JP2002296618A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 遮光膜樹脂を現像液で取り除く工程において
現像液が一方向に流れる場合でもコンタクトホール内に
遮光膜樹脂の残渣が残らないようにする。 【解決手段】 薄膜トランジスタが形成された基板上に
カラーフィルタが形成される液晶表示装置において、前
記薄膜トランジスタ上および薄膜トランジスタのソース
電極に接続されるデータ信号線上に遮光膜を備える。画
素電極を細長い矩形上に形成し、遮光膜の現像時の現像
液を画素電極の長手方向に流す。
現像液が一方向に流れる場合でもコンタクトホール内に
遮光膜樹脂の残渣が残らないようにする。 【解決手段】 薄膜トランジスタが形成された基板上に
カラーフィルタが形成される液晶表示装置において、前
記薄膜トランジスタ上および薄膜トランジスタのソース
電極に接続されるデータ信号線上に遮光膜を備える。画
素電極を細長い矩形上に形成し、遮光膜の現像時の現像
液を画素電極の長手方向に流す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びその製造方法に関し、特に、高精細化を図ったＣＦオ
ンＴＦＴ構造の液晶表示装置およびその製造方法に関す
る。
びその製造方法に関し、特に、高精細化を図ったＣＦオ
ンＴＦＴ構造の液晶表示装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルの高精細化を図るためには、
画素の高密度化を達成する必要があるが、従来のカラー
フィルタおよび遮光膜を対向基板側に配した構成の液晶
パネルでは、対向基板とＴＦＴ基板とを組み合わせる組
立工程における対向基板とＴＦＴ基板の各画素位置を合
わせる位置合わせに誤差を生じることから予めマージン
を見込んで形成する必要があり、画素開口部の面積（開
口率）を最大限に確保することが困難であった。
画素の高密度化を達成する必要があるが、従来のカラー
フィルタおよび遮光膜を対向基板側に配した構成の液晶
パネルでは、対向基板とＴＦＴ基板とを組み合わせる組
立工程における対向基板とＴＦＴ基板の各画素位置を合
わせる位置合わせに誤差を生じることから予めマージン
を見込んで形成する必要があり、画素開口部の面積（開
口率）を最大限に確保することが困難であった。
【０００３】これに対し、薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴという）などのスイッチング素子の形成されるアク
ティブマトリクス基板側にカラーフィルタおよび遮光膜
を形成するいわゆるＣＦオンＴＦＴ構造が提案されてい
る。この場合、画素電極を持つＴＦＴ基板側にカラーフ
ィルタおよび遮光膜を形成するために画素電極とカラー
フィルタとの位置合わせマージンを考慮する必要がなく
なり、製造工程が簡略化できると同時に、画素の開口率
を向上させることができる。
ＦＴという）などのスイッチング素子の形成されるアク
ティブマトリクス基板側にカラーフィルタおよび遮光膜
を形成するいわゆるＣＦオンＴＦＴ構造が提案されてい
る。この場合、画素電極を持つＴＦＴ基板側にカラーフ
ィルタおよび遮光膜を形成するために画素電極とカラー
フィルタとの位置合わせマージンを考慮する必要がなく
なり、製造工程が簡略化できると同時に、画素の開口率
を向上させることができる。
【０００４】図１１は、従来のＣＦオンＴＦＴ構造の画
素部分の平面図であり、図１２は、ＴＦＴ部およびコン
タクトホール部の拡大平面図である。
素部分の平面図であり、図１２は、ＴＦＴ部およびコン
タクトホール部の拡大平面図である。
【０００５】図１１に示すように、各走査線（ゲート信
号線）８１と各データ線（ソース信号線）８２を直交さ
せ、それぞれの交差部位にＴＦＴ８３を設け、ＴＦＴ８
３のゲート電極８４を走査線８１に接続し、ソース電極
８５をデータ線８２に接続し、ドレイン電極８６をドレ
イン信号線８７に接続している。このドレイン信号線８
７は、隣接する走査線８８と容量を形成する配線であ
り、また、隣接する走査線８８付近でコンタクトホール
８９を介して画素電極９０と接続されている。
号線）８１と各データ線（ソース信号線）８２を直交さ
せ、それぞれの交差部位にＴＦＴ８３を設け、ＴＦＴ８
３のゲート電極８４を走査線８１に接続し、ソース電極
８５をデータ線８２に接続し、ドレイン電極８６をドレ
イン信号線８７に接続している。このドレイン信号線８
７は、隣接する走査線８８と容量を形成する配線であ
り、また、隣接する走査線８８付近でコンタクトホール
８９を介して画素電極９０と接続されている。
【０００６】また、図１２に示すように、ＴＦＴ８３、
各データ線８２および各走査線８１の上には遮光膜１０
２がマトリクス形状で形成されている。
各データ線８２および各走査線８１の上には遮光膜１０
２がマトリクス形状で形成されている。
【０００７】次に、従来の液晶表示装置の製造方法につ
いて図１３を参照して説明する。図１３は、図１２のＤ
−Ｄ’線に沿う断面部分の製造工程図である。
いて図１３を参照して説明する。図１３は、図１２のＤ
−Ｄ’線に沿う断面部分の製造工程図である。
【０００８】まず、図１３（ａ）に示すように、例えば
ガラス基板等の透明絶縁基板９１の上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃ
ｒ等の金属からなる材料を１００〜４００ｎｍの厚さに
スパッタ法で成膜し、フォトグラフィ法により走査線
（ゲート信号線）８１を形成する。次に、走査線８１上
にゲート絶縁膜９３としてシリコン窒化膜等の積層膜を
１００〜２００ｎｍ程度の膜厚にＣＶＤ法等により成膜
する。次に、ゲート絶縁膜９３上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等
の金属からなる材料を１００〜４００ｎｍの厚さに例え
ばスパッタ法で成膜し、フォトグラフィ法によりドレイ
ン信号線８７を形成する。さらに、これらを覆ってパッ
シベーション膜９５をシリコン窒化膜により１００〜２
００ｎｍ程度の膜厚に形成する。
ガラス基板等の透明絶縁基板９１の上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃ
ｒ等の金属からなる材料を１００〜４００ｎｍの厚さに
スパッタ法で成膜し、フォトグラフィ法により走査線
（ゲート信号線）８１を形成する。次に、走査線８１上
にゲート絶縁膜９３としてシリコン窒化膜等の積層膜を
１００〜２００ｎｍ程度の膜厚にＣＶＤ法等により成膜
する。次に、ゲート絶縁膜９３上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等
の金属からなる材料を１００〜４００ｎｍの厚さに例え
ばスパッタ法で成膜し、フォトグラフィ法によりドレイ
ン信号線８７を形成する。さらに、これらを覆ってパッ
シベーション膜９５をシリコン窒化膜により１００〜２
００ｎｍ程度の膜厚に形成する。
【０００９】次に、パッシベーション膜９５の上に、例
えば、緑色顔料をアクリル系樹脂に分散させたネガ型光
硬化性カラーレジストを、スピンコート法で塗布する。
膜厚は約１．５μｍ程度になるようにスピン回転数を調
整する。次に、ホットプレートで８０℃×２分プリベー
クを行い、露光した後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド）現像液で現像し、対応する
部分に緑色のカラーフィルタ９６を形成する。その際、
後の工程でドレイン信号線８７と画素電極９０を接続す
るためのコンタクトホール８９を形成する領域には、開
口を形成しておく。この開口の大きさは、少なくともコ
ンタクトホール８９が含まれる程度の大きさである。次
に、クリーンオーブンで２３０℃×６０分焼成を行い、
緑色のカラーフィルタ９６を硬化させる。
えば、緑色顔料をアクリル系樹脂に分散させたネガ型光
硬化性カラーレジストを、スピンコート法で塗布する。
膜厚は約１．５μｍ程度になるようにスピン回転数を調
整する。次に、ホットプレートで８０℃×２分プリベー
クを行い、露光した後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド）現像液で現像し、対応する
部分に緑色のカラーフィルタ９６を形成する。その際、
後の工程でドレイン信号線８７と画素電極９０を接続す
るためのコンタクトホール８９を形成する領域には、開
口を形成しておく。この開口の大きさは、少なくともコ
ンタクトホール８９が含まれる程度の大きさである。次
に、クリーンオーブンで２３０℃×６０分焼成を行い、
緑色のカラーフィルタ９６を硬化させる。
【００１０】赤色のカラーフィルタ、青色のカラーフィ
ルタも緑色のカラーフィルタと同様の方法で順次隣接し
て形成する。
ルタも緑色のカラーフィルタと同様の方法で順次隣接し
て形成する。
【００１１】次に、カラーフィルタ９６の形成後、アク
リル系樹脂に絶縁カーボン等を分散させた感光性レジス
ト（遮光膜樹脂）１００を、スピンコート法で塗布す
る。膜厚は約１．５μｍ程度になるようにスピン回転数
を調整する。
リル系樹脂に絶縁カーボン等を分散させた感光性レジス
ト（遮光膜樹脂）１００を、スピンコート法で塗布す
る。膜厚は約１．５μｍ程度になるようにスピン回転数
を調整する。
【００１２】次に、図１３（ｂ）に示すように、石英基
板上に例えばクロム膜等の金属遮光膜をパターニングし
たフォトマスク１０１を用いて、走査線（ゲート信号
線）８１の上方にあるカラーフィルタ９６上の感光性レ
ジスト１００を露光し、感光性レジスト１００を硬化さ
せる。
板上に例えばクロム膜等の金属遮光膜をパターニングし
たフォトマスク１０１を用いて、走査線（ゲート信号
線）８１の上方にあるカラーフィルタ９６上の感光性レ
ジスト１００を露光し、感光性レジスト１００を硬化さ
せる。
【００１３】次に、図１３（ｃ）に示すように、マスク
１０１を取り除いた後、現像液のシャワーの下を通すこ
とで、硬化されていない感光性レジスト１００を取り除
き、遮光膜１０２を形成する。この時、現像液は上方か
らシャワーとなって透明絶縁基板９１上に降り注ぐの
で、透明絶縁基板９１の動く方向が、図１３（ｃ）のＹ
方向とすると、現像液はＸ方向に流れる。すると、カラ
ーフィルタ９６と遮光膜１０２の重なり部分の段差が土
手の役割をし、コンタクトホール８９が形成される領域
内のパッシベーション膜９５上に感光性レジスト１００
の残渣が残ってしまう。この後、遮光膜１０２を２３０
℃×６０分焼成を行い、硬化させるが、この時、同時に
パッシベーション膜９５上の残渣も焼成され、硬化され
る。
１０１を取り除いた後、現像液のシャワーの下を通すこ
とで、硬化されていない感光性レジスト１００を取り除
き、遮光膜１０２を形成する。この時、現像液は上方か
らシャワーとなって透明絶縁基板９１上に降り注ぐの
で、透明絶縁基板９１の動く方向が、図１３（ｃ）のＹ
方向とすると、現像液はＸ方向に流れる。すると、カラ
ーフィルタ９６と遮光膜１０２の重なり部分の段差が土
手の役割をし、コンタクトホール８９が形成される領域
内のパッシベーション膜９５上に感光性レジスト１００
の残渣が残ってしまう。この後、遮光膜１０２を２３０
℃×６０分焼成を行い、硬化させるが、この時、同時に
パッシベーション膜９５上の残渣も焼成され、硬化され
る。
【００１４】次に、図１３（ｄ）に示すように、例えば
アクリル系の透明の感光性樹脂を約２．５μｍ程度とな
るように塗布し、露光・現像によりコンタクトホール８
９の部分に開口を有するパターン状に形成し、さらに、
２３０℃×６０分焼成を行い、硬化させることでオーバ
ーコート層９８を形成する。
アクリル系の透明の感光性樹脂を約２．５μｍ程度とな
るように塗布し、露光・現像によりコンタクトホール８
９の部分に開口を有するパターン状に形成し、さらに、
２３０℃×６０分焼成を行い、硬化させることでオーバ
ーコート層９８を形成する。
【００１５】次に、図１３（ｅ）に示すように、例えば
ノボラック系感光性レジストを塗布し、パターニング後
ノボラック系感光性レジストをマスクとしてパッシベー
ション膜９５をエッチングしてコンタクトホール８９を
形成する。このとき、コンタクトホール８９内に残渣が
あるので、コンタクトホール８９内のパッシベーション
膜９５を完全に除去できない。したがって、ドレイン信
号線８７と画素電極９０との接触面積が狭くなる。
ノボラック系感光性レジストを塗布し、パターニング後
ノボラック系感光性レジストをマスクとしてパッシベー
ション膜９５をエッチングしてコンタクトホール８９を
形成する。このとき、コンタクトホール８９内に残渣が
あるので、コンタクトホール８９内のパッシベーション
膜９５を完全に除去できない。したがって、ドレイン信
号線８７と画素電極９０との接触面積が狭くなる。
【００１６】次に、図１３（ｆ）に示すように、ノボラ
ック系感光性レジストを剥離した後、オーバーコート層
９８と、コンタクトホール８９から露出したドレイン信
号線８７上にスパッタ法でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を成膜し、パターニン
グして画素電極９０を形成する。ドレイン信号線８７と
画素電極９０との接触面積が狭くなっているので、ドレ
イン信号線８７と画素電極９０とのコンタクト抵抗は大
きくなる。
ック系感光性レジストを剥離した後、オーバーコート層
９８と、コンタクトホール８９から露出したドレイン信
号線８７上にスパッタ法でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を成膜し、パターニン
グして画素電極９０を形成する。ドレイン信号線８７と
画素電極９０との接触面積が狭くなっているので、ドレ
イン信号線８７と画素電極９０とのコンタクト抵抗は大
きくなる。
【００１７】その後、通常の方法に従って対向基板と重
ね合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を完成する。
ね合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を完成する。
