KR960042172A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 화소전극(캐패시터용 화소전극)과 캐패시터전극의 간격을 작게 하여 캐패시터 용량을 크게 하려는 것이다.
본 발명의 액정표시소자는 복수의 게이트 배선 및 데이타 배선이 매트릭스 형태로 되어 있고, 상기 각 배선의 교차점에 게이트, 소오스, 드레인 전극으로 된 복수의 트랜지스터와, 상기 각 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되어 있는 복수의 화소전극과 상기 화소전극에 형성되어 있는 캐패시터로 구성된 액정 표시소자에 있어서, 상기 캐패시터가 캐패시터 전극과 게이트 절연막과 반도체막과 보호막으로 이루어진다.
또는 상기 캐패시터가 캐패시터 전극과 게이트 절연막과 금속막과 보호막으로 이루어진다.
상기 캐패시터의 반도체막은 상기 트랜지스터의 반도체 영역과 동일 물질을 사용하고, 캐패시터의 금속막은 상기 트랜지스터의 소오스, 드레인 전극과 동일 물질을 사용한다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예인 액정표시소자 제조방법을 설명하기 위한 단면도, 제3도는 본 발명의 제1실시예인 액정표시소자의 레이아웃도, 제5도는 본 발명의 제2실시예인 액정표시소장의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (6)

  1. 복수의 게이트 배선 및 데이타 배선이 매트릭스 형태로 되어 있고, 상기 각 배선의 교차점에 게이트, 소오스 드레인 전극으로 된 복수의 트랜지스터와, 상기 각 트랜지스터이 전극에 연결되어 있는 복수의 화소 전극과, 상기 화소전극에 형성되어 있는 캐패시터로 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 캐패시터가 캐패시터 전극과 게이트 절연막과 반도체막과 보호막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제2항에 있어서, 상기 캐패시터의 반도체막은 상기 트랜지스터의 반도체 영역과 동일 물질임을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 복수의 게이트 배선 및 데이타 배선이 매트릭스 형태로 되어 있고, 상기 각 배선의 교차점에 게이트, 소오스, 드레인 전극으로 된 복수의 트랜지스터와, 상기 각 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되어 있는 화소전극과, 상기 화소전극에 형성되어 있는 캐패시터로 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 캐패시터가 캐패시터 전그과 게이트 절연막과 금속막과 보호막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 캐패시터의 금속막은 상기 트랜지스터의 소오스, 드레인 전극과 동일 물질임을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 기판위에 게이트 전극과 캐패시터 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극과 캐패시터 전극 위에 양극산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극과 캐패시터 전극의 양극산화막 위에 게이트 절연막, 비정질 실리콘층, n+ 실리콘층을 순차 적층하여 상기 게이트 절연막 위의 비정질 실리콘층과 n+ 실리콘층을 패터닝하는 공정과, 상기 게이트 전극 위의 n+ 실리콘층 위에 소오스, 드레인 전극을 형성하여 패터닝하는 공정과, 상기 소오스, 드레인 전극을 마스크로 상기 각각의 전극 위의 n+층을 식각하는 공정과, 상기 각각의 전극위에 보호막을 증착 후 콘택홀과 캐패시터형성부분의 보호막을 식각하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  6. 기판 위에 게이트 전극과 캐패시터 전극을 형성하는 공정과, 상기 각각의 전극 위에 양극산화막을 형성하는 공정과, 상기 양극산화막 위에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 전극면 위에만 비정질 실리콘층과 n+ 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 n+ 실리콘층 위와 상기 캐패시터 전극면 위에 소오스, 드레인 전극 및 캐패시터용 도전층을 형성하는 공정과, 상기 소오스, 드레인 전극을 마스크로 게이트 전극 위의 n+층을 식각하는 공정과, 상기 각각의 전극 위에 보호막을 증착후 게이트 전극면의 콘택홀과 캐패시터형성부분의 보호막을 식각하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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