KR19990006206A - 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- -1 oxy nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78684—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78609—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing leakage current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 비정질 다이아몬드 박막을 오믹층으로 이용하여, 온 전류 특성을 향상시킴과 더불어 누설 전류를 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다.
본 발명에 따라, 기판 상에 게이트, 게이트 절연막, 활성층과, 소오스 드레인 전극이 구비된 박막 트랜지스터에 있어서, 활성층과 소오스 및 드레인 전극 사이에 개재되는 오믹층이 비정질 다이아몬드 박막으로 이루어진다.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비정질 다이아몬드를 오믹층으로 이용하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
액정표시소자(LCD)는 차세대 평판 표시 소자로서, 이 액정표시소자의 화소전극을 구동하기 위한 스위치 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 사용된다. 이러한 박막 트랜지스터는 SRAM(Static Random Access Memory) 소자에 사용되는 활성층인 반도체층을 사이에 두고 게이트 전극과 소오스/드레인 전극이 분리되어 있는 스태거(stagger)형과, 반도체의 일면에 게이트 전극과 소오스/드레인 전극이 형성되어 있는 코플라나(coplanar) 형으로 크게 분리된다.
그리고, 이러한 박막 트랜지스터의 종류로는 비정질 또는 다결정의 실리콘을 이용한 4족 소자와, CdSe 등과 같은 화합물 반도체를 이용한 소자가 있다. 이들중 수소화된 비정질 실리콘(Hydrogenated amorphous silicon; a-Si:H)을 사용하는 박막 트랜지스터는 양산성과 대면적화 측면에서 가장 우수한 장점을 갖는다.
그러나, a-S:H를 사용하는 박막 트랜지스터는 낮은 전계 효과 이동도와 높은 광 전기전도도를 갖기 때문에, 백라이트 조명하에서 하이레벨의 누설 전류가 발생한다. 또한, 오믹층의 전기 전도도가 낮기 때문에, 온(ON) 전류와 큰 오프(전류)를 갖는 단점이 있다. 이에 대하여, 자기정렬 또는 완전 자기 정렬의 a-Si:H 박막트랜지스터를 제조하거나 비정질 실리콘의 두께를 감소시키지만, 이 경우 전계 효과 이동도가 낮아지는 문제가 발생될 뿐만 아니라, 비정질 실리콘의 두께를 감소시키는 공정은 어렵기 때문에, 적합하지 못하다.
이에, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 비정질 다이아몬드를 오믹층으로 이용하여, 온 전류 특성을 향상시킴과 더불어 누설 전류를 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 비정질 다이아몬드 박막을 오믹층으로 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 나타낸 그래프.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10:절연기판11:게이트
12:게이트 절연막13:활성층
14:에치스톱퍼15:오믹층
16a, 16b:소오스 및 드레인 전극
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 기판 상에 게이트, 게이트 절연막, 활성층과, 소오스 드레인 전극이 구비된 박막 트랜지스터에 있어서, 활성층과 소오스 및 드레인 전극 사이에 개재되는 오믹층이 비정질 다이아몬드 박막으로 이루어진다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 박막 트랜지스터의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 게이트가 형성된 절연 기판이 제공되고, 절연 기판 상에 게이트 절연막이 형성된다. 그런 다음, 게이트 상부의 게이트 절연막 상에 활성층이 형성되고, 게이트 상부의 활성층 상에 게이트 형태의 에치 스톱퍼층이 형성된다. 활성층과 오버랩되도록 활성층 상에 비정질 다이아몬드 박막으로 오믹층이 형성되고, 오믹층상에 금속층이 형성된다. 그런 다음, 금속층 및 오믹층이 패터닝되어, 소오스 및 드레인 전극이 형성된다.
상기한 본 발명에 따르면, 비정질 다이아몬드 박막으로 오믹층이 형성됨에 다라, 온 전류 특성이 향상될 뿐만 아니라, 정공에 의해 발생되는 누설 전류가 비정질 다이아몬드의 낮은 활성화 에너지, 즉 페르미 준위의 전도대 방향의 근접으로 인하여 전자의 수가 증가하게 되어 쉽게 재결정됨으로써, 감소된다.
[실시예]
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 역스테거형 박막 트랜지스터를 나타낸 단면도로서, 도 1을 참조하여 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 절연기판(10)상에 Cr, Al 등과 같은 금속막이 증착된 후, 패터닝되어 게이트(11)가 형성된다. 이때, 게이트(11)는 경사 식각에 의해, 패터닝되어, 이후 형성되는 박막들의 스텝 커버리지를 향상시키기 위하여 양 측면이 소정의 기울기를갖는다. 게이트(11)가 형성된 절연 기판(10) 상에, 실리콘 옥사이드(SiO2)과 옥시 나이트라이드(SiON) 및 실리콘 나이트라이드(SiNx)의 적층막으로 게이트 절연막(12)이 형성된다. 그런 다음, 게이트(11) 상부의 게이트 절연막(12)상에 a-Si:H 층으로 이루어지는 활성층(13)이 소정의 형태로 패터닝되어 형성된다. 이때, a-Si:H층은 SiH4, Si3H8등의 개스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD에 의해 형성된다.
그리고 나서, 게이트(11) 상부의 활성층(13) 상에 게이트(11) 패턴의 형태로 에치 스톱퍼층(14)이 형성되고, 활성층(13)의 양 측과 오버랩되도록 활성층(13) 및 에치 스톱퍼층(14) 상에 오믹층(15)이 형성된다. 이때, 오믹층(15)은 비정질 다이아몬드 박막으로 형성된다. 이때, 비정질 다이아몬드 박막은 CH4, C2H2등의 개스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착으로 형성된다. 그런 다음, 기판 전면에 금속막이 증착된 후 에치스톱퍼층(14) 상의 오믹층(15)이 노출됨과 더불어, 오믹층(15)을 사이에 두고 활성층(13)의 양 측과 오버랩된 소오스 및 드레인 전극(16a, 16b)이 형성된다. 이어서, 노출된 오믹층(15)이 소오스 및 드레인 전극(16a, 16b)의 형태로 식각되어, 에치스톱퍼층(14)이 노출된다.
도 2는 오믹층이 비정질 다이아몬드 박막으로 형성된 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 나타낸 그래프로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 오믹층이 비정질 다이아몬드 박막으로 형성됨에 따라, 종래보다 온 전류 특성이 향상됨과 동시에 오프 전류는 감소한다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 비정질 다이아몬드 박막이 오믹층으로 사용되는 경우를 역스태거형 박막 트랜지스터에 적용하여 설명하였지만, 스태거형 박막 트랜지스터 및, 코플라나형 박막 트랜지스터에도 적용하여 실시할 수 있다.
상기 실시예에 의하여, a-Si:H으로 활성층이 형성되고, 비정질 다이아몬드 박막으로 오믹층이 형성됨에 따라, 온 전류 특성이 향상된다. 뿐만 아니라, 정공에 의해 발생되는 누설 전류가 비정질 다이아몬드의 낮은 활성화 에너지에 의해 재결합됨으로써, 감소된다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성이 향상된다.
또한, 본발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.
Claims (8)
- 기판 상에 게이트, 게이트 절연막, 활성층과, 소오스 드레인 전극이 구비된 박막 트랜지스터에 있어서,상기 활성층과 소오스 및 드레인 전극 상기에 개재되는 오믹층이 비정질 다이아몬드 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서, 상기 활성층은 수소화된 비정질 실리콘막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서, 상기 활성층은 수소화된 비정질 실리콘막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 상부에 게이트가 형성된 절연 기판을 제공하는 단계;상기 절연 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 상부의 게이트 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층과 오버랩되도록 상기 활성층 상에 비정질 다이아몬드 박막으로 오믹층을 형성하는 단계;상기 오믹층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및,상기 금속층 및 오믹층을 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 활성층은 수소화된 비정질 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 실리콘막은 SiH4, Si3H8등의 개스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계와 상기 오믹층을 형성하는 단계 사이에, 상기 게이트 상부의 상기 활성층 상에 상기 게이트 형태의 에치 스톱퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 비정질 다이아몬드 박막은 CH4, C2H2등의 개스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970030428A KR100272272B1 (ko) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
US09/105,871 US6166400A (en) | 1997-06-30 | 1998-06-26 | Thin film transistor of liquid crystal display with amorphous silicon active layer and amorphous diamond ohmic contact layers |
JP10183442A JPH11121762A (ja) | 1997-06-30 | 1998-06-30 | 液晶表示素子の薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970030428A KR100272272B1 (ko) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990006206A true KR19990006206A (ko) | 1999-01-25 |
KR100272272B1 KR100272272B1 (ko) | 2000-11-15 |
Family
ID=19513097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970030428A KR100272272B1 (ko) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6166400A (ko) |
JP (1) | JPH11121762A (ko) |
KR (1) | KR100272272B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW480554B (en) * | 1999-07-22 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR100310946B1 (ko) * | 1999-08-07 | 2001-10-18 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100483358B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2005-04-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100683664B1 (ko) * | 2004-01-06 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 및이를 구비한 평판 디스플레이 소자 |
DE102004026108B4 (de) * | 2004-05-28 | 2008-10-02 | Qimonda Ag | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
KR101240652B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN100463193C (zh) * | 2006-11-03 | 2009-02-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft阵列结构及其制造方法 |
KR101410926B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2014-06-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN102236188B (zh) * | 2010-04-23 | 2014-07-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 栅极驱动方法、电路及液晶显示面板 |
CN102651401B (zh) | 2011-12-31 | 2015-03-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示器件 |
RU2749493C1 (ru) * | 2020-10-01 | 2021-06-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления тонкопленочного транзистора |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3117563B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2000-12-18 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ |
US5474816A (en) * | 1993-04-16 | 1995-12-12 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of amorphous diamond films |
-
1997
- 1997-06-30 KR KR1019970030428A patent/KR100272272B1/ko active IP Right Grant
-
1998
- 1998-06-26 US US09/105,871 patent/US6166400A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-30 JP JP10183442A patent/JPH11121762A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11121762A (ja) | 1999-04-30 |
KR100272272B1 (ko) | 2000-11-15 |
US6166400A (en) | 2000-12-26 |
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GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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