【００１８】また、コンタクトホール内に遮光膜樹脂の
残渣が残らないようにする方法が、特開２０００−２３
１１２３号公報に記載されている。この公報に記載の方
法では、カラーフィルターまたは遮光膜となるブラック
マトリクスを形成する際に、コンタクトホールを含む領
域に予め開口を設けておき、カラーフィルターを形成し
てからブラックマトリクスを形成し、その際に、各色カ
ラーフィルターとブラックマトリクスが接する部分で、
ブラックマトリクスの端がカラーフィルターの端の上に
重なるように形成している。このように、ブラックマト
リクスをカラーフィルターと重ね合わせ、ブラックマト
リクスの側壁の少なくともパッシベーション膜の近傍を
カラーフィルターにより保護することによりブラックマ
トリクスのパターンはがれを抑制している。
残渣が残らないようにする方法が、特開２０００−２３
１１２３号公報に記載されている。この公報に記載の方
法では、カラーフィルターまたは遮光膜となるブラック
マトリクスを形成する際に、コンタクトホールを含む領
域に予め開口を設けておき、カラーフィルターを形成し
てからブラックマトリクスを形成し、その際に、各色カ
ラーフィルターとブラックマトリクスが接する部分で、
ブラックマトリクスの端がカラーフィルターの端の上に
重なるように形成している。このように、ブラックマト
リクスをカラーフィルターと重ね合わせ、ブラックマト
リクスの側壁の少なくともパッシベーション膜の近傍を
カラーフィルターにより保護することによりブラックマ
トリクスのパターンはがれを抑制している。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、樹脂遮
光膜をマトリクス状にパターニングし、そのマトリクス
の内側にコンタクトホールを形成する場合、コンタクト
ホール内に溜まった遮光膜樹脂は、マトリクス状の遮光
膜が土手となって、上手く除去できず、現像残りとして
コンタクトホール内に残ったままになる。
光膜をマトリクス状にパターニングし、そのマトリクス
の内側にコンタクトホールを形成する場合、コンタクト
ホール内に溜まった遮光膜樹脂は、マトリクス状の遮光
膜が土手となって、上手く除去できず、現像残りとして
コンタクトホール内に残ったままになる。
【００２０】その後、パッシベーション膜の除去を試み
ても現像で残った遮光膜樹脂の真下のパッシベーション
膜は除去できず、ドレイン電極またはドレイン信号線と
画素電極とのコンタクト性が悪くなり、それが点欠陥の
原因となる。
ても現像で残った遮光膜樹脂の真下のパッシベーション
膜は除去できず、ドレイン電極またはドレイン信号線と
画素電極とのコンタクト性が悪くなり、それが点欠陥の
原因となる。
【００２１】このように遮光膜をマトリクス状に形成し
た場合、遮光膜樹脂の現像残りに起因するコンタクト不
良（点欠陥）が発生しやすい。点欠陥個数が１パネル当
たり２０個以上のパネルの発生率は２０％前後である。
た場合、遮光膜樹脂の現像残りに起因するコンタクト不
良（点欠陥）が発生しやすい。点欠陥個数が１パネル当
たり２０個以上のパネルの発生率は２０％前後である。
【００２２】また、特開２０００−２３１１２３号公報
に記載の方法を用いても、液晶表示パネルの製造工程で
は、遮光膜樹脂を現像液で取り除く工程において、ＣＦ
オンＴＦＴ基板が一方向に移動し、したがって、現像液
が一方向に流れる場合には、やはり遮光膜が土手となっ
てコンタクトホールに遮光膜樹脂の残渣が残ってしまう
という問題がある。
に記載の方法を用いても、液晶表示パネルの製造工程で
は、遮光膜樹脂を現像液で取り除く工程において、ＣＦ
オンＴＦＴ基板が一方向に移動し、したがって、現像液
が一方向に流れる場合には、やはり遮光膜が土手となっ
てコンタクトホールに遮光膜樹脂の残渣が残ってしまう
という問題がある。
【００２３】本発明の目的は、遮光膜樹脂を現像液で取
り除く工程において現像液が一方向に流れる場合でもコ
ンタクトホール内に遮光膜樹脂の残渣が残らない液晶表
示装置およびその製造方法を提供することにある。
り除く工程において現像液が一方向に流れる場合でもコ
ンタクトホール内に遮光膜樹脂の残渣が残らない液晶表
示装置およびその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタがアレイ状に形成される液晶表示装置の製造方法に
おいて、遮光膜をパターニングする際の現像液の流れを
妨げる部分の遮光膜を除去することを特徴とする。
スタがアレイ状に形成される液晶表示装置の製造方法に
おいて、遮光膜をパターニングする際の現像液の流れを
妨げる部分の遮光膜を除去することを特徴とする。
【００２５】また、走査線上の前記遮光膜を前記走査線
の長さ方向に少なくとも一部前記走査線の幅方向に渡っ
て除去することを特徴とする。
の長さ方向に少なくとも一部前記走査線の幅方向に渡っ
て除去することを特徴とする。
【００２６】また、本発明は、薄膜トランジスタがアレ
イ状に形成される基板上にカラーフィルタが形成され、
前記薄膜トランジスタ上に遮光膜を備える液晶表示装置
において、走査線上とデータ線上とで形成される格子状
領域のうちで、走査線の長さ方向に少なくとも一部走査
線の幅方向に渡る部分、またはデータ線の長さ方向に少
なくとも一部データ線の幅方向に渡る部分に前記遮光膜
が形成されていないことを特徴とする。
イ状に形成される基板上にカラーフィルタが形成され、
前記薄膜トランジスタ上に遮光膜を備える液晶表示装置
において、走査線上とデータ線上とで形成される格子状
領域のうちで、走査線の長さ方向に少なくとも一部走査
線の幅方向に渡る部分、またはデータ線の長さ方向に少
なくとも一部データ線の幅方向に渡る部分に前記遮光膜
が形成されていないことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、この発明の第１の実施の形
態について図面を参照して説明する。
態について図面を参照して説明する。
【００２８】図１は、本発明に係る液晶表示装置の画素
部分の平面図である。
部分の平面図である。
【００２９】図１に示すように、各走査線（ゲート信号
線）１と各データ線（ソース信号線）２を直交させ、そ
れぞれの交差部位にＴＦＴ３が形成される。走査線１
は、ＴＦＴ３のゲート電極４に接続され、走査線１から
ゲート電極４に入力される走査信号によって画素に対応
するＴＦＴ３が駆動される。データ線２は、ＴＦＴ３の
ソース電極５に接続され、ソース電極５へデータ信号を
入力する。ＴＦＴ３のドレイン電極６にはドレイン信号
線７が接続される。このドレイン信号線７は、隣接する
走査線８（ゲート信号線）付近でコンタクトホール９を
介して画素電極１０と接続されており、画素電極１０と
対向基板上に形成された対向電極との間の液晶層により
画素容量を形成する。また、このドレイン信号線７は、
隣接する走査線８に沿って形成されており、隣接する走
査線８との間で付加容量を形成している。
線）１と各データ線（ソース信号線）２を直交させ、そ
れぞれの交差部位にＴＦＴ３が形成される。走査線１
は、ＴＦＴ３のゲート電極４に接続され、走査線１から
ゲート電極４に入力される走査信号によって画素に対応
するＴＦＴ３が駆動される。データ線２は、ＴＦＴ３の
ソース電極５に接続され、ソース電極５へデータ信号を
入力する。ＴＦＴ３のドレイン電極６にはドレイン信号
線７が接続される。このドレイン信号線７は、隣接する
走査線８（ゲート信号線）付近でコンタクトホール９を
介して画素電極１０と接続されており、画素電極１０と
対向基板上に形成された対向電極との間の液晶層により
画素容量を形成する。また、このドレイン信号線７は、
隣接する走査線８に沿って形成されており、隣接する走
査線８との間で付加容量を形成している。
【００３０】液晶表示装置では、表示の高精細化の要求
に対応するために、各画素領域を微細化すると、画素領
域における画素容量が減少し、オフ抵抗の高いＴＦＴを
用いてリーク電流を小さくしても表示電位が低下し、１
画面走査している間、電位を保持できなくなる傾向があ
る。そこで、付加容量を画素容量と並列に接続すること
により、表示電位の保持特性を向上させている。
に対応するために、各画素領域を微細化すると、画素領
域における画素容量が減少し、オフ抵抗の高いＴＦＴを
用いてリーク電流を小さくしても表示電位が低下し、１
画面走査している間、電位を保持できなくなる傾向があ
る。そこで、付加容量を画素容量と並列に接続すること
により、表示電位の保持特性を向上させている。
【００３１】隣接する走査線８に沿ってドレイン信号線
７を形成するのは、表示の開口率を大きくするためであ
る。また、画素電極１０は、データ線２の方向に細長い
形状となっている。
７を形成するのは、表示の開口率を大きくするためであ
る。また、画素電極１０は、データ線２の方向に細長い
形状となっている。
【００３２】図２は、図１におけるＴＦＴ部およびコン
タクトホール部の拡大平面図であり、図３は、図２のＣ
−Ｃ’線に沿う断面図である。
タクトホール部の拡大平面図であり、図３は、図２のＣ
−Ｃ’線に沿う断面図である。
【００３３】透明絶縁基板１１上には、コンタクトホー
ルが形成される部分を除いて走査線（ゲート信号線）１
が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形成さ
れている。さらにその上に走査線１に一部が重なるよう
にドレイン信号線７形成され、この走査線１とドレイン
信号線７との間で付加容量を形成している。さらにその
上にパッシベーション膜１５、カラーフィルタ１６およ
びオーバーコート層１７が順に積層されている。オーバ
ーコート層１７上には、画素電極１０が形成されてお
り、画素電極１０は、オーバーコート層１７、カラーフ
ィルタ１６、パッシベーション膜１５を貫くコンタクト
ホール９を介して、ドレイン信号線７と接続されてい
る。
ルが形成される部分を除いて走査線（ゲート信号線）１
が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形成さ
れている。さらにその上に走査線１に一部が重なるよう
にドレイン信号線７形成され、この走査線１とドレイン
信号線７との間で付加容量を形成している。さらにその
上にパッシベーション膜１５、カラーフィルタ１６およ
びオーバーコート層１７が順に積層されている。オーバ
ーコート層１７上には、画素電極１０が形成されてお
り、画素電極１０は、オーバーコート層１７、カラーフ
ィルタ１６、パッシベーション膜１５を貫くコンタクト
ホール９を介して、ドレイン信号線７と接続されてい
る。
【００３４】図４は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図で
ある。透明絶縁基板１１上には、ＴＦＴ３が形成されて
いる。すなわち透明絶縁基板１１上にゲート電極４が形
成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形成されて
いる。さらにその上にはゲート電極４と重畳するように
半導体層１２が形成され、その中央部で隔てられたソー
ス電極５、ドレイン電極６が半導体層１２に接続されて
いる。さらにこれらを覆うようにパッシベーション膜１
５が形成され、パッシベーション膜１５上には、カラー
フィルタ１６が形成されている。さらに、ＴＦＴ３の上
方のカラーフィルタ１６上には遮光膜１４が形成され、
その上には、第１のオーバーコート層１８が形成されて
いる。さらにその上を覆って第２のオーバーコート層１
９が形成されている。
ある。透明絶縁基板１１上には、ＴＦＴ３が形成されて
いる。すなわち透明絶縁基板１１上にゲート電極４が形
成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形成されて
いる。さらにその上にはゲート電極４と重畳するように
半導体層１２が形成され、その中央部で隔てられたソー
ス電極５、ドレイン電極６が半導体層１２に接続されて
いる。さらにこれらを覆うようにパッシベーション膜１
５が形成され、パッシベーション膜１５上には、カラー
フィルタ１６が形成されている。さらに、ＴＦＴ３の上
方のカラーフィルタ１６上には遮光膜１４が形成され、
その上には、第１のオーバーコート層１８が形成されて
いる。さらにその上を覆って第２のオーバーコート層１
９が形成されている。
【００３５】図５は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図で
ある。透明絶縁基板１１上には、データ線２が形成され
ており、透明絶縁基板１１上の一方の画素領域およびデ
ータ線２上にはカラーフィルタ２０が形成され、透明絶
縁基板１１上の他方の画素領域およびデータ線２上部の
カラーフィルタ２０上には、カラーフィルタ２０とは異
なるカラーフィルタ１６が形成されている。さらにデー
タ線２およびその近傍を覆うように遮光膜１４が形成さ
れ、その上には、第１のオーバーコート層１８が形成さ
れている。さらにその上を覆って第２のオーバーコート
層１９が形成されている。
ある。透明絶縁基板１１上には、データ線２が形成され
ており、透明絶縁基板１１上の一方の画素領域およびデ
ータ線２上にはカラーフィルタ２０が形成され、透明絶
縁基板１１上の他方の画素領域およびデータ線２上部の
カラーフィルタ２０上には、カラーフィルタ２０とは異
なるカラーフィルタ１６が形成されている。さらにデー
タ線２およびその近傍を覆うように遮光膜１４が形成さ
れ、その上には、第１のオーバーコート層１８が形成さ
れている。さらにその上を覆って第２のオーバーコート
層１９が形成されている。
【００３６】図２、図３、図４および図５から明らかな
ように、本発明に係る液晶表示装置では、遮光膜は、デ
ータ線上およびＴＦＴ部上にストライプ状に形成されて
おり、走査線（ゲート信号線）上には遮光膜が形成され
ていない。
ように、本発明に係る液晶表示装置では、遮光膜は、デ
ータ線上およびＴＦＴ部上にストライプ状に形成されて
おり、走査線（ゲート信号線）上には遮光膜が形成され
ていない。
【００３７】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法に
