KR960029865A - 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조방법

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Abstract

이 발명은 디씨오프셋(DC－OFFSET) 전압(ΔVp)의 차이를 1% 이내로 줄여서 양호한 디스플레이 균일성을 확보할 수 있도록 하기 위한, 기생용량을 형성하는 상측전극과 축적용량을 형성하는 상측전극이 동일 사진식각 공정으로 형성되며; 기생용량을 형성하는 하측전극과 축적용량을 형성하는 하측전극도 동일 사진식각 공정으로 형성되고, 상기 상측전극과 하측전극이 오버랩이 같은 방향으로 되어 있어서, 부정결합(misalign)시 기생용량의 오버랩 면적과 축적용량의 오버랩 면적이 함께 비례하여 중감되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이의 화소를 나타낸 평면도이고, 제5도는 본 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이의 축적용량을 나타낸 측면도이고, 제6도는 본 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이의 기생용량을 나타낸 측면도이다.

Claims (7)

  1. 박막트랜지스터 액정디스플레이에 있어서, 기생용량을 형성하는 상측전극 (66)과 축적용량을 형성하는 상측전극(57)이 동일 사진식각공정으로 형성되며; 기생용량을 형성하는 하측전극(60)과 축적용량을 형성하는 하측전극(53)도 동일 사진식각 공정으로 형성되고; 상기 상측전극(66, 57)과 하측전극(60, 53)의 오버랩이 같은 방향으로 되어 있어서, 부정결합(misalign)시에 기생용량이 오버랩 면적(L3)과 축적용량의 오버랩 면적(L2)이 함께 비례하여 증감되는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 축적용량을 형성하는 하측전극(53)으로 전단 게이트라인을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조.
  3. 제1항에 있어서 상기 축적용량 및 기생용량을 형성하는 상측전극(66, 57)과 하측전극(60, 53)의 오버랩이 같은 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조.
  4. 기판(61) 위에 게이트메탈을 적층한 후, 사진식각하여 게이트전극(60)과 그리고 축적용량을 형성하는 하측전극(53)을 형성시키는 메탈패턴 공정과; 상기 메탈패턴(53, 60)의 상부를 포함하여 절연막(62)을 적층하는 공정과; 상기 절연막(62)의 상부에 아몰퍼스실리콘 및 n´아몰퍼스실리콘을 연속하여 차례로 적층한 후 상기 반도체층(64)을 패턴시키는 반도체층패턴 공정과; 상기 반도체층(64)패턴의 상부에 소오스／드레인 메탈을 적층한 후, 사진식각하여 소오스／드레인 전극(65, 66)과 데이타라인(67)과 그리고 축적용량을 형성하는 상측전극(57)을 형성시키는 제2메탈패턴 공정과; 상기 소오스／드레인 전극(65, 66) 사이에 위치한 반도체층 (64)패턴의 상측인 n´아몰퍼스실리콘층을 식각하여 채널부 패턴을 형성시키는 채널부 공정과; 상기 채널부를 포함하도록 상기 제2메탈패턴의 상부에 보호막(63)을 적층한 후, 사진식각하여 보호막 컨택구멍(63－1)을 형성시키는 보호막패턴 공정과; 상기 보호막(63)의 상부에 화소전극(58)을 적층한 후, 사진식각하여 화소전극(58) 패턴을 형성하는 화소전극패턴 공정으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 채널부 공정은 드라이에칭을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 보호막패턴 공정시 투명화소전극과 접촉할 부위인 드레인전극 위에 콘택구멍(63－1)을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 화소전극패턴 공정시 상기 화소전극과 상기 축적용량을 형성하는 하측전극(53)이 오버랩 되게 하여 축척용량의 일부로도 작용할 수 있게 하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001528A 1995-01-27 1995-01-27 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조 방법 KR0163933B1 (ko)

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