KR970060521A - 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 제조방법 - Google Patents

티에프티-엘씨디(tft-lcd) 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970060521A
KR970060521A KR1019960001724A KR19960001724A KR970060521A KR 970060521 A KR970060521 A KR 970060521A KR 1019960001724 A KR1019960001724 A KR 1019960001724A KR 19960001724 A KR19960001724 A KR 19960001724A KR 970060521 A KR970060521 A KR 970060521A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
insulating film
interlayer insulating
entire surface
substrate including
Prior art date
Application number
KR1019960001724A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100186557B1 (ko
Inventor
김홍규
이은영
Original Assignee
구자홍
Lg 전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019960001724A priority Critical patent/KR100186557B1/ko
Publication of KR970060521A publication Critical patent/KR970060521A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100186557B1 publication Critical patent/KR100186557B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명은 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)에 관한 것으로 특히, 화소영역에 형성되는 저장 커패시터(Storage Capacitor)부를 투명하게 형성하여 개구율을 향상시키는데 적합하도록 한 TFT-LCD의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 TFT-LCD 제조방법은 기판위에 섬모양의 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 불순물 이온을 주입하여 소오스/드레인 영역 및 저장 커패시터의 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 제1층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 소오스 영역에 제1콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제1콘택홀내 및 제1층간 절연막 일부분위에 메탈을 형성하는 단계, 상기 메탈을 포함한 기판 전면에 제2층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1, 제2층간 절연막을 선택적으로 제거하여 화소 전극이 형성될 영역의 게이트 절연막을 노출시키는 단계, 상기 드레인 영역에 제2콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제2콘택홀내 및 상기 노출된 게이트 절연막위에 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극을 포함한 기판 전면에 제3층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 모퉁이의 화소 전극 물질이 없는 영역의 상기 제3층간 절연막, 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 저장 커패시터의 하부 전극이 노출되도록 제3콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제3콘택홀내 및 제3층간 절연막 일부분위에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계, 상기 블랙 매트릭스를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 따라서, 개구율이 향상되고 성능이 우수한 디바이스를 제작할 수 있다.

Description

티에프티-엘씨디(TFT-LCD)제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 TFT-LCD의 평면도 및 회로도.

Claims (4)

  1. 기판위에 섬모양의 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 불순물 이온을 주입하여 소오스/드레인 영역 및 저장 커패시터의 하부전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 제1층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 소오스 영역에 제1콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제1콘택홀내 및 제1층간 절연막 일부분위에 메탈을 형성하는 단계, 상기 메탈을 포함한 기판 전면에 제2층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1, 제2층간 절연막을 선택적으로 제거하여 화소 전극이 형성될 영역의 게이트 절연막을 노출시키는 단계, 상기 드레인 영역에 제2콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제2콘택홀내 및 상기 노출된 게이트 절연막위에 화소전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극을 포함한 기판 전면에 제3층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 모퉁이의 화소 전극 물질이 없는 영역의 상기 제3층간 절연막, 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 저장 커패시터의 하부 전극이 노출되도록 제3콘택홀을 형성하는 단계, 상기 제3콘택홀내 및 제3층간 절연막 일부분위에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계, 상기 블랙 매트릭스를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 제1, 제2층간 절연막과 식각 선택비가 다른 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘은 나이트 라이드계 물질을 사용하고 상기 제1, 제2층간 절연막은 실리콘 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막을 사용하고 상기 제1, 제2층간 절연막은 실리콘 나이트 라이드계 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960001724A 1996-01-26 1996-01-26 티에프티-엘씨디 제조방법 KR100186557B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960001724A KR100186557B1 (ko) 1996-01-26 1996-01-26 티에프티-엘씨디 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960001724A KR100186557B1 (ko) 1996-01-26 1996-01-26 티에프티-엘씨디 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970060521A true KR970060521A (ko) 1997-08-12
KR100186557B1 KR100186557B1 (ko) 1999-05-01

Family

ID=19450153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960001724A KR100186557B1 (ko) 1996-01-26 1996-01-26 티에프티-엘씨디 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100186557B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466582B1 (ko) * 2000-09-29 2005-01-15 가부시끼가이샤 도시바 평면표시장치 및 그 제조방법
KR100552281B1 (ko) * 1998-03-12 2006-05-12 삼성전자주식회사 유기절연막을이용한액정표시장치및그제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552281B1 (ko) * 1998-03-12 2006-05-12 삼성전자주식회사 유기절연막을이용한액정표시장치및그제조방법
KR100466582B1 (ko) * 2000-09-29 2005-01-15 가부시끼가이샤 도시바 평면표시장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100186557B1 (ko) 1999-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100205388B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970072205A (ko) 에스. 오. 아이(soi)형 트랜지스터 및 그 제조방법
KR960015929A (ko) 반도체장치 및 그 제조공정
KR960026984A (ko) 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR980003732A (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR970022414A (ko) 액정표시 소자의 제조방법
KR980003731A (ko) 표시 패널용 정전 파괴 보호 장치 및 그 제조 방법
KR920003461A (ko) 접촉영역 형성방법 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법
KR970059797A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR940002952A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970060521A (ko) 티에프티-엘씨디(tft-lcd) 제조방법
KR960001851A (ko) 박막트랜지스터 어레이 및 액정표시장치
KR970059801A (ko) 티에프티(tft)-엘씨디(lcd)의 구조 및 제조방법
KR950021516A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR960001841A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970059799A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR970054507A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR970072491A (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR970076032A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR950004584A (ko) 오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법
KR970016714A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970054476A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR970022415A (ko) 액정표시 소자의 제조방법
KR960026976A (ko) 티에프티-엘씨디(tet-lcd)의 구조 및 제조방법
KR970054490A (ko) 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060911

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee