KR970067835A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치에 있어서, 반도체 기판 상의 소자에 대한 상부층 배선의 접속에 의해 형성된 여분 배선 영역은 집적도를 개선시키기 위해 감소되고, 게이트와 소스-드레인 영역 사이의 기생 용량은 회로의 성능을 증가시키기 위해 감소된다. 게이트 전극은 반도체 기판에 형성된 반도체의 게이트 절연막을 통해 형성된다. 그 반도체 층은 소스 영역과 드레인 영역을 위한 것이며, 그 소스 및 드레인 영역은 게이트 전극을 중심으로 하여 그 게이트 전극의 좌우측 상에 형성된다. 소스 영역에 접속된 배선은 게이트 전극의 동일한 측면에 형성된다. 드레인 영역에 접속된 배선은 반도체와 게이트 전극의 반대 측면 사이에 형성된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 제1 실시예의 제조 공정의 순서를 도시한 단면도.

Claims (14)

  1. 반도체 장치의 한 주표면에 형성된 게이트 전극, 확산된 소스 전극, 확산된 드레인 전극과 상기 게이트 전극에 접속된 게이트 배선을 포함하는 금속-절연-반도체 전계 효과 트랜지스터 형태(MISFET) 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 상기 확산된 소스 전극에 접속된 최소한 하나의 소스 배선과 상기 확산된 드레인 전극에 접속된 드레인 배선은 상기 반도체 장치의 상기 주표면에 대향된 후방 표면에 형성된 후면 배선인 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 후면 배선은 상기 확산된 소스 전극 또는, 상기 반도체 기판의 상기 후면에 형성된 절연막에 열린 관통홀을 통해 상기 확산된 드레인 전극에 접속된 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 후면 배선은 상기 확산된 소스 전극 또는, 상기 확산된 전극 중 한 전극에 결합된 접속 확산층을 통해 상기 확산된 드레인 전극에 접속된 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 후면 배선은 금속 배선인 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 절연체 상의 반도체(SOI) 형태 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 후면 배선은 상기 확산된 소스 전극에 접속된 금속 배선이거나 또는, 상기 SOI 형태의 반도체 기판의 절연막에 열린 관통홀을 통해 상기 확산된 드레인 전극에 접속된 금속 배선인 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 후면 배선은 상기 확산된 소스 전극 또는, 상기 확산된 드레인 전극에 직접 접속된 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 SOI 형태 반도체 기판의 절연막은 매몰된 절연막으로 형성된 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 SOI 형태 반도체 기판은 SIMOX 기판인 것을 특징으로 하는 MISFET 반도체 집적 회로 장치.
  10. 게이트 전극, 소스-드레인 전극 및, 배선을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 게이트 전극은 게이트 절연막을 통해 반도체 기판에 형성되고, 소스 및 드레인 영역은 중앙에 게이트 전극을 갖는 상기 게이트 전극의 좌우측의 상기 반도체 기판에 형성되며, 여러 배선은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 접속되고 그 배선 중 최소한 한 배선은 상기 게이트 전극의 반대 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 접속 확산층을 더 포함하고, 그 접속 확산층은 소스 전극 및 드레인 전극 중 최소한 한 전극에 접촉을 형성하는 상기 게이트 전극의 반대 측면에 형성되고, 상기 배선은 상기 접속 확산된 층을 통해 소스 전극 및 드레인 전극 중 최소한 한 전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제10항에 있어서, 매몰된 절연층을 더 포함하고, 그 매몰된 절연층은 내부에 관통홀을 가지며, 상기 게이트 전극의 반대 측면에 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 결합되어 형성되고, 상기 배선은 상기 매몰된 절연막의 관통홀을 통해 소스 전극 및 드레인 전극 중 최소한 한 전극에 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 게이트 전극은 각각의 게이트 절연막을 통해 상기 소스 및 드레인 전극을 새드위치하는 반도체 기판의 전면 및 후면측에 각각 형성된 두 개의 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 최소한, 게이트 전극을 형성하는 단계, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 정면 배선을 형성하는 단계, 연마 단계 및, 후면 배선의 단계를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 게이트 전극을 형성하는 단계는 게이트 절연막을 통해 반도체 기판에 게이트 전극을 형성하는 것이고, 소스 및 게이트 전극을 형성하는 단계는 게이트 전극을 중심으로 하여 그 게이트 전극의 좌우측의 반도체 기판에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 것이며, 정면 배선의 단계는 소스 및 드레인 전극을 커버하는 정면 층 절연막에 배선을 형성하는 것이며, 연마 단계는 상기 반도체 기판의 후면을 연마하는 것이고, 후면 배선 단계는 상기 반도체 기판의 후면을 커버하는 층 절연막에 소스 전극 및 드레인 전극 중 최소한 한 전극에 접속된 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
KR1019970009247A 1996-03-19 1997-03-19 반도체 장치 및 그 제조방법 KR970067835A (ko)

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