KR970007423A - 액정표시소자의 리페어구조 및 이의 형성방법 - Google Patents

액정표시소자의 리페어구조 및 이의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시소자의 리페어구조 및 이의 형성방법에 관한 것으로, 커패시터 작용에 의한 신호의 감소를 줄이기 위한 것이다.
본 발명은 복수의 주사선과, 상기 복수의 주사선과 직교하는 복수의 신호선, 상기 복수의 주사선과 복수의 신호선이 직교하는 교차지점에 위치하는 복수개의 화소전극, 상기 복수개의 화소전극을 상기 주사선 및 신호선에 각각 연결하는 복수개의 박막트랜지스터로 구성된 액정표시소자 디스플레이부의 외곽에 리페어라인이 형성되어 이루어진 액정표시소자에 있어서, 상기 리페어라인, 상기 복수의 주사선 및 신호선이 교차하는 지점의 상기 리페어라인 및 상기 복수의 주사선 및 신호선사이에 게이트절연막과 보호막이 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조를 제공한다.

Description

액정표시소자의 리페어구조 및 이의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명에 의한 액정표시소자의 박막트랜지스터 단면구조도, 제8도는 본 발명에 의한 액정표시소자의 리페어구조의 개략적인 평면도, 제9도는 제8도의 A-A'선에 따른 단면구조도.

Claims (6)

  1. 복수의 주사선과, 상기 복수의 주사선과 직교하는 복수의 신호선, 상기 복수의 주사선과 복수의 신호선이 직교하는 교차지점에 위치하는 복수개의 화소전극, 상기 복수개의 화소전극을 상기 주사선 및 신호선에 각각 연결하는 복수개의 박막트랜지스터로 구성된 액정표시소자 디스플레이부의 외곽에 리페어라인이 형성되어 이루어진 액정표시소자에 있어서, 상기 리페어라인, 상기 복수의 주사선 및 신호선이 교차하는 지점의 상기 리페어라인 및 상기 복수의 주사선 및 신호선사이에 게이트절연막과 보호막이 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 주사선과 교차하는 부분의 리페어라인은 상기 화소전극과 동일한 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조.
  3. 기판위에 도전층을 형성하는 공정, 상기 도전층을 패터닝하여 도전성라인을 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트 절연막 상부에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막 상부에 리페어라니인을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도전성 라인은 신호선 또는 주사선인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 도전성라인을 형성하는 공정후에 상기 주사선을 양극산화하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조 형성방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 게이트절연막을 형성하는 공정후에 상기 게이트절연막상에 반도체 활성층과 오믹콘택층을 각각 형성하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 레페어구조 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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