JPH0691252B2 - 薄膜トランジスタアレイ - Google Patents

薄膜トランジスタアレイ

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜トランジスタアレイの構造に関し、特に光
感度を有する半導体膜を用いた薄膜トランジスタアレイ
の欠陥補修構造に関する。
〔従来の技術〕
アクティブマトリックス液晶表示素子やコンタクトタイ
プイメージセンサ等のスイッチング素子として用いられ
ている薄膜トランジスタアレイは、通常その半導体膜に
CdS,a−Siなど光誘起電流を発生する効果（光感度）が
大きな材料が用いられている。しかし、これらの材料は
低温形成が大面積でできる利点を有するため、必要部分
に遮光膜を設け、スイッチングの誤動作を防ぐことで、
その欠点を防いで実用されている。従来の薄膜トランジ
スタアレイのトランジスタ部分の詳細は第２図に模式的
断面を示したようなものであった。
例えば、ガラス基板101上にゲート電極102が設けられ、
さらにゲート絶縁膜103、半導体膜104が設けられ、ソー
ス・ドレイン電極領域にはドーピングされた半導体層か
ら成るオーミックコンタクト層105、及びソース・ドレ
イン電極107,108が設けられている。このような構造は
逆スタガード構造といわれている。薄膜トランジスタア
レイが応用される液晶表示素子又はイメージセンサなど
は、光デバイスであるため、光による薄膜トランジスタ
の誤動作を防ぐ目的で、上記の構造にさらに、パッシベ
ーション膜109を設けた上にトランジスタのチャンネル
部分を覆う遮光膜110が設けられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の薄膜トランジスタアレイの遮光膜10はト
ランジスタのチャンネル領域全域を覆う必要があり、又
パターニング精度の点からも、ソース・ドレイン電極10
7,108との多少の重なりは避けられないものであった。
したがって、ソース・ドレイン電極107,108の厚さが厚
い場合、チャネルエッヂでの段差が大きくなるため、パ
ッシベーション膜109の膜厚を厚くしなければならない
欠点が発生する。パッシベーション膜109の膜厚が厚く
ない場合には、パッシベーション機能に問題が生ずるば
かりでなく、遮光性の高い金属の遮光膜110を用いた場
合には、遮光膜110の金属によって、ソース・ドレイン
電極107,108の短絡を発生させる欠点もあった。又、表
示電極106上にも同じ厚さのパッシベーション膜109が積
層される構造では、パッシベーション膜109の膜厚が厚
い場合、表示性能が低下する問題もあった。
逆に、ソース・ドレイン電極107,108の厚さが薄い場
合、薄膜トランジスタアレイとしてのバスライン（ドレ
イン電極108に接続されているが、図示していない）は
細線であり、かつ長距離間配線が走る必要があり、配線
断線確率が極めて高くなる重大な欠点があった。薄膜ト
ランジスタアレイは多数の電極バスラインをマトリック
スアレイ状じ配線させる必要があり、この配線切れが発
生しやすいが、1000本中１本も発生してはならない。
本発明の目的はソース・ドレイン電極等の配線を薄くで
き、それによってパッシベーション膜の膜厚を薄くでき
る薄膜トランジスタアレイの構造を得ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の薄膜トランジスタアレイは、絶縁基板上に、ゲ
ート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜及びソース・ドレイ
ン電極がこの順で積層された逆スタガード構造をした複
数の薄膜トランジスタを有し、複数の薄膜トランジスタ
のドレイン（ソース）電極間同志はバスラインで接続さ
れており、薄膜トランジスタはさらにその上に絶縁性の
パッシベーション膜を有し、バスラインとトランジスタ
のドレイン（ソース）電極領域の少なくとも一部上に、
パッシベーション膜の開口された領域が設けられ、これ
ら開口された領域に遮光膜と同一の導電材のバスライン
補修電極が設けられている。
〔実施例〕
次に、本発明について、図面を参照してさらに詳細に説
明する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜トランジスタアレイ中
の１個の薄膜トランジスタを模式的に示した縦断面図で
ある。ガラス基板101上にゲートバスと接続されたゲー
ト電極102としてCrが1,500Å設けられている。さらにSi
Nx膜のゲート絶縁膜103が2,000Å設けられている。ゲー
ト電極102上で薄膜トランジスタとすべき領域にゲート
絶縁膜103上にノンドープのアモルファスシリコン（ａ
−Si:H）膜104を1,500Å設けられている。このノンドー
プａ−Si:H膜104上でソース電極107、ドレイン電極108
が設けられる領域にはドーピングされたn+ａ−Si:Hが10
0Åオーミックコンタクト層105として設けられている。
さらに、ソース電極107として厚さ1,000ÅのTiがITO100
0Åの表示電極106と接続するように設けられている。
又、同様にドレイン電極108もドレインバラスライン
（図示せず）と接続されるように厚さ1,000ÅのTiが設
けられている。しかる上に、パッシベーション膜109と
してSiOxが2,000Å薄膜トランジスタを覆うように設け
られている。ただし、ドレイン（バス）ライン（図示せ
ず）及び、これと接続したドレイン電極108の一部が露
出するようにパッシベーション膜109には開口部112が設
けられている。さらに遮光膜110と同じ金属のCrでバス
ライン補修電極111がドレイン電極108上の開口部112に
同一膜厚2,000Å設けられている。なお、遮光膜110は薄
膜トランジスタのチャネル部を覆うように設けられてお
り、バスライン補修電極111は開口されて露出したドレ
インバスライン（図示せず）上にも接続されて設けられ
ている。
従来の同様な構造で、バスライン補修電極111が設けら
れてない構造の場合ではドレインバスラインの断線によ
る欠陥が1000本中５〜10本（0.5〜１％）発生していた
が、本実施例による薄膜トランジスタアレイの場合は上
記欠陥は0.1〜0.05％に極めて低減することができた。
〔実施例２〕 本発明の他の一実施例として第１図に示したソース・ド
レイン電極107,108としてCrを1,500Å設けられた。又、
パッシベーション膜109としてSiNxが3,000Å設けられ
た。さらにドレイン電極108上のパッシベーション膜109
の開口部112に設けられたドレインバスライン補修電極1
11は遮光膜110と同一のAlを5,000Å設けられた。他は第
１図に示した一実施例と同様なものとした。
本実施例による薄膜トランジスタアレイの場合はドレイ
ンバスラインの断線による欠陥は著しく低減でき、0.01
〜0.001％とほとんど無欠陥にすることができた。つま
り、1,000本のバスラインを有する薄膜トランジスタア
レー基板の10枚〜100枚に欠陥１本発生するのみであっ
た。
〔発明の効果〕 以上説明した各実施例で得られたドレインバスラインの
欠陥の低減は、プロセス最後に一般的に設ける遮光膜と
同じ金属でドレイン（ソース）バスの補修を行った効果
である。また、最後の表面に補修電極を設けているた
め、ソース・ドレイン電極を有害な厚さにする必要な
く、その段差による断線等は発生せず、むしろ、補修電
極を必要十分な厚さに設定できるため、断線補修の目的
を完全に達成できる。
遮光膜の材料は種々あるが、上記の目的に達成するため
には、導電性材料である必要がある。しかし、例えば金
属を用いる場合、Crでは光の透過率が低くでき、Alでは
反射率を高くできることで、遮光膜及びバスライン補修
電極として作用できる。又、ドープされた半導体膜、例
えばａ−Sin+層では、チャネル内に有害な光を吸収する
ので、同様な作用を持たせることができる。
以上説明したように本発明は、パッケシベーション膜に