ついて図６を参照して説明する。図６は、図２のＣ−
Ｃ’線に沿う断面部分における製造工程を示す図であ
る。
ついて図６を参照して説明する。図６は、図２のＣ−
Ｃ’線に沿う断面部分における製造工程を示す図であ
る。
【００３８】図６（ａ）に示すように、例えばガラス基
板等の透明絶縁基板１１の上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金
属からなる材料を１００〜４００ｎｍの厚さにスパッタ
法で成膜し、フォトグラフィ法により走査線（ゲート信
号線）１を形成する。次に、走査線１上にゲート絶縁膜
１３としてシリコン窒化膜等の積層膜を１００〜２００
ｎｍ程度の膜厚にＣＶＤ法等により成膜する。次に、ゲ
ート絶縁膜１３上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属からなる
材料を１００〜４００ｎｍの厚さに例えばスパッタ法で
成膜し、フォトグラフィ法によりドレイン信号線７を形
成する。さらに、これらを覆ってパッシベーション膜１
５をシリコン窒化膜により１００〜２００ｎｍ程度の膜
厚に形成する。
板等の透明絶縁基板１１の上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金
属からなる材料を１００〜４００ｎｍの厚さにスパッタ
法で成膜し、フォトグラフィ法により走査線（ゲート信
号線）１を形成する。次に、走査線１上にゲート絶縁膜
１３としてシリコン窒化膜等の積層膜を１００〜２００
ｎｍ程度の膜厚にＣＶＤ法等により成膜する。次に、ゲ
ート絶縁膜１３上にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属からなる
材料を１００〜４００ｎｍの厚さに例えばスパッタ法で
成膜し、フォトグラフィ法によりドレイン信号線７を形
成する。さらに、これらを覆ってパッシベーション膜１
５をシリコン窒化膜により１００〜２００ｎｍ程度の膜
厚に形成する。
【００３９】次に、図６（ｂ）に示すように、パッシベ
ーション膜１５の上に、例えば、緑色顔料をアクリル系
樹脂に分散させたネガ型光硬化性カラーレジストを、ス
ピンコート法で塗布する。膜厚は約１．５μｍ程度にな
るようにスピン回転数を調整する。次に、ホットプレー
トで８０℃×２分プリベークを行い、露光した後、ＴＭ
ＡＨ現像液で現像し、対応する部分に緑色のカラーフィ
ルタ１６を形成する。その際、後の工程でドレイン信号
線７と画素電極１０を接続するためのコンタクトホール
９を形成する領域には、開口を形成しておく。この開口
の大きさは、少なくともコンタクトホール９が含まれる
程度の大きさである。次に、クリーンオーブンで２３０
℃×６０分焼成を行い、緑色のカラーフィルタ１６を硬
化させる。
ーション膜１５の上に、例えば、緑色顔料をアクリル系
樹脂に分散させたネガ型光硬化性カラーレジストを、ス
ピンコート法で塗布する。膜厚は約１．５μｍ程度にな
るようにスピン回転数を調整する。次に、ホットプレー
トで８０℃×２分プリベークを行い、露光した後、ＴＭ
ＡＨ現像液で現像し、対応する部分に緑色のカラーフィ
ルタ１６を形成する。その際、後の工程でドレイン信号
線７と画素電極１０を接続するためのコンタクトホール
９を形成する領域には、開口を形成しておく。この開口
の大きさは、少なくともコンタクトホール９が含まれる
程度の大きさである。次に、クリーンオーブンで２３０
℃×６０分焼成を行い、緑色のカラーフィルタ１６を硬
化させる。
【００４０】赤色のカラーフィルタ、青色のカラーフィ
ルタも緑色のカラーフィルタと同様の方法で形成する。
各色のカラーフィルタは順次隣接して形成する。
ルタも緑色のカラーフィルタと同様の方法で形成する。
各色のカラーフィルタは順次隣接して形成する。
【００４１】次に、図６（ｃ）に示すように、カラーフ
ィルタを保護するために、例えばアクリル系の透明の感
光性樹脂を約２．５μｍ程度となるように塗布し、露光
・現像によりコンタクトホール９の部分に開口を有する
パターン状に形成し、さらに、２３０℃×６０分焼成を
行い、硬化させることでオーバーコート層１７を形成す
る。
ィルタを保護するために、例えばアクリル系の透明の感
光性樹脂を約２．５μｍ程度となるように塗布し、露光
・現像によりコンタクトホール９の部分に開口を有する
パターン状に形成し、さらに、２３０℃×６０分焼成を
行い、硬化させることでオーバーコート層１７を形成す
る。
【００４２】次に、図６（ｄ）に示すように、例えばノ
ボラック系感光性レジストを塗布し、パターニング後ノ
ボラック系感光性レジストをマスクとしてパッシベーシ
ョン膜１５をエッチングしてコンタクトホール９を形成
する。このとき、本発明では、このＣ−Ｃ’断面部分で
はカラーフィルタ１６上に遮光膜を形成していないの
で、コンタクトホール９内に遮光膜の残渣が全く無く、
コンタクトホール９内のパッシベーション膜１５を完全
に除去できる。
ボラック系感光性レジストを塗布し、パターニング後ノ
ボラック系感光性レジストをマスクとしてパッシベーシ
ョン膜１５をエッチングしてコンタクトホール９を形成
する。このとき、本発明では、このＣ−Ｃ’断面部分で
はカラーフィルタ１６上に遮光膜を形成していないの
で、コンタクトホール９内に遮光膜の残渣が全く無く、
コンタクトホール９内のパッシベーション膜１５を完全
に除去できる。
【００４３】次に、ノボラック系感光性レジストを剥離
した後、オーバーコート層１７上と、コンタクトホール
９から露出したドレイン信号線７上にスパッタ法でＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電
膜を成膜し、パターニングして画素電極１０を形成し、
図３に示す断面図が得られる。この時、膜厚は厚いほど
良好なカバレッジが得られ、ドレイン信号線との電気的
な接続が安定するが、透明導電膜に用いるＩＴＯ膜の加
工性を考慮すると約１００ｎｍの膜厚が適当である。
した後、オーバーコート層１７上と、コンタクトホール
９から露出したドレイン信号線７上にスパッタ法でＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電
膜を成膜し、パターニングして画素電極１０を形成し、
図３に示す断面図が得られる。この時、膜厚は厚いほど
良好なカバレッジが得られ、ドレイン信号線との電気的
な接続が安定するが、透明導電膜に用いるＩＴＯ膜の加
工性を考慮すると約１００ｎｍの膜厚が適当である。
【００４４】その後、通常の方法に従って対向基板と重
ね合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を完成する。
ね合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を完成する。
【００４５】上述のように、この実施の形態では、走査
線上に遮光膜を形成していないので、コンタクトホール
部分の段差が小さくなる。このため、感光性レジストを
現像液で取り除く際に、コンタクトホール内に感光性レ
