KR970054476A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 질화막으로 형성된 보호막과 비정질 실리콘막으로 형성된 반도체막 사이에 산화막을 형성함으로써 반도체막이 질화막과 직접 접하지 않고 산화막과 접하게 되어 누설 전류의 발생을 억제하는 효과가 있는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 도전 물질인 알루미늄막을 적층하고 사진 식각하여 게이트 전극 및 저장 용량 하부 전극을 형성한 후 산화하여 게이트 산화막을 형성하는 단계, 절연막과 비정질 실리콘막 그리고 n+비정질 실리콘막을 차례로 적층한 후, n+비정질 실리콘막과 비정질 실리콘막을 동시에 사진 식각하여 패턴을 형성하는 단계, 상기 n+비정질 실리콘막 위에 도전막을 적층한 후, 사진 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하고, 이어서, 소스/드레인 전극을 마스크로 n+비정질 실리콘막을 식각하는 단계, 산화막, 보호막을 차례로 적층하는 단계, 상기 소스/드레인 전극의 일부가 드러나도록 상기 보호막 및 상기 산화막을 동시에 식각하여 컨택홀을 형성한 다음, 상기 소스/드레인 전극과 접속되게 투명 도전막을 적층하고 패터닝하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면도.

Claims (4)

  1. 기판 위에 도전 물질인 알루미늄막을 적층하고 사진 식각하여 게이트 전극 및 저장 용량 하부 전극을 형성한 후 산화하여 게이트 산화막을 형성하는 단계, 절연막과 비정질 실리콘막 그리고 n+비정질 실리콘막을 차례로 적층한 후, n+비정질 실리콘막과 비정질 실리콘막을 동시에 사진 식각하여 패턴을 형성하는 단계, 상기 n+비정질 실리콘막 위에 도전막을 적층한 후, 사진 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하고, 이어서, 소스/드레인 전극을 마스크로 n+비정질 실리콘막을 식각하는 단계, 산화막, 보호막을 차례로 적층하는 단계, 상기 소스/드레인 전극의 일부가 드러나도록 상기 보호막 및 상기 산화막을 동시에 식각하여 컨택홀을 형성한 다음, 상기 소스/드레인 전극과 접속되게 투명 도전막을 적층하고 패터닝하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 TEOS 산화막으로 형성하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  3. 제1항에서, 상기 산화막은 SiOx막으로 형성하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에서, 상기 보호막은 질화막으로 형성하는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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