KR970066689A - 액정표시장치의 구조 및 제조방법 - Google Patents

액정표시장치의 구조 및 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970066689A
KR970066689A KR1019960008389A KR19960008389A KR970066689A KR 970066689 A KR970066689 A KR 970066689A KR 1019960008389 A KR1019960008389 A KR 1019960008389A KR 19960008389 A KR19960008389 A KR 19960008389A KR 970066689 A KR970066689 A KR 970066689A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
insulating film
layer
forming
pixel electrode
Prior art date
Application number
KR1019960008389A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100192347B1 (ko
Inventor
류기현
Original Assignee
구자홍
Lg 전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019960008389A priority Critical patent/KR100192347B1/ko
Priority to US08/760,143 priority patent/US5751020A/en
Publication of KR970066689A publication Critical patent/KR970066689A/ko
Priority to US09/018,057 priority patent/US6091465A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100192347B1 publication Critical patent/KR100192347B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps

Abstract

본 발명은 액정표시장치의 구조 및 제조방법에 관한 것으로, 마스크 공정수를 줄여 제작수율을 향상시키도록 한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 기판; 상기 기판위에 형성된 게이트전극; 상기 게이트 절연막상에 형성된 진성반도체층 및 불순물 반도체층; 상기 불순물 반도체층상에 격리형성된 소오스/드레인 전극; 상기 소오스/드레인전극상에 형성되고, 채널영역을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연막; 상기 절연막위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 구성된다.
또한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 차례로 증착하고, 활성영역에만 남도록 상기 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 패터닝하는 단계;상기 도전층과 불순물 반도체층 및 진성반도체층을 포함한 게이트 절연막의 노출된 표면위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 진성반도체층의 채널영역상부와 화소전극 콘택부분의 도전층부분이 각각 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 제1 및 제2콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 상기 화소전극 콘택용 제2콘택홀을 통해 상기 도전층과 접속되도록 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 절연막을 마스크로 채널영역의 도전층과 불순물 반도체층을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

액정표시장치의 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조단면도, 제4a~4b도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 레이아웃 및 공정단면도.

Claims (2)

  1. 기판; 상기 기판위에 형성된 게이트전극; 상기 게이트 절연막상에 형성된 진성반도체층 및 불순물 반도체층; 상기 불순물 반도체층상에 격리형성된 소오스/드레인전극; 상기 소오스/드레인전극상에 형성되고, 채널영역을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연막; 상기 절연막위에 형성되고, 상기 드레인전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 구조.
  2. 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 차례로 증착하고, 활성영역에만 남도록 상기 진성 반도체층과 불순물 반도체층 및 도전층을 패터닝하는 단계;상기 도전층과 불순물 반도체층 및 진성반도체층을 포함한 게이트 절연막의 노출된 표면위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 진성반도체층의 채널영역상부와 화소전극 콘택부분의 도전층부분이 각각 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 제1 및 제2콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 상기 화소전극 콘택용 제2콘택홀을 통해 상기 도전층과 접속되도록 화소영역에화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 절연막을 마스크로 채널영역의 도전층과 불순물 반도체층을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960008389A 1996-03-26 1996-03-26 액정표시장치의 구조 및 제조방법 KR100192347B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960008389A KR100192347B1 (ko) 1996-03-26 1996-03-26 액정표시장치의 구조 및 제조방법
US08/760,143 US5751020A (en) 1996-03-26 1996-12-03 Structure of a liquid crystal display unit having exposed channel region
US09/018,057 US6091465A (en) 1996-03-26 1998-02-03 Method for fabricating liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960008389A KR100192347B1 (ko) 1996-03-26 1996-03-26 액정표시장치의 구조 및 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970066689A true KR970066689A (ko) 1997-10-13
KR100192347B1 KR100192347B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19454004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960008389A KR100192347B1 (ko) 1996-03-26 1996-03-26 액정표시장치의 구조 및 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5751020A (ko)
KR (1) KR100192347B1 (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0145900B1 (ko) * 1995-02-11 1998-09-15 김광호 박막 트랜지스터 액정디스플레이 소자 및 그 제조방법
KR100192347B1 (ko) * 1996-03-26 1999-06-15 구자홍 액정표시장치의 구조 및 제조방법
US6746959B2 (en) * 1996-07-26 2004-06-08 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display and method
US6025605A (en) * 1996-07-26 2000-02-15 Lg Electronics Inc. Aligned semiconductor structure
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)
JP3269787B2 (ja) * 1997-05-27 2002-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100293809B1 (ko) 1998-05-29 2001-10-26 박종섭 다중도메인을갖는아이피에스-브이에이모드액정표시장치
US6678017B1 (en) * 1998-06-08 2004-01-13 Casio Computer Co., Ltd. Display panel and method of fabricating the same
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
KR100342860B1 (ko) * 1999-09-08 2002-07-02 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100980020B1 (ko) 2003-08-28 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법
KR100674908B1 (ko) * 2004-06-01 2007-01-26 삼성전자주식회사 필 팩터가 개선된 cmos 이미지 소자
KR101058458B1 (ko) * 2004-09-22 2011-08-24 엘지디스플레이 주식회사 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법
KR100818887B1 (ko) * 2005-12-14 2008-04-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 및 그 제조 방법
CN101364603A (zh) * 2007-08-10 2009-02-11 北京京东方光电科技有限公司 一种tft阵列基板结构及其制造方法
KR101602635B1 (ko) * 2009-11-30 2016-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP5651961B2 (ja) * 2010-02-03 2015-01-14 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器
CN105489618B (zh) 2016-01-22 2019-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法
KR101771882B1 (ko) 2017-06-08 2017-08-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US5470769A (en) * 1990-03-27 1995-11-28 Goldstar Co., Ltd. Process for the preparation of a thin film transistor
KR100268007B1 (ko) * 1992-12-22 2000-10-16 구본준 액정표시소자 제조방법
US5475246A (en) * 1993-12-20 1995-12-12 General Electric Company Repair line structure for thin film electronic devices
US5610737A (en) * 1994-03-07 1997-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor with source and drain regions having two semiconductor layers, one being fine crystalline silicon
KR100192347B1 (ko) * 1996-03-26 1999-06-15 구자홍 액정표시장치의 구조 및 제조방법
JPH1022508A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Sharp Corp 薄膜トランジスタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100192347B1 (ko) 1999-06-15
US5751020A (en) 1998-05-12
US6091465A (en) 2000-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970066689A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR910005464A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970011963A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR880001179A (ko) 박막트랜지스터 배열기판의 제조방법
KR970076040A (ko) 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시장치
KR970077744A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR980003732A (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR970059790A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR980006265A (ko) 액티브매트릭스기탄 및 그 제조방법
KR970076033A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970071090A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
KR970072480A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 박막 트랜지스터의 구조
KR970022448A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR980003736A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970059797A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR910010731A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR970072497A (ko) 액티브 매트릭스 기판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 액티브 매트릭스 기판
KR980005912A (ko) 반도체 장치의 금속콘택구조 및 그 제조방법
KR970054502A (ko) 수직형 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 초박막액정표시소자용 화소 어레이
KR960032585A (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
KR970075984A (ko) 액티브매트릭스기판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 액티브매트릭스기판
KR970059796A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970072491A (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR950009922A (ko) 반도체소자의 콘택구조 및 그 제조방법
KR970076026A (ko) 액정표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131227

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151228

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term