開口部を設け、遮光膜とバスライン補修電極とを設ける
ことにより、同一工程で同一材質、同一膜厚の遮光膜と
バスライン補修電極とを設けることができる効果があ
る。これによりバスラインの断線によるライン欠陥を著
しく低減できる効果がある。しかも、ソース・ドレイン
電極とパッシベーション膜との膜厚の設定の制約が緩和
される。したがって、遮光膜を通したソース・ドレイン
間短絡の発生を抑えられる効果がある。
これらの効果により、薄膜トランジスタアレーの製造歩
留りが向上する効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す薄膜トランジスタアレー
中の１個のトランジスタを模式的に示した縦断面図であ
り、第２図は従来の薄膜トランジスタアレーを説明する
ためのトランジスタ部を模式的に示した断面図である。 101……基板、102……ゲート電極、103……ゲート絶縁
膜、104……半導体膜、105……オーミックコンタクト
層、106……表示電極、107……ソース電極、108……ド
レイン電極、109……パッシベーション膜、110……遮光
膜、111……バスライン補修電極、112……開口部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、
    半導体膜及びソース・ドレイン電極がこの順で積層され
    た逆スタッガード構造を有する複数の薄膜トランジスタ
    を有し、これら複数の薄膜トランジスタの前記ドレイン
    （又はソース）電極は共通にバスラインに接続されてお
    り、さらに前記複数の薄膜トランジスタはそれらの表面
    を覆うパッシベーション膜を有し、これらパッシベーシ
    ョン膜上の前記各薄膜トランジスタのチャンネル領域上
    に相当する部分に遮光膜を有し、前記ドレイン（又はソ
    ース）電極及び前記バスライン上に前記パッシベーショ
    ン膜が開口された領域が設けられ、該開口領域に前記遮
    光膜と同一の導電材からなるバスライン補修電極が設け
    られたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
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Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0196915B1 (en) * 1985-03-29 1991-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film transistor array and method of manufacturing same
US5166086A (en) * 1985-03-29 1992-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film transistor array and method of manufacturing same
JP2620240B2 (ja) * 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5166085A (en) * 1987-09-09 1992-11-24 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US5327001A (en) * 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US5229644A (en) * 1987-09-09 1993-07-20 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having a transparent electrode and substrate
JP2786628B2 (ja) * 1987-10-15 1998-08-13 シャープ株式会社 液晶パネルの電極構造
US5231039A (en) * 1988-02-25 1993-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Method of fabricating a liquid crystal display device
JPH01217325A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2740813B2 (ja) * 1988-02-26 1998-04-15 セイコープレシジョン株式会社 非晶質シリコン薄膜トランジシタアレイ基板
JPH01219824A (ja) * 1988-02-29 1989-09-01 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板
JPH0797602B2 (ja) * 1988-05-06 1995-10-18 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
FR2631743A1 (fr) * 1988-05-23 1989-11-24 Gen Electric Structure a electrodes non coplanaires pour affichage matriciel a cristaux liquides a transistors en couches minces de silicium amorphe et procede de fabrication
JP2771820B2 (ja) * 1988-07-08 1998-07-02 株式会社日立製作所 アクティブマトリクスパネル及びその製造方法
US5202572A (en) * 1988-09-21 1993-04-13 Fuji Xerox Co., Ltd. Thin film transistor
CA1313563C (en) * 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
US5196912A (en) * 1988-10-28 1993-03-23 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element
US5060034A (en) * 1988-11-01 1991-10-22 Casio Computer Co., Ltd. Memory device using thin film transistors having an insulation film with si/n composition ratio of 0.85 to 1.1
US5042918A (en) * 1988-11-15 1991-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
EP0372821B1 (en) * 1988-11-30 1995-03-08 Nec Corporation Liquid crystal display panel with reduced pixel defects
JP2575052B2 (ja) * 1988-12-07 1997-01-22 ホシデン株式会社 液晶表示素子
JPH02157828A (ja) * 1988-12-12 1990-06-18 Hosiden Electron Co Ltd 液晶表示素子
US5079606A (en) * 1989-01-26 1992-01-07 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film memory element
JP2600929B2 (ja) * 1989-01-27 1997-04-16 松下電器産業株式会社 液晶画像表示装置およびその製造方法
DE4090273C1 (de) * 1989-03-01 1996-09-26 Mitsubishi Electric Corp Dünnfilmtransistor
JP2952887B2 (ja) * 1989-05-20 1999-09-27 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5225364A (en) * 1989-06-26 1993-07-06 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of fabricating a thin-film transistor matrix for an active matrix display panel
JP2558351B2 (ja) * 1989-06-29 1996-11-27 沖電気工業株式会社 アクティブマトリクス表示パネル
US5153754A (en) * 1989-06-30 1992-10-06 General Electric Company Multi-layer address lines for amorphous silicon liquid crystal display devices
US5212574A (en) * 1989-07-05 1993-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix board having double-layer scan lines and capacity lines with discontinuous lower scan lines and lower capacity lines
US5057885A (en) * 1989-07-28 1991-10-15 Casio Computer Co., Ltd. Memory cell system with first and second gates
US5053347A (en) * 1989-08-03 1991-10-01 Industrial Technology Research Institute Amorphous silicon thin film transistor with a depletion gate
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR920008675Y1 (ko) * 1989-12-30 1992-12-12 삼성전자 주식회사 평판 디스플레이용 박막 트랜지스터
JP2976483B2 (ja) * 1990-04-24 1999-11-10 日本電気株式会社 液晶表示素子用薄膜トランジスタの製造方法
US5162933A (en) * 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium
US5100816A (en) * 1990-07-20 1992-03-31 Texas Instruments Incorporated Method of forming a field effect transistor on the surface of a substrate
US5153142A (en) * 1990-09-04 1992-10-06 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating an indium tin oxide electrode for a thin film transistor
JPH0824193B2 (ja) * 1990-10-16 1996-03-06 工業技術院長 平板型光弁駆動用半導体装置の製造方法
US5402254B1 (en) * 1990-10-17 1998-09-22 Hitachi Ltd Liquid crystal display device with tfts in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films before the deposition of silicon
US5162931A (en) * 1990-11-06 1992-11-10 Honeywell, Inc. Method of manufacturing flat panel backplanes including redundant gate lines and displays made thereby
CA2061796C (en) * 1991-03-28 2002-12-24 Kalluri R. Sarma High mobility integrated drivers for active matrix displays
US5303074A (en) * 1991-04-29 1994-04-12 General Electric Company Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices
US6556257B2 (en) * 1991-09-05 2003-04-29 Sony Corporation Liquid crystal display device
US5523866A (en) * 1992-06-04 1996-06-04 Nec Corporation Liquid-crystal display device having slits formed between terminals or along conductors to remove short circuits
JP2705766B2 (ja) * 1992-10-13 1998-01-28 カシオ計算機株式会社 Ｔｆｔパネル
JPH07175084A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
DE69421522T2 (de) * 1993-12-20 2000-08-10 Gen Electric Verfahren zur reparatur einer leitung eines dünnfilm-bildsensors oder einer dünnfilm-anzeige und die dadurch hergestellte struktur
US5486485A (en) * 1994-02-18 1996-01-23 Philip Electronics North America Corporation Method of manufacturing a reflective display
JP2770763B2 (ja) * 1995-01-31 1998-07-02 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
KR100220854B1 (ko) * 1996-03-13 1999-09-15 구자홍 액정 디스플레이 디바이스의 tft 판 및 그 제조방법
JP3565983B2 (ja) * 1996-04-12 2004-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH1020331A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3716580B2 (ja) 1997-02-27 2005-11-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
US6215541B1 (en) * 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
GB0028877D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
