KR102069192B1 - 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102069192B1 KR102069192B1 KR1020130014649A KR20130014649A KR102069192B1 KR 102069192 B1 KR102069192 B1 KR 102069192B1 KR 1020130014649 A KR1020130014649 A KR 1020130014649A KR 20130014649 A KR20130014649 A KR 20130014649A KR 102069192 B1 KR102069192 B1 KR 102069192B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- nanocrystals
- metal compound
- pressure
- forming
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims abstract description 74
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ITO Chemical class 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 나노 결정 형성 방법은 제1 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막을 형성하는 단계 및 제1 압력보다 낮은 제2 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 박막내에 나노 결정을 형성하는 방법 및 나노 결정이 형성된 박막으로 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자부품에 사용되는 박막을 형성하기 위한 공정으로는 증착법, 전기도금법, 화학기상 성장법, 스퍼터링법 등이 있는데, 이중에서 박막의 미세조직 및 성분의 조절이 용이하고 양산성이 우수하다는 장점을 가진 스퍼터링법이 널리 사용되고 있다.
스퍼터링 기술은 스퍼터링 타겟의 원자가 기판 상에 막으로서 적층되도록 스퍼터링 타겟을 타격하는 이온을 생성하기 위해 플라즈마가 이용되는 성막 기술이다. 스퍼터링 기술은 특히 반도체 및 광전 산업에 이용되는 다양한 제조 공정에서 금속, 산화물, 질화물, 반도체 박막을 생성하기 위해 사용된다.
한편, 저온에서 스퍼터링 기술로 박막을 적층하는 경우, 비정질의 박막이 형성된다. 그리하여 비정질의 박막은 박막의 밀도를 증가시키거나 광학적 특성을 증가시키는데 한계가 있다. 박막 공정 과정에서 다른 물질을 도핑하거나 첨가하여 상기한 한계를 극복하는 시도가 수행되고 있으나, 이종의 물질이 첨가됨으로써 다른 특성을 저해하는 요인이 되고 있다.
본 발명은 저온에서 박막내에 나노 결정을 형성하는 공정을 제공한다.
그리고, 본 발명은 상기한 나노 결정이 형성된 박막으로 유기 발광 표시 장치를 제조하는 공정을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 나노 결정 형성 방법은, 제1 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 상기 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 단계:를 포함한다.
그리고, 상기 금속 화합물은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있다.
또한, 상기 제1 압력은 상기 제2 압력의 5배 이상일 수 있다.
그리고, 상기 제1 압력은 0.1Pa 내지 1Pa 범위이고, 상기 제2 압력은 0.01Pa 내지 0.1Pa 범위일 수 있다.
또한, 상기 나노 결정의 크기 및 밀도 중 적어도 하나는 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 차가 클수록 증가할 수 있다.
그리고, 상기 금속 화합물 박막은 비정질상일 수 있다.
또한, 상기 금속 화합물 박막의 두께는 100nm이하일 수 있다.
그리고, 상기 나노 결정은, 100℃이하에서 형성될 수 있다.
또한, 상기 금속 화합물 박막은 상기 나노 결정이 형성됨으로써 밀도가 증가할 수 있다.
그리고, 상기 금속 화합물 박막은 상기 나노 결정이 형성됨으로써 광학적 밴드 갭 에너지가 증가할 수 있다.
또한, 상기 나노 결정은, 상기 금속 화합물 박막내의 금속이 결정화될 수 있다.
그리고, 상기 나노 결정은 스퍼터된 입자의 운동 에너지를 이용하여 형성될 수 있다.
그리고, 상기 스퍼터된 입자의 운동 에너지가 증가할수록 상기 나노 결정의 크기 및 밀도 중 적어도 하나가 증가할 수 있다.
또한, 상기 금속 화합물 박막은, ITO, ZnO, SnOx, ZrOx, TiOx, AlOx, TiN, SiN, AlN 중 적어도 하나를 할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 화합물 박막은 앞서 기술한 나노 결정 형성 방법에 의해 형성된 나노 결정을 갖을 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법은,상기 유기 발광 표시 장치의 적어도 일부의 구성요소 포함된 기판상에 반응성 스퍼터링 공정으로 제1 압력에서 금속 화합물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 상기 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 단계:를 포함한다.
