KR101012792B1 - 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (35)
- 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선 위에 게이트 절연막과 반도체층을 연속하여 적층하는 단계,상기 반도체층 위에 도전막을 증착하는 단계,상기 도전막 및 상기 반도체층을 사진 식각하는 단계,상기 도전막 및 반도체층 위에 보호막을 증착하는 단계,상기 보호막을 사진 식각하여 상기 도전막의 제1 부분과 제2 부분을 노출시키는 단계,상기 도전막의 제1 부분을 덮는 화소 전극과 상기 도전막의 제2 부분을 노출하는 보조 소스전극 및 보조 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극을 마스크로 상기 도전막의 제2 부분을 제거하여 상기 도전막으로 이루어진 데이터선 및 드레인 전극을 완성하는 단계,상기 제2 부분 하부의 상기 반도체층을 노출하는 단계, 그리고노출된 상기 반도체층을 덮으며, 상기 화소 전극을 드러내는 개구부를 가지는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 반도체층과 상기 블랙 매트릭스 사이에 상기 블랙 매트릭스와 동일한 모양으로 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 보호막 사진 식각 단계에서 상기 도전막의 제3 부분을 노출하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제3항에서,상기 화소 전극 형성 단계에서 상기 제3 부분을 덮는 접촉 보조 부재를 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 보호막 사진 식각 단계에서 상기 게이트선을 노출하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제5항에서,상기 화소 전극 형성 단계에서 상기 게이트선을 덮는 접촉 보조 부재를 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트선은 하부막과 상부막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제 조 방법.
- 제7항에서,상기 보호막 사진 식각 단계에서 상기 게이트 절연막을 함께 식각하여 상기 게이트선의 상기 상부막을 노출하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제8항에서,노출된 상기 게이트선 상부막을 함께 제거하여 상기 게이트선 하부막을 노출하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에서,상기 도전막은 크롬으로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 화소 전극은 IZO로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트선 및 상기 도전막은 알루미늄 또는 몰리브덴을 포함하여 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제13항에서,상기 게이트선 및 상기 도전막은 알루미늄을 포함하는 제1 도전막 또는 몰리브덴을 포함하는 제2 도전막으로 이루어진 이중막 또는 삼중막으로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제13항에서,상기 화소 전극은 ITO로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 반도체층은 진성 반도체막과 불순물 반도체막을 포함하며,상기 반도체층을 노출하는 단계는상기 불순물 반도체막의 노출된 부분을 제거하여 상기 진성 반도체막을 노출하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에서,상기 상부 도전막은 크롬으로 형성하고, 상기 화소 전극, 상기 보조 소스 전극 및 상기 보조 드레인 전극은 IZO로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제18항에서,상기 화소 전극, 상기 보조 소스 전극 및 상기 보조 드레인 전극 형성 단계와 상기 반도체층을 노출하는 단계는 함께 실시하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 화소 전극, 상기 보조 소스 전극 및 상기 보조 드레인 전극 형성 단계와 상기 반도체층을 노출하는 단계는 동일한 식각 조건으로 실시하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 보호막 사진 식각 단계에서 상기 도전막의 제1 부분과 이에 인접한 게이트 절연막을 함께 노출하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트 전극을 포함하는 게이트선,상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,상기 반도체증 위에 형성되어 있는 저항성 접촉 부재,상기 저항성 접촉 부재 위에 형성되어 있으며, 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극,상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉 구멍 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 상기 반도체층을 노출시키는 개구부를 가지는 보호막,상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극, 그리고상기 개구부를 통하여 드러낸 상기 반도체층을 덮는 블랙 매트릭스를 포함하고,상기 개구부에서 상기 보호막의 경계선은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 경계선과 일치하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제22항에서,상기 개구부의 경계는 상기 저항성 접촉 부재의 경계와 일치하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제22항에서,상기 게이트선 하부막과 상부막을 포함하며, 상기 하부막을 덮는 접촉 보조 부재를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제24항에서,상기 게이트선의 하부막은 Cr으로 이루어지고, 상기 게이트선의 상부막은 Al을 포함하는 도전막으로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.
- 제25항에서,상기 데이터선 및 드레인 전극은 크롬의 도전막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제26항에서,상기 화소 전극은 IZO로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.
- 제22항에서,상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극은 알루미늄을 포함하는 제1 도전막과 몰리브덴을 포함하는 제2 도전막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제28항에서,상기 화소 전극은 ITO로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판.
- 제22항에서,상기 데이터선 및 드레인 전극은 하부 도전막과 상부 도전막을 포함하며, 상기 반도체를 드러내는 상기 하부 도전막과 상기 상부 도전막의 경계선이 서로 일치하지 않는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제30항에서,상기 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 있으며, 상기 개구부에서 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극과 상기 드레인 전극을 각각 덮는 보조 소스 전극과 보조 드레인 전극을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제31항에서,상기 반도체층을 드러내는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 하부 도전막 경계선은 서로 마주하는 상기 보조 소스 전극과 상기 보조 드레인 전극의 경계선과 서로 일치하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제22항에서,상기 제1 접촉 구멍은 상기 드레인 전극 하부 도전막 및 인접한 게이트 절연막을 노출시키는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제22항에서,상기 반도체층의 노출된 부분 위에 형성되어 있는 절연체를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
- 제31항에서,상기 반도체층은 진성 반도체막과 상기 반도체층 위에 위치하며 분리되어 있는 불순물 반도체막을 포함하며,상기 진성 반도체막 위에 위치하는 상기 불순물 반도체막의 경계선은 상기 보조 소스 전극의 경계선과 보조 드레인 전극의 경계선과 서로 일치하는 박막 트랜지스터 표시판.
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