KR970066689A - 액정표시장치의 구조 및 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Abstract
본 발명은 액정표시장치의 구조 및 제조방법에 관한 것으로, 마스크 공정수를 줄여 제작수율을 향상시키도록 한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 기판; 상기 기판위에 형성된 게이트전극; 상기 게이트 절연막상에 형성된 진성반도체층 및 불순물 반도체층; 상기 불순물 반도체층상에 격리형성된 소오스/드레인 전극; 상기 소오스/드레인전극상에 형성되고, 채널영역을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연막; 상기 절연막위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 구성된다.
또한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 차례로 증착하고, 활성영역에만 남도록 상기 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 패터닝하는 단계;상기 도전층과 불순물 반도체층 및 진성반도체층을 포함한 게이트 절연막의 노출된 표면위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 진성반도체층의 채널영역상부와 화소전극 콘택부분의 도전층부분이 각각 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 제1 및 제2콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 상기 화소전극 콘택용 제2콘택홀을 통해 상기 도전층과 접속되도록 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 절연막을 마스크로 채널영역의 도전층과 불순물 반도체층을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조단면도, 제4a~4b도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 레이아웃 및 공정단면도.
Claims (2)
- 기판; 상기 기판위에 형성된 게이트전극; 상기 게이트 절연막상에 형성된 진성반도체층 및 불순물 반도체층; 상기 불순물 반도체층상에 격리형성된 소오스/드레인전극; 상기 소오스/드레인전극상에 형성되고, 채널영역을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연막; 상기 절연막위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 구조.
- 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 차례로 증착하고, 활성영역에만 남도록 상기 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 패터닝하는 단계;상기 도전층과 불순물 반도체층 및 진성반도체층을 포함한 게이트 절연막의 노출된 표면위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 진성반도체층의 채널영역상부와 화소전극 콘택부분의 도전층부분이 각각 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 제1 및 제2콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 상기 화소전극 콘택용 제2콘택홀을 통해 상기 도전층과 접속되도록 화소영역에화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 절연막을 마스크로 채널영역의 도전층과 불순물 반도체층을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960008389A KR100192347B1 (ko) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
US08/760,143 US5751020A (en) | 1996-03-26 | 1996-12-03 | Structure of a liquid crystal display unit having exposed channel region |
US09/018,057 US6091465A (en) | 1996-03-26 | 1998-02-03 | Method for fabricating liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960008389A KR100192347B1 (ko) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970066689A true KR970066689A (ko) | 1997-10-13 |
KR100192347B1 KR100192347B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19454004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960008389A KR100192347B1 (ko) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5751020A (ko) |
KR (1) | KR100192347B1 (ko) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0145900B1 (ko) * | 1995-02-11 | 1998-09-15 | 김광호 | 박막 트랜지스터 액정디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
KR100192347B1 (ko) * | 1996-03-26 | 1999-06-15 | 구자홍 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
US6746959B2 (en) * | 1996-07-26 | 2004-06-08 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method |
US6025605A (en) * | 1996-07-26 | 2000-02-15 | Lg Electronics Inc. | Aligned semiconductor structure |
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JP3269787B2 (ja) * | 1997-05-27 | 2002-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100293809B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 다중도메인을갖는아이피에스-브이에이모드액정표시장치 |
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JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
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KR100980020B1 (ko) | 2003-08-28 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 |
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KR101058458B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2011-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법 |
KR100818887B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2008-04-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
CN101364603A (zh) * | 2007-08-10 | 2009-02-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft阵列基板结构及其制造方法 |
KR101602635B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2016-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP5651961B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
CN105489618B (zh) | 2016-01-22 | 2019-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法 |
KR101771882B1 (ko) | 2017-06-08 | 2017-08-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
US5470769A (en) * | 1990-03-27 | 1995-11-28 | Goldstar Co., Ltd. | Process for the preparation of a thin film transistor |
KR100268007B1 (ko) * | 1992-12-22 | 2000-10-16 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
US5475246A (en) * | 1993-12-20 | 1995-12-12 | General Electric Company | Repair line structure for thin film electronic devices |
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KR100192347B1 (ko) * | 1996-03-26 | 1999-06-15 | 구자홍 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
JPH1022508A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1996
- 1996-03-26 KR KR1019960008389A patent/KR100192347B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-03 US US08/760,143 patent/US5751020A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-03 US US09/018,057 patent/US6091465A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100192347B1 (ko) | 1999-06-15 |
US5751020A (en) | 1998-05-12 |
US6091465A (en) | 2000-07-18 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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EXPY | Expiration of term |