그리고, 상기 유기 발광 표시 장치는 기판상에 제1 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층, 제2 전극 및 봉지층을 포함하고, 상기 나노 결정이 형성된 금속 화합물 박막은 상기 봉지층에 포함될 수 있다.
또한, 상기 봉지층은 유기층과 무기층을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 무기층은 상기 나노 결정이 형성된 금속 화합물 박막을 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속 화합물 박막은 비정질상일 수 있다.
상기한 바와 같은 저온에서 반응성 스퍼터링 공정으로 박막내에 나노 결정을 형성할 수 있다. 그리하여, 박막의 밀도 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 밀도 및 광학적 특성이 향상된 박막으로 유기 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 결정을 포함하는 금속 화합물 박막을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 박막내 나노 결정을 형성하는 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 3 및 4는 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 방법을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 5a는 6.7×10-1 Pa의 압력에서 성장된 주석 산화물 박막의 전자투과 현미경의 조직 사진이다.
도 5b는 압력을 변화시키면서 성장시킨 주석 산화물 박막에 대한 전자 투과 현미경의 조직 사진이다.
도 6은 비정질 박막 및 나노 결정을 포함하는 비정질 박막의 밀도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 비정질 박막 및 나노 결정이 포함된 비정질 박막의 광학 밴드갭 에너지를 나타내는 그래프이다.
도 8은 압력에 따른 박막내 결정성의 변화를 나타내는 엑스선 회절 패턴 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 도 9의 F의 확대도이다.
도 2는 박막내 나노 결정을 형성하는 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 3 및 4는 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 방법을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 5a는 6.7×10-1 Pa의 압력에서 성장된 주석 산화물 박막의 전자투과 현미경의 조직 사진이다.
도 5b는 압력을 변화시키면서 성장시킨 주석 산화물 박막에 대한 전자 투과 현미경의 조직 사진이다.
도 6은 비정질 박막 및 나노 결정을 포함하는 비정질 박막의 밀도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 비정질 박막 및 나노 결정이 포함된 비정질 박막의 광학 밴드갭 에너지를 나타내는 그래프이다.
도 8은 압력에 따른 박막내 결정성의 변화를 나타내는 엑스선 회절 패턴 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 도 9의 F의 확대도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 결정을 포함하는 금속 화합물 박막을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 금속 화합물 박막(20) 내부에는 나노 결정(30)이 형성될 수 있다. 여기서 금속 화합물은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있고, 나노 결정(30)은 금속으로 형성될 수 있다.
금속 화합물 박막(20)은 예를 들어 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 등과 같은 금속이 산소 또는 질소를 구성 원소로 하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 금속 화합물 박막(20)은 ITO, ZnO, SnOx, ZrOx, TiOx, AlOx 등의 금속산화물이나, TiN, SiN, AlN 등의 금속 질화물로 형성될 수 있다.
나노 결정(30)은 금속 화합물 박막(20)의 내부에 분포되어 박막의 밀도를 증가시킬 뿐만 아니라 박막의 광학적 특성을 향상시킨다. 여기서 나노 결정(30)의 금속은 금속 화합물 박막(20)의 금속과 동일한 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 나노 결정(30)의 금속은 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중 하나 이상일 수 있다. 또한, 나노 결정(30)의 크기는 약 1 nm 에서 약 20 nm의 크기를 가질 수 있다. 나노 결정(30)의 크기 및 나노 결정(30)의 밀도는 반응성 스퍼터링 공정시 스퍼터링 입자의 운동에너지에 의해 제어될 수 있다. 또한, 스퍼터링 입자의 운동 에너지는 스퍼터링 공정시의 압력에 의해 제어될 수 있다.
