KR960029855A - 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 화소와 데이타라인을 서로 상이한 레이어(layer)에 형성시킴으로써 전기적인 쇼트를 방지하고 보호막을 화소전극 하부에 형성시켜 화질을 개선시킨 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자에 관한 것으로서, 기판 위에 게이트전극과 전단게이트전극이 형성되어 있고, 그 위에 게이트절연막이 적층되어 있고, 그 위에 상기 게이트전극의 외주를 중심으로 아몰퍼스 실리콘층과 n+ 아몰퍼스 실리콘층과 소오스／드레인 메탈 이 일부분이 에칭되어 있는 형태로 차례로 적층되어 있고, 그 위에 소오스/드레인 메탈 위에 보호막이 둘러싸여 있고, 보호막을 마스크로 하여 아몰퍼스실리콘을 건식식각하며, 아몰퍼스 실리콘층이 도포되어 있지 않은 상기 게이트절연막의 상부에 화소전극이 형성되어 있는 특징이 있다.

Description

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 이 발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자를 나타낸 단면도이고, 제7도의 (가)∼(마)는 제6도의 제조공정 순서를 나타낸 단면도이고, 제8도의 (가)∼(마)는 제7도의 평면도이다.

Claims (6)

  1. 기판위에 게이트메탈을 적층한다. 적층한 후 에칭하여 게이트전극(40)과 전단게이트전극(42)을 형성하는 단계와; 상기 게이트전극(40)과 전단게이트전극(42)을 둘러싸는 모양으로 게이트절연막(44)을 적층하고, 상기 게이트절연막(44)의 상부에 아몰퍼스 실리콘층(46)을 적층하고, 상기 아몰퍼스 실리콘층(46)의상부에 n+ 아몰퍼스 실리콘층(48)을 적층하고, 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘층(48)의 상부에 소오스／드레인 메탈(50)을 적층하는 단계와; 상기 소오스／드레인 메탈(50)을 에칭하여 소오스／드레인 전극(50－1)과 데이타라인을 형성한후, n+ 아몰퍼스 실리콘층 (48)을 에칭하는 단계와; 상기 소오스／드레인 전극(50－1)의 상부에 보호막(52)을 형성하고, 아몰퍼스 실리콘층(46)의 일부를 에칭하는 단계와; 상기 아몰퍼스 실리콘층(46)이 에칭되어 있는 상기 게이트절연막(44)의 상부에 화소전극(54)을 형성하는 단계로 이루어진 박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘층(48)을 에칭할 시, 소오스／드레인 전극(50－1)을 마스크로하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 아몰퍼스 실리콘층(46)을 에칭할 시, 보호막(52)을 마스크로 하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 제조방법.
  4. 기판 위에 게이트전극(40)과 전단게이트전극(42)이 형성되어 있고, 상기 게이트전극(40)과 전단게이트전극(42) 위에 게이트절연막(44)이 적층되어 있고, 상기 게이트절연막(44) 위에 상기 게이트전극(40)의 외주를 중심으로 아몰퍼스 실리콘층(46)과 n+ 아몰퍼스 실리콘층(48)과 소오스／드레인 전극(50)이 차례로 적층되어 있고, 상기 소오스／드레인 전극(50) 위에 보호막(52)이 둘러싸여 있고, 상기 아몰퍼스 실리콘층(46)에 에칭된 게이트절연막(44)의 상부에 화소전극(54)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 화소전극(54)은 투명도전물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.
  6. 제4항에 있어서, 상기 보호막(52)은 채널부를 형성할 수 있도록 소오스와 드레인을 연결한 패턴보다 0.5㎛ 이상 넓게 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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