KR970059799A - 액정표시장치의 구조 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치(LiquidCrystal Display)에 관한 것으로, 특히 개구율을 향상시키기에 적당한 액정표시장치의 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명의 액정표시장치는 매트릭스 형태의 화소영역과 상기 화소영역 사이에 서로 수직한 방향으로 복수개의 게이트 라인과 데이타 라인이 형성되는 액정표시장치에 있어서, 각 화소영역의 기판상에 소오스/드레인 불순물 영역을 갖고 섬 모양으로 형성되는 복수개의 제1반도체층; 각 화소영역의 기판상에 섬 모양으로 형성되어 스토리지 커패시터의 하부전극으로 사용되는 복수개의제2반도체층; 상기 제1반도체층을 활성영역으로 하고 상기 게이트 라인을 기이트 전극으로 하며 상기 데이타 라인을 소오스 전극으로 하여 형성되는 박막트랜지스터; 상기 제2반도체층에 연결되어 상기 데이타 라인 하측에 형성되는 제1금속라인; 상기 게이트 라인에 교차되도록 형성되어 이웃하는 제1금속라인들과 제2반도체층을 연결하는 제2금속라인; 상기 박막트랜지스터의 드레인 불순물 영역에 연결되어 상기 제2반도체층과 겹치도록 화소영역에 형성되는 화소전극을 포함하여 구성된 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 액정표시장치의 레이아웃도,
제6도는 본 발명의 액정표시장치의 스토리지 커패시터 부분의 상세 단면도.
Claims (6)
- 매트릭스 형태의 화소영역과 상기 화소영역 사이에 설오히려 수직한 방향으로 복수개의 게이트 라인과 데이타라인이 형성되는 액정표시장치에 있어서, 각 화소영역의 기판상에 소오스, 드레인 불순물 영역을 갖 섬 모양으로 형성되는 복수개의 제1반도체층; 각 화소영역의 기판상에 섬 모양으로 형성되어 스토리지 커패시터의 하부전극으로 사용되는 복수개이러 제2반도체층; 상기 제1반도체층을 활성영역으로 하고 상기 게이트 라인을 게이트전극으로 하며 상기 데이타 라인을 소오스 전극으로 하여 형성되는 박막트랜지스터; 상기 제2반도체층에 연결되어 상기 데이타라인 하측에 형성되는 제1금속라인; 상기 게이트 라인에 교차되도록 형성되어 이웃하는 제1금속라인들과 제2반도체층을 연결하는 제2금속라인; 상기 박막트랜지스터의 드레인 불순물 영역에 연결되어 상기 제2반도체층과 겹치도록 화소 영역에 형성되는 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 구조.
- 제1항에 있어서, 제1금속라인은 게이트 라인과 동일한 물질로 형성되고, 제2금속라인은 데이타 라인과 동일한 물질로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 구조.
- 제1항에 있어서, 제2반도체층은 게이트 라인 방향의 동일 행 화소영역에 걸쳐 일체형으로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 구조.
- 매트릭스 형태의 화소영역과 상기 화소영역 사이에 서로 수직한 방향으로 복수개의 게이트 라인과 데이타라인이 형성되는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 각 화소영역의 박막트랜지스터 형성영역과 스토리지 커패시터 형성영역에 섬 모양으로 복수개의 제1반도체층과 제2반도체층을 형성하는 단계; 상기 각 제1, 제2반도체층을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 위에 복수개의 게이트 라인 및 상기 제2반도체층에 연결되도록 데이타 라인 형성영역에 복수개의 제1금라인을 형성하는 단계; 상기 게이트라인 및 제1금속라인을 마스크로 이용하여 상기 제1, 제2반도체층(2,2)에 불순물을 이온주입하여 박막트랜지스터이러 소오스/드레인 영역 및 스토리지 커패시터의 하부전극을 형성하는 단계; 상기 기판전면에 제1층간 절연막을 형성한 후, 상기 소오스 영역, 제2반도체 및 제1금속랑니위에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 소오스 영역에 연결되도록 데이타 라인을 형성함과 동시에 상기 동일열의 제2반도체층 및 제1금속라인(5a)이 서로 연결되도록 제2금속라인을 형성하는 단계; 상기 기판전면에 제2층간 절연막을 형성하고, 화소영역상의 제1, 2층간절연막을 제거하는 단계; 상기 드레인 영역상이러 게이트 절연막을 일부분 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 드레인 영역에 콘택 홀을 갖도록 화소영역을 제외한 부분에 제2층간절연막을 형성하는 단계; 그리고 상기 드레인 영역과 연결되고 상기 제2반도체층에 겹치도록 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 게이트 절연막과 제1, 제2층간절연막은 식각 선택비가 큰 절연막을 사용함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 게이트 절연막으로 질화말을 사용하고 제1, 제2층간 절연막으로 산화막을 사용하거나 그 반대로 사용함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019960000674A KR100192234B1 (ko) | 1996-01-15 | 1996-01-15 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
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KR100192234B1 KR100192234B1 (ko) | 1999-06-15 |
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ID=19449435
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KR1019960000674A KR100192234B1 (ko) | 1996-01-15 | 1996-01-15 | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 |
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KR (1) | KR100192234B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100305524B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2002-10-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | 플랫패널의제조방법 |
KR100493976B1 (ko) * | 1996-06-18 | 2005-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치,액티브매트릭스장치,및액티브매트릭스장치를구비한프로젝터 |
KR100837884B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-06-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR101254227B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2013-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
-
1996
- 1996-01-15 KR KR1019960000674A patent/KR100192234B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100493976B1 (ko) * | 1996-06-18 | 2005-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치,액티브매트릭스장치,및액티브매트릭스장치를구비한프로젝터 |
KR100305524B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2002-10-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | 플랫패널의제조방법 |
KR100837884B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-06-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR101254227B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2013-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
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