도 2는 박막내 나노 결정을 형성하는 방법을 설명하는 흐름도이고, 도 3 및 4는 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 방법을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 압력하에서 기판(10)상에 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막(20)을 형성한다(S210). 기판(10)은 박막 제조용 기판(10)이라면 모두 사용할 수 있으며, Glass, GaAs, Quartz, LiNbO3, LiTaO3, Si, SiC, SiO2, ZnO, MgZnO, 사파이어, Pt, SiN 등의 기판을 사용할 수 있고, 바람직하게는 사파이어 기판(10) 또는 SiN 기판(10)을 사용할 수 있다. 제1 압력은 일반적인 반응성 스퍼터링 공정에서 적용될 수 있는 압력일 수 있다. 예를 들어, 제1 압력은 0.1Pa 내지 1Pa 범위 이내일 수 있다. 그리고, 반응성 스퍼터링 공정은 저온에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 100℃에서 수행될 수 있다.
예를 들어, 챔버내에 기판(10)이 장착되고 스퍼터 가스가 채워진 상태에서 타겟을 포함하는 캐소드에 직류(DC) 전력 또는 고주파(RF) 전력을 공급하여 글로우(glow) 방전을 발생시키면, 금속 화합물 박막(20)이 형성될 수 있다. 여기서 스퍼터링을 위한 스퍼터 가스는 아르곤 및 산소의 혼합가스를 사용할 수 있는데, 상기 혼합가스의 유량은 아르곤의 유량을 10~30sccm으로 유지시키고, 산소의 유량을 5~15sccm으로 유지시킬 수 있다. 또한 박막 증착 시 압력은 6.7x10-1Pa로 유지시키면서 수행할 수 있다. 저온에서 박막이 증착되므로, 증착된 금속 화합물 박막(20)은 비정질상일 수 있다.
금속 화합물 박막(20)의 두께는 특별한 제한은 없으며 공정 시간에 따라 금속 화합물 박막(20)의 두께는 클 수 있다. 다만 공정 기간의 단축과 공정의 안정성 확보를 위해 두께가 약 100 nm이하일 수 있다.
한편, 챔버내 압력을 제2 압력으로 가변시킨 후 제2 압력하에서 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막(20)내에 나노 결정(30)을 형성한다(S220). 여기서 제2 압력은 제1 압력보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 압력은 제2 압력의 5배 이상일 수 있으며, 0.01Pa 내지 0.1Pa 범위일 수 있다.
이와 같이, 챔버내 압력이 낮아지면 스퍼터링된 입자의 운동 에너지가 증가하여 박막내 금속 화합물의 금속을 결정화시킬 수 있다. 제2 압력하에서 반응성 스퍼터링 공정이 수행되는 동안 나노 결정(30)이 형성될 뿐만 아니라, 박막의 두께도 더 증가할 수 있다.
나노 결정(30)은 다음과 같은 원리에 의해 형성될 수 있다. 스퍼터링 공정에서 공정 압력의 변화에 따른 스퍼터링된 입자 즉 타겟의 금속 원자의 운동에너지는 하기 수학식 1과 같이 표시할 수 있다.
[수학식 1]
여기서, EF는 기판(10)에 도달하는 스퍼터링된 입자의 운동 에너지, E0는 타겟 표면에서 방출될 때의 스퍼터링된 입자의 운동 에너지, kB는 볼츠만 상수이고, TG는 챔버내 온도, Ef/Ei는 스퍼터링된 입자의 챔버내에서 충돌 전후의 비, 그리고 N은 챔버내 주입된 가스 내에서의 스퍼터링된 입자들간의 충돌 횟수이다. 그리고, 수학식 1에서 N과 Ef/Ei은 하기 수학식 2 및 3과 같다.
[수학식 2]
N = (dPwσ) / (KBTG)
[수학식 3]
Ef/Ei = 1 - 2η / (1+η)2
수학식 2 및 3에서 d는 스퍼터링된 입자의 이동 거리, Pw는 챔버내 공정 압력, σ는 스퍼터링된 입자의 충돌 단면, 그리고 η은 충돌입자의 원자량 비를 나타낸다.
상기한 수학식들을 이용하면 스퍼터링된 입자가 기판(10)에 도달할 때의 운동 에너지 비는 챔버내 공정 압력과 비례한다. 예를 들어, 공정 압력이 6.7×10-1 Pa일 때 보다 6.7×10-2 Pa일 때가 스퍼터링된 입자의 운동 에너지는 약 65% 정도 더 높다.
상기와 같이 스퍼터된 입자의 운동 에너지가 차이가 나는 이유는 스퍼터링 공정시의 압력이 낮아짐으로 인해 스퍼터된 입자들이 기판(10)으로 이동하는 동안 충돌한 입자가 줄어듦으로 인해 운동에너지 손실이 최소화 되기 때문이다.
그리하여, 공정 압력을 낮추어 스퍼터링 입자의 운동 에너지를 증가시키면 스퍼터링된 입자가 기판(10)에 도달할 때 다른 입자와의 충돌 횟수가 작아져서 비정질의 금속 화합물 박막(20)내 금속을 결정화시킬 수 있다.
실시예
압력을 낮춤으로서 나노 결정이 형성되는지 확인하기 위해, 비교예로서 실온 및 6.7×10-1 Pa의 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 주석 산화물 박막을 50nm 두께로 성장시켰다. 도 5a는 6.7×10-1 Pa의 압력에서 성장된 주석 산화물 박막의 전자투과 현미경의 조직 사진이다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 사진에는 회절 패턴이 표시되어 있지 않다. 그리하여, 6.7×10-1 Pa의 압력에서 성장된 주석 산화물 박막은 비정질 상임을 확인할 수 있다.
한편, 실온 및 6.7×10-1 Pa의 압력 하에서 반응성 스퍼터링 공정으로 주석 산화물 박막의 일부를 형성한 후 스퍼터링 공정의 공정 압력을 약 10배, 예를 들어, 6.7×10-2Pa의 압력으로 낮춘 후 반응성 스퍼터링 공정을 계속 실시하여 주석 산화물 박막을 성장시켰다. 도 5b는 압력을 변화시키면서 성장시킨 주석 산화물 박막에 대한 전자 투과 현미경의 조직 사진이다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 사진에는 회절 패턴이 형성되어 있다. 그리하여, 압력을 변화시키면서 성장된 주석 산화물 박막에는 결정이 형성되었음을 확인할 수 있다.
도 6은 비정질 박막 및 나노 결정을 포함하는 비정질 박막의 밀도 변화를 나타내는 그래프이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 스퍼터링된 입자의 기판에 대한 입사각 대부분에서 나노 결정을 포함한 비정질 박막의 밀도는 비정질 박막의 밀보다 큼을 확인할 수 있다. 즉, 입사각을 적절히 조절하면 밀도가 큰 나노 결정을 포함한 비정절 박막을 형성할 수 있다.
그리고, 도 7은 비정질 박막 및 나노 결정이 포함된 비정질 박막의 광학 밴드갭 에너지를 나타내는 그래프이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 동일한 광흡수 계수에서 비정질 박막의 광학적 밴드 갭 에너지는 나노 결정이 포함된 비정질 박막의 광학적 밴드갭 에너지보다 증가하였다. 예를 들어, 특정 광흡수 계수(ａ)가 ln ａ=9에서 비정질 박막의 광학적 밴드 갭 에너지는 3.9 eV인 반면, 나노 결정이 포함된 비정질 박막의 광학적 밴드갭 에너지는 4.2 이다. 이러한 광학적 밴드갭 에너지의 증가는 박막내에 존재할 수 있는 결함이 제거되었음을 의미한다. .
앞서 기술한 나노 결정을 포함하는 박막 형성 공정은 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막을 형성하는 과정에서 압력을 가변하였다고 하였으나, 이에 한정되지 않는다. 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막을 형성할 때 처음부터 낮은 압력에서 수행할 수 있다.
압력에 따른 결정성을 확인하기 위해, 실온에서 반응성 스퍼터링 공정으로 100nm 두께의 주석 산화물 박막을 형성하였다. 공정 압력을 4.0×10-1, 1.3×10-1, 6.7×10-2 Pa로 설정하여 주석 산화물 박막을 형성하였다. 도 8은 압력에 따른 박막내 결정성의 변화를 나타내는 엑스선 회절 패턴 그래프이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 공정 압력이 변화됨에 따라 주석 산화물 박막의 상이 비정질상에서 결정상으로 변화되는 것을 확인할 수 있다. 특히 압력이 낮은 상태에서 형성된 산화막의 결정 크기를 Scherrer 공식에 의해 계산을 해보면 약 7nm 정도의 나노 크기임을 확인할 수 있다.
이와 같이 스퍼터된 입자의 운동 에너지 손실이 적음으로 인해 박막 형성시 결정성을 형성할 수 있다.
앞서 기술한 나노 결정을 포함하는 금속 화합물 박막은 유기 발광 표시 장치의 일 구성요소로 활용될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치의 봉지층을 앞서 기술한 나노 결정을 포함하는 금속 화합물 박막으로 형성할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 10은 도 9의 F의 확대도이다.
유기 발광 표시 장치(100:organic light emitting display apparatus)는 기판(130) 상에 형성된다. 기판(130)은 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다.
기판(130)상에는 기판(130)상부에 평탄면을 제공하고, 기판(130)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유하는 버퍼층(31)이 형성되어 있다.
버퍼층(131)상에는 박막 트랜지스터(140(TFT:thin film transistor))와, 캐패시터(150)와, 유기 발광 소자(60:organic light emitting device)가 형성된다. 박막 트랜지스터(140)는 크게 활성층(141), 게이트 전극(142), 소스/드레인 전극(143)을 포함한다. 유기 발광 소자(160)는 제1 전극(161), 제2 전극(162) 및 중간층(163)을 포함한다.
캐패시터(150)는 제1 캐패시터 전극(151) 및 제2 캐패시터 전극(152)을 포함한다.
구체적으로 버퍼층(131)의 윗면에는 소정 패턴으로 형성된 활성층(141)이 배치된다. 활성층(141)은 실리콘과 같은 무기 반도체 물질, 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있고, p형 또는 n형의 도펀트를 주입하여 형성될 수 있다. 활성층(141)과 동일한 층에 제1 캐패시터 전극(151)이 형성되는데 활성층(141)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
활성층(141)상부에는 게이트 절연막(132)이 형성된다. 게이트 절연막(132)의 상부에는 활성층(141)과 대응되도록 게이트 전극(142)이 형성된다. 게이트 전극(142)을 덮도록 층간 절연막(133)이 형성되고, 층간 절연막(133) 상에 소스/드레인 전극(143)이 형성되는 데, 활성층(141)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성된다. 소스/드레인 전극(143)과 동일한 층에 제2 캐패시터 전극(152)이 형성되는데 소스/드레인 전극(143)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(143)을 덮도록 패시베이션층(134)이 형성되고, 패시베이션층(134)상부에는 박막트랜지스터(140)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.
패시베이션층(134)상에 제1 전극(161)을 형성한다. 제1 전극(161)은 소스/드레인 전극(143)중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 형성한다. 그리고, 제1 전극(161)을 덮도록 화소정의막(135)이 형성된다. 이 화소정의막(135)에 소정의 개구(164)를 형성한 후, 이 개구(164)로 한정된 영역 내에 유기 발광층을 구비하는 중간층(163)을 형성한다. 중간층(163)상에 제2 전극(162)을 형성한다.
제2 전극(162)상에 봉지층(170)을 형성한다. 봉지층(170)은 유기물 또는 무기물을 함유할 수 있고, 유기물과 무기물을 교대로 적층한 구조일 수 있다.
봉지층(170)은 본 발명의 전술한 나노 결정(130)을 포함하는 금속 화합물 박막(120)을 이용하여 형성할 수 있다. 즉 제2 전극(162)이 형성된 기판(130)상에 금속 화합물 박막(120)을 형성할 수 있다.
특히, 봉지층(170)은 무기층(171) 및 유기층(172)을 구비하고, 무기층(171)은 복수의 층(171a, 171b, 171c)을 구비하고, 유기층(172)은 복수의 층 (172a, 172b, 172c)을 구비한다. 이 때 무기층(171)의 복수의 층(171a, 171b, 171c)을 앞서 기술한 나노 결정을 포함하는 금속 산화물 박막으로 형성할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (20)
- 제1 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 금속 화합물 박막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 압력보다 5배 이상 낮으며 0.01Pa 내지 0.1Pa 범위의 제2 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 상기 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 단계:를 포함하는 나노 결정 형성 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 금속 화합물은 금속 산화물 또는 금속 질화물인 나노 결정 형성 방법. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 제1 압력은 0.1Pa 내지 1Pa 범위인 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 나노 결정의 크기 및 밀도 중 적어도 하나는 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 차가 클수록 증가하는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물 박막은 비정질상인 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물 박막의 두께는 100nm이하인 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 나노 결정은,
100℃이하에서 형성되는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물 박막은
상기 나노 결정이 형성됨으로써 밀도가 증가하는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물 박막은
상기 나노 결정이 형성됨으로써 광학적 밴드 갭 에너지가 증가하는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 나노 결정은,
상기 금속 화합물 박막내의 금속이 결정화된 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 나노 결정은
스퍼터된 입자의 운동 에너지를 이용하여 형성되는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 스퍼터된 입자의 운동 에너지가 증가할수록 상기 나노 결정의 크기 및 밀도 중 적어도 하나가 증가하는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 화합물 박막은
ITO, ZnO, SnOx, ZrOx, TiOx, AlOx, TiN, SiN, AlN 중 적어도 하나를 포함하는 나노 결정 형성 방법. - 제 1항, 제 2항, 제 4항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 나노 결정 형성 방법에 의해 형성된 나노 결정을 갖는 금속 화합물 박막.
- 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,
상기 유기 발광 표시 장치의 적어도 일부의 구성요소 포함된 기판상에 반응성 스퍼터링 공정으로 제1 압력에서 금속 화합물 박막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력에서 반응성 스퍼터링 공정으로 상기 금속 화합물 박막내에 나노 결정을 형성하는 단계:를 포함하되,
상기 제2 압력은 상기 제1 압력보다 5배 이상 낮고, 상기 제2 압력은 0.01Pa 내지 0.1Pa 범위인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 유기 발광 표시 장치는 기판상에 제1 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층, 제2 전극 및 봉지층을 포함하고,
상기 나노 결정이 형성된 금속 화합물 박막은 상기 봉지층에 포함된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 17항에 있어서,
상기 봉지층은 유기층과 무기층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 18항에 있어서,
상기 무기층은 상기 나노 결정이 형성된 금속 화합물 박막을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 금속 화합물 박막은 비정질상인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130014649A KR102069192B1 (ko) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US13/963,662 US9450199B2 (en) | 2013-02-08 | 2013-08-09 | Method of forming nano crystals and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus including thin film having the same |
| CN201310395548.6A CN103981483B (zh) | 2013-02-08 | 2013-09-03 | 形成纳米晶的方法和制造有机发光显示装置的方法 |
| EP13185720.3A EP2765625B1 (en) | 2013-02-08 | 2013-09-24 | Method of Forming Nano Crystals and Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Apparatus Including Thin Film Having the Same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130014649A KR102069192B1 (ko) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140101227A KR20140101227A (ko) | 2014-08-19 |
| KR102069192B1 true KR102069192B1 (ko) | 2020-01-23 |
Family
ID=49223683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130014649A KR102069192B1 (ko) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9450199B2 (ko) |
| EP (1) | EP2765625B1 (ko) |
| KR (1) | KR102069192B1 (ko) |
| CN (1) | CN103981483B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101595309B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-02-19 | (주)알에프트론 | 주석 금속 타겟을 이용한 주석산화물층의 형성 방법 |
| CN106449702B (zh) * | 2016-09-20 | 2019-07-19 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板以及制作方法 |
| CN106449709B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-05-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性有机电致发光显示器及电子设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100065840A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158933A (en) * | 1990-11-15 | 1992-10-27 | Holtz Ronald L | Phase separated composite materials |
| JP2877618B2 (ja) * | 1992-07-06 | 1999-03-31 | シャープ株式会社 | 強誘電体膜の形成方法 |
| JP3268723B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2002-03-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| US5919342A (en) | 1997-02-26 | 1999-07-06 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing golden titanium nitride |
| US6312568B2 (en) * | 1999-12-07 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Two-step AIN-PVD for improved film properties |
| CN100582045C (zh) * | 2007-03-21 | 2010-01-20 | 大连理工大学 | 常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO2薄膜的方法 |
| US8236680B2 (en) | 2008-06-20 | 2012-08-07 | Northwestern University | Nanoscale, spatially-controlled Ga doping of undoped transparent conducting oxide films |
| KR20090012198A (ko) | 2008-12-29 | 2009-02-02 | 한양대학교 산학협력단 | 금속 나노 입자 형성 방법 |
| US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
| EP2463255B1 (en) | 2009-08-05 | 2016-09-07 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Tablet for ion plating, method for producing same, and transparent conductive film |
| KR101940962B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011052366A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage regulator circuit |
| JP5844030B2 (ja) | 2010-01-14 | 2016-01-13 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法、表示装置の製造方法、ｘ線撮像装置の製造方法及び光センサの製造方法 |
| KR20120109083A (ko) * | 2011-03-24 | 2012-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-02-08 KR KR1020130014649A patent/KR102069192B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-09 US US13/963,662 patent/US9450199B2/en active Active
- 2013-09-03 CN CN201310395548.6A patent/CN103981483B/zh active Active
- 2013-09-24 EP EP13185720.3A patent/EP2765625B1/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100065840A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9450199B2 (en) | 2016-09-20 |
| EP2765625A1 (en) | 2014-08-13 |
| CN103981483B (zh) | 2018-05-29 |
| EP2765625B1 (en) | 2018-11-07 |
| KR20140101227A (ko) | 2014-08-19 |
| CN103981483A (zh) | 2014-08-13 |
| US20140227809A1 (en) | 2014-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101376970B1 (ko) | 질소 가스를 사용한 아연 타겟의 반응성 스퍼터링을 통해서 생성된 박막 반도체 재료 | |
| JP5102357B2 (ja) | 窒化ガリウムのエピタキシャル成長用基板 | |
| US8809857B2 (en) | Thin film transistor comprising oxide semiconductor | |
| US20130221348A1 (en) | Semiconductor thin film, method for producing the same, and thin film transistor | |
| TW201232787A (en) | Laminate structure including oxide semiconductor thin film layer, and thin film transistor | |
| JP6975530B2 (ja) | 半導体素子及びそれを用いた電気機器 | |
| CN112888808A (zh) | 氧化物层叠体及其制造方法 | |
| KR20120079310A (ko) | 나노로드형 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2013191824A (ja) | 酸化物半導体及びこれを含む半導体接合素子 | |
| KR102069192B1 (ko) | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| TWI769929B (zh) | 半導體元件及使用其之電氣機器 | |
| Yusof et al. | Fabrication and characterization of copper doped zinc oxide by using Co-sputtering technique | |
| WO2015115330A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、酸化物半導体、およびその製造方法 | |
| KR100739457B1 (ko) | 마그네트론 코스퍼터링법을 이용한 금속 도핑 ZnO 박막의 제조방법 | |
| KR102100370B1 (ko) | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR101105103B1 (ko) | 반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체나노 막대를 포함하는 태양 전지 및 반도체 나노막대를포함하는 전계 발광 소자 | |
| Yu et al. | Effect of oxygen pressure performance of PZO thin films deposited by pulsed laser deposition at low temperature | |
| KR20070021342A (ko) | 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 산소／아르곤 유량비 조절을 통한 금속이 도핑된 ＺｎＯ 박막의 제조방법 | |
| Kim | Transparent conducting oxide films | |
| Chen et al. | Improvement of electrical characteristics and wet etching procedures for InGaTiO electrodes in organic light-emitting diodes through hydrogen doping | |
| El‐Maghraby | Temperature dependence of growth orientation and surface morphology of Li‐doped ZnO thin films on SiO2/Si substrates | |
| Chen et al. | Improvement of Electrical and Wet-Etching Characteristics for Ingatio Electrodes in Organic Light-Emitting Diodes Through Hydrogen Doping | |
| KR20080016034A (ko) | 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 gzo 박막의 제조방법 | |
| KR20130010713A (ko) | 산화 아연 박막 및 이를 이용한 전자 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |