３（Ｃ））
【００５１】
なお、図３（Ｃ）に示す状態ではＣＭＯＳ回路を構成するＰチャネル型ＴＦＴもＮチャネル型ＴＦＴと同じ構成となっている。
【００５２】
次に、Ｎチャネル型ＴＦＴを覆ってレジストマスク３２７を設け、Ｐ型を付与する不純物イオンの添加を行う。この工程も前述の不純物添加工程と同様に２回に分けて行い、ＣＭＯＳ回路を構成するＰチャネル型ＴＦＴのソース領域３２８、ドレイン領域３２９、低濃度不純物領域３３０、チャネル形成領域３３１を形成する。（図３（Ｄ））
【００５３】
以上の様にして活性層が完成したら、実施例１と同様に不純物イオンの活性化およびイオン添加時の損傷の回復を図る。そして、後は実施例１と同様に第１の絶縁層３３２、ソース配線３３３〜３３５、ドレイン配線３３６、３３７を形成して図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００５４】
次に、酸化珪素膜３３８と黒色顔料を分散させたポリイミド膜３３９との積層構造でなる第２の絶縁層３４０を形成する。本実施例においても第２の絶縁層３４０はブラックマスクとしての機能を兼ねている。
【００５５】
そして、第２の絶縁層３４０を形成したら、コンタクトホールを形成してアルミニウムを主成分とする材料でなる画素電極３４１を形成する。さらに全体を水素化して図４（Ｂ）に示すアクティブマトリクス基板が完成する。
【００５６】
次に、アクティブマトリクス基板の最上層（画素電極３４１の上）に配向膜３４２を形成する。また、対向電極３４３、配向膜３４４を形成した対向基板３４５を準備する。なお、対向基板３４５には必要に応じてカラーフィルターを設けても構わない。
【００５７】
そして、対向基板側にはシール材を印刷し、アクティブマトリクス基板側にはスペーサを散布して両基板の貼り合わせを行う。さらに、両基板間に液晶材料を注入してシール材で封止する。この様にして、対向基板とアクティブマトリクス基板との間に液晶層３４６が挟持される。
【００５８】
以上の様にして、図４（Ｃ）に示す様なアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置が完成する。なお、動作時には図４（Ｃ）に示す様に入射光が画素電極３４１に反射されて画像が表示される。
【００５９】
また、本実施例の様にドライバー回路と画素マトリクス回路とを同一基板上に形成した場合、ドライバー回路の上方には画素電極３４１の様に光路を塞ぐ物質が存在しない。この様な場合においても、第２の絶縁層３４０がブラックマスクとして機能するので活性層を光から保護することができる。
【００６０】
従って、例えばドライバー回路以外にメモリ、ＣＰＵ、クロック制御回路等のロジック回路を搭載したシステム・オン・パネル構造に対しても本発明は容易に適用することが可能である。
【００６１】
〔実施例３〕
実施例１および実施例２ではプレーナ型ＴＦＴを例にとって説明してきたが、本発明は当然の如くＴＦＴ構造には何ら影響されない。従って、回路を構成する個々のＴＦＴが逆スタガ型ＴＦＴであってもマルチゲイト型ＴＦＴであっても何ら問題はない。
【００６２】
〔実施例４〕
実施例２では第２の絶縁層のベース材料としてポリイミドを用い、分散質として黒色顔料を用いる例を示したが、本発明はベース材料として溶液塗布系絶縁膜（例えばＰＳＧ、ＢＳＧなど）を用いることも可能である。
【００６３】
その場合、ベース材料として有機性樹脂膜を用いる場合よりも耐熱性の高い絶縁層を形成できるという利点が得られる。
【００６４】
〔実施例５〕
実施例１および実施例２では絶縁表面を有する基板として、表面に下地膜（図示せず）を形成したガラス基板を用いた。この下地膜として実施例４に示した溶液塗布系絶縁膜を用いることで、下地膜そのものをブラックマスクとして機能させることができる。
【００６５】
図５に示すのは本実施例を用いた反射型液晶表示装置の断面図である。５０１はＰＳＧ等の溶液塗布系絶縁膜にグラファイトを分散させた下地膜であり、５０２は有機性樹脂膜にグラファイトを分散させた絶縁層である。勿論、グラファイトの代わりにカーボンや黒色顔料を用いても良い。
【００６６】
図５に示す様な構成とすることで、アクティブマトリクス基板の裏面側から入射する光を全て遮断することができるため、本発明の効果をさらに高めることが可能となる。
【００６７】
〔実施例６〕本実施例では、本発明による反射型表示装置を適用しうる電子デバイスについて図６を用いて説明する。本発明を利用した電子デバイスとしては（デジタル）ビデオカメラ、（デジタル）スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが挙げられる。
【００６８】
図６（Ａ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２００１、カメラ部２００２、受像部２００３、操作スイッチ２００４、表示装置２００５で構成される。本発明は表示装置２００５に適用することができる。なお、モバイルコンピュータにはＰＨＳ（Personal Handyphone System）回路を内蔵したタイプもある。
【００６９】
図６（Ｂ）はヘッドマウントディスプレイであり、本体２１０１、表示装置２１０２、バンド部２１０３で構成される。本発明を表示装置２１０２に適用することで大幅に装置の低価格化が図れる。
【００７０】
図６（Ｃ）はフロント型プロジェクターであり、本体２２０１、光源２２０２、表示装置２２０３、光学系２２０４、スクリーン２２０５で構成される。本発明は表示装置２２０３に適用できる。なお、図面は画像をスクリーンに投影するタイプであるが、ＴＶスクリーンに裏から投影するリア型プロジェクターとすることもできる。
【００７１】
図６（Ｄ）は携帯電話であり、本体２３０１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、アンテナ２３０６で構成される。本発明を表示装置２３０４に適用することで視認性に優れたモニタを搭載することができる。
【００７２】
図６（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２４０１、表示装置２４０２、音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、バッテリー２４０５、受像部２４０６で構成される。本発明は表示装置２４０２に適用することができる。
【００７３】
以上の様に、本発明の応用範囲は極めて広く、あらゆる分野の表示媒体に適用することが可能である。特に、モバイルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラ等の携帯情報端末機器には、バックライトの不要な反射型表示装置が最も適している。勿論、プロジェクターの様にバックライトを用いる場合においても問題なく適用することができる。
【００７４】
【発明の効果】
本発明を利用することで各種配線または電極間を絶縁分離する絶縁層そのものをブラックマスクとして活用することができる。そのため、別途ブラックマスクを設ける必要がなくなり、製造工程を大幅に簡略化することができる。
【００７５】
従って、反射型表示装置を作製する際にスループットの向上、歩留りの向上および製造コストの低減を実現することが可能である。また、その様な反射型表示装置を具備した電子デバイスの低価格化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 画素マトリクス回路の作製工程を示す図。
【図２】 画素マトリクス回路の作製工程を示す図。
【図３】 反射型液晶表示装置の作製工程を示す図。
【図４】 反射型液晶表示装置の作製工程を示す図。
【図５】 反射型液晶表示装置の断面を示す図。
【図６】 応用製品の一例を説明するための図。
【符号の説明】
１０１ 下地膜を有するガラス基板
１０２、１０３ 活性層
１０４ ゲイト絶縁膜
１０５、１０６ 多孔質状の陽極酸化膜
１０７、１０８ 緻密な陽極酸化膜
１０９、１１０ ゲイト電極
１１１、１１２ ソース領域
１１３、１１４ ドレイン領域
１１５、１１６ 低濃度不純物領域
１１７、１１８ チャネル形成領域
１１９ 第１の絶縁層
１２０、１２１ ソース配線
１２２、１２３ ドレイン配線
１２４ 第２の絶縁層
１２５、１２６ 画素電極

Claims (7)

  1. 基板表面に形成された下地膜と、
    前記下地膜上に形成されたＴＦＴと、
    前記ＴＦＴに電気的に接続された画素電極とを有し、
    前記ＴＦＴは第１の配線と第２の配線に電気的に接続され、
    前記第１の配線と、前記第２の配線および前記画素電極は、互いに第１の絶縁層及び第２の絶縁層で絶縁分離されており、
    前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層上に設けられ、
    前記下地膜及び前記第２の絶縁層は、カーボン系材料又は顔料を分散させた遮光性を有する絶縁膜からなることを特徴とする反射型表示装置。
  2. 基板表面に形成された下地膜と、
    前記下地膜上に形成されたＴＦＴと、
    前記ＴＦＴに電気的に接続された画素電極とを有し、
    前記ＴＦＴは第１の配線と第２の配線に電気的に接続され、
    前記第１の配線と、前記第２の配線および前記画素電極は、互いに第１の絶縁層及び第２の絶縁層で絶縁分離されており、
    前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層上に設けられ、
    前記下地膜及び前記第２の絶縁層は、カーボン系材料又は顔料を分散させた遮光性を有する有機性樹脂膜からなることを特徴とする反射型表示装置。
  3. 請求項２において、
    前記有機性樹脂膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料であることを特徴とする反射型表示装置。
  4. 基板表面に形成された下地膜と、
    前記下地膜上に形成されたＴＦＴと、
    前記ＴＦＴに電気的に接続された画素電極とを有し、
    前記ＴＦＴは第１の配線と第２の配線に電気的に接続され、
    前記第１の配線と、前記第２の配線および前記画素電極は、互いに第１の絶縁層及び第２の絶縁層で絶縁分離されており、
    前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層上に設けられ、
    前記下地膜及び前記第２の絶縁層は、カーボン系材料又は顔料を分散させた遮光性を有する絶縁膜からなることを特徴とする電子デバイス。
  5. 基板表面に形成された下地膜と、
    前記下地膜上に形成されたＴＦＴと、
    前記ＴＦＴに電気的に接続された画素電極とを有し、
    前記ＴＦＴは第１の配線と第２の配線に電気的に接続され、
    前記第１の配線と、前記第２の配線および前記画素電極は、互いに第１の絶縁層及び第２の絶縁層で絶縁分離されており、
    前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層上に設けられ、
    前記下地膜及び前記第２の絶縁層は、カーボン系材料又は顔料を分散させた遮光性を有する有機性樹脂膜からなることを特徴とする電子デバイス。
  6. 請求項５において、
    前記有機性樹脂膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料であることを特徴とする電子デバイス。
  7. 請求項４乃至６のいずれか一において、
    前記電気デバイスは、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、又は携帯情報端末であることを特徴とする電子デバイス。
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