GB0029315D0 (en) * 2000-12-01 2001-01-17 Koninkl Philips Electronics Nv Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer
KR100951840B1 (ko) * 2002-12-26 2010-04-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101080356B1 (ko) * 2003-10-13 2011-11-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치
JP2009076722A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Sony Corp 回路基板、表示装置及び回路基板のリペア方法
US9568794B2 (en) * 2010-12-20 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2979133A4 (en) 2013-03-26 2016-11-16 Clearink Displays Inc DISPLACED POROUS ELECTRODE TO PREVENT TOTAL INTERNAL REFLECTION (TIR)
US9280029B2 (en) 2013-05-13 2016-03-08 Clearink Displays, Inc. Registered reflective element for a brightness enhanced TIR display
JP6469656B2 (ja) * 2013-05-22 2019-02-13 クリアインク ディスプレイズ, インコーポレイテッドClearink Displays, Inc. 改善されたカラーフィルタの飽和のための方法及び装置
US10705404B2 (en) 2013-07-08 2020-07-07 Concord (Hk) International Education Limited TIR-modulated wide viewing angle display
EP3327498B1 (en) 2013-07-08 2021-09-01 Concord (Hk) International Education Limited Tir-modulated wide viewing angle display
US9740075B2 (en) 2013-09-10 2017-08-22 Clearink Displays, Inc. Method and system for perforated reflective film display device
WO2015048679A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Clearink Displays Llc Method and apparatus for front-lit semi-retro-reflective display
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9897890B2 (en) 2014-10-07 2018-02-20 Clearink Displays, Inc. Reflective image display with threshold
EP3204800A4 (en) 2014-10-08 2018-06-06 Clearink Displays, Inc. Color filter registered reflective display
US10386691B2 (en) 2015-06-24 2019-08-20 CLEARink Display, Inc. Method and apparatus for a dry particle totally internally reflective image display
US10261221B2 (en) 2015-12-06 2019-04-16 Clearink Displays, Inc. Corner reflector reflective image display
US10386547B2 (en) 2015-12-06 2019-08-20 Clearink Displays, Inc. Textured high refractive index surface for reflective image displays

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3840695A (en) * 1972-10-10 1974-10-08 Westinghouse Electric Corp Liquid crystal image display panel with integrated addressing circuitry
JPS5772370A (en) * 1980-10-23 1982-05-06 Canon Inc Photoelectric converter
JPS58190063A (ja) * 1982-04-30 1983-11-05 Seiko Epson Corp 透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ
JPS59158553A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Toshiba Corp 光学的固体装置
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
JPS60183770A (ja) * 1984-03-01 1985-09-19 Asahi Glass Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPS60192370A (ja) * 1984-03-13 1985-09-30 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタアレイ
JPS61182U (ja) * 1984-06-05 1986-01-06 三洋電機株式会社 表示装置
JPH077827B2 (ja) * 1984-06-20 1995-01-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPS615576A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
JPS6139579A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリックスアレイの製造方法
US4678282A (en) * 1985-02-19 1987-07-07 Ovonic Imaging Systems, Inc. Active display matrix addressable without crossed lines on any one substrate and method of using the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0269123A2 (en) 1988-06-01
DE3750573D1 (de) 1994-10-27
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DE3750573T2 (de) 1995-05-11
EP0269123B1 (en) 1994-09-21
EP0269123A3 (en) 1990-10-10
JPS63136571A (ja) 1988-06-08

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