JP3268723B2 - アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置Info
- Publication number
- JP3268723B2 JP3268723B2 JP06880596A JP6880596A JP3268723B2 JP 3268723 B2 JP3268723 B2 JP 3268723B2 JP 06880596 A JP06880596 A JP 06880596A JP 6880596 A JP6880596 A JP 6880596A JP 3268723 B2 JP3268723 B2 JP 3268723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- color
- active matrix
- liquid crystal
- matrix substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
- C09K2323/06—Substrate layer characterised by chemical composition
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板および液晶表示装置ならびにそれらの製造方法
に関する。より詳細には、本発明は、表示品質に優れ
（すなわち、色滲みおよび混色がなく、かつ、高開口率
で表示画像が明るく）、厚みが小さく、かつ、安価なア
クティブマトリクス基板および液晶表示装置、ならびに
それらの簡便な製造方法に関する。
クス基板および液晶表示装置ならびにそれらの製造方法
に関する。より詳細には、本発明は、表示品質に優れ
（すなわち、色滲みおよび混色がなく、かつ、高開口率
で表示画像が明るく）、厚みが小さく、かつ、安価なア
クティブマトリクス基板および液晶表示装置、ならびに
それらの簡便な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶テレビおよび各種情報機器の表示装
置として用いられる液晶表示装置のカラー化が、近年盛
んに行われている。このような液晶表示装置のカラー化
には、通常、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の
カラーインクからなる着色画素を透明基板上に配置して
構成されるカラーフィルターが用いられる。
置として用いられる液晶表示装置のカラー化が、近年盛
んに行われている。このような液晶表示装置のカラー化
には、通常、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の
カラーインクからなる着色画素を透明基板上に配置して
構成されるカラーフィルターが用いられる。
【０００３】従来より、カラーフィルターは、代表的に
はフォトリソグラフィー法を用いて製造されている。こ
の方法によれば、顔料を分散させた感光性レジストをフ
ォトリソグラフィープロセスによりパターン化すること
によって、カラーフィルターが製造される。この方法で
は、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの画素に対応して、フォトリソ
グラフィープロセスが３回必要になる。そのため、フォ
トリソグラフィー法は製造プロセスが非常に複雑であ
り、その結果、フォトリソグラフィー法を用いて製造さ
れるカラーフィルターは、コスト高であるといった問題
点を有している。
はフォトリソグラフィー法を用いて製造されている。こ
の方法によれば、顔料を分散させた感光性レジストをフ
ォトリソグラフィープロセスによりパターン化すること
によって、カラーフィルターが製造される。この方法で
は、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの画素に対応して、フォトリソ
グラフィープロセスが３回必要になる。そのため、フォ
トリソグラフィー法は製造プロセスが非常に複雑であ
り、その結果、フォトリソグラフィー法を用いて製造さ
れるカラーフィルターは、コスト高であるといった問題
点を有している。
【０００４】一方、このようなカラーフィルターを液晶
表示装置のカラー化に利用する場合には、カラーフィル
ターは、通常、液晶表示装置の対向基板側に配置され
る。これは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されて
いるアクティブマトリクス基板にカラーフィルターを直
接形成すると、次のような問題が生じるからである：
(i)カラーフィルター配置によりＴＦＴの信頼性が損な
われる場合がある；(ii)ＴＦＴ形成の歩留まりが低いの
で、カラーフィルターを連続して配置することにより、
さらに歩留まりが低くなる；および(iii)表面形状が複
雑なアクティブマトリクス基板側にカラーフィルターを
配置するのは困難である。カラーフィルターを液晶表示
装置の対向基板側に配置する場合には、液晶表示装置の
製造において対向基板とアクティブマトリクス基板とを
貼り合わせる際に、カラーフィルターの画素とアクティ
ブマトリクス基板の画素との精密な位置合せが非常に困
難である。従って、位置合せの誤差を見込んだマージン
が必要であり、そのため、アクティブマトリクス基板の
画素電極を覆う遮光層をやや大きめに形成しなければな
らない。その結果、画素の面積が狭くなり、表示画像が
暗くなるという問題を有している。
表示装置のカラー化に利用する場合には、カラーフィル
ターは、通常、液晶表示装置の対向基板側に配置され
る。これは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されて
いるアクティブマトリクス基板にカラーフィルターを直
接形成すると、次のような問題が生じるからである：
(i)カラーフィルター配置によりＴＦＴの信頼性が損な
われる場合がある；(ii)ＴＦＴ形成の歩留まりが低いの
で、カラーフィルターを連続して配置することにより、
さらに歩留まりが低くなる；および(iii)表面形状が複
雑なアクティブマトリクス基板側にカラーフィルターを
配置するのは困難である。カラーフィルターを液晶表示
装置の対向基板側に配置する場合には、液晶表示装置の
製造において対向基板とアクティブマトリクス基板とを
貼り合わせる際に、カラーフィルターの画素とアクティ
ブマトリクス基板の画素との精密な位置合せが非常に困
難である。従って、位置合せの誤差を見込んだマージン
が必要であり、そのため、アクティブマトリクス基板の
画素電極を覆う遮光層をやや大きめに形成しなければな
らない。その結果、画素の面積が狭くなり、表示画像が
暗くなるという問題を有している。
【０００５】このような問題を解決するために、特開平
７−１３４２９０号公報において、アクティブマトリク
ス基板の画素電極上にカラーインクを直接付着させて形
成したカラーフィルターを用いた液晶表示装置が提案さ
れている。このようなカラーフィルターは、Ｒ、Ｇ、Ｂ
のカラーインクを、インクジェット方式により滴状に噴
射してアクティブマトリクス基板の画素電極上に付着さ
せることによって、アクティブマトリクス基板に直接形
成される。このような方法によれば、カラーフィルター
がフォトリソグラフィープロセスを必要とせずに製造さ
れ得るので、製造プロセスが簡略化され、その結果、高
歩留で安価なカラーフィルターが提供され得る。さら
に、液晶表示装置の製造において対向基板とアクティブ
マトリクス基板とを貼り合わせる際に、カラーフィルタ
ーの画素とアクティブマトリクス基板の画素との位置ず
れ誤差を考慮する必要がない。従って、遮光層を必要以
上に大きくする必要がなく、画素部の開口率を向上させ
ることが可能である。
７−１３４２９０号公報において、アクティブマトリク
ス基板の画素電極上にカラーインクを直接付着させて形
成したカラーフィルターを用いた液晶表示装置が提案さ
れている。このようなカラーフィルターは、Ｒ、Ｇ、Ｂ
のカラーインクを、インクジェット方式により滴状に噴
射してアクティブマトリクス基板の画素電極上に付着さ
せることによって、アクティブマトリクス基板に直接形
成される。このような方法によれば、カラーフィルター
がフォトリソグラフィープロセスを必要とせずに製造さ
れ得るので、製造プロセスが簡略化され、その結果、高
歩留で安価なカラーフィルターが提供され得る。さら
に、液晶表示装置の製造において対向基板とアクティブ
マトリクス基板とを貼り合わせる際に、カラーフィルタ
ーの画素とアクティブマトリクス基板の画素との位置ず
れ誤差を考慮する必要がない。従って、遮光層を必要以
上に大きくする必要がなく、画素部の開口率を向上させ
ることが可能である。
【０００６】しかし、このような液晶表示装置は、以下
のような問題を有している：インクジェット方式によっ
てノズルから噴射されるカラーインクは、均一な滴状で
ある。この滴状のカラーインクは、ほぼ長方形の画素電
極上で等方的に拡がる。そのため、カラーインクを画素
電極上の隅々まで付着させようとすると、着色されるべ
き部分以外の部分（画素電極以外の部分）までカラーイ
ンクが拡がってしまう。従って、隣接する画素電極同士
での色滲みおよび混色が発生する。
のような問題を有している：インクジェット方式によっ
てノズルから噴射されるカラーインクは、均一な滴状で
ある。この滴状のカラーインクは、ほぼ長方形の画素電
極上で等方的に拡がる。そのため、カラーインクを画素
電極上の隅々まで付着させようとすると、着色されるべ
き部分以外の部分（画素電極以外の部分）までカラーイ
ンクが拡がってしまう。従って、隣接する画素電極同士
での色滲みおよび混色が発生する。
【０００７】このような色滲みおよび混色を防止するた
めに、例えば、特開平４−１２３００５号公報に、カラ
ーインクを付着させる面の濡れ性（すなわち、親水性／
疎水性）を制御する方法が提案されている。しかし、こ
の方法では、アクティブマトリクス基板において配線な
どを保護するために形成される保護膜とは別に、色滲み
および混色防止用の疎水性樹脂膜を形成しなければなら
ない。そのため、アクティブマトリクス基板の厚みの増
大（結果として、液晶表示装置の厚みの増大）、複雑な
製造工程、コストの増大などの多くの問題点を有してい
る。
めに、例えば、特開平４−１２３００５号公報に、カラ
ーインクを付着させる面の濡れ性（すなわち、親水性／
疎水性）を制御する方法が提案されている。しかし、こ
の方法では、アクティブマトリクス基板において配線な
どを保護するために形成される保護膜とは別に、色滲み
および混色防止用の疎水性樹脂膜を形成しなければなら
ない。そのため、アクティブマトリクス基板の厚みの増
大（結果として、液晶表示装置の厚みの増大）、複雑な
製造工程、コストの増大などの多くの問題点を有してい
る。
【０００８】従って、表示品質に優れ（すなわち、色滲
みおよび混色がなく、かつ、高開口率で表示画像が明る
く）、厚みが小さく、かつ、安価なアクティブマトリク
ス基板および液晶表示装置、ならびにそれらの簡便な製
造方法が望まれている。
みおよび混色がなく、かつ、高開口率で表示画像が明る
く）、厚みが小さく、かつ、安価なアクティブマトリク
ス基板および液晶表示装置、ならびにそれらの簡便な製
造方法が望まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
課題を解決するためになされたものであり、その目的と
するところは、表示品質に優れ（すなわち、色滲みおよ
び混色がなく、かつ、高開口率で表示画像が明るく）、
厚みが小さく、かつ、安価なアクティブマトリクス基板
および液晶表示装置、ならびにそれらの簡便な製造方法
を提供することにある。
課題を解決するためになされたものであり、その目的と
するところは、表示品質に優れ（すなわち、色滲みおよ
び混色がなく、かつ、高開口率で表示画像が明るく）、
厚みが小さく、かつ、安価なアクティブマトリクス基板
および液晶表示装置、ならびにそれらの簡便な製造方法
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、特定の分子構造の４級アンモニウム塩部分を
有する樹脂を含有する組成物で形成される保護膜が、通
常の加熱処理で容易に親水性から疎水性に変化すること
により上記目的を達成することを見出し、本発明を完成
するに至った。
した結果、特定の分子構造の４級アンモニウム塩部分を
有する樹脂を含有する組成物で形成される保護膜が、通
常の加熱処理で容易に親水性から疎水性に変化すること
により上記目的を達成することを見出し、本発明を完成
するに至った。
【００１１】本発明のアクティブマトリクス基板は、相
互に平行に配置された複数の走査線と、各走査線とは直
交するように配置された相互に平行な複数の信号線と、
一対の信号線および一対の走査線によって囲まれた領域
にそれぞれ配置された画素電極と、各画素電極と所定の
走査線および信号線にそれぞれ接続されたスイッチング
素子とを具備するアクティブマトリクス基板であって、
該走査線および該信号線の少なくとも一部が、疎水性の
有機樹脂保護膜で覆われるとともに該有機樹脂保護膜を
介して該画素電極の一部が重畳し、しかも、前記スイッ
チング素子が該有機樹脂保護膜で覆われており、かつ、
該有機樹脂保護膜にて囲まれた部分に、画素電極に積層
するように親水性のカラーインクが設けられてカラー画
素部が構成されている。
互に平行に配置された複数の走査線と、各走査線とは直
交するように配置された相互に平行な複数の信号線と、
一対の信号線および一対の走査線によって囲まれた領域
にそれぞれ配置された画素電極と、各画素電極と所定の
走査線および信号線にそれぞれ接続されたスイッチング
素子とを具備するアクティブマトリクス基板であって、
該走査線および該信号線の少なくとも一部が、疎水性の
有機樹脂保護膜で覆われるとともに該有機樹脂保護膜を
介して該画素電極の一部が重畳し、しかも、前記スイッ
チング素子が該有機樹脂保護膜で覆われており、かつ、
該有機樹脂保護膜にて囲まれた部分に、画素電極に積層
するように親水性のカラーインクが設けられてカラー画
素部が構成されている。
【００１２】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、式（Ｉ）で表されるモノマー単位、式（II）
で表されるモノマー単位、および式（III）で表される
モノマー単位でなる群から選択される少なくとも１つの
モノマー単位を有する樹脂を含む：
保護膜は、式（Ｉ）で表されるモノマー単位、式（II）
で表されるモノマー単位、および式（III）で表される
モノマー単位でなる群から選択される少なくとも１つの
モノマー単位を有する樹脂を含む：
【００１３】
【化１０】
【００１４】
【化１１】
【００１５】
【化１２】
【００１６】ここで、Ｒ5は、水素、置換または非置換
のアルキル基、アリル基、メタアリル基、置換または非
置換のベンジル基、置換または非置換のフェニル基、あ
るいは複素環基であり、Ｒ6は、水素またはメチル基で
あり、そしてＸは、
のアルキル基、アリル基、メタアリル基、置換または非
置換のベンジル基、置換または非置換のフェニル基、あ
るいは複素環基であり、Ｒ6は、水素またはメチル基で
あり、そしてＸは、
【００１７】
【化１３】
【００１８】であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、独
立して、水素、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル
基、アリル基、メタアリル基、エタノール基、またはプ
ロパノール基である。
立して、水素、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル
基、アリル基、メタアリル基、エタノール基、またはプ
ロパノール基である。
【００１９】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（II）におけるＲ5が式(IV)で表され
る構造のモノマー単位を有する樹脂を含む：
保護膜は、上記式（II）におけるＲ5が式(IV)で表され
る構造のモノマー単位を有する樹脂を含む：
【００２０】
【化１４】
【００２１】式（IV）において、ｎは、１〜１４の整数
であり；そしてｍは、１〜８の整数である。
であり；そしてｍは、１〜８の整数である。
【００２２】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位と、式（Ｖ）で表され
るフッ素含有モノマー単位とを有する共重合体樹脂を含
む：
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位と、式（Ｖ）で表され
るフッ素含有モノマー単位とを有する共重合体樹脂を含
む：
【００２３】
【化１５】
【００２４】式（Ｖ）において、Ｒ7は、水素、メチル
基またはトリフロロメチル基であり；ｐは、１〜１４の
整数であり；そしてｑは、１〜８の整数である。
基またはトリフロロメチル基であり；ｐは、１〜１４の
整数であり；そしてｑは、１〜８の整数である。
【００２５】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位と、式（VI）で表され
るスチレン系モノマー単位とを有する共重合体樹脂を含
む：
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位と、式（VI）で表され
るスチレン系モノマー単位とを有する共重合体樹脂を含
む：
【００２６】
【化１６】
【００２７】式（VI）において、Ｒ8は、水素またはメ
チル基であり；そしてＲ9は、水素、メチル基、エチル
基、またはハロゲンである。
チル基であり；そしてＲ9は、水素、メチル基、エチル
基、またはハロゲンである。
【００２８】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位と、酢酸ビニルとを有
する共重合体樹脂を含む。
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位と、酢酸ビニルとを有
する共重合体樹脂を含む。
【００２９】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位が式（VII）で表され
るジアミノ化合物を介してイオン架橋している樹脂を含
む：
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位が式（VII）で表され
るジアミノ化合物を介してイオン架橋している樹脂を含
む：
【００３０】
【化１７】
【００３１】式（VII）において、Ａは、炭素原子によ
り結合された２価の炭化水素残基であり； Ｒ10、
Ｒ11、Ｒ12、およびＲ13は、それぞれ独立して、水素、
１〜１２個の炭素原子を有する置換または非置換の直鎖
状または分岐状アルキル基、５〜６個の炭素原子を有す
る置換または非置換のシクロアルキル基、アリル基、あ
るいはメタアリル基である。
り結合された２価の炭化水素残基であり； Ｒ10、
Ｒ11、Ｒ12、およびＲ13は、それぞれ独立して、水素、
１〜１２個の炭素原子を有する置換または非置換の直鎖
状または分岐状アルキル基、５〜６個の炭素原子を有す
る置換または非置換のシクロアルキル基、アリル基、あ
るいはメタアリル基である。
【００３２】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（Ｖ）および下記の式（VIII）で表さ
れるフッ素含有モノマー単位の少なくとも１種と、上記
式（II）で表されるモノマー単位とを有する共重合体樹
脂を含む：
保護膜は、上記式（Ｖ）および下記の式（VIII）で表さ
れるフッ素含有モノマー単位の少なくとも１種と、上記
式（II）で表されるモノマー単位とを有する共重合体樹
脂を含む：
【００３３】
【化１８】
【００３４】式（VIII）において、Ｒ14は、水素、メチ
ル基またはトリフロロメチル基であり；ｒは、０〜１１
の整数であり；そしてｓは、１〜４の整数である。
ル基またはトリフロロメチル基であり；ｒは、０〜１１
の整数であり；そしてｓは、１〜４の整数である。
【００３５】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位を有する樹脂を含み、
該モノマー単位の-COO-基が-COOH基に変化することによ
り該有機樹脂保護膜が親水性から疎水性へと変化する。
保護膜は、上記式（Ｉ）、上記式（II）および上記式
（III）で表されるモノマー単位でなる群から選択され
る少なくとも１種のモノマー単位を有する樹脂を含み、
該モノマー単位の-COO-基が-COOH基に変化することによ
り該有機樹脂保護膜が親水性から疎水性へと変化する。
【００３６】好適な実施態様においては、上記有機樹脂
保護膜は、カーボンブラックを含有する。
保護膜は、カーボンブラックを含有する。
【００３７】本発明の液晶表示装置は、対向する一対の
基板間に、表示媒体としての液晶が挟持されている液晶
表示装置であって、該基板の少なくとも一方が、上記ア
クティブマトリクス基板である。
基板間に、表示媒体としての液晶が挟持されている液晶
表示装置であって、該基板の少なくとも一方が、上記ア
クティブマトリクス基板である。
【００３８】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、有機樹脂保護膜を形成する親水性の組成物を基
板上に付着させる工程と、基板に付着した親水性の組成
物を疎水性へと変化させることにより疎水性の有機樹脂
保護膜を形成する工程と、該基板上の該有機樹脂保護膜
が形成されていない部分に親水性のカラーインクを付着
させてカラー画素部を形成する工程とを包含する。
方法は、有機樹脂保護膜を形成する親水性の組成物を基
板上に付着させる工程と、基板に付着した親水性の組成
物を疎水性へと変化させることにより疎水性の有機樹脂
保護膜を形成する工程と、該基板上の該有機樹脂保護膜
が形成されていない部分に親水性のカラーインクを付着
させてカラー画素部を形成する工程とを包含する。
【００３９】好適な実施態様においては、上記画素用カ
ラーインクは、インクジェット法により上記基板に付着
させられる。
ラーインクは、インクジェット法により上記基板に付着
させられる。
【００４０】好適な実施態様においては、上記基板に付
着した上記親水性の組成物は、加熱により疎水性に変化
する。
着した上記親水性の組成物は、加熱により疎水性に変化
する。
【００４１】
Ａ．疎水性の有機樹脂保護膜を形成する組成物 本発明のアクティブマトリクス基板に設けられる疎水性
の有機樹脂保護膜は、特定の分子構造の４級アンモニウ
ム塩部分を有する（共）重合体樹脂を含む組成物から形
成される。
の有機樹脂保護膜は、特定の分子構造の４級アンモニウ
ム塩部分を有する（共）重合体樹脂を含む組成物から形
成される。
【００４２】好ましくは、この組成物は、式（Ｉ）で表
されるモノマー単位、式（II）で表されるモノマー単
位、および式（III）で表されるモノマー単位でなる群
から選択される少なくとも１つのモノマー単位を有する
樹脂を含む：
されるモノマー単位、式（II）で表されるモノマー単
位、および式（III）で表されるモノマー単位でなる群
から選択される少なくとも１つのモノマー単位を有する
樹脂を含む：
【００４３】
【化１９】
【００４４】
【化２０】
【００４５】
【化２１】
【００４６】ここで、Ｒ5は、水素、置換または非置換
のアルキル基、アリル基、メタアリル基、置換または非
置換のベンジル基、置換または非置換のフェニル基、あ
るいは複素環基であり、Ｒ6は、水素またはメチル基で
あり、そしてＸは、
のアルキル基、アリル基、メタアリル基、置換または非
置換のベンジル基、置換または非置換のフェニル基、あ
るいは複素環基であり、Ｒ6は、水素またはメチル基で
あり、そしてＸは、
【００４７】
【化２２】
【００４８】であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、独
立して、水素、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル
基、アリル基、メタアリル基、エタノール基、またはプ
ロパノール基である。
立して、水素、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル
基、アリル基、メタアリル基、エタノール基、またはプ
ロパノール基である。
【００４９】上記式（Ｉ）〜（III）で表される４級ア
ンモニウム塩部分を有する樹脂を構成するモノマー単位
としては、例えば、アクリレート、メタクリレート、マ
レイン酸エステル誘導体が挙げられる。
ンモニウム塩部分を有する樹脂を構成するモノマー単位
としては、例えば、アクリレート、メタクリレート、マ
レイン酸エステル誘導体が挙げられる。
【００５０】アクリレートとしては、例えば、メチルア
クリレート、エチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレ
ート、２−エチルヘキシルアクリレート、ジメチルアミ
ノエチルアクリレート、２−エトキシアクリレート、ｔ
−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、
テトラヒドロフルフリルアクリレート、ｎ−ステアリル
アクリレートが挙げられる。均一な組成物が得られ、か
つ、得られる有機樹脂保護膜の疎水性に優れるという点
で、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基置換のアク
リレートが好ましい。
クリレート、エチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレ
ート、２−エチルヘキシルアクリレート、ジメチルアミ
ノエチルアクリレート、２−エトキシアクリレート、ｔ
−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、
テトラヒドロフルフリルアクリレート、ｎ−ステアリル
アクリレートが挙げられる。均一な組成物が得られ、か
つ、得られる有機樹脂保護膜の疎水性に優れるという点
で、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基置換のアク
リレートが好ましい。
【００５１】メタクリレートとしては、例えば、メチル
メタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルメ
タクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、
ｎ−ラウリルメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｔ−ブチルメ
タクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ｎ−ス
テアリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレートが挙
げられる。均一な組成物が得られ、かつ、得られる有機
樹脂保護膜の疎水性に優れるという点で、１〜８個の炭
素原子を有するアルキル基置換のメタクリレートが好ま
しい。
メタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルメ
タクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、
ｎ−ラウリルメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｔ−ブチルメ
タクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ｎ−ス
テアリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレートが挙
げられる。均一な組成物が得られ、かつ、得られる有機
樹脂保護膜の疎水性に優れるという点で、１〜８個の炭
素原子を有するアルキル基置換のメタクリレートが好ま
しい。
【００５２】マレイン酸エステル誘導体としては、例え
ば、マレイン酸ジ（２−エチルヘキシル）エステル、マ
レイン酸ジエチルエステル、マレイン酸ジ（ｎ−ブチ
ル）エステル、マレイン酸ジオクチルエステルが挙げら
れる。均一な組成物が得られ、かつ、得られる有機樹脂
保護膜の疎水性に優れるという点で、マレイン酸ジ（２
−エチルヘキシル）エステル、マレイン酸ジエチルエス
テルが好ましい。
ば、マレイン酸ジ（２−エチルヘキシル）エステル、マ
レイン酸ジエチルエステル、マレイン酸ジ（ｎ−ブチ
ル）エステル、マレイン酸ジオクチルエステルが挙げら
れる。均一な組成物が得られ、かつ、得られる有機樹脂
保護膜の疎水性に優れるという点で、マレイン酸ジ（２
−エチルヘキシル）エステル、マレイン酸ジエチルエス
テルが好ましい。
【００５３】さらに好ましくは、上記マレイン酸エステ
ルは、フッ素化アルキルのエステルであることが好まし
い。得られる有機樹脂保護膜の疎水性がきわめて優れる
からである。
ルは、フッ素化アルキルのエステルであることが好まし
い。得られる有機樹脂保護膜の疎水性がきわめて優れる
からである。
【００５４】必要に応じて、上記モノマー単位は、さら
に他の共重合可能なモノマー単位と共重合され得る。こ
のような共重合体を形成することにより、組成物の基板
との密着性、組成物の均一性、ならびに、樹脂保護膜の
耐熱性および耐久性などがさらに改善され得る。
に他の共重合可能なモノマー単位と共重合され得る。こ
のような共重合体を形成することにより、組成物の基板
との密着性、組成物の均一性、ならびに、樹脂保護膜の
耐熱性および耐久性などがさらに改善され得る。
【００５５】他の共重合可能なモノマー単位としては、
例えば、式（Ｖ）で表されるフッ素含有モノマー単位、
式（VI）で表されるスチレン系モノマー単位、酢酸ビニ
ルが挙げられる：
例えば、式（Ｖ）で表されるフッ素含有モノマー単位、
式（VI）で表されるスチレン系モノマー単位、酢酸ビニ
ルが挙げられる：
【００５６】
【化２３】
【００５７】
【化２４】
【００５８】式（Ｖ）において、Ｒ7は、水素、メチル
基またはトリフロロメチル基であり；ｐは、１〜１４の
整数であり；そしてｑは、１〜８の整数であり；そし
て、式（VI）において、Ｒ8は、水素またはメチル基で
あり；そしてＲ9は、水素、メチル基、エチル基、また
はハロゲンである。
基またはトリフロロメチル基であり；ｐは、１〜１４の
整数であり；そしてｑは、１〜８の整数であり；そし
て、式（VI）において、Ｒ8は、水素またはメチル基で
あり；そしてＲ9は、水素、メチル基、エチル基、また
はハロゲンである。
【００５９】スチレン系モノマー単位の具体例として
は、スチレン、α−メチルスチレン、ｘ−メチルスチレ
ン（ｘ：メタ、パラ、オルソ）、パラクロロスチレンが
挙げられる。均一な組成物が得られ、かつ、得られる有
機樹脂膜の疎水性に優れるという点で、スチレン、α−
メチルスチレンが好ましい。
は、スチレン、α−メチルスチレン、ｘ−メチルスチレ
ン（ｘ：メタ、パラ、オルソ）、パラクロロスチレンが
挙げられる。均一な組成物が得られ、かつ、得られる有
機樹脂膜の疎水性に優れるという点で、スチレン、α−
メチルスチレンが好ましい。
【００６０】フッ素含有モノマー単位の具体例として
は、3,3,3-トリフロロプロピルアクリレート、3,3,3-ト
リフロロプロピルメタクリレート、2,2,2-トリフロロエ
チルアクリレート、4,4,4-トリフロロプロピルメタクリ
レート、α,α,α,3,3,3-ヘキサフロロプロピルメタク
リレート、4,4,5,5,5-ペンタフロロブチルアクリレート
などが挙げられる。
は、3,3,3-トリフロロプロピルアクリレート、3,3,3-ト
リフロロプロピルメタクリレート、2,2,2-トリフロロエ
チルアクリレート、4,4,4-トリフロロプロピルメタクリ
レート、α,α,α,3,3,3-ヘキサフロロプロピルメタク
リレート、4,4,5,5,5-ペンタフロロブチルアクリレート
などが挙げられる。
【００６１】さらに、４級アンモニウム塩部分を有する
樹脂を構成するモノマー単位が上記式（II）で表される
場合には、式（VIII）で表されるフッ素含有モノマー単
位もまた共重合され得る：
樹脂を構成するモノマー単位が上記式（II）で表される
場合には、式（VIII）で表されるフッ素含有モノマー単
位もまた共重合され得る：
【００６２】
【化２５】
【００６３】式（VIII）において、Ｒ14は、水素、メチ
ル基またはトリフロロメチル基であり；ｒは、０〜１１
の整数であり；そしてｓは、１〜４の整数である。
ル基またはトリフロロメチル基であり；ｒは、０〜１１
の整数であり；そしてｓは、１〜４の整数である。
【００６４】上記モノマーは、公知の方法で重合または
共重合され、組成物に含有される樹脂が得られる。
共重合され、組成物に含有される樹脂が得られる。
【００６５】このようにして得られた樹脂を公知の方法
でアミンまたはアンモニアと反応させることにより、上
記４級アンモニウム塩部分が形成される。４級アンモニ
ウム塩部分を形成するカチオンの具体例としては、N
H4 +、NH3(CH3)+、NH2(CH3)2 +、NH(n-C3H7)3 +、NH(CH3)3
+、N(C2H5)4 +、NH(C2H5)3 +、NH2(C2H5)2 +、NH3(C
2H5)+、NH(C2H5)2(CH3)+、NH(CH3)2(n-C3H7)+、NH(CH3)
2(n-C4H9)+、NH(iso-C3H7)3 +、NH3(iso-C3H7)+、NH2(n-
C4H9)2 +、NH3(n-C4H9)+、NH(CH2CH=CH2)3 +、NH2(CH2CH=
CH2)2 +、NH(C(CH3)HCH=CH2)3 +、NH3(n-C6H13)+、NH3(n-
C12H25)+、NH3(n-C8H17)+、N(CH3)4 +、N(CH3)(C
2H5)3 +、NH(CH3)2(C2H5)2 +、N(CH3)3(CH2CH=CH2)+、NH2
(C2H5OH)2 +、NH3(C2H5OH)+、NH3(CH3OH)+、NH2(CH3OH)2
+、NH(C2H5OH)3 +、NH(CH3OH)3 +が挙げられる。NH4 +、NH
3(CH3)+、NH2(CH3)2 +、NH(CH3)3 +、NH3(C2H5)+、NH2(C2
H5)2 +、NH(C2H5)3 + が好ましい。加熱により容易に気化
するため、有機樹脂保護膜の疎水化が容易だからであ
る。
でアミンまたはアンモニアと反応させることにより、上
記４級アンモニウム塩部分が形成される。４級アンモニ
ウム塩部分を形成するカチオンの具体例としては、N
H4 +、NH3(CH3)+、NH2(CH3)2 +、NH(n-C3H7)3 +、NH(CH3)3
+、N(C2H5)4 +、NH(C2H5)3 +、NH2(C2H5)2 +、NH3(C
2H5)+、NH(C2H5)2(CH3)+、NH(CH3)2(n-C3H7)+、NH(CH3)
2(n-C4H9)+、NH(iso-C3H7)3 +、NH3(iso-C3H7)+、NH2(n-
C4H9)2 +、NH3(n-C4H9)+、NH(CH2CH=CH2)3 +、NH2(CH2CH=
CH2)2 +、NH(C(CH3)HCH=CH2)3 +、NH3(n-C6H13)+、NH3(n-
C12H25)+、NH3(n-C8H17)+、N(CH3)4 +、N(CH3)(C
2H5)3 +、NH(CH3)2(C2H5)2 +、N(CH3)3(CH2CH=CH2)+、NH2
(C2H5OH)2 +、NH3(C2H5OH)+、NH3(CH3OH)+、NH2(CH3OH)2
+、NH(C2H5OH)3 +、NH(CH3OH)3 +が挙げられる。NH4 +、NH
3(CH3)+、NH2(CH3)2 +、NH(CH3)3 +、NH3(C2H5)+、NH2(C2
H5)2 +、NH(C2H5)3 + が好ましい。加熱により容易に気化
するため、有機樹脂保護膜の疎水化が容易だからであ
る。
【００６６】このようにして得られた４級アンモニウム
塩部分を有する樹脂に、水、親水性溶媒（例えば、アル
コール、ケトン）などの溶媒を添加することにより、組
成物が調製される。溶媒は、樹脂１０重量部に対して、
好ましくは８〜２５０重量部添加される。
塩部分を有する樹脂に、水、親水性溶媒（例えば、アル
コール、ケトン）などの溶媒を添加することにより、組
成物が調製される。溶媒は、樹脂１０重量部に対して、
好ましくは８〜２５０重量部添加される。
【００６７】あるいは、上記モノマー単位から（共）重
合された樹脂は、式（VII）で表されるジアミノ化合物
を介してイオン架橋され得る：
合された樹脂は、式（VII）で表されるジアミノ化合物
を介してイオン架橋され得る：
【００６８】
【化２６】
【００６９】式（VII）において、Ａは、炭素原子によ
り結合された２価の炭化水素残基であり； Ｒ10、
Ｒ11、Ｒ12、およびＲ13は、それぞれ独立して、水素、
１〜１２個の炭素原子を有する置換または非置換の直鎖
状または分岐状アルキル基、５〜６個の炭素原子を有す
る置換または非置換のシクロアルキル基、アリル基、あ
るいはメタアリル基である。このようなジアミノ化合物
を介して樹脂をイオン架橋させることにより、樹脂同士
のイオン架橋部分に４級アンモニウム塩部分が形成され
る。
り結合された２価の炭化水素残基であり； Ｒ10、
Ｒ11、Ｒ12、およびＲ13は、それぞれ独立して、水素、
１〜１２個の炭素原子を有する置換または非置換の直鎖
状または分岐状アルキル基、５〜６個の炭素原子を有す
る置換または非置換のシクロアルキル基、アリル基、あ
るいはメタアリル基である。このようなジアミノ化合物
を介して樹脂をイオン架橋させることにより、樹脂同士
のイオン架橋部分に４級アンモニウム塩部分が形成され
る。
【００７０】好ましくは、上記ジアミノ化合物は、上記
式（VII）におけるＡが２〜１２個の炭素原子を有する
直鎖状アルキル基であり、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、およびＲ
13が、独立して、水素、メチル基、およびエチル基でな
る群から選択される１種である化合物である。特に好ま
しいジアミノ化合物は、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−
ジエチルエチレンジアミン、N,N,N',N'-テトラメチルエ
チレンジアミン、N,N,N',N'-テトラメチル-1,3-ジアミ
ノブタンである。イオン架橋性に優れ、得られる有機樹
脂保護膜が迅速かつ容易に親水性から疎水性へ変化し、
しかも低コストであるからである。
式（VII）におけるＡが２〜１２個の炭素原子を有する
直鎖状アルキル基であり、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、およびＲ
13が、独立して、水素、メチル基、およびエチル基でな
る群から選択される１種である化合物である。特に好ま
しいジアミノ化合物は、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−
ジエチルエチレンジアミン、N,N,N',N'-テトラメチルエ
チレンジアミン、N,N,N',N'-テトラメチル-1,3-ジアミ
ノブタンである。イオン架橋性に優れ、得られる有機樹
脂保護膜が迅速かつ容易に親水性から疎水性へ変化し、
しかも低コストであるからである。
【００７１】ジアミノ化合物は、樹脂１００重量部に対
して、好ましくは０．３〜１０重量部の割合で組成物に
含有される。
して、好ましくは０．３〜１０重量部の割合で組成物に
含有される。
【００７２】好ましくは、上記組成物は、カーボンブラ
ックを含有し得る。組成物中のカーボンブラックの含有
量は、樹脂１００重量部に対して、好ましくは５〜５０
０重量部の範囲が好ましい。カーボンブラックを含有す
ることにより、得られる有機樹脂保護膜の遮光性が向上
し、その結果、コントラストに優れた液晶表示装置が得
られる。
ックを含有し得る。組成物中のカーボンブラックの含有
量は、樹脂１００重量部に対して、好ましくは５〜５０
０重量部の範囲が好ましい。カーボンブラックを含有す
ることにより、得られる有機樹脂保護膜の遮光性が向上
し、その結果、コントラストに優れた液晶表示装置が得
られる。
【００７３】カーボンブラックの具体例としては、Ｉ−
アシッドブラック１、同２、同３、同２４、同２６、同
３１、同３３、同４８、同５０、同６０、同１１０、同
１１２、同２０７、ＣＩ−ダイレクトブラック７、同１
９、同２２、同５１、同６２、同１１２、同１１７、同
１１８、同１２２、同１５４、同１５９、同１６９、同
１７３が挙げられる。カーボンブラックは、その粒径が
小さいほど（例えば、０．０１〜０．１μｍ）好まし
い。さらに、表面に-COOM基（Ｍは、水素、アンモニウ
ム、およびアルカリ金属から選択される１種）を有する
カーボンブラックが好ましい。表面の-COOM基の形成
は、通常の酸処理により行われ得る。このようなカーボ
ンブラックは、組成物特性（分散安定性、粘性、経時安
定性）、耐熱性、耐酸化性、黒化度などが優れている。
アシッドブラック１、同２、同３、同２４、同２６、同
３１、同３３、同４８、同５０、同６０、同１１０、同
１１２、同２０７、ＣＩ−ダイレクトブラック７、同１
９、同２２、同５１、同６２、同１１２、同１１７、同
１１８、同１２２、同１５４、同１５９、同１６９、同
１７３が挙げられる。カーボンブラックは、その粒径が
小さいほど（例えば、０．０１〜０．１μｍ）好まし
い。さらに、表面に-COOM基（Ｍは、水素、アンモニウ
ム、およびアルカリ金属から選択される１種）を有する
カーボンブラックが好ましい。表面の-COOM基の形成
は、通常の酸処理により行われ得る。このようなカーボ
ンブラックは、組成物特性（分散安定性、粘性、経時安
定性）、耐熱性、耐酸化性、黒化度などが優れている。
【００７４】上記組成物は、必要に応じて、公知の種々
の添加剤（例えば、界面活性剤、安定剤、酸化防止剤）
を含有し得る。
の添加剤（例えば、界面活性剤、安定剤、酸化防止剤）
を含有し得る。
【００７５】上記組成物は、例えば、スピン塗布、オフ
セット印刷により基板に付着させられる。基板に付着し
た組成物は、加熱することにより、乾燥され、かつ、親
水性から疎水性に変化し、疎水性の有機樹脂保護膜が形
成される。加熱温度は、好ましくは５０〜１８０℃であ
り、加熱時間は、好ましくは０．５〜５０分である。
セット印刷により基板に付着させられる。基板に付着し
た組成物は、加熱することにより、乾燥され、かつ、親
水性から疎水性に変化し、疎水性の有機樹脂保護膜が形
成される。加熱温度は、好ましくは５０〜１８０℃であ
り、加熱時間は、好ましくは０．５〜５０分である。
【００７６】Ｂ．アクティブマトリクス基板 （実施形態１）本発明のアクティブマトリクス基板の好
ましい一例について、図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリクス基板の好ましい
一例を示す概略部分平面図であり；図２は、図１のアク
ティブマトリクス基板のII−II線による断面図であり；
そして、図３は、図１のアクティブマトリクス基板のII
I−III線による断面図である。
ましい一例について、図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリクス基板の好ましい
一例を示す概略部分平面図であり；図２は、図１のアク
ティブマトリクス基板のII−II線による断面図であり；
そして、図３は、図１のアクティブマトリクス基板のII
I−III線による断面図である。
【００７７】図１に示すように、本発明のアクティブマ
トリクス基板は、基板１上に、走査線として機能する複
数のゲートバス配線１５が互いに平行に形成され、該ゲ
ートバス配線に直交するように、信号線として機能する
複数のソースバス配線１６が互いに平行に形成されてい
る。ゲートバス配線１５とソースバス配線１６とは絶縁
膜を介して相互に絶縁されている。ゲートバス配線１５
およびソースバス配線１６で囲まれた矩形の領域のそれ
ぞれに画素電極１２が配され、マトリクス状の画素電極
を形成している。それぞれの画素電極部分でゲートバス
配線が分岐し、スイッチング素子として機能するＴＦＴ
３のゲート電極５を形成している。ＴＦＴ３、ソースバ
ス配線１６およびゲートバス配線１５を覆って、上述の
疎水性の有機樹脂保護膜１１が形成されている。
トリクス基板は、基板１上に、走査線として機能する複
数のゲートバス配線１５が互いに平行に形成され、該ゲ
ートバス配線に直交するように、信号線として機能する
複数のソースバス配線１６が互いに平行に形成されてい
る。ゲートバス配線１５とソースバス配線１６とは絶縁
膜を介して相互に絶縁されている。ゲートバス配線１５
およびソースバス配線１６で囲まれた矩形の領域のそれ
ぞれに画素電極１２が配され、マトリクス状の画素電極
を形成している。それぞれの画素電極部分でゲートバス
配線が分岐し、スイッチング素子として機能するＴＦＴ
３のゲート電極５を形成している。ＴＦＴ３、ソースバ
ス配線１６およびゲートバス配線１５を覆って、上述の
疎水性の有機樹脂保護膜１１が形成されている。
【００７８】図２を参照して、本発明のアクティブマト
リクス基板についてさらに詳しく説明する。ＴＦＴ３
は、ゲートバス配線１５から分岐したゲート電極５と、
ゲート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６
上のゲート電極５に対応する部分に形成された半導体層
７と、半導体層７上に形成された絶縁膜１０と、絶縁膜
１０の一部と半導体層７とを覆って半導体層７の両端部
にそれぞれ形成されたコンタクト層８ａおよび８ｂと、
それぞれの端部がコンタクト層８ａおよび８ｂの端部と
重なるように形成されたソース電極９ａおよびドレイン
電極９ｂとを有している。ゲート電極５はゲートバス配
線１５と電気的に接続し、ソース電極９ａはソースバス
配線１６と電気的に接続している。
リクス基板についてさらに詳しく説明する。ＴＦＴ３
は、ゲートバス配線１５から分岐したゲート電極５と、
ゲート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６
上のゲート電極５に対応する部分に形成された半導体層
７と、半導体層７上に形成された絶縁膜１０と、絶縁膜
１０の一部と半導体層７とを覆って半導体層７の両端部
にそれぞれ形成されたコンタクト層８ａおよび８ｂと、
それぞれの端部がコンタクト層８ａおよび８ｂの端部と
重なるように形成されたソース電極９ａおよびドレイン
電極９ｂとを有している。ゲート電極５はゲートバス配
線１５と電気的に接続し、ソース電極９ａはソースバス
配線１６と電気的に接続している。
【００７９】疎水性の有機樹脂保護膜１１はＴＦＴ３を
覆って形成され、有機樹脂保護膜１１上に画素電極１２
が設けられている。画素電極１２は、コンタクトホール
１１’を介して、ドレイン電極９ｂと電気的に接続して
いる。
覆って形成され、有機樹脂保護膜１１上に画素電極１２
が設けられている。画素電極１２は、コンタクトホール
１１’を介して、ドレイン電極９ｂと電気的に接続して
いる。
【００８０】さらに、図３を参照して、本発明のアクテ
ィブマトリクス基板におけるカラー画素部１３について
説明する。カラー画素部１３は、有機樹脂保護膜１１で
囲まれた部分（すなわち、画素部分）に配されたカラー
インクから構成される。本実施形態においては、有機樹
脂保護膜１１の一部を覆って画素電極１２が形成され、
画素電極１２上にＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクが所定の配
列で配されている。このように、本発明によれば、アク
ティブマトリクス基板とは別にカラーフィルターを作製
することなく、基板１上にカラー画素部（すなわち、カ
ラーフィルター）１３が直接形成される。
ィブマトリクス基板におけるカラー画素部１３について
説明する。カラー画素部１３は、有機樹脂保護膜１１で
囲まれた部分（すなわち、画素部分）に配されたカラー
インクから構成される。本実施形態においては、有機樹
脂保護膜１１の一部を覆って画素電極１２が形成され、
画素電極１２上にＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクが所定の配
列で配されている。このように、本発明によれば、アク
ティブマトリクス基板とは別にカラーフィルターを作製
することなく、基板１上にカラー画素部（すなわち、カ
ラーフィルター）１３が直接形成される。
【００８１】（実施形態２）本発明のアクティブマトリ
クス基板のカラー画素部１３は、図４に示すようにも構
成され得る。図４によれば、有機樹脂保護膜１１で囲ま
れた部分のゲート絶縁膜６上にＲ、Ｇ、Ｂのカラーイン
クが所定の配列で配され、有機樹脂保護膜１１の一部と
カラーインクとを覆って画素電極１２が設けられる。図
示していないが、この画素電極１２はコンタクトホール
１１’を埋めるように設けられるので、ドレイン電極９
ｂと電気的に接続している。
クス基板のカラー画素部１３は、図４に示すようにも構
成され得る。図４によれば、有機樹脂保護膜１１で囲ま
れた部分のゲート絶縁膜６上にＲ、Ｇ、Ｂのカラーイン
クが所定の配列で配され、有機樹脂保護膜１１の一部と
カラーインクとを覆って画素電極１２が設けられる。図
示していないが、この画素電極１２はコンタクトホール
１１’を埋めるように設けられるので、ドレイン電極９
ｂと電気的に接続している。
【００８２】このようなアクティブマトリクス基板の製
造方法の好ましい一例について、図５（ａ）〜（ｉ）を
参照して説明する。
造方法の好ましい一例について、図５（ａ）〜（ｉ）を
参照して説明する。
【００８３】図５（ａ）に示すような基板１を用いる。
基板１は、好ましくは、透明でかつ堅牢な材料でなる。
このような材料としては、例えば、ガラス、プラスチッ
クなどが挙げられる。基板１の厚みは、好ましくは０．
５〜１．１ｍｍである。
基板１は、好ましくは、透明でかつ堅牢な材料でなる。
このような材料としては、例えば、ガラス、プラスチッ
クなどが挙げられる。基板１の厚みは、好ましくは０．
５〜１．１ｍｍである。
【００８４】次に、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
３、ソースバス配線１６、およびゲートバス配線１５
（図示せず）を、この基板１上に形成する。 手順は以
下の通りである。
３、ソースバス配線１６、およびゲートバス配線１５
（図示せず）を、この基板１上に形成する。 手順は以
下の通りである。
【００８５】最初に、ゲートバス配線用の金属を堆積
し、所定のパターンにパターニングすることにより、互
いに平行な複数のゲートバス配線１５とゲートバス配線
から分岐したゲート電極５とを形成する。このような金
属としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）などが挙げられる。
金属の堆積方法としては、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法などが挙げられる。堆積時の金属の厚みは、好
ましくは０．１〜０．６μｍである。パターニング方法
としては、フォトリソグラフィー法、エッチング法など
が挙げられる。
し、所定のパターンにパターニングすることにより、互
いに平行な複数のゲートバス配線１５とゲートバス配線
から分岐したゲート電極５とを形成する。このような金
属としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）などが挙げられる。
金属の堆積方法としては、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法などが挙げられる。堆積時の金属の厚みは、好
ましくは０．１〜０．６μｍである。パターニング方法
としては、フォトリソグラフィー法、エッチング法など
が挙げられる。
【００８６】次に、ゲートバス配線１５とゲート電極５
とが形成されたガラス基板全面にゲート絶縁膜６を形成
する。ゲート絶縁膜を形成する材料としては、Ｓｉ
ＮX、ＳｉＯXなどが挙げられる。ゲート絶縁膜を形成す
る方法としては、プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
ゲート絶縁膜６の厚みは、好ましくは０．１〜０．６μ
ｍである。
とが形成されたガラス基板全面にゲート絶縁膜６を形成
する。ゲート絶縁膜を形成する材料としては、Ｓｉ
ＮX、ＳｉＯXなどが挙げられる。ゲート絶縁膜を形成す
る方法としては、プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
ゲート絶縁膜６の厚みは、好ましくは０．１〜０．６μ
ｍである。
【００８７】さらに、ゲート絶縁膜６上に半導体層７を
形成する。半導体層を形成する材料としては、ノンドー
プのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉとする）
などが挙げられる。半導体層を形成する方法としては、
プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。半導体層７の厚み
は、好ましくは０．０２〜０．０４μｍである。さら
に、半導体層７上にＳｉＮXを例えばプラズマＣＶＤ法
により堆積し、ゲート電極５の上方部分のみにＳｉＮX
を残すようにパターニングすることにより、絶縁膜１０
を形成する。絶縁膜１０の厚みは、好ましくは０．０１
〜０．０３μｍである。
形成する。半導体層を形成する材料としては、ノンドー
プのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉとする）
などが挙げられる。半導体層を形成する方法としては、
プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。半導体層７の厚み
は、好ましくは０．０２〜０．０４μｍである。さら
に、半導体層７上にＳｉＮXを例えばプラズマＣＶＤ法
により堆積し、ゲート電極５の上方部分のみにＳｉＮX
を残すようにパターニングすることにより、絶縁膜１０
を形成する。絶縁膜１０の厚みは、好ましくは０．０１
〜０．０３μｍである。
【００８８】次に、絶縁膜１０上にコンタクト層８を形
成する。コンタクト層８は、半導体層７と後に形成され
るソース電極９ａおよびドレイン電極９ｂとの間のオー
ミックコンタクトのために設けられる。コンタクト層を
形成する材料としては、リン（Ｐ）をドープしたアモル
ファスシリコン（以下、ｎ+型ａ−Ｓｉとする）などが
挙げられる。コンタクト層は、例えばプラズマＣＶＤ法
で絶縁膜１０を覆って形成された後、エッチング法など
により所定の形状にパターニングされる（このとき、半
導体層も同時に所定の形状にパターニングされる）。コ
ンタクト層８の厚みは、好ましくは０．０３〜０．０６
μｍである。
成する。コンタクト層８は、半導体層７と後に形成され
るソース電極９ａおよびドレイン電極９ｂとの間のオー
ミックコンタクトのために設けられる。コンタクト層を
形成する材料としては、リン（Ｐ）をドープしたアモル
ファスシリコン（以下、ｎ+型ａ−Ｓｉとする）などが
挙げられる。コンタクト層は、例えばプラズマＣＶＤ法
で絶縁膜１０を覆って形成された後、エッチング法など
により所定の形状にパターニングされる（このとき、半
導体層も同時に所定の形状にパターニングされる）。コ
ンタクト層８の厚みは、好ましくは０．０３〜０．０６
μｍである。
【００８９】次に、ソース電極９ａおよびドレイン電極
９ｂ 、ならびにソースバス配線１６を同時に形成す
る。これらを形成する材料としては、例えば、チタン
（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、クロム（Ｃｒ）が挙げられる。これらの材料は、
例えばスパッタリング法により一面に堆積した後、エッ
チングなどにより所定のパターンにパターニングされる
（このとき、コンタクト層８の不要な部分も同時に取り
除かれ、ソース電極９ａと接続するコンタクト層８ａ
と、ドレイン電極９ｂと接続するコンタクト層８ｂとが
形成される）。このようにして、ＴＦＴ３が形成され
る。
９ｂ 、ならびにソースバス配線１６を同時に形成す
る。これらを形成する材料としては、例えば、チタン
（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、クロム（Ｃｒ）が挙げられる。これらの材料は、
例えばスパッタリング法により一面に堆積した後、エッ
チングなどにより所定のパターンにパターニングされる
（このとき、コンタクト層８の不要な部分も同時に取り
除かれ、ソース電極９ａと接続するコンタクト層８ａ
と、ドレイン電極９ｂと接続するコンタクト層８ｂとが
形成される）。このようにして、ＴＦＴ３が形成され
る。
【００９０】次に、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ３
などが形成された基板に、上述の樹脂組成物を塗布し、
加熱乾燥することにより、有機樹脂保護膜１１を形成す
る。親水性の樹脂組成物は、塗布後の加熱乾燥により疎
水性に変化し、疎水性の有機樹脂保護膜が形成される。
樹脂組成物の塗布方法としては、スピン塗布法、オフセ
ット印刷法、エアーナイフ塗布法、アプリケータ塗布法
などが挙げられる。加熱温度は、好ましくは５０〜１８
０℃であり、加熱時間は、好ましくは０．５〜５０分で
ある。加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、
エアードライヤーなどが挙げられる。有機樹脂保護膜の
厚みは、好ましくは２〜４μｍである。
などが形成された基板に、上述の樹脂組成物を塗布し、
加熱乾燥することにより、有機樹脂保護膜１１を形成す
る。親水性の樹脂組成物は、塗布後の加熱乾燥により疎
水性に変化し、疎水性の有機樹脂保護膜が形成される。
樹脂組成物の塗布方法としては、スピン塗布法、オフセ
ット印刷法、エアーナイフ塗布法、アプリケータ塗布法
などが挙げられる。加熱温度は、好ましくは５０〜１８
０℃であり、加熱時間は、好ましくは０．５〜５０分で
ある。加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、
エアードライヤーなどが挙げられる。有機樹脂保護膜の
厚みは、好ましくは２〜４μｍである。
【００９１】次に、図５（ｄ）に示すようにレジストを
塗布し、図５（ｅ）に示すように遮光マスクを介して光
を照射することにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に
パターニングする。その際、図５（ｆ）に示すように、
コンタクトホール１１’を同時に形成する。後に形成さ
れる画素電極１２とドレイン電極９ｂとが電気的に接続
し得るようにするためである。
塗布し、図５（ｅ）に示すように遮光マスクを介して光
を照射することにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に
パターニングする。その際、図５（ｆ）に示すように、
コンタクトホール１１’を同時に形成する。後に形成さ
れる画素電極１２とドレイン電極９ｂとが電気的に接続
し得るようにするためである。
【００９２】なお、有機樹脂保護膜１１は、基板に付着
させた樹脂組成物を加熱乾燥して疎水化した後、所定の
パターンにパターニングしてもよく、樹脂組成物を所定
のパターンで基板に付着させた後、加熱乾燥して疎水化
してもよい。
させた樹脂組成物を加熱乾燥して疎水化した後、所定の
パターンにパターニングしてもよく、樹脂組成物を所定
のパターンで基板に付着させた後、加熱乾燥して疎水化
してもよい。
【００９３】次に、図５（ｇ）に示すように、所定のパ
ターンで有機樹脂保護膜１１が形成された基板の所定の
位置に、親水性のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを付着させ
る。カラーインクを付着させる方法としては、印刷法、
インクジェット法などが挙げられる。インクジェット法
が好ましい。これは以下の理由による：インクジェット
により噴射される親水性のカラーインクが、疎水性化し
た有機樹脂保護膜に対してオフセット効果により付着し
にくくなる。そのため、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の混色が良
好に防止され、その結果、アクティブマトリクス基板の
製造において、正確性、安定性および簡便性が顕著に向
上し得る。このようにして、図５（ｈ）に示すように、
カラー画素部が形成される。
ターンで有機樹脂保護膜１１が形成された基板の所定の
位置に、親水性のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを付着させ
る。カラーインクを付着させる方法としては、印刷法、
インクジェット法などが挙げられる。インクジェット法
が好ましい。これは以下の理由による：インクジェット
により噴射される親水性のカラーインクが、疎水性化し
た有機樹脂保護膜に対してオフセット効果により付着し
にくくなる。そのため、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の混色が良
好に防止され、その結果、アクティブマトリクス基板の
製造において、正確性、安定性および簡便性が顕著に向
上し得る。このようにして、図５（ｈ）に示すように、
カラー画素部が形成される。
【００９４】さらに、図５（ｉ）に示すように、画素電
極１２が所定の厚みで形成される。画素電極１２を形成
する材料としては、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＳｎＯ
などが挙げられる。画素電極の厚みは、好ましくは０．
０６〜０．１μｍである。このとき、画素電極１２は、
コンタクトホール１１’を介してドレイン電極９ｂと電
気的に接続している。以上のようにして、アクティブマ
トリクス基板が作製される。
極１２が所定の厚みで形成される。画素電極１２を形成
する材料としては、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＳｎＯ
などが挙げられる。画素電極の厚みは、好ましくは０．
０６〜０．１μｍである。このとき、画素電極１２は、
コンタクトホール１１’を介してドレイン電極９ｂと電
気的に接続している。以上のようにして、アクティブマ
トリクス基板が作製される。
【００９５】（実施形態３）本発明のアクティブマトリ
クス基板の好ましい別の例について、図６〜図８を参照
して説明する。図６は、本発明のアクティブマトリクス
基板の好ましい別の例を示す概略部分平面図であり；図
７は、図６のアクティブマトリクス基板のVII−VII線に
よる断面図であり；そして、図８は、図６のアクティブ
マトリクス基板のVIII−VIII線による断面図である。
クス基板の好ましい別の例について、図６〜図８を参照
して説明する。図６は、本発明のアクティブマトリクス
基板の好ましい別の例を示す概略部分平面図であり；図
７は、図６のアクティブマトリクス基板のVII−VII線に
よる断面図であり；そして、図８は、図６のアクティブ
マトリクス基板のVIII−VIII線による断面図である。
【００９６】図６に示すように、本発明のアクティブマ
トリクス基板は、基板１上に、走査線として機能する複
数のゲートバス配線１５が互いに平行に形成され、該ゲ
ートバス配線に直交するように、信号線として機能する
複数のソースバス配線１６が互いに平行に形成されてい
る。ゲートバス配線１５とソースバス配線１６とは絶縁
膜を介して相互に絶縁されている。ゲートバス配線１５
およびソースバス配線１６で囲まれた矩形の領域のそれ
ぞれに画素電極１２が配され、マトリクス状の画素電極
を形成している。それぞれの画素電極部分でゲートバス
配線が分岐し、スイッチング素子として機能するＴＦＴ
３のゲート電極５を形成している。ＴＦＴ３、ソースバ
ス配線１６およびゲートバス配線１５を覆って、上述の
疎水性の有機樹脂保護膜１１が形成されている。
トリクス基板は、基板１上に、走査線として機能する複
数のゲートバス配線１５が互いに平行に形成され、該ゲ
ートバス配線に直交するように、信号線として機能する
複数のソースバス配線１６が互いに平行に形成されてい
る。ゲートバス配線１５とソースバス配線１６とは絶縁
膜を介して相互に絶縁されている。ゲートバス配線１５
およびソースバス配線１６で囲まれた矩形の領域のそれ
ぞれに画素電極１２が配され、マトリクス状の画素電極
を形成している。それぞれの画素電極部分でゲートバス
配線が分岐し、スイッチング素子として機能するＴＦＴ
３のゲート電極５を形成している。ＴＦＴ３、ソースバ
ス配線１６およびゲートバス配線１５を覆って、上述の
疎水性の有機樹脂保護膜１１が形成されている。
【００９７】図７を参照して、本発明のアクティブマト
リクス基板についてさらに詳しく説明する。ＴＦＴ３
は、ゲートバス配線１５から分岐したゲート電極５と、
ゲート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６
上のゲート電極５に対応する部分に形成された半導体層
７と、半導体層７上に形成された絶縁膜１０と、絶縁膜
１０の一部と半導体層７とを覆って半導体層７の両端部
にそれぞれ形成されたコンタクト層８ａおよび８ｂと、
それぞれの端部がコンタクト層８ａおよび８ｂの端部と
重なるように形成されたソース電極９ａおよびドレイン
電極９ｂとを有している。ドレイン電極９ｂの一部と重
なるように画素電極１２が設けられ、ＴＦＴ３と画素電
極１２の一部とを覆って疎水性の有機樹脂保護膜１１が
形成されている。
リクス基板についてさらに詳しく説明する。ＴＦＴ３
は、ゲートバス配線１５から分岐したゲート電極５と、
ゲート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６
上のゲート電極５に対応する部分に形成された半導体層
７と、半導体層７上に形成された絶縁膜１０と、絶縁膜
１０の一部と半導体層７とを覆って半導体層７の両端部
にそれぞれ形成されたコンタクト層８ａおよび８ｂと、
それぞれの端部がコンタクト層８ａおよび８ｂの端部と
重なるように形成されたソース電極９ａおよびドレイン
電極９ｂとを有している。ドレイン電極９ｂの一部と重
なるように画素電極１２が設けられ、ＴＦＴ３と画素電
極１２の一部とを覆って疎水性の有機樹脂保護膜１１が
形成されている。
【００９８】さらに、図８を参照して、カラー画素部１
３について説明する。ソースバス配線１６とゲートバス
配線１５とに囲まれた部分に画素電極１２が設けられ、
ソースバス配線１６と画素電極１２の一部とを覆って有
機樹脂保護膜１１が形成されている。この有機樹脂保護
膜１１に囲まれた部分に、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーインクが
所定の配列で配され、カラー画素部１３が構成されてい
る。すなわち、アクティブマトリクス基板とは別にカラ
ーフィルターを作製することなく、基板１上にカラー画
素部（すなわち、カラーフィルター）１３が直接形成さ
れる。
３について説明する。ソースバス配線１６とゲートバス
配線１５とに囲まれた部分に画素電極１２が設けられ、
ソースバス配線１６と画素電極１２の一部とを覆って有
機樹脂保護膜１１が形成されている。この有機樹脂保護
膜１１に囲まれた部分に、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーインクが
所定の配列で配され、カラー画素部１３が構成されてい
る。すなわち、アクティブマトリクス基板とは別にカラ
ーフィルターを作製することなく、基板１上にカラー画
素部（すなわち、カラーフィルター）１３が直接形成さ
れる。
【００９９】Ｃ．液晶表示装置 本発明の液晶表示装置の好ましい一例として、透過型液
晶表示装置について図９を参照して説明する。図９は、
液晶表示装置に用いられる液晶表示パネル９１の概略断
面図である。
晶表示装置について図９を参照して説明する。図９は、
液晶表示装置に用いられる液晶表示パネル９１の概略断
面図である。
【０１００】液晶表示パネル９１は、上述のアクティブ
マトリクス基板９２と対向電極が形成された対向基板９
３とが対向して配置されている。アクティブマトリクス
基板９２と対向基板９３との間には表示媒体としての液
晶層９４が設けられ、液晶層９４を挟持した両基板は周
縁部をシール材９７で貼り合わされている。さらに、両
基板の外側には、偏光板９５ａ、９５ｂが設けられてい
る。
マトリクス基板９２と対向電極が形成された対向基板９
３とが対向して配置されている。アクティブマトリクス
基板９２と対向基板９３との間には表示媒体としての液
晶層９４が設けられ、液晶層９４を挟持した両基板は周
縁部をシール材９７で貼り合わされている。さらに、両
基板の外側には、偏光板９５ａ、９５ｂが設けられてい
る。
【０１０１】両基板の液晶層と接する側の表面に、ポリ
イミド樹脂などでなる配向膜９６が所定の厚みで形成さ
れている。配向膜９６には、液晶層９４の液晶分子が所
定の配向状態（例えば、ＴＮ配向、ＳＴＮ配向）となる
ように配向処理（例えば、ラビング処理）が施されてい
る。
イミド樹脂などでなる配向膜９６が所定の厚みで形成さ
れている。配向膜９６には、液晶層９４の液晶分子が所
定の配向状態（例えば、ＴＮ配向、ＳＴＮ配向）となる
ように配向処理（例えば、ラビング処理）が施されてい
る。
【０１０２】液晶層９４を形成する液晶材料は、常温付
近で液晶挙動を示す有機混合物であり、公知の材料が使
用され得る。液晶のタイプとしては、ネマチック液晶、
コレステリック液晶、スメクチック液晶、強誘電性液
晶、ディスコティック液晶などが挙げられる。これらの
液晶材料は、単独で、または混合して用いられ得る。駆
動される液晶の動作モードとしては、ＴＮ、ＳＴＮ、Ｅ
ＣＢ、ＦＬＣなどの複屈折と偏光とを利用するモードな
らいずれでもよい。
近で液晶挙動を示す有機混合物であり、公知の材料が使
用され得る。液晶のタイプとしては、ネマチック液晶、
コレステリック液晶、スメクチック液晶、強誘電性液
晶、ディスコティック液晶などが挙げられる。これらの
液晶材料は、単独で、または混合して用いられ得る。駆
動される液晶の動作モードとしては、ＴＮ、ＳＴＮ、Ｅ
ＣＢ、ＦＬＣなどの複屈折と偏光とを利用するモードな
らいずれでもよい。
【０１０３】このような液晶表示パネル９１を備える液
晶表示装置では、基板に形成された各画素電極に供給さ
れる画像信号に従って液晶の透過率が変化し、これによ
りバックライト（図示せず）から入射される光を変調し
て透過させることによって、カラー画像の表示が行われ
る。本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基
板９２がカラーフィルターとしても機能し得るので、カ
ラーフィルターをさらに設けることなくカラー画像の表
示が行われる。
晶表示装置では、基板に形成された各画素電極に供給さ
れる画像信号に従って液晶の透過率が変化し、これによ
りバックライト（図示せず）から入射される光を変調し
て透過させることによって、カラー画像の表示が行われ
る。本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基
板９２がカラーフィルターとしても機能し得るので、カ
ラーフィルターをさらに設けることなくカラー画像の表
示が行われる。
【０１０４】以下、作用について説明する。
【０１０５】本発明によれば、アクティブマトリクス基
板の有機樹脂保護膜を形成する樹脂組成物が、特定の分
子構造の４級アンモニウム塩部分を有する樹脂を含む。
このようなアンモニウム塩部分は、通常の加熱処理によ
ってアンモニアまたはアミン（第１級アミン、第２級ア
ミン、第３級アミン）に変化する。しかも、アンモニア
またはアミンは、加熱によって容易に気化する。このよ
うなアンモニウム塩部分の特性を利用することにより、
有機樹脂保護膜中の樹脂の親水性部分（塩部分、すなわ
ち、-COO-部分）が、きわめて容易に疎水性（すなわ
ち、-COOH）に変化する。従って、有機樹脂保護膜中の
樹脂が親水性から疎水性に変化し、その結果、有機樹脂
保護膜が親水性から疎水性に変化する。
板の有機樹脂保護膜を形成する樹脂組成物が、特定の分
子構造の４級アンモニウム塩部分を有する樹脂を含む。
このようなアンモニウム塩部分は、通常の加熱処理によ
ってアンモニアまたはアミン（第１級アミン、第２級ア
ミン、第３級アミン）に変化する。しかも、アンモニア
またはアミンは、加熱によって容易に気化する。このよ
うなアンモニウム塩部分の特性を利用することにより、
有機樹脂保護膜中の樹脂の親水性部分（塩部分、すなわ
ち、-COO-部分）が、きわめて容易に疎水性（すなわ
ち、-COOH）に変化する。従って、有機樹脂保護膜中の
樹脂が親水性から疎水性に変化し、その結果、有機樹脂
保護膜が親水性から疎水性に変化する。
【０１０６】このように、本発明によれば、有機樹脂保
護膜（すなわち、樹脂組成物）が親水性から疎水性へと
容易に変化するので、以下のような利点を有する： （１）通常の加熱乾燥のみによりアクティブマトリクス
基板の保護膜が形成されるので、従来の保護膜のように
ＣＶＤなどの真空プロセスを用いる必要がない。そのた
め、基板の（結果として、液晶表示装置の）製造プロセ
スが大幅に簡略化される。
護膜（すなわち、樹脂組成物）が親水性から疎水性へと
容易に変化するので、以下のような利点を有する： （１）通常の加熱乾燥のみによりアクティブマトリクス
基板の保護膜が形成されるので、従来の保護膜のように
ＣＶＤなどの真空プロセスを用いる必要がない。そのた
め、基板の（結果として、液晶表示装置の）製造プロセ
スが大幅に簡略化される。
【０１０７】（２）有機樹脂保護膜の形成プロセスにお
いて、基板に塗布する樹脂組成物が非常に優れた基板と
の密着性（すなわち、親水性）を有する。従って、得ら
れる有機樹脂保護膜は、以後の液晶表示装置の製造工程
において、基板からの剥がれがきわめて少ない。その結
果、非常に高歩留まりで液晶表示装置が製造され得る。
いて、基板に塗布する樹脂組成物が非常に優れた基板と
の密着性（すなわち、親水性）を有する。従って、得ら
れる有機樹脂保護膜は、以後の液晶表示装置の製造工程
において、基板からの剥がれがきわめて少ない。その結
果、非常に高歩留まりで液晶表示装置が製造され得る。
【０１０８】しかも、得られる有機樹脂保護膜は疎水性
に容易に変化し、カラーインクをはじくようになるの
で、カラー画素部（すなわち、カラーフィルター）の各
インクの色滲みおよび混色が全く生じない。従って、カ
ラー表示性能に非常に優れたアクティブマトリクス基板
（結果として、液晶表示装置）が得られる。
に容易に変化し、カラーインクをはじくようになるの
で、カラー画素部（すなわち、カラーフィルター）の各
インクの色滲みおよび混色が全く生じない。従って、カ
ラー表示性能に非常に優れたアクティブマトリクス基板
（結果として、液晶表示装置）が得られる。
【０１０９】（３）アクティブマトリクス基板上に、容
易に、かつ、色滲みさせることなくカラーインクを付着
させることができるので、カラーフィルターを別に作製
する必要がなく、しかも、Ｒ、Ｇ、Ｂの各インクのフォ
トリソグラフィープロセスが不要である。その結果、非
常に安価で、かつ、開口率の高いアクティブマトリクス
基板（結果として、液晶表示装置）が得られる。
易に、かつ、色滲みさせることなくカラーインクを付着
させることができるので、カラーフィルターを別に作製
する必要がなく、しかも、Ｒ、Ｇ、Ｂの各インクのフォ
トリソグラフィープロセスが不要である。その結果、非
常に安価で、かつ、開口率の高いアクティブマトリクス
基板（結果として、液晶表示装置）が得られる。
【０１１０】（４）各カラーインクの色滲みが顕著に防
止されるので、従来は付着させることが不可能であった
部分にまで、カラーインクを付着させることができる。
そのため、有機樹脂保護膜の面積を最小限に（すなわ
ち、画素電極の面積を最大限に）することが可能であ
り、開口率がきわめて大きく、明るい液晶表示装置が得
られる。
止されるので、従来は付着させることが不可能であった
部分にまで、カラーインクを付着させることができる。
そのため、有機樹脂保護膜の面積を最小限に（すなわ
ち、画素電極の面積を最大限に）することが可能であ
り、開口率がきわめて大きく、明るい液晶表示装置が得
られる。
【０１１１】（５）樹脂組成物にカーボンブラックを含
有させて黒色の有機樹脂保護膜を形成する場合には、対
向基板に遮光膜を形成する際に従来は必要であった貼り
合わせずれのマージンが不要となる。そのため、遮光膜
の面積を最小化でき、カラー部の面積を拡大することが
できる。
有させて黒色の有機樹脂保護膜を形成する場合には、対
向基板に遮光膜を形成する際に従来は必要であった貼り
合わせずれのマージンが不要となる。そのため、遮光膜
の面積を最小化でき、カラー部の面積を拡大することが
できる。
【０１１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。なお、以下の実施例において特に明記しない場合
は、「部」および「％」は重量基準である。
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。なお、以下の実施例において特に明記しない場合
は、「部」および「％」は重量基準である。
【０１１３】最初に、本発明のアクティブマトリクス基
板の有機樹脂保護膜に用いられる樹脂組成物、および本
発明のアクティブマトリクス基板のカラー画素部を構成
するカラーインクの調製について、製造例を用いて具体
的に説明する。
板の有機樹脂保護膜に用いられる樹脂組成物、および本
発明のアクティブマトリクス基板のカラー画素部を構成
するカラーインクの調製について、製造例を用いて具体
的に説明する。
【０１１４】（製造例１：有機樹脂保護膜形成用の樹脂
組成物の調製）スチレン：無水マレイン酸モノエチルエ
ステル共重合体（モル比１：１）の４０％アセトン溶液
１００ｇを、３０％アンモニア水１５ｃｃと純水１８５
ｃｃとの水溶液に、撹拌しながら徐々に添加した。次い
で、この混合溶液を、４０〜４５℃に加温してアンモニ
ア臭がなくなるまで反応させた。反応終了後、減圧蒸留
によりアセトンを除去し、均一な水性組成物を得た。こ
の組成物に含まれる共重合体樹脂は、表１に示すよう
に、モノマー単位Ａとしてスチレンモノマー単位と、モ
ノマー単位Ｂとしてマレイン酸モノマー単位と、４級ア
ンモニウム塩部分として２価のアンモニウムカチオンと
を有している。
組成物の調製）スチレン：無水マレイン酸モノエチルエ
ステル共重合体（モル比１：１）の４０％アセトン溶液
１００ｇを、３０％アンモニア水１５ｃｃと純水１８５
ｃｃとの水溶液に、撹拌しながら徐々に添加した。次い
で、この混合溶液を、４０〜４５℃に加温してアンモニ
ア臭がなくなるまで反応させた。反応終了後、減圧蒸留
によりアセトンを除去し、均一な水性組成物を得た。こ
の組成物に含まれる共重合体樹脂は、表１に示すよう
に、モノマー単位Ａとしてスチレンモノマー単位と、モ
ノマー単位Ｂとしてマレイン酸モノマー単位と、４級ア
ンモニウム塩部分として２価のアンモニウムカチオンと
を有している。
【０１１５】
【表１】
【０１１６】（製造例２〜７：有機樹脂保護膜形成用の
樹脂組成物の調製）上記表１に示すようなモノマー単位
Ａ、モノマー単位Ｂ、および４級アンモニウム塩部分を
有する共重合体樹脂を得るようにしたこと以外は、製造
例１と同様にして樹脂組成物を調製した。
樹脂組成物の調製）上記表１に示すようなモノマー単位
Ａ、モノマー単位Ｂ、および４級アンモニウム塩部分を
有する共重合体樹脂を得るようにしたこと以外は、製造
例１と同様にして樹脂組成物を調製した。
【０１１７】（製造例８：有機樹脂保護膜形成用の樹脂
組成物の調製）スチレン：C2H2(COO-)(COOCH2CF3)NH4 +
共重合体（モル比５：1）の４０％メチルエチルケトン
溶液１００ｇに、カーボンブラック（三菱カーボン社
製、ＭＡ−１００）１０ｇを加えた。この混合物を、ペ
イントコンディショナーを用いて３０分間振動させ、カ
ーボンブラックの微細分散化処理を行い分散液を得た。
純枠２５０ｇにトリエチルアミン３．０ｇを溶解させた
溶液に、得られた分散液を撹拌しながら徐々に添加し
た。ついで、分散液が添加された溶液を、８０℃に加温
して約１時間反応させた。反応終了後、減圧蒸留により
メチルエチルケトンを除去し、水性の分散系ブラックイ
ンク（すなわち、樹脂組成物）を得た。得られた組成物
の粘性は、４００ｃｐ（３０℃）であった。
組成物の調製）スチレン：C2H2(COO-)(COOCH2CF3)NH4 +
共重合体（モル比５：1）の４０％メチルエチルケトン
溶液１００ｇに、カーボンブラック（三菱カーボン社
製、ＭＡ−１００）１０ｇを加えた。この混合物を、ペ
イントコンディショナーを用いて３０分間振動させ、カ
ーボンブラックの微細分散化処理を行い分散液を得た。
純枠２５０ｇにトリエチルアミン３．０ｇを溶解させた
溶液に、得られた分散液を撹拌しながら徐々に添加し
た。ついで、分散液が添加された溶液を、８０℃に加温
して約１時間反応させた。反応終了後、減圧蒸留により
メチルエチルケトンを除去し、水性の分散系ブラックイ
ンク（すなわち、樹脂組成物）を得た。得られた組成物
の粘性は、４００ｃｐ（３０℃）であった。
【０１１８】（製造例９：カラーインクの調製）赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各カラーインクを、以下
のようにして調製した： （Ａ）赤色顔料（ＰＲ１７７）５部、界面活性剤（日本
乳化剤社製、ニューコール７１０Ｆ）５部、メラミン樹
脂（住友化学社製、スミテックスレジンＭ−３）１部、
および水８９部を混合し、この混合物を、ペイントコン
デショナーを用いて室温で１時間振動させ、顔料の微細
分散化処理を行うことにより、赤インクを調製した。 （Ｂ）赤色顔料（ＰＲ１７７）の代わりに緑色顔料（Ｐ
Ｇ−３６）を用いたこと以外は上記（Ａ）と同様にし
て、緑インクを調製した。 （Ｃ）赤色顔料（ＰＲ１７７）の代わりに青色顔料（Ｐ
Ｂ−１５）を用いたこと以外は上記（Ａ）と同様にし
て、青インクを調製した。
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各カラーインクを、以下
のようにして調製した： （Ａ）赤色顔料（ＰＲ１７７）５部、界面活性剤（日本
乳化剤社製、ニューコール７１０Ｆ）５部、メラミン樹
脂（住友化学社製、スミテックスレジンＭ−３）１部、
および水８９部を混合し、この混合物を、ペイントコン
デショナーを用いて室温で１時間振動させ、顔料の微細
分散化処理を行うことにより、赤インクを調製した。 （Ｂ）赤色顔料（ＰＲ１７７）の代わりに緑色顔料（Ｐ
Ｇ−３６）を用いたこと以外は上記（Ａ）と同様にし
て、緑インクを調製した。 （Ｃ）赤色顔料（ＰＲ１７７）の代わりに青色顔料（Ｐ
Ｂ−１５）を用いたこと以外は上記（Ａ）と同様にし
て、青インクを調製した。
【０１１９】（実施例１）厚み１．１ｍｍのガラス基板
上に、タンタルを厚み０．５μｍで堆積した。次に、こ
のタンタルを、フォトリソグラフィー法およびエッチン
グ法によりパターニングし、多数の平行なゲートバス配
線と、ゲートバス配線から分岐したゲート電極とを形成
した。ゲートバス配線およびゲート電極が形成されたガ
ラス基板全面にＳｉＮXを厚み０．５μｍで堆積し、ゲ
ート絶縁膜を形成した。ゲート絶縁膜上に、ノンドープ
のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉとする）を厚
み０．０３μｍで堆積して半導体層を形成した。次い
で、 ＳｉＮXを厚み０．０２μｍで堆積し、ゲート電極
５の上方部分のみにＳｉＮXを残すようにパターニング
することにより、絶縁膜を形成した。次に、このガラス
基板全面に、リン（Ｐ）をドープしたアモルファスシリ
コン（以下、ｎ+型ａ−Ｓｉとする）をプラズマＣＶＤ
法により厚み０．０４５μｍで堆積し、コンタクト層を
形成した。次に、コンタクト層が形成された基板の全面
に、スパッタリング法によりチタンを厚み０．２μｍで
堆積した後、エッチングにより所定のパターンにパター
ニングすることにより、ソース電極およびドレイン電
極、ならびにソースバス配線を同時に形成した（このと
き、コンタクト層の不要な部分も同時に取り除き、ソー
ス電極と接続するコンタクト層と、ドレイン電極と接続
するコンタクト層とを形成した）。このようにして、基
板上にＴＦＴを形成した。
上に、タンタルを厚み０．５μｍで堆積した。次に、こ
のタンタルを、フォトリソグラフィー法およびエッチン
グ法によりパターニングし、多数の平行なゲートバス配
線と、ゲートバス配線から分岐したゲート電極とを形成
した。ゲートバス配線およびゲート電極が形成されたガ
ラス基板全面にＳｉＮXを厚み０．５μｍで堆積し、ゲ
ート絶縁膜を形成した。ゲート絶縁膜上に、ノンドープ
のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉとする）を厚
み０．０３μｍで堆積して半導体層を形成した。次い
で、 ＳｉＮXを厚み０．０２μｍで堆積し、ゲート電極
５の上方部分のみにＳｉＮXを残すようにパターニング
することにより、絶縁膜を形成した。次に、このガラス
基板全面に、リン（Ｐ）をドープしたアモルファスシリ
コン（以下、ｎ+型ａ−Ｓｉとする）をプラズマＣＶＤ
法により厚み０．０４５μｍで堆積し、コンタクト層を
形成した。次に、コンタクト層が形成された基板の全面
に、スパッタリング法によりチタンを厚み０．２μｍで
堆積した後、エッチングにより所定のパターンにパター
ニングすることにより、ソース電極およびドレイン電
極、ならびにソースバス配線を同時に形成した（このと
き、コンタクト層の不要な部分も同時に取り除き、ソー
ス電極と接続するコンタクト層と、ドレイン電極と接続
するコンタクト層とを形成した）。このようにして、基
板上にＴＦＴを形成した。
【０１２０】次に、得られた基板に、製造例１の樹脂組
成物をスピン塗布法により厚み３μｍで塗布し、組成物
が塗布されていない側をホットプレートを用いて約１０
０℃で約５分間加熱し、組成物を乾燥すると同時に親水
性から疎水性へと変化させた。このようにして、疎水性
の有機樹脂保護膜を形成した。
成物をスピン塗布法により厚み３μｍで塗布し、組成物
が塗布されていない側をホットプレートを用いて約１０
０℃で約５分間加熱し、組成物を乾燥すると同時に親水
性から疎水性へと変化させた。このようにして、疎水性
の有機樹脂保護膜を形成した。
【０１２１】次に、有機樹脂保護膜が形成された基板に
レジストを塗布し、遮光マスクを介して光を照射するこ
とにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に（すなわち、
ＴＦＴ、ソースバス配線およびゲートバス配線を覆うよ
うに）パターニングした。その際、コンタクトホールを
同時に形成した。さらに、コンタクトホールを形成した
基板全面に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を厚み
０．０８μｍで堆積した。このＩＴＯ膜を所定の形状に
パターニングし、ＴＦＴのドレイン電極と電気的に接続
してマトリクス上に配列された画素電極を形成した。
レジストを塗布し、遮光マスクを介して光を照射するこ
とにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に（すなわち、
ＴＦＴ、ソースバス配線およびゲートバス配線を覆うよ
うに）パターニングした。その際、コンタクトホールを
同時に形成した。さらに、コンタクトホールを形成した
基板全面に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を厚み
０．０８μｍで堆積した。このＩＴＯ膜を所定の形状に
パターニングし、ＴＦＴのドレイン電極と電気的に接続
してマトリクス上に配列された画素電極を形成した。
【０１２２】次に、インクジェット装置（当社試作機）
を用いて、製造例９のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを、基
板上の上記有機樹脂保護膜が形成されていない部分の所
定の位置に付着させた。このようにして、基板の所定の
位置にＲ、Ｇ、Ｂの画素を形成した。形成された各画素
を１２０℃で１０分間熱硬化させ、カラー画素部（すな
わち、カラーフィルター）を作製した。なお、硬化後の
各画素の厚みは２．４μｍであった。以上のようにし
て、図１、図２および図３に示すようなアクティブマト
リクス基板を作製した。
を用いて、製造例９のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを、基
板上の上記有機樹脂保護膜が形成されていない部分の所
定の位置に付着させた。このようにして、基板の所定の
位置にＲ、Ｇ、Ｂの画素を形成した。形成された各画素
を１２０℃で１０分間熱硬化させ、カラー画素部（すな
わち、カラーフィルター）を作製した。なお、硬化後の
各画素の厚みは２．４μｍであった。以上のようにし
て、図１、図２および図３に示すようなアクティブマト
リクス基板を作製した。
【０１２３】上記のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板の有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によ
れば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認
された。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体
の４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカル
ボキシル基（すなわち、-COOH）に変化することによ
り、有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化すること
が確認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜
形成後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴ
Ｏの蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）
において、基板から剥がれることがなく、基板との密着
性に優れた保護膜であることが確認された。
トリクス基板の有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によ
れば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認
された。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体
の４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカル
ボキシル基（すなわち、-COOH）に変化することによ
り、有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化すること
が確認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜
形成後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴ
Ｏの蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）
において、基板から剥がれることがなく、基板との密着
性に優れた保護膜であることが確認された。
【０１２４】上記のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板のカラー画素部（カラーフィルター）を光
学顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みお
よび混色が全く認められなかった。このカラー画素部
は、色差むらも全く認められなかった。さらに、このア
クティブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作
製する必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パター
ンの現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕
著に減少した。
トリクス基板のカラー画素部（カラーフィルター）を光
学顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みお
よび混色が全く認められなかった。このカラー画素部
は、色差むらも全く認められなかった。さらに、このア
クティブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作
製する必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パター
ンの現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕
著に減少した。
【０１２５】（実施例２〜６）製造例２〜６の樹脂組成
物を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてアクティ
ブマトリクス基板を作製し、実施例１と同様にして保護
膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
物を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてアクティ
ブマトリクス基板を作製し、実施例１と同様にして保護
膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１２６】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１２７】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１２８】（実施例７）製造例７の樹脂組成物を用い
たこと、およびこの組成物をオフセット印刷法により基
板に塗布したこと以外は、実施例１と同様にしてアクテ
ィブマトリクス基板を作製し、実施例１と同様にして保
護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
たこと、およびこの組成物をオフセット印刷法により基
板に塗布したこと以外は、実施例１と同様にしてアクテ
ィブマトリクス基板を作製し、実施例１と同様にして保
護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１２９】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１３０】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１３１】（実施例８）実施例１で作製したアクティ
ブマトリクス基板に、ポリイミド樹脂でなる配向膜をオ
フセット印刷法を用いて厚み０．０８μｍで形成し、配
向処理を施した。一方、厚み１．１ｍｍのガラス基板の
全面にＩＴＯ膜を厚み０．０８μｍで形成した対向基板
に、ポリイミド樹脂でなる配向膜をオフセット印刷法を
用いて厚み０．０８μｍで形成し、配向処理を施した。
基板を対向して貼り合わせた際に液晶が所定の配向状態
をとるように、互いの基板の配向処理を行った。このア
クティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、貼
り合わせた基板間に公知の方法で液晶を注入した。さら
に、基板の外側に偏光板を配置し、液晶表示装置を作製
した。この液晶表示装置の表示品質を調べた。
ブマトリクス基板に、ポリイミド樹脂でなる配向膜をオ
フセット印刷法を用いて厚み０．０８μｍで形成し、配
向処理を施した。一方、厚み１．１ｍｍのガラス基板の
全面にＩＴＯ膜を厚み０．０８μｍで形成した対向基板
に、ポリイミド樹脂でなる配向膜をオフセット印刷法を
用いて厚み０．０８μｍで形成し、配向処理を施した。
基板を対向して貼り合わせた際に液晶が所定の配向状態
をとるように、互いの基板の配向処理を行った。このア
クティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、貼
り合わせた基板間に公知の方法で液晶を注入した。さら
に、基板の外側に偏光板を配置し、液晶表示装置を作製
した。この液晶表示装置の表示品質を調べた。
【０１３２】この液晶表示装置は、アクティブマトリク
ス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配線お
よびゲートバス配線上にも）画素電極が形成されるの
で、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開口
率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装置
が得られた。さらに、この液晶表示装置は、アクティブ
マトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混色が全
くないので、カラー表示性能に非常に優れていた。さら
に、この液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板が
安価に製造されるので、従来に比べて低コスト製造する
ことが可能であった。
ス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配線お
よびゲートバス配線上にも）画素電極が形成されるの
で、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開口
率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装置
が得られた。さらに、この液晶表示装置は、アクティブ
マトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混色が全
くないので、カラー表示性能に非常に優れていた。さら
に、この液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板が
安価に製造されるので、従来に比べて低コスト製造する
ことが可能であった。
【０１３３】（実施例９〜１４）実施例２〜７のアクテ
ィブマトリクス基板を用いたこと以外は、実施例８と同
様にして液晶表示装置を作製し、表示品質を調べた。
ィブマトリクス基板を用いたこと以外は、実施例８と同
様にして液晶表示装置を作製し、表示品質を調べた。
【０１３４】これらの液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配
線およびゲートバス配線上にも）画素電極が形成される
ので、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開
口率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装
置が得られた。さらに、これらの液晶表示装置は、アク
ティブマトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混
色が全くないので、カラー表示性能に非常に優れてい
た。さらに、これらの液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板が安価に製造されるので、従来に比べて低コ
スト製造することが可能であった。
リクス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配
線およびゲートバス配線上にも）画素電極が形成される
ので、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開
口率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装
置が得られた。さらに、これらの液晶表示装置は、アク
ティブマトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混
色が全くないので、カラー表示性能に非常に優れてい
た。さらに、これらの液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板が安価に製造されるので、従来に比べて低コ
スト製造することが可能であった。
【０１３５】（実施例１５）実施例１と同様の手順で、
基板上にＴＦＴを形成した。ＴＦＴが形成された基板
に、製造例１の樹脂組成物をスピン塗布法により厚み３
μｍで塗布し、組成物が塗布されていない側をホットプ
レートを用いて約１００℃で約５分間加熱し、組成物を
乾燥すると同時に親水性から疎水性へと変化させた。こ
のようにして、疎水性の有機樹脂保護膜を形成した。
基板上にＴＦＴを形成した。ＴＦＴが形成された基板
に、製造例１の樹脂組成物をスピン塗布法により厚み３
μｍで塗布し、組成物が塗布されていない側をホットプ
レートを用いて約１００℃で約５分間加熱し、組成物を
乾燥すると同時に親水性から疎水性へと変化させた。こ
のようにして、疎水性の有機樹脂保護膜を形成した。
【０１３６】次に、有機樹脂保護膜が形成された基板に
レジストを塗布し、遮光マスクを介して光を照射するこ
とにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に（すなわち、
ＴＦＴ、ソースバス配線およびゲートバス配線を覆うよ
うに）パターニングした。その際、コンタクトホールを
同時に形成した。次に、ＴＦＴと有機樹脂保護膜が形成
された基板に、インクジェット装置（当社試作機）を用
いて、製造例９のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを、基板上
の上記有機樹脂保護膜が形成されていない部分の所定の
位置に付着させた。このようにして、基板の所定の位置
にＲ、Ｇ、Ｂの画素を形成した。形成された各画素を１
２０℃で１０分間熱硬化させ、カラー画素部（すなわ
ち、カラーフィルター）を作製した。なお、硬化後の各
画素の厚みは２．４μｍであった。
レジストを塗布し、遮光マスクを介して光を照射するこ
とにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に（すなわち、
ＴＦＴ、ソースバス配線およびゲートバス配線を覆うよ
うに）パターニングした。その際、コンタクトホールを
同時に形成した。次に、ＴＦＴと有機樹脂保護膜が形成
された基板に、インクジェット装置（当社試作機）を用
いて、製造例９のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを、基板上
の上記有機樹脂保護膜が形成されていない部分の所定の
位置に付着させた。このようにして、基板の所定の位置
にＲ、Ｇ、Ｂの画素を形成した。形成された各画素を１
２０℃で１０分間熱硬化させ、カラー画素部（すなわ
ち、カラーフィルター）を作製した。なお、硬化後の各
画素の厚みは２．４μｍであった。
【０１３７】さらに、カラー画素部を形成した基板全面
に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を厚み０．０８μ
ｍで堆積した。このＩＴＯ膜を所定の形状にパターニン
グし、ＴＦＴのドレイン電極とコンタクトホールを介し
て電気的に接続したマトリクス上に配列された画素電極
を形成した。以上のようにして、図４に示すようなカラ
ー画素部を有するアクティブマトリクス基板を作製し
た。
に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を厚み０．０８μ
ｍで堆積した。このＩＴＯ膜を所定の形状にパターニン
グし、ＴＦＴのドレイン電極とコンタクトホールを介し
て電気的に接続したマトリクス上に配列された画素電極
を形成した。以上のようにして、図４に示すようなカラ
ー画素部を有するアクティブマトリクス基板を作製し
た。
【０１３８】上記のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板の有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によ
れば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認
された。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体
の４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカル
ボキシル基（すなわち、-COOH）に変化することによ
り、有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化すること
が確認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜
形成後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴ
Ｏの蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）
において、基板から剥がれることがなく、基板との密着
性に優れた保護膜であることが確認された。
トリクス基板の有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によ
れば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認
された。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体
の４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカル
ボキシル基（すなわち、-COOH）に変化することによ
り、有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化すること
が確認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜
形成後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴ
Ｏの蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）
において、基板から剥がれることがなく、基板との密着
性に優れた保護膜であることが確認された。
【０１３９】上記のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板のカラー画素部（カラーフィルター）を光
学顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みお
よび混色が全く認められなかった。このカラー画素部
は、色差むらも全く認められなかった。さらに、このア
クティブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作
製する必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パター
ンの現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕
著に減少した。
トリクス基板のカラー画素部（カラーフィルター）を光
学顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みお
よび混色が全く認められなかった。このカラー画素部
は、色差むらも全く認められなかった。さらに、このア
クティブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作
製する必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パター
ンの現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕
著に減少した。
【０１４０】（実施例１６〜２０）製造例２〜６の樹脂
組成物を用いたこと以外は、実施例１５と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例１５と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
組成物を用いたこと以外は、実施例１５と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例１５と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１４１】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１４２】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１４３】（実施例２１）製造例７の樹脂組成物を用
いたこと、およびこの組成物をオフセット印刷法により
基板に塗布したこと以外は、実施例１５と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例１５と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
いたこと、およびこの組成物をオフセット印刷法により
基板に塗布したこと以外は、実施例１５と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例１５と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１４４】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１４５】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１４６】（実施例２２〜２８）実施例１５〜２１の
アクティブマトリクス基板を用いたこと以外は、実施例
８と同様にして液晶表示装置を作製し、表示品質を調べ
た。
アクティブマトリクス基板を用いたこと以外は、実施例
８と同様にして液晶表示装置を作製し、表示品質を調べ
た。
【０１４７】これらの液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配
線およびゲートバス配線上にも）画素電極が形成される
ので、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開
口率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装
置が得られた。さらに、これらの液晶表示装置は、アク
ティブマトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混
色が全くないので、カラー表示性能に非常に優れてい
た。さらに、これらの液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板が安価に製造されるので、従来に比べて低コ
スト製造することが可能であった。
リクス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配
線およびゲートバス配線上にも）画素電極が形成される
ので、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開
口率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装
置が得られた。さらに、これらの液晶表示装置は、アク
ティブマトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混
色が全くないので、カラー表示性能に非常に優れてい
た。さらに、これらの液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板が安価に製造されるので、従来に比べて低コ
スト製造することが可能であった。
【０１４８】（実施例２９）実施例１と同様の手順で、
基板上にＴＦＴを形成した。ＴＦＴが形成された基板
に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を厚み０．０８μ
ｍで堆積した。このＩＴＯ膜を所定の形状にパターニン
グし、ＴＦＴのドレイン電極と電気的に接続したマトリ
クス上に配列された画素電極を形成した。
基板上にＴＦＴを形成した。ＴＦＴが形成された基板
に、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を厚み０．０８μ
ｍで堆積した。このＩＴＯ膜を所定の形状にパターニン
グし、ＴＦＴのドレイン電極と電気的に接続したマトリ
クス上に配列された画素電極を形成した。
【０１４９】次に、製造例１の樹脂組成物をスピン塗布
法により厚み３μｍで塗布し、組成物が塗布されていな
い側をホットプレートを用いて約１００℃で約５分間加
熱し、組成物を乾燥すると同時に親水性から疎水性へと
変化させた。このようにして、疎水性の有機樹脂保護膜
を形成した。
法により厚み３μｍで塗布し、組成物が塗布されていな
い側をホットプレートを用いて約１００℃で約５分間加
熱し、組成物を乾燥すると同時に親水性から疎水性へと
変化させた。このようにして、疎水性の有機樹脂保護膜
を形成した。
【０１５０】次に、有機樹脂保護膜が形成された基板に
レジストを塗布し、遮光マスクを介して光を照射するこ
とにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に（すなわち、
ＴＦＴ、ソースバス配線およびゲートバス配線、ならび
に画素電極の一部を覆うように）パターニングした。次
に、ＴＦＴ、画素電極および有機樹脂保護膜が形成され
た基板に、インクジェット装置（当社試作機）を用い
て、製造例９のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを、基板上の
上記有機樹脂保護膜が形成されていない部分の所定の位
置に付着させた。このようにして、基板の所定の位置に
Ｒ、Ｇ、Ｂの画素を形成した。形成された各画素を１２
０℃で１０分間熱硬化させ、カラー画素部（すなわち、
カラーフィルター）を作製した。なお、硬化後の各画素
の厚みは２．４μｍであった。以上のようにして、図
６、図７、および図８に示すようなアクティブマトリク
ス基板を作製した。
レジストを塗布し、遮光マスクを介して光を照射するこ
とにより、有機樹脂保護膜を所定の形状に（すなわち、
ＴＦＴ、ソースバス配線およびゲートバス配線、ならび
に画素電極の一部を覆うように）パターニングした。次
に、ＴＦＴ、画素電極および有機樹脂保護膜が形成され
た基板に、インクジェット装置（当社試作機）を用い
て、製造例９のＲ、Ｇ、Ｂのカラーインクを、基板上の
上記有機樹脂保護膜が形成されていない部分の所定の位
置に付着させた。このようにして、基板の所定の位置に
Ｒ、Ｇ、Ｂの画素を形成した。形成された各画素を１２
０℃で１０分間熱硬化させ、カラー画素部（すなわち、
カラーフィルター）を作製した。なお、硬化後の各画素
の厚みは２．４μｍであった。以上のようにして、図
６、図７、および図８に示すようなアクティブマトリク
ス基板を作製した。
【０１５１】上記のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板の有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によ
れば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認
された。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体
の４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカル
ボキシル基（すなわち、-COOH）に変化することによ
り、有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化すること
が確認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜
形成後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴ
Ｏの蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）
において、基板から剥がれることがなく、基板との密着
性に優れた保護膜であることが確認された。
トリクス基板の有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によ
れば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認
された。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体
の４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカル
ボキシル基（すなわち、-COOH）に変化することによ
り、有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化すること
が確認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜
形成後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴ
Ｏの蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）
において、基板から剥がれることがなく、基板との密着
性に優れた保護膜であることが確認された。
【０１５２】上記のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板のカラー画素部（カラーフィルター）を光
学顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みお
よび混色が全く認められなかった。このカラー画素部
は、色差むらも全く認められなかった。さらに、このア
クティブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作
製する必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パター
ンの現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕
著に減少した。
トリクス基板のカラー画素部（カラーフィルター）を光
学顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みお
よび混色が全く認められなかった。このカラー画素部
は、色差むらも全く認められなかった。さらに、このア
クティブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作
製する必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パター
ンの現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕
著に減少した。
【０１５３】（実施例３０〜３４）製造例２〜６の樹脂
組成物を用いたこと以外は、実施例２９と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例２９と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
組成物を用いたこと以外は、実施例２９と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例２９と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１５４】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１５５】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１５６】（実施例３５）製造例７の樹脂組成物を用
いたこと、およびこの組成物をオフセット印刷法により
基板に塗布したこと以外は、実施例２９と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例２９と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
いたこと、およびこの組成物をオフセット印刷法により
基板に塗布したこと以外は、実施例２９と同様にしてア
クティブマトリクス基板を作製し、実施例２９と同様に
して保護膜の特性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１５７】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１５８】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１５９】（実施例３６〜４２）実施例２９〜３５の
アクティブマトリクス基板を用いたこと以外は、実施例
８と同様にして液晶表示装置を作製し、表示品質を調べ
た。
アクティブマトリクス基板を用いたこと以外は、実施例
８と同様にして液晶表示装置を作製し、表示品質を調べ
た。
【０１６０】その結果、非常に明るい液晶表示装置が得
られた。さらに、これらの液晶表示装置は、アクティブ
マトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混色が全
くないので、カラー表示性能に非常に優れていた。さら
に、これらの液晶表示装置は、アクティブマトリクス基
板が安価に製造されるので、従来に比べて低コスト製造
することが可能であった。
られた。さらに、これらの液晶表示装置は、アクティブ
マトリクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混色が全
くないので、カラー表示性能に非常に優れていた。さら
に、これらの液晶表示装置は、アクティブマトリクス基
板が安価に製造されるので、従来に比べて低コスト製造
することが可能であった。
【０１６１】（実施例４３）製造例８の樹脂組成物を用
いたこと以外は、実施例１と同様にしてアクティブマト
リクス基板を作製し、実施例１と同様にして保護膜の特
性およびカラー画素部の特性を調べた。
いたこと以外は、実施例１と同様にしてアクティブマト
リクス基板を作製し、実施例１と同様にして保護膜の特
性およびカラー画素部の特性を調べた。
【０１６２】有機樹脂保護膜の反射赤外吸収測定によれ
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
ば、カルボン酸に特有の1700cm-1付近のバンドが確認さ
れた。このことから、樹脂組成物に含まれる共重合体の
４級アンモニウム塩部分（すなわち、-COO-）がカルボ
キシル基（すなわち、-COOH）に変化することにより、
有機樹脂保護膜が親水性から疎水性に変化することが確
認された。さらに、この有機樹脂保護膜は、保護膜形成
後の液晶表示装置の一連の製造工程（例えば、ＩＴＯの
蒸着、ポリイミドの塗布、焼成、ラビング、洗浄）にお
いて、基板から剥がれることがなく、基板との密着性に
優れた保護膜であることが確認された。
【０１６３】カラー画素部（カラーフィルター）を光学
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
顕微鏡で観察したところ、各カラーインクの色滲みおよ
び混色が全く認められなかった。このカラー画素部は、
色差むらも全く認められなかった。さらに、このアクテ
ィブマトリクス基板は、カラーフィルターを別に作製す
る必要がなく、かつ、製造時にＲ、Ｇ、Ｂ各パターンの
現像露光工程を必要としないため、製造コストが顕著に
減少した。
【０１６４】（実施例４４）実施例４３のアクティブマ
トリクス基板を用いたこと以外は、実施例８と同様にし
て液晶表示装置を作製し、表示品質を調べた。
トリクス基板を用いたこと以外は、実施例８と同様にし
て液晶表示装置を作製し、表示品質を調べた。
【０１６５】この液晶表示装置は、アクティブマトリク
ス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配線お
よびゲートバス配線上にも）画素電極が形成されるの
で、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開口
率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装置
が得られた。この液晶表示装置は、有機樹脂保護膜が遮
光膜としても機能するので、コントラストに非常に優れ
ていた。しかも、この液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混色が全くな
いので、カラー表示性能に非常に優れていた。さらに、
この液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板が安価
に製造されるので、従来に比べて低コスト製造すること
が可能であった。
ス基板の全面に（すなわち、ＴＦＴ、ソースバス配線お
よびゲートバス配線上にも）画素電極が形成されるの
で、従来の液晶表示装置では達成され得なかった高開口
率が達成された。その結果、非常に明るい液晶表示装置
が得られた。この液晶表示装置は、有機樹脂保護膜が遮
光膜としても機能するので、コントラストに非常に優れ
ていた。しかも、この液晶表示装置は、アクティブマト
リクス基板のカラー画素部の色滲みおよび混色が全くな
いので、カラー表示性能に非常に優れていた。さらに、
この液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板が安価
に製造されるので、従来に比べて低コスト製造すること
が可能であった。
【０１６６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、表示品質
に優れ（すなわち、色滲みおよび混色がなく、かつ、高
開口率で表示画像が明るく）、厚みが小さく、かつ、安
価なアクティブマトリクス基板および液晶表示装置、な
らびにそれらの簡便な製造方法が提供される。本発明の
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置は、ＡＶ
（オーディオビデュアル）機器およびＯＡ（オフィスオ
ートメーション）機器などに好適に使用され得る。
に優れ（すなわち、色滲みおよび混色がなく、かつ、高
開口率で表示画像が明るく）、厚みが小さく、かつ、安
価なアクティブマトリクス基板および液晶表示装置、な
らびにそれらの簡便な製造方法が提供される。本発明の
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置は、ＡＶ
（オーディオビデュアル）機器およびＯＡ（オフィスオ
ートメーション）機器などに好適に使用され得る。
【図１】本発明のアクティブマトリクス基板の好ましい
一例を示す概略部分平面図である。
一例を示す概略部分平面図である。
【図２】図１のアクティブマトリクス基板のII−II線に
よる断面図である。
よる断面図である。
【図３】図１のアクティブマトリクス基板のIII−III線
による断面図であり、本発明のアクティブマトリクス基
板におけるカラー画素部の好ましい一例を説明するため
の図である。
による断面図であり、本発明のアクティブマトリクス基
板におけるカラー画素部の好ましい一例を説明するため
の図である。
【図４】本発明のアクティブマトリクス基板におけるカ
ラー画素部の好ましい別の例を示す断面図である。
ラー画素部の好ましい別の例を示す断面図である。
【図５】本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法
の一例における各工程を説明するための概略図である。
の一例における各工程を説明するための概略図である。
【図６】本発明のアクティブマトリクス基板の好ましい
別の例を示す概略部分平面図である。
別の例を示す概略部分平面図である。
【図７】図６のアクティブマトリクス基板のVII−VII線
による断面図である。
による断面図である。
【図８】図６のアクティブマトリクス基板のVIII−VIII
線による断面図である。
線による断面図である。
【図９】本発明の液晶表示装置に用いられる液晶表示パ
ネルの好ましい一例の概略断面図である。
ネルの好ましい一例の概略断面図である。
１ 基板 ３ ＴＦＴ素子 ５ ゲート電極 ６ ゲート絶縁膜 ７ ａ−Ｓｉ ８ａ，８ｂ ｎ+型ａ−Ｓｉ ９ａ ソース電極 ９ｂ ドレイン電極 １０ 絶縁膜 １１ 有機樹脂保護膜 １１’ コンタクトホール １２ 画素電極 １３ カラーインク（カラー画素部） １５ ゲートバス配線 １６ ソースバス配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−49913（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−230129（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 G02F 1/1335 G02B 5/20
Claims (3)
- 【請求項１】 相互に平行に配置された複数の走査線
と、各走査線とは直交するように配置された相互に平行
な複数の信号線と、一対の信号線および一対の走査線に
よって囲まれた領域にそれぞれ配置された画素電極と、
各画素電極と所定の走査線および信号線にそれぞれ接続
されたスイッチング素子とを具備するアクティブマトリ
クス基板であって、 該走査線および該信号線の少なくとも一部が、疎水性の
有機樹脂保護膜で覆われるとともに該有機樹脂保護膜を
介して該画素電極の一部が重畳し、しかも、前記スイッ
チング素子が該有機樹脂保護膜で覆われており、かつ、
該有機樹脂保護膜にて囲まれた部分に、画素電極に積層
するように親水性のカラーインクが設けられてカラー画
素部が構成されている、アクティブマトリクス基板。 - 【請求項２】 前記有機樹脂保護膜が、カーボンブラッ
クを含有する、請求項１に記載のアクティブマトリクス
基板。 - 【請求項３】 対向する一対の基板間に、表示媒体とし
ての液晶が挟持されている液晶表示装置であって、 該基板の少なくとも一方が、請求項１または２に記載の
アクティブマトリクス基板である、液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06880596A JP3268723B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| US08/822,431 US5919532A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-21 | Active matrix substrate, method for fabricating the same, and liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06880596A JP3268723B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258199A JPH09258199A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3268723B2 true JP3268723B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=13384309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06880596A Expired - Fee Related JP3268723B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5919532A (ja) |
| JP (1) | JP3268723B2 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3420675B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2003-06-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3856889B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2006-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型表示装置および電子デバイス |
| US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
| AU3203199A (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-18 | Trustees Of Princeton University, The | Printed insulators for active and passive electronic devices |
| US7090890B1 (en) | 1998-04-13 | 2006-08-15 | The Trustees Of Princeton University | Modification of polymer optoelectronic properties after film formation by impurity addition or removal |
| JP3230664B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2001-11-19 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
| EP1208603A1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-05-29 | E Ink Corporation | Transistor for an electronically driven display |
| JP3548711B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2004-07-28 | シャープ株式会社 | 液晶用マトリクス基板の製造方法ならびにコンタクトホール形成方法 |
| WO2002031544A1 (fr) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | Procede de formation d"un filtre couleur, procede de formation d"une couche d"elements electroluminescents, procede de fabrication d"un dispositif d"affichage couleur, comprenant ledit filtre et ladite couche, et dispositif d"affichage couleur |
| JP3706033B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2005-10-12 | シャープ株式会社 | 液晶用マトリクス基板の製造方法 |
| JP3706043B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2005-10-12 | シャープ株式会社 | 液晶用マトリクス基板の製造方法 |
| KR100845256B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2008-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| JP3857140B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2006-12-13 | シャープ株式会社 | 液晶用マトリクス基板の製造方法 |
| JP3857142B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2006-12-13 | シャープ株式会社 | 液晶用マトリクス基板の製造方法 |
| JP4042099B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器 |
| JP3787839B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2006-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器 |
| TWI307440B (ja) * | 2002-10-21 | 2009-03-11 | Hannstar Display Corp | |
| KR100935670B1 (ko) * | 2003-04-04 | 2010-01-07 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치, 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
| TWI221942B (en) * | 2003-08-21 | 2004-10-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Liquid crystal display device |
| TWI313513B (en) * | 2006-08-18 | 2009-08-11 | Ind Tech Res Inst | Thin-film transistor and fabrication method thereof |
| TWI336018B (en) * | 2007-11-05 | 2011-01-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and manufacturing method of opposite substrate thereof |
| KR101415563B1 (ko) | 2007-12-07 | 2014-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| TWI382253B (zh) * | 2008-02-04 | 2013-01-11 | Au Optronics Corp | 主動陣列基板、液晶顯示面板及其製作方法 |
| KR101472280B1 (ko) * | 2008-04-15 | 2014-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치 |
| TWI332593B (en) | 2008-06-02 | 2010-11-01 | Au Optronics Corp | Method for fabricating pixel structure |
| KR101525805B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2015-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI328862B (en) * | 2008-07-07 | 2010-08-11 | Au Optronics Corp | Method for fabricating pixel structure |
| TWI343496B (en) * | 2008-07-07 | 2011-06-11 | Au Optronics Corp | Method for fabricating pixel structure |
| WO2010107027A1 (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-23 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタアレイを用いた画像表示装置 |
| KR102069192B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2020-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US10434541B2 (en) * | 2014-02-18 | 2019-10-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Finishing method for a metal surface |
| JP6969086B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2021-11-24 | Jsr株式会社 | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、表示素子および保護膜形成用樹脂組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04123005A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ製造法 |
| JPH07134290A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-05-23 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP06880596A patent/JP3268723B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-21 US US08/822,431 patent/US5919532A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5919532A (en) | 1999-07-06 |
| JPH09258199A (ja) | 1997-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3268723B2 (ja) | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 | |
| US5398126A (en) | Ferroelectric color liquid crystal device lacking alignment defects | |
| US6958799B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP2953594B2 (ja) | 液晶表示装置およびカラーフィルター | |
| JP2739315B2 (ja) | カラーフィルターおよびカラー液晶素子 | |
| EP0735401B1 (en) | Color filter, method of producing the same and liquid crystal display device | |
| US20050195353A1 (en) | Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US6154265A (en) | Liquid crystal device and production process thereof | |
| JP5212447B2 (ja) | カラーフィルタ基板およびこれを用いたフリンジフィールド・スイッチング方式液晶表示装置 | |
| US5831703A (en) | Photosensitive film having birefringence and liquid crystal display device using the same and method for producing the photosensitive film and the liquid crystal display device | |
| KR101608762B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 전사 재료, 포토 스페이서와 그 제조 방법, 표시 장치용 기판, 및 표시 장치 | |
| US5734456A (en) | Ferroelectric liquid crystal device and display having maximum peak of surface roughness of color filter of 0.1 micron or less | |
| JP3171174B2 (ja) | カラーフィルターおよび液晶表示装置 | |
| JP4725170B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法および液晶表示装置 | |
| JP4785236B2 (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JP2010197795A (ja) | カラーフィルタ基板及びそれを用いた液晶表示装置 | |
| JP3192780B2 (ja) | ツイステッドネマチック液晶表示素子 | |
| US20220252942A1 (en) | Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus | |
| JP3528995B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP5158133B2 (ja) | 垂直配向液晶表示装置用基板および垂直配向液晶表示装置 | |
| JP3184761B2 (ja) | 液晶素子、それを備えた画像表示装置及び画像形成装置 | |
| JPH07113717B2 (ja) | カラーフィルター基板および液晶素子 | |
| JP3291863B2 (ja) | 液晶パネル | |
| JP2001235755A (ja) | 液晶パネル体 | |
| KR100500686B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010524 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011227 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080118 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090118 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100118 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130118 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |