KR970071090A - 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970071090A
KR970071090A KR1019970014920A KR19970014920A KR970071090A KR 970071090 A KR970071090 A KR 970071090A KR 1019970014920 A KR1019970014920 A KR 1019970014920A KR 19970014920 A KR19970014920 A KR 19970014920A KR 970071090 A KR970071090 A KR 970071090A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
insulating film
substrate
electrode
active matrix
Prior art date
Application number
KR1019970014920A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100264112B1 (ko
Inventor
가쯔히로 가와이
신야 야마까와
마사야 오까모또
미끼오 가따야마
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR970071090A publication Critical patent/KR970071090A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100264112B1 publication Critical patent/KR100264112B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/937—Hillock prevention

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 액티브 매트릭스 기판은 기판; 상호 평행하도록 상기 기판 상에 형성된 다수의 제1라인들; 상기 제1라인들을 덮는 절연막; 상기 제1절연막과의 사이에 상기 절연막이 내재하여 상기 제1라인들을 교차하도록 연장하는, 상기 기판상에 형성된 다수의 제2라인들; 상기 제1라인들과 상기 제2라인들의 각 교차점 근방에 제공된 다수의 스위칭 소자들; 및 상기 절연막 상에 매트릭스로 배열되며 상기 스위칭 소자에 각각 접속된 다수의 픽셀 전극들을 구비한다. 상기 절연막은 상기 절연막의 제거된 부분이 갭에 대응하도록 상기 제2라인들과 상기 픽셀 전극들의 형성 이전에 부분적으로 제거된다.

Description

액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 한 픽셀 부분을 도시하는 평면도.

Claims (20)

  1. 기판; 상호 평행하도록 상기 기판 상에 형성된 다수의 제1라인; 상기 제1라인을 덮는 절연막; 상기 제1라인의 사이에 상기 절연막이 내재하여 상기 제1라인과 교차하도록 연장하는, 상기 기판 상에 형성된 다수의 제2라인; 상기 제1라인과 상기 제2라인의 각 교차점 근방에 제공된 다수의 스위칭 소자; 및 상기 스위칭 소자에 각각 접속되고, 상기 절연막 상에 매트릭스로 배열된 다수의 픽셀 전극을 포함하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 기판 상에 제1라인을 형성하는 단계; 상기 제1라인을 덮기 위해 상기 기판의 전표면 상에 상기 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 일부를 제거하는 단계; 및 상기 제1라인과 상기 픽셀 전극 사이 및/또는 상기 제2라인과 상기 픽셀 전극 사이에 갭이 제공되도록 상기 제2라인과 상기 픽셀 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 절연막의 상기 일부를 제거하는 단계는 상기 제2라인과 상기 픽셀 전극의 형성 단계 이전에 실시되고, 상기 절연막의 상기 제거된 부분은 상기 갭에 대응하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1라인은 게이트 라인인 한편 상기 제2라인은 소스라인인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 부분을 포함하는 박막 트랜지스터이고; 상기 게이트 전극의 각각은 상기 게이트 라인중 대응하는 게이트 라인에 접속되고; 상기 소스 전극의 각각은 상기 소스 라인중 대응하는 소스 라인에 접속되고, 상기 드레인 전극의 각각은 상기 픽셀 전극중 대응하는 픽셀 전극에 접속되며, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 라인과 함께 형성되는 한편 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 소스 라인과 함께 형성되고, 상기 절연막의 일부를 제거하는 단계 이전에 상기 절연막 위에 상기 박막 트랜지스터의 상기 반도체 부분을 형성하는 단계가 더 포함하고, 상기 반도체 부분은 상기 게이트 전극 위에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 기판은 상기 제1라인과 상기 제2라인중 적어도 하나에 접속된 리드 단자를 더 포함하며, 상기 절연막의 일부를 제거하는 단계에서 상기 절연막을 통해 상기 리드 단자에 도달하도록 접촉 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 픽셀 전극은 상기 절연막의 상기 제거된 부분을 중첩하지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  6. 기판; 상호 평행하도록 상기 기판 상에 형성된 다수의 제1라인; 상기 제1라인을 덮는 절연막; 상기 제1절연막과의 사이에 상기 절연막이 내재하여 상기 제1라인과 교차하도록 연장하는, 상기 기판 상에 형성된 다수의 제2라인; 상기 제1라인과 상기 제2라인의 각 교차점 근방에 제공된 다수의 스위칭 소자; 상기 게이트 절연막, 상기 제2라인 및 상기 스위칭 소자를 덮는 층간 절연막; 및 상기 스위칭 소자에 각각 접속되고, 상기 절연막 상에 매트릭스로 배열된 다수의 픽셀 전극을 포함하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 기판 상에 제1라인을 형성하는 단계; 상기 제1라인을 덮기 위해 상기 기판의 전표면 상에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막의 일부를 제거하는 단계; 상기 게이트 절연막 상에 상기 제2라인을 형성하는 단계; 상기 기판의 전 표면 상에 상기 층간 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 층간 절연막 상에 상기 픽셀 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 절연막의 일부를 제거하는 단계는 상기 제2라인의 형성 단계 이전에 실시되고, 상기 게이트 절연막의 상기 제거된 부분은 상기 제1라인과 상기 스위칭 소자가 제공된 영역에 배치된 부분을 포함하지 않도록 결정되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 기판은 상기 픽셀 전극 밑에 제공된 저장 캐패시턴스 전극을 더 포함하고, 상기 저장 캐패시턴스 전극의 각각은 상기 픽셀 전극중 대응하는 픽셀 전극의 일부와 함께 저장 캐패시턴스를 구성하며, 상기 저장 캐패시턴스 전극은 상기 제1라인과 함께 상기 기판 상에 형성되며, 상기 저장 캐패시턴스 전극이 형성된 영역에 배치된 상기 게이트 절연막의 일부는 제거되지 않는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 부분을 포함하고; 상기 게이트 전극의 상기 제1라인과 함께 형성되는 한편 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 제2라인과 함께 형성되고, 상기 게이트 절연막의 상기 일부를 제거하는 단계는 상기 제2라인, 상기 소스 및 상기 드레인 전극의 형성 단계 이전에 실시되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 층간 절연막은 상기 픽셀 전극 밑에 상기 제1라인, 상기 제2라인 및 상기 스위칭 소자의 존재/부존재에 무관하게 상기 픽셀 전극의 표면을 실질적으로 평탕하게 하는데 충분한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 기판은 상기 제1라인과 상기 제2라인중 적어도 하나에 접속된 리드 단자를 더 포함하고, 상기 게이트 절연막을 통해 상기 리드 단자에 도달하도록 접촉 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 접촉 구멍은 상기 게이트 절연막의 상기 일부를 제거하는 단계 이전에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 접촉 구멍은 상기 게이트 절연막의 상기 일부를 제거하는 것과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  13. 제6항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 기판은 상기 픽셀 전극의 형성 단계 이전에 상기 층간 절연막을 통해 상기 드레인 전극에 도달하도록 형성되는 접촉 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
  14. 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 기판; 상호 평행하도록 상기 기판 상에 형성된 다수의 제1라인; 상기 제1라인을 덮는 절연막; 상기 제1라인과의 사이에 상기 절연막이 내재하여 상기 제1라인과 교차하도록 연장하는, 상기 기판 상에 형성된 다수의 제2라인; 상기 제1라인과 상기 제2라인의 각 교차점 근방에 제공된 다수의 스위칭 소자; 및 상기 스위칭 소자에 각각 접속되고, 상기 절연막 상에 매트릭스로 배열된 다수의 픽셀 전극을 포함하고, 상기 제1라인과 상기 픽셀 전극 사이 및/또는 상기 제2라인과 상기 픽셀 전극 사이에 갭이 제공되고, 상기 갭에 대응하는 상기 절연막의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1라인은 게이트 라인이고, 상기 제2라인은 소스 라인인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  16. 제14항에 있어서, 상기 픽셀 전극은 상기 절연막의 상기 제거된 부분을 중첩하지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  17. 제14항에 있어서, 상기 픽셀 전극 밑에 형성된 저장 캐패시턴스 전극을 더 포함하고, 상기 저장 캐패시턴스 전극의 각각은 상기 픽셀 전극중 대응하는 픽셀 전극의 일부와 함께 저장 캐패시턴스를 구성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  18. 제14항에 있어서, 상기 제1라인과 상기 제2라인중 적어도 하나에 접속된 리드 단자를 더 포함하고, 상기 리드 단자에 대응하는 상기 절연막의 일부는 상기 리드 단자의 적어도 일부를 노출시키도록 제거되고, 이로 인해 접촉 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  19. 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 기판; 상호 평행하도록 상기 기판 상에 형성된 다수의 제1라인; 상기 제1라인을 덮는 절연막; 상기 제1라인과의 사이에 상기 절연막이 내재하여 상기 제1라인과 교차하도록 연장하는, 상기 기판 상에 형성된 다수의 제2라인; 상기 제1라인과 상기 제2라인의 각 교차점 근방에 제공된 다수의 스위칭 소자; 상기 게이트 절연막, 상기 제2라인 및 상기 스위칭 소자를 덮는 층간 절연막; 상기 스위칭 소자에 각각 접속되고, 상기 층간 절연막 상에 매트릭스로 배열된 다수의 픽셀 전극; 및 상기 각각의 픽셀 전극에 제공된 다수의 저장 캐패시턴스를 포함하며, 상기 게이트 절연막의 일부는 상기 제거된 부분이 상기 제1라인, 상기 스위칭 소자, 및 상기 저장 캐패시턴스가 제공된 영역에 배치된 부분을 포함하지 않도록 제거되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1라인과 상기 제2라인중 적어도 하나에 접속된 리드 단자를 더 포함하고, 상기 리드 단자에 대응하는 상기 게이트 절연막의 일부는 상기 리드 단자의 적어도 일부를 노출시키도록 제거되고, 이로 인해 접촉 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970014920A 1996-04-22 1997-04-22 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 KR100264112B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10007496 1996-04-22
JP96-100074 1996-04-22
JP5308597A JPH1010583A (ja) 1996-04-22 1997-03-07 アクティブマトリクス基板の製造方法、およびそのアクティブマトリクス基板
JP97-053085 1997-03-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970071090A true KR970071090A (ko) 1997-11-07
KR100264112B1 KR100264112B1 (ko) 2000-08-16

Family

ID=26393798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970014920A KR100264112B1 (ko) 1996-04-22 1997-04-22 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6025892A (ko)
JP (1) JPH1010583A (ko)
KR (1) KR100264112B1 (ko)
TW (1) TW448332B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543029B1 (ko) * 1998-07-24 2006-05-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100623981B1 (ko) * 1999-07-16 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7295257B2 (en) 1998-11-26 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4796221B2 (ja) * 1998-11-26 2011-10-19 三星電子株式会社 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US6714269B1 (en) * 1999-03-22 2004-03-30 Industrial Technology Research Institute Front-side repairable TFT-LCD and method for making
JP3329313B2 (ja) * 1999-06-02 2002-09-30 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタアレイ製造方法
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6900084B1 (en) * 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
JP3645184B2 (ja) * 2000-05-31 2005-05-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
KR20020002052A (ko) * 2000-06-29 2002-01-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치의 제조방법
JP2002353205A (ja) * 2000-08-28 2002-12-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるウェハ処理装置並びに半導体装置
KR20020093113A (ko) 2001-03-06 2002-12-12 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 디스플레이 디바이스
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100493435B1 (ko) * 2001-12-20 2005-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2004054069A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Advanced Display Inc 表示装置及び表示装置の断線修復方法
US7190000B2 (en) * 2003-08-11 2007-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
WO2006033878A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Boehringer Ingelheim International, Gmbh Process for preparing macrocyclic hcv protease inhibitors
KR101112544B1 (ko) * 2004-12-03 2012-03-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP5087825B2 (ja) * 2005-07-27 2012-12-05 カシオ計算機株式会社 アクティブ基板の製造方法
US8592262B2 (en) * 2006-11-16 2013-11-26 Au Optronics Corporation Residue isolation process in TFT LCD fabrication
TWI396025B (zh) * 2009-06-30 2013-05-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6193488A (ja) * 1984-10-12 1986-05-12 富士通株式会社 シリコン薄膜トランジスタマトリツクス及びその製造方法
JPH0638429B2 (ja) * 1985-02-14 1994-05-18 松下電器産業株式会社 薄膜電界効果トランジスタとその製造方法
JPH0833553B2 (ja) * 1988-02-29 1996-03-29 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル及びその製造方法
JPH0816756B2 (ja) * 1988-08-10 1996-02-21 シャープ株式会社 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置
CA1313563C (en) * 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
JPH0816757B2 (ja) * 1988-11-18 1996-02-21 シャープ株式会社 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置
US5056895A (en) * 1990-05-21 1991-10-15 Greyhawk Systems, Inc. Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields
JP2667304B2 (ja) * 1991-05-13 1997-10-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JPH0545639A (ja) * 1991-08-20 1993-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル用基体の平滑化物及び平滑化法
US5523866A (en) * 1992-06-04 1996-06-04 Nec Corporation Liquid-crystal display device having slits formed between terminals or along conductors to remove short circuits
JP2806740B2 (ja) * 1992-06-04 1998-09-30 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3084981B2 (ja) * 1992-11-20 2000-09-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3239504B2 (ja) * 1993-01-13 2001-12-17 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
GB2282011A (en) * 1993-09-21 1995-03-22 Nnc Ltd A helical annular linear induction pump
JPH07131030A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Sony Corp 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
JP3214202B2 (ja) * 1993-11-24 2001-10-02 ソニー株式会社 表示素子基板用半導体装置
JP3059915B2 (ja) * 1994-09-29 2000-07-04 三洋電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543029B1 (ko) * 1998-07-24 2006-05-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7295257B2 (en) 1998-11-26 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
US7839460B2 (en) 1998-11-26 2010-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
US7978276B2 (en) 1998-11-26 2011-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
US8294839B2 (en) 1998-11-26 2012-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100623981B1 (ko) * 1999-07-16 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW448332B (en) 2001-08-01
US6025892A (en) 2000-02-15
KR100264112B1 (ko) 2000-08-16
JPH1010583A (ja) 1998-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970071090A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
US20050170564A1 (en) Thin film tansistor array panel and fabricating method thereof
KR970024311A (ko) 반도체 장치, 액티브 매트릭스 기판 및 그의 제조 방법
KR900003896A (ko) 반도체 메모리와 그 제조방법
KR970066697A (ko) 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR910015056A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
KR970067835A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR980006265A (ko) 액티브매트릭스기탄 및 그 제조방법
KR970076033A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR960019497A (ko) Soi 구조를 가지는 반도체장치 및 그의 제조방법
KR980006266A (ko) 강유전체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR980006437A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR970007423A (ko) 액정표시소자의 리페어구조 및 이의 형성방법
JP2002108244A5 (ko)
KR960012495A (ko) 메모리 셀용 스위칭 트랜지스터 및 캐패시터
KR960043021A (ko) 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법
KR980005912A (ko) 반도체 장치의 금속콘택구조 및 그 제조방법
KR940012614A (ko) 고집적 반도체 접속장치 및 그 제조방법
JP2001249625A5 (ko)
JP2001249361A5 (ko)
KR960042175A (ko) 복수 개의 채널 영역을 가진 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR960032585A (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
KR970072493A (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR970076026A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR950007163A (ko) Mos 트랜지스터를 가지는 반도체장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120507

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee