KR100683664B1 - 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 및이를 구비한 평판 디스플레이 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 기판의 일면 상부에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 반도체 활성층과, 그리고 상기 반도체 활성층 일면 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 반도체 활성층은 채널 영역과 소스 및 드레인 영역을 구비하고,상기 반도체 활성층의 상기 소스 및 드레인 전극을 향한 일면 중 상기 채널 영역에 대응되는 영역에는 에치 스토퍼가 구비되며,상기 반도체 활성층의, 상기 에치 스토퍼에 대응하는 영역은 MILC 결정을 갖고, 그 이외의 영역은 MIC 결정을 가지며,상기 소스 및 드레인 전극은, 일부는 상기 에치 스토퍼 상에, 다른 일부는 상기 반도체 활성층의 소스 및 드레인 영역 상에 각각 위치하고,상기 소스 및 드레인 전극과, 이들 소스 및 드레인 전극과 중첩되는 상기 반도체 활성층 및 에치 스토퍼의 사이에는 결정 촉매 물질이 개재되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서, 상기 MIC 결정을 갖는 영역은 상기 반도체 활성층의 소스 및 드레인 영역인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 결정 촉매 물질은 Ni, Pd, Au, Sn, Sb, Cr, Mo, Tr, Ru, Rh, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Cu, 및 Pt 중의 어느 하나 이상의 금속 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 삭제
- 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 이와 절연되도록 비정질 실리콘 층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극에 대응하는 위치로 상기 비정질 실리콘 층의 일면 상에 에치 스토퍼를 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층 및 에치 스토퍼 상에 결정 촉매 물질을 확산시키는 단계;상기 비정질 실리콘 층의 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 그리고상기 비정질 실리콘 층을 열처리하여 결정화시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 에치 스토퍼를 형성한 후, 그 상부에 제 2 비정질 실리콘 층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극 형성 단계는,상기 비정질 실리콘 층 및 에치 스토퍼 상에 소스 및 드레인 물질층을 도포하는 단계;상기 소스 및 드레인 물질층을 패터닝하는 단계를 구비하고, 상기 소스 및 드레인 물질층을 패터닝하는 단계 시, 상기 에치 스토퍼의 일부가 식각되도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 확산 단계는 상기 결정 촉매 물질을 증착 후 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 확산 단계는 상기 비정질 실리콘 층 위에 절연층을 형성하는 단계, 상기 결정 촉매 물질을 증착시키는 단계, 상기 증착된 결정 촉매 물질을 확산시키기 위해 열처리하는 단계, 그리고 열처리 후 잔류한 결정 촉매 물질을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 기판의 일면 상부에 형성된 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 디스플레이 소자로서, 상기 박막 트랜지스터가:게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 반도체 활성층과, 그리고 상기 반도체 활성층 일면 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극을 구비하는 평판 디스플레이 소자에 있어서,상기 반도체 활성층은 채널 영역과 소스 및 드레인 영역을 구비하고,상기 반도체 활성층의 상기 소스 및 드레인 전극을 향한 일면 중 상기 채널 영역에 대응되는 영역에는 에치 스토퍼가 구비되며,상기 반도체 활성층의, 상기 에치 스토퍼에 대응하는 영역은 MILC 결정을 갖고, 그 이외의 영역은 MIC 결정을 가지며,상기 소스 및 드레인 전극은, 일부는 상기 에치 스토퍼 상에, 다른 일부는 상기 반도체 활성층의 소스 및 드레인 영역 상에 각각 위치하고,상기 소스 및 드레인 전극과, 이들 소스 및 드레인 전극과 중첩되는 상기 반도체 활성층 및 에치 스토퍼의 사이에는 결정 촉매 물질이 개재되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자.
- 제 11항에 있어서, 상기 MIC 결정을 갖는 영역은 소스 및 드레인 영역인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자.
- 삭제
- 제 11항에 있어서, 상기 결정 촉매 물질은 Ni, Pd, Au, Sn, Sb, Cr, Mo, Tr, Ru, Rh, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Cu, 및 Pt 중의 어느 하나 이상의 금속 물질인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자.
- 삭제
- 기판의 일면 상부에 형성된 박막 트랜지스터를 구비하는 유기 전계 발광 디스플레이 소자로서, 상기 박막 트랜지스터가:게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 반도체 활성층과, 그리고 상기 반도체 활성층 일면 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극을 구비하는 유기 전계 발광 디스플레이 소자에 있어서,상기 반도체 활성층은 채널 영역과 소스 및 드레인 영역을 구비하고,상기 반도체 활성층의 상기 소스 및 드레인 전극을 향한 일면 중 상기 채널 영역에 대응되는 영역에는 에치 스토퍼가 구비되며,상기 반도체 활성층의, 상기 에치 스토퍼에 대응하는 영역은 MILC 결정을 갖고, 그 이외의 영역은 MIC 결정을 가지며,상기 소스 및 드레인 전극은, 일부는 상기 에치 스토퍼 상에, 다른 일부는 상기 반도체 활성층의 소스 및 드레인 영역 상에 각각 위치하고,상기 소스 및 드레인 전극과, 이들 소스 및 드레인 전극과 중첩되는 상기 반도체 활성층 및 에치 스토퍼의 사이에는 결정 촉매 물질이 개재되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 소자.
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