ジストの残渣が全く残らず、コンタクトホール内のパッ
シベーション膜を完全に除去することができる。したが
って、ドレイン信号線と画素電極とのコンタクト抵抗を
小さくすることができる。
線上に遮光膜を形成していないので、コンタクトホール
部分の段差が小さくなる。このため、感光性レジストを
現像液で取り除く際に、コンタクトホール内に感光性レ
ジストの残渣が全く残らず、コンタクトホール内のパッ
シベーション膜を完全に除去することができる。したが
って、ドレイン信号線と画素電極とのコンタクト抵抗を
小さくすることができる。
【００４６】図７は、本発明に係る液晶表示装置の平面
図である。図８は、図７のＥ−Ｅ’線に沿う断面図であ
る。
図である。図８は、図７のＥ−Ｅ’線に沿う断面図であ
る。
【００４７】図７および図８に示すように、液晶表示装
置は、共にガラス等の透明基板からなる矩形状のＴＦＴ
基板３０と対向基板３１を有し、両基板３０，３１間に
は液晶３２（図８参照）が挟み込まれている。
置は、共にガラス等の透明基板からなる矩形状のＴＦＴ
基板３０と対向基板３１を有し、両基板３０，３１間に
は液晶３２（図８参照）が挟み込まれている。
【００４８】ＴＦＴ基板３０の上面には、遮光膜３３が
ストライプ状に形成されており、ストライプ状の遮光膜
３３の間には、画素電極４８（図８参照）に対応して、
複数の開口部３４が開けられている。各開口部３４は、
例えば、赤色カラーフィルタの開口部３４Ｒ、緑色カラ
ーフィルタの開口部３４Ｇ、青色カラーフィルタの開口
部３４Ｂとして、順番に繰り返し配置される。
ストライプ状に形成されており、ストライプ状の遮光膜
３３の間には、画素電極４８（図８参照）に対応して、
複数の開口部３４が開けられている。各開口部３４は、
例えば、赤色カラーフィルタの開口部３４Ｒ、緑色カラ
ーフィルタの開口部３４Ｇ、青色カラーフィルタの開口
部３４Ｂとして、順番に繰り返し配置される。
【００４９】このＴＦＴ基板３０と対向基板３１は、所
定間隔を有し重ね合わせた状態で、額縁に沿って配置さ
れたシール材３５により固定されている。ＴＦＴ基板３
０の周辺部には、縦方向一方側にＨ側端子（データ信号
端子）３６が、横方向一方側にＶ側端子（走査信号端
子）３７が、それぞれ対向基板３１から露出させて複数
個並設されている。
定間隔を有し重ね合わせた状態で、額縁に沿って配置さ
れたシール材３５により固定されている。ＴＦＴ基板３
０の周辺部には、縦方向一方側にＨ側端子（データ信号
端子）３６が、横方向一方側にＶ側端子（走査信号端
子）３７が、それぞれ対向基板３１から露出させて複数
個並設されている。
【００５０】横方向他方側のシール材３５には、両基板
３０，３１間に液晶３２を注入するための注入口３８が
開けられている。この注入口３８は、液晶３２の注入
後、封孔材３９により封止される。
３０，３１間に液晶３２を注入するための注入口３８が
開けられている。この注入口３８は、液晶３２の注入
後、封孔材３９により封止される。
【００５１】図８に示すように、ＴＦＴ基板３０の上に
は、ゲート電極４０が設けられ、ゲート電極４０を覆う
ようにゲート絶縁膜４１が成膜されている。ゲート絶縁
膜４１の上には、ゲート電極４０と重畳するように、半
導体層４２が設けられ、この半導体層４２の中央部上で
隔てられたソース電極４３、ドレイン電極４４が、半導
体層４２に接続されている。
は、ゲート電極４０が設けられ、ゲート電極４０を覆う
ようにゲート絶縁膜４１が成膜されている。ゲート絶縁
膜４１の上には、ゲート電極４０と重畳するように、半
導体層４２が設けられ、この半導体層４２の中央部上で
隔てられたソース電極４３、ドレイン電極４４が、半導
体層４２に接続されている。
【００５２】これら半導体層４２、ソース電極４３およ
びドレイン電極４４を覆って、パッシベーション膜４５
が成膜され、一般にチャネルエッチ型と呼ばれるＴＦＴ
が形成される。
びドレイン電極４４を覆って、パッシベーション膜４５
が成膜され、一般にチャネルエッチ型と呼ばれるＴＦＴ
が形成される。
【００５３】パッシベーション膜４５の上には、ＴＦＴ
に対応して遮光膜３３が形成され、またＶ側端子３７近
傍に額縁遮光膜３３ａが形成されると共に、画素表示領
域に対応した部分に、赤色のカラーフィルタ４６Ｒ、青
色のカラーフィルタ４６Ｂ、および緑色のカラーフィル
タ（図示せず）が形成されている。
に対応して遮光膜３３が形成され、またＶ側端子３７近
傍に額縁遮光膜３３ａが形成されると共に、画素表示領
域に対応した部分に、赤色のカラーフィルタ４６Ｒ、青
色のカラーフィルタ４６Ｂ、および緑色のカラーフィル
タ（図示せず）が形成されている。
【００５４】これら各カラーフィルタ４６とパッシベー
ション膜４５を覆って、オーバーコート膜４７が成膜さ
れ、オーバーコート膜４７の上に、ＩＴＯ膜からなる透
明な複数の画素電極４８が、マトリクス状に配置され
る。
ション膜４５を覆って、オーバーコート膜４７が成膜さ
れ、オーバーコート膜４７の上に、ＩＴＯ膜からなる透
明な複数の画素電極４８が、マトリクス状に配置され
る。
【００５５】このＴＦＴをスイッチング素子として用い
る場合は、ドレイン電極４４が画素電極４８との接続用
引き出し電極として機能し、ドレイン信号線（図示せ
ず）を介し、また隣接する走査線近傍に、オーバーコー
ト膜４７とパッシベーション膜４５を貫通して設けられ
たコンタクトホール（図示せず）を介して、ドレイン電
極４４と画素電極４８が接続される。
る場合は、ドレイン電極４４が画素電極４８との接続用
引き出し電極として機能し、ドレイン信号線（図示せ
ず）を介し、また隣接する走査線近傍に、オーバーコー
ト膜４７とパッシベーション膜４５を貫通して設けられ
たコンタクトホール（図示せず）を介して、ドレイン電
極４４と画素電極４８が接続される。
【００５６】画素電極４８が形成されたＴＦＴ基板３０
の表面には、画素電極４８を覆って配向膜４９が成膜さ
れ、このＴＦＴ基板３０に面内スペーサ５０を介在さ
せ、液晶３２を挟み込んで対向配置された対向基板３１
の対向面にも、配向膜５１が成膜されている。
の表面には、画素電極４８を覆って配向膜４９が成膜さ
れ、このＴＦＴ基板３０に面内スペーサ５０を介在さ
せ、液晶３２を挟み込んで対向配置された対向基板３１
の対向面にも、配向膜５１が成膜されている。
【００５７】対向基板３１の配向膜５１は、対向基板３
１に形成された透明共通電極５２を覆って形成されてお
り、この透明共通電極５２と画素電極４８との間の液晶
３２により、画素容量が形成される。
１に形成された透明共通電極５２を覆って形成されてお
り、この透明共通電極５２と画素電極４８との間の液晶
３２により、画素容量が形成される。
【００５８】また、ＴＦＴ基板３０の下面と対向基板３
１の上面、即ち、互いの対向面ではない側の面には、そ
れぞれＴＦＴ側偏光板５３と対向側偏光板５４が設けら
れている。
１の上面、即ち、互いの対向面ではない側の面には、そ
れぞれＴＦＴ側偏光板５３と対向側偏光板５４が設けら
れている。
【００５９】この実施の形態では、走査線上の遮光膜を
除去したが、遮光膜のエッチング液をデータ線と交差す
る方向に流す場合は、データ線上の遮光膜をデータ線長
さ方向に少なくとも一部データ線の幅方向に渡って除去
してもよいことは言うまでもない。
除去したが、遮光膜のエッチング液をデータ線と交差す
る方向に流す場合は、データ線上の遮光膜をデータ線長
さ方向に少なくとも一部データ線の幅方向に渡って除去
してもよいことは言うまでもない。
【００６０】次に、この発明の第２の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００６１】図９は、ガラス基板上に形成された加工途
中の液晶表示パネルと、液晶表示パネルの一部を拡大し
た図である。例えば、６．３型サイズの液晶表示パネル
を３７０ｍｍ×４７０ｍｍサイズのガラス基板で有効に
配置する場合は、ガラス基板７１には、ガラス基板７１
の長手方向に４個と、ガラス基板７１の長手方向に対し
て直交する方向に２個の、合計８個の液晶表示パネル７
２が形成される。また、液晶表示パネル７２の一部拡大
図から分かるように、この第２の実施の形態では、画素
電極を細長い矩形上に形成し、画素電極の長手方向とガ
ラス基板の長手方向とが一致するように形成されてい
る。
中の液晶表示パネルと、液晶表示パネルの一部を拡大し
た図である。例えば、６．３型サイズの液晶表示パネル
を３７０ｍｍ×４７０ｍｍサイズのガラス基板で有効に
配置する場合は、ガラス基板７１には、ガラス基板７１
の長手方向に４個と、ガラス基板７１の長手方向に対し
て直交する方向に２個の、合計８個の液晶表示パネル７
２が形成される。また、液晶表示パネル７２の一部拡大
図から分かるように、この第２の実施の形態では、画素
電極を細長い矩形上に形成し、画素電極の長手方向とガ
ラス基板の長手方向とが一致するように形成されてい
る。
【００６２】図１０は、遮光膜の形成工程における、露
光後に絶縁カーボン等を分散させた感光性レジストを現
像液で取り除く工程と、液晶パネルのコンタクトホール
部分の拡大状態を示す図である。
光後に絶縁カーボン等を分散させた感光性レジストを現
像液で取り除く工程と、液晶パネルのコンタクトホール
部分の拡大状態を示す図である。
【００６３】カラーフィルタの形成後に、ＴＦＴ基板上
にアクリル系樹脂に絶縁カーボン等を分散させた感光性
レジストを塗布し、露光後に、硬化されていない感光性
レジストを取り除く工程がある。
にアクリル系樹脂に絶縁カーボン等を分散させた感光性
レジストを塗布し、露光後に、硬化されていない感光性
レジストを取り除く工程がある。
【００６４】ガラス基板７１上には現像前の液晶パネル
７２が形成されており、現像液は上方からシャワーとな
ってガラス基板７１上に降り注ぎ、また、ガラス基板７
１は、ガラス基板の長手方向である図１０のＹ方向に移
動する。
７２が形成されており、現像液は上方からシャワーとな
ってガラス基板７１上に降り注ぎ、また、ガラス基板７
１は、ガラス基板の長手方向である図１０のＹ方向に移
動する。
【００６５】図９で説明したように、画素電極を細長い
矩形上に形成し、画素電極の長手方向とガラス基板７１
の長手方向とが一致するように形成されていると、現像
液が画素電極の長手方向に流れ、現像液が流れ易くな
り、図１０の拡大図に示すように、コンタクトホール内
には、感光性レジストの残渣が残らない。
矩形上に形成し、画素電極の長手方向とガラス基板７１
の長手方向とが一致するように形成されていると、現像
液が画素電極の長手方向に流れ、現像液が流れ易くな
り、図１０の拡大図に示すように、コンタクトホール内
には、感光性レジストの残渣が残らない。
【００６６】遮光膜の現像残りに起因するコンタクト不
良（点欠陥）は激減し、１パネル当たりの点欠陥個数
は、０〜５個程度にまで低減する。
良（点欠陥）は激減し、１パネル当たりの点欠陥個数
は、０〜５個程度にまで低減する。
【００６７】なお、図１０の拡大図では、カラーフィル
タ７３上に遮光膜を形成しない場合について示している
が、本発明は、カラーフィルタ７３上に遮光膜を形成し
た場合についても適用できるものである。カラーフィル
タ７３上に遮光膜を形成した場合には、残渣を完全には
取り除くことはできないが、極めて良好に取り除くこと
ができる。
タ７３上に遮光膜を形成しない場合について示している
が、本発明は、カラーフィルタ７３上に遮光膜を形成し
た場合についても適用できるものである。カラーフィル
タ７３上に遮光膜を形成した場合には、残渣を完全には
取り除くことはできないが、極めて良好に取り除くこと
ができる。
【００６８】また、第１の実施の形態および第２の実施
の形態においては、ゲートストレージ構造の場合につい
て示しているが、本発明は、もちろんコモンストレージ
構造の場合についても適用できることは言うまでもな
い。
の形態においては、ゲートストレージ構造の場合につい
て示しているが、本発明は、もちろんコモンストレージ
構造の場合についても適用できることは言うまでもな
い。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、走査
線上に遮光膜を形成していないので、遮光膜樹脂を現像
液で取り除く際に、コンタクトホール部分の段差が小さ
くなり、このため、コンタクトホール内に遮光膜樹脂の
残渣が全く残らず、コンタクトホール内のパッシベーシ
ョン膜を完全に除去することができる。
線上に遮光膜を形成していないので、遮光膜樹脂を現像
液で取り除く際に、コンタクトホール部分の段差が小さ
くなり、このため、コンタクトホール内に遮光膜樹脂の
残渣が全く残らず、コンタクトホール内のパッシベーシ
ョン膜を完全に除去することができる。
【００７０】また、この発明は、画素電極を細長い矩形
上に形成し、現像液を画素電極の長手方向に流すことに
より、現像液が流れ易くなり、コンタクトホール内に遮
光膜樹脂の残渣が残らないようにでき、点欠陥不良を低
減できる。
上に形成し、現像液を画素電極の長手方向に流すことに
より、現像液が流れ易くなり、コンタクトホール内に遮
光膜樹脂の残渣が残らないようにでき、点欠陥不良を低
減できる。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の画素部分の平面図
である。
である。
【図２】図１のＴＦＴ部およびコンタクトホール部の拡
大平面図である。
大平面図である。
【図３】図２のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図６】図２のＣ−Ｃ’線に沿う断面部分における製造
工程図である。
工程図である。
【図７】本発明に係る液晶表示装置の平面図である。
【図８】図７のＥ−Ｅ’線に沿う断面図である。
【図９】ガラス基板上に形成された加工途中の液晶表示
パネルと、液晶表示パネルの一部を拡大した図である。
パネルと、液晶表示パネルの一部を拡大した図である。
【図１０】感光性レジストを現像液で取り除く工程と、
液晶パネルのコンタクトホール部分の拡大状態を示す図
である。
液晶パネルのコンタクトホール部分の拡大状態を示す図
である。
【図１１】従来のＣＦオンＴＦＴ構造の画素部分の平面
図である。
図である。
【図１２】ＴＦＴ部およびコンタクトホール部の拡大平
面図である。
面図である。
【図１３】図１２のＤ−Ｄ’線に沿う断面部分の製造工
程図である。
程図である。
１，８，８１，８８ 走査線 ２，８２ データ線 ３，８３ ＴＦＴ ４，４０，８４ ゲート電極 ５，４３，８５ ソース電極 ６，４４，８６ ドレイン電極 ７，８７ ドレイン信号線 ９，８９ コンタクトホール １０，４８，９０ 画素電極 １１，９１ 透明絶縁基板 １２，４２ 半導体層 １３，４１，９３ ゲート絶縁膜 １４，３３，１０２ 遮光膜 １５，４５，９５ パッシベーション膜 １６，２０，４６，７３，９６ カラーフィルタ １７，１８，１９，４７，９８ オーバーコート層 ３０ ＴＦＴ基板 ３１ 対向基板 ３２ 液晶 ３４ 開口部 ３５ シール材 ３６ Ｈ側端子 ３７ Ｖ側端子 ３８ 注入口 ３９ 封孔材 ４９，５１ 配向膜 ５０ 面内スペーサ ５２ 透明共通電極 ５３ ＴＦＴ側偏光板 ５４ 対向側偏光板 １００ 感光性レジスト １０１ マスク ７１ ガラス基板 ７２ 液晶パネル
フロントページの続き (72)発明者 秀平 昌信 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA34Y FC10 FD04 GA13 LA12 LA30 2H092 JA46 JB51 JB54 MA12 NA15 NA29 NA30
Claims (7)
- 【請求項１】薄膜トランジスタがアレイ状に形成される
液晶表示装置の製造方法において、 遮光膜をパターニングする際の現像液の流れを妨げる部
分の遮光膜を除去することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項２】走査線上の前記遮光膜を前記走査線の長さ
方向に少なくとも一部前記走査線の幅方向に渡って除去
することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項３】前記遮光膜は、画素の走査線上の遮光膜
と、前記走査線と隣接する走査線上の遮光膜であること
を特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項４】信号線上の前記遮光膜を前記信号線の長さ
方向に少なくとも一部前記信号線の幅方向に渡って除去
することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項５】画素電極の長手方向に前記遮光膜の現像液
を流すことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項６】前記画素電極を細長い矩形状に形成するこ
とを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】薄膜トランジスタがアレイ状に形成される
基板上にカラーフィルタが形成され、前記薄膜トランジ
スタ上に遮光膜を備える液晶表示装置において、 走査線上とデータ線上とで形成される格子状領域のうち
で、走査線の長さ方向に少なくとも一部走査線の幅方向
に渡る部分、またはデータ線の長さ方向に少なくとも一
部データ線の幅方向に渡る部分に前記遮光膜が形成され
ていないことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096727A JP2002296618A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US10/102,871 US6853408B2 (en) | 2001-03-29 | 2002-03-22 | CF on TFT liquid crystal display having reduced dot defects |
| TW91106110A TW573203B (en) | 2001-03-29 | 2002-03-27 | CF on TFT type liquid crystal display having reduced dot defects |
| KR10-2002-0016953A KR100493481B1 (ko) | 2001-03-29 | 2002-03-28 | 도트 결함이 감소된 박막 트랜지스터 상의 색필터형 액정 디스플레이 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001096727A JP2002296618A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011160128A Division JP2011227524A (ja) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002296618A true JP2002296618A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18950610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001096727A Pending JP2002296618A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6853408B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002296618A (ja) |
| KR (1) | KR100493481B1 (ja) |
| TW (1) | TW573203B (ja) |
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| JP2020148819A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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- 2001-03-29 JP JP2001096727A patent/JP2002296618A/ja active Pending
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- 2002-03-22 US US10/102,871 patent/US6853408B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-27 TW TW91106110A patent/TW573203B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-28 KR KR10-2002-0016953A patent/KR100493481B1/ko not_active IP Right Cessation
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