JPH04257826A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の製造方法Info
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- JPH04257826A JPH04257826A JP3020074A JP2007491A JPH04257826A JP H04257826 A JPH04257826 A JP H04257826A JP 3020074 A JP3020074 A JP 3020074A JP 2007491 A JP2007491 A JP 2007491A JP H04257826 A JPH04257826 A JP H04257826A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、対向基板と貼り合わせ
られて液晶表示装置を形成するアクティブマトリクス基
板の製造方法に関する。
られて液晶表示装置を形成するアクティブマトリクス基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配列
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。選択された絵素電極とこれに
対向する対向電極との間に電圧が印加され、これらの電
極の間に介在する液晶等の表示媒体の光学的変調が行わ
れる。この光学的変調が表示パターンとして視認される
。絵素電極の駆動方式として、個々の独立した絵素電極
を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング素子
を連結して駆動するアクティブマトリクス駆動方式が知
られている。絵素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（
金属−絶縁層−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、
ダイオード、バリスタ等が一般的に知られている。 アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの表
示が可能であり、且つ表示容量に制約がない、といった
利点を有し、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コ
ンピュータの端末表示装置等に実用化されている。
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配列
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。選択された絵素電極とこれに
対向する対向電極との間に電圧が印加され、これらの電
極の間に介在する液晶等の表示媒体の光学的変調が行わ
れる。この光学的変調が表示パターンとして視認される
。絵素電極の駆動方式として、個々の独立した絵素電極
を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング素子
を連結して駆動するアクティブマトリクス駆動方式が知
られている。絵素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（
金属−絶縁層−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、
ダイオード、バリスタ等が一般的に知られている。 アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの表
示が可能であり、且つ表示容量に制約がない、といった
利点を有し、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コ
ンピュータの端末表示装置等に実用化されている。
【０００３】その一例としての、アクティブマトリクス
液晶表示装置は、ＴＦＴが形成されたアクティブマトリ
クス基板と、対向電極を有する対向基板とを貼り合わせ
、両基板間に液晶を封入して作成される。図３はこのよ
うなアクティブマトリクス基板の一従来例を示しており
、以下のようにして作成される。まず、ガラス等からな
る透明絶縁性の基板１上にＴａ、Ｃｒ等の金属からなる
ゲート電極２を形成し、次いで、該ゲート電極２を覆う
ようにしてＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなるゲート絶縁膜
４、非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと称する）、多結晶
シリコン、ＣｄＳｅ等からなる半導体層５をこの順に積
層する。次いで、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ等からなるソース電
極６およびドレイン電極８をパターニングにより形成し
てＴＦＴ３０を得る。なお、オーミックコンタクトをと
るために、通常、半導体層５とソース電極６およびドレ
イン電極８との間にはリン（Ｐ）をドーピングしたｎ＋
ａ−Ｓｉ層９が形成される。
液晶表示装置は、ＴＦＴが形成されたアクティブマトリ
クス基板と、対向電極を有する対向基板とを貼り合わせ
、両基板間に液晶を封入して作成される。図３はこのよ
うなアクティブマトリクス基板の一従来例を示しており
、以下のようにして作成される。まず、ガラス等からな
る透明絶縁性の基板１上にＴａ、Ｃｒ等の金属からなる
ゲート電極２を形成し、次いで、該ゲート電極２を覆う
ようにしてＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなるゲート絶縁膜
４、非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと称する）、多結晶
シリコン、ＣｄＳｅ等からなる半導体層５をこの順に積
層する。次いで、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ等からなるソース電
極６およびドレイン電極８をパターニングにより形成し
てＴＦＴ３０を得る。なお、オーミックコンタクトをと
るために、通常、半導体層５とソース電極６およびドレ
イン電極８との間にはリン（Ｐ）をドーピングしたｎ＋
ａ−Ｓｉ層９が形成される。
【０００４】そして、以上のようにしてＴＦＴ３０が作
成された基板１上にポリイミドやアクリル樹脂等の層間
絶縁膜（透明絶縁膜）１０を塗布し、その表面にＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｎｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導
電膜を成膜し、これをパターニングして絵素電極１１を
形成する。絵素電極１１は層間絶縁膜１０に形成された
コンタクトホール１２を介してドレイン電極８に接続さ
れる。
成された基板１上にポリイミドやアクリル樹脂等の層間
絶縁膜（透明絶縁膜）１０を塗布し、その表面にＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｎｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導
電膜を成膜し、これをパターニングして絵素電極１１を
形成する。絵素電極１１は層間絶縁膜１０に形成された
コンタクトホール１２を介してドレイン電極８に接続さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、層間絶縁膜１０をポリイミドやアクリル樹脂
で形成するため、該層間絶縁膜１０とＩＴＯ等の透明導
電膜で形成される絵素電極１１との密着性が悪く、絵素
電極１１をパターニングする際に使用されるウェットエ
ッチャントが層間絶縁膜１０と絵素電極１１との密着不
良部に染み込み、絵素電極１１が層間絶縁膜１０から剥
離され、これに起因する断線等の不具合いを発生し易い
という問題がある。このため、不良品が多発し、アクテ
ィブマトリクス基板の歩留まり低下の要因となっていた
。
来例では、層間絶縁膜１０をポリイミドやアクリル樹脂
で形成するため、該層間絶縁膜１０とＩＴＯ等の透明導
電膜で形成される絵素電極１１との密着性が悪く、絵素
電極１１をパターニングする際に使用されるウェットエ
ッチャントが層間絶縁膜１０と絵素電極１１との密着不
良部に染み込み、絵素電極１１が層間絶縁膜１０から剥
離され、これに起因する断線等の不具合いを発生し易い
という問題がある。このため、不良品が多発し、アクテ
ィブマトリクス基板の歩留まり低下の要因となっていた
。
【０００６】本発明はこのような従来技術の欠点を解決
するものであり、絵素電極の剥がれに起因する断線等の
不具合を確実に解消でき、製品歩留りを向上できるアク
ティブマトリクス基板の製造方法を提供することを目的
とする。
するものであり、絵素電極の剥がれに起因する断線等の
不具合を確実に解消でき、製品歩留りを向上できるアク
ティブマトリクス基板の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に薄膜トラ
ンジスタをマトリクス状に配設して薄膜トランジスタア
レイを形成する第１の工程と、該薄膜トランジスタアレ
イの表面に有機系透明絶縁膜を塗布してパターニングす
る第２の工程と、該有機系透明絶縁膜を不活性ガスをプ
ラズマ化した雰囲気下で表面処理する第３の工程と、表
面処理後の該有機系透明絶縁膜の表面に透明導電膜をパ
ターニングし、該薄膜トランジスタアレイのドレイン電
極に電気的に接続される絵素電極を形成する第４の工程
とを含んでなり、そのことにより上記目的が達成される
。
リクス基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に薄膜トラ
ンジスタをマトリクス状に配設して薄膜トランジスタア
レイを形成する第１の工程と、該薄膜トランジスタアレ
イの表面に有機系透明絶縁膜を塗布してパターニングす
る第２の工程と、該有機系透明絶縁膜を不活性ガスをプ
ラズマ化した雰囲気下で表面処理する第３の工程と、表
面処理後の該有機系透明絶縁膜の表面に透明導電膜をパ
ターニングし、該薄膜トランジスタアレイのドレイン電
極に電気的に接続される絵素電極を形成する第４の工程
とを含んでなり、そのことにより上記目的が達成される
。
【０００８】ここで、本発明においては、有機系透明導
電膜として、アクリル樹脂膜やポリイミド膜を使用する
。
電膜として、アクリル樹脂膜やポリイミド膜を使用する
。
【０００９】
【作用】上記のように、透明絶縁膜の表面をＡｒ、Ｎ２
、Ｎｅ等の不活性ガスをプラズマ化した雰囲気下で表面
処理すると、透明絶縁膜の表面精度を向上でき、該透明
絶縁膜とこの上に形成される絵素電極との密着性を高め
ることができる。従って、ウエットエッチャントが両者
間に染み込むことがなく、絵素電極の剥離を確実に防止
できる。
、Ｎｅ等の不活性ガスをプラズマ化した雰囲気下で表面
処理すると、透明絶縁膜の表面精度を向上でき、該透明
絶縁膜とこの上に形成される絵素電極との密着性を高め
ることができる。従って、ウエットエッチャントが両者
間に染み込むことがなく、絵素電極の剥離を確実に防止
できる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００１１】図１および図２は本発明方法により製造さ
れるアクティブマトリクス基板を示しており、このアク
ティブマトリクス基板は、透明のガラス基板１上にソー
スバスライン７およびゲートバスライン３を縦横に配線
し、両バスライン３、７で囲まれた矩形状の領域に絵素
電極１１をマトリクス状に配設してなる。
れるアクティブマトリクス基板を示しており、このアク
ティブマトリクス基板は、透明のガラス基板１上にソー
スバスライン７およびゲートバスライン３を縦横に配線
し、両バスライン３、７で囲まれた矩形状の領域に絵素
電極１１をマトリクス状に配設してなる。
【００１２】ゲートバスライン３にはゲート電極２が分
岐され、ソースバスライン７にはソース電極６が分岐さ
れる。ゲート電極２の位置にはスイッチング素子として
機能するＴＦＴ３０が形成される。このＴＦＴ３０は前
記ソース電極６とドレイン電極８を備え、図１に示す構
造になっている。
岐され、ソースバスライン７にはソース電極６が分岐さ
れる。ゲート電極２の位置にはスイッチング素子として
機能するＴＦＴ３０が形成される。このＴＦＴ３０は前
記ソース電極６とドレイン電極８を備え、図１に示す構
造になっている。
【００１３】以下、図１に従いアクティブマトリクス基
板の構造およびその製造手順について説明する。図１（
ａ）に示すように、まずスパッタリング法によりガラス
基板１上に膜厚３００ｎｍのＴａ膜を成膜し、次いで、
該Ｔａ膜をフォトリソグラフィによりパターニングして
ゲート電極２を形成する（この時図２に示すゲートバス
ライン３が同時に形成される。）。次に、プラズマＣＶ
Ｄ法により、ガラス基板１上にゲート電極２を覆うよう
にして膜厚４００ｎｍのＳｉＮｘ膜からなるゲート絶縁
膜４、膜厚１００ｎｍのａ−Ｓｉからなる半導体層５お
よびリン（Ｐ）をドーピングした膜厚４０ｎｍのｎ＋−
Ｓｉ層９を連続して積層し、これを図示する断面形状に
パターニングする。
板の構造およびその製造手順について説明する。図１（
ａ）に示すように、まずスパッタリング法によりガラス
基板１上に膜厚３００ｎｍのＴａ膜を成膜し、次いで、
該Ｔａ膜をフォトリソグラフィによりパターニングして
ゲート電極２を形成する（この時図２に示すゲートバス
ライン３が同時に形成される。）。次に、プラズマＣＶ
Ｄ法により、ガラス基板１上にゲート電極２を覆うよう
にして膜厚４００ｎｍのＳｉＮｘ膜からなるゲート絶縁
膜４、膜厚１００ｎｍのａ−Ｓｉからなる半導体層５お
よびリン（Ｐ）をドーピングした膜厚４０ｎｍのｎ＋−
Ｓｉ層９を連続して積層し、これを図示する断面形状に
パターニングする。
【００１４】次いで、これらを覆うようにしてガラス基
板１上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍのＭｏ
膜を成膜し、これをパターニングしてソース電極６（こ
の時図２に示されるソースバスライン７が同時に形成さ
れる。）およびドレイン電極８を得、これによりＴＦＴ
３０がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイが作成さ
れる。
板１上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍのＭｏ
膜を成膜し、これをパターニングしてソース電極６（こ
の時図２に示されるソースバスライン７が同時に形成さ
れる。）およびドレイン電極８を得、これによりＴＦＴ
３０がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイが作成さ
れる。
【００１５】次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス基
板１上に膜厚１μｍのアクリル樹脂からなる層間絶縁膜
１０を塗布し、これをパターニングして、該層間絶縁膜
１０のドレイン電極８の端部に相当する部分にコンタク
トホール１２を開口する。次いで、層間絶縁膜１０の表
面を、Ａｒ、Ｎ２、Ｎｅのような不活性ガスをプラズマ
化した雰囲気下で表面処理する。これにより、層間絶縁
膜１０の表面精度が向上する。
板１上に膜厚１μｍのアクリル樹脂からなる層間絶縁膜
１０を塗布し、これをパターニングして、該層間絶縁膜
１０のドレイン電極８の端部に相当する部分にコンタク
トホール１２を開口する。次いで、層間絶縁膜１０の表
面を、Ａｒ、Ｎ２、Ｎｅのような不活性ガスをプラズマ
化した雰囲気下で表面処理する。これにより、層間絶縁
膜１０の表面精度が向上する。
【００１６】次いで、図３（ｃ）に示すように、層間絶
縁膜１０の上にスパッタリング法により膜厚１００ｎｍ
のＩＴＯ膜を成膜し、この膜をレジストおよびウェット
エッチャントを用いたエッチング法によりパターニング
して、図示する形状の絵素電極１１を得る。該絵素電極
１１の端部はコンタクトホール１２を通してドレイン電
極８の端部に電気的に接続される。
縁膜１０の上にスパッタリング法により膜厚１００ｎｍ
のＩＴＯ膜を成膜し、この膜をレジストおよびウェット
エッチャントを用いたエッチング法によりパターニング
して、図示する形状の絵素電極１１を得る。該絵素電極
１１の端部はコンタクトホール１２を通してドレイン電
極８の端部に電気的に接続される。
【００１７】本発明によれば、上記のように層間絶縁膜
１０の表面を表面処理する工程を含むので、両者は密着
し、パターニングの際にウェットエッチャントが両者の
間に染み込むことがない。従って、これに起因する不具
合を発生することがない。
１０の表面を表面処理する工程を含むので、両者は密着
し、パターニングの際にウェットエッチャントが両者の
間に染み込むことがない。従って、これに起因する不具
合を発生することがない。
【００１８】なお、上記実施例では、層間絶縁膜１０と
してアクリル樹脂膜を用いたが、こりに限らず、ポリイ
ミド膜を用いてもよい。
してアクリル樹脂膜を用いたが、こりに限らず、ポリイ
ミド膜を用いてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の本発明方法によれば、透明絶縁膜
の表面処理を行う工程を含むので、該透明絶縁膜の表面
にその後に形成される絵素電極との密着性を向上できる
。従って、該絵素電極を形成するパターニングの際にウ
ェットエッチングが両者間に染み込んで、絵素電極の剥
離を生じ、断線等の不具合を引き起こすことがない。 それ故、アクティブマトリクス基板の歩留まりが向上し
、製造コストを低減できる利点がある。
の表面処理を行う工程を含むので、該透明絶縁膜の表面
にその後に形成される絵素電極との密着性を向上できる
。従って、該絵素電極を形成するパターニングの際にウ
ェットエッチングが両者間に染み込んで、絵素電極の剥
離を生じ、断線等の不具合を引き起こすことがない。 それ故、アクティブマトリクス基板の歩留まりが向上し
、製造コストを低減できる利点がある。
【図１】本発明のアクティブマトリクス基板の製造工程
を示す、図２のＡ−Ａ線に相当する断面図。
を示す、図２のＡ−Ａ線に相当する断面図。
【図２】本発明方法により製造されたアクティブマトリ
クス基板の平面図。
クス基板の平面図。
【図３】従来例を示すアクティブマトリクス基板の断面
図。
図。
１ ガラス基板
２ ゲート電極
４ ゲート絶縁膜
５ 半導体層
６ ソース電極
８ ドレイン電極
９ ｎ＋−Ｓｉ層
１０ 層間絶縁膜
１１ 絵素電極
１２ コンタクトホール
３０ ＴＦＴ
Claims (1)
- 【請求項１】透明絶縁性基板上に薄膜トランジスタをマ
トリクス状に配設して薄膜トランジスタアレイを形成す
る第１の工程と、該薄膜トランジスタアレイの表面に有
機系透明絶縁膜を塗布してパターニングする第２の工程
と、該有機系透明絶縁膜を不活性ガスをプラズマ化した
雰囲気下で表面処理する第３の工程と、表面処理後の該
有機系透明絶縁膜の表面に透明導電膜をパターニングし
、該薄膜トランジスタアレイのドレイン電極に電気的に
接続される絵素電極を形成する第４の工程とを含むアク
ティブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020074A JPH04257826A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020074A JPH04257826A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257826A true JPH04257826A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12016953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020074A Pending JPH04257826A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04257826A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026585A1 (fr) * | 1996-01-18 | 1997-07-24 | Hitachi, Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication associe |
| FR2747233A1 (fr) * | 1996-04-08 | 1997-10-10 | Lg Electronics Inc | Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage a cristal liquide |
| FR2751131A1 (fr) * | 1996-07-09 | 1998-01-16 | Lg Electronics Inc | Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage a matrice active a cristal liquide et structure du dispositif d'affichage selon ce procede |
| KR20000004412A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 액정 표시 장치의 제조방법 |
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