KR970018731A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 6매 마스크를 이용하므로써 수율을 높이고 제조 원가를 낮출 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 게이트 라인 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 게이트 라인과 연결되는 제1게이트 패드 금속을 형성하는 제2단계, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인을 양극 산화시켜 양극 산화막을 형성한 후 포토 레지스트를 제거하는 제3단계, 절연막과 반도체막 그리고 외인성 반도체막을 차례로 적층한 후 액티브층을 형성하는 제4단계, 상기 외인성 반도체막 위에 소스/드레인 전극을 형성한 후 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 외인성 반도체막을 식각하는 제5단계, 전면에 보호막을 적층한 후 마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 식각하여 컨택 구멍을 형성하는 제6단계, 투명 도전막을 적층한 후 마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 컨택 구멍을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되는 화소 전극 및 상기 제1게이트 패드 금속과 연결되는 제2게이트 패드 금속을 형성하는 제7단계로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고,
제3도의 (가)-(사)는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이 제조 공정 순서를 나타낸 상기 제2도의 A-A´부의 단면도이다.
Claims (19)
- 기판 위에 도전 물질을 적층하고 제1마스크를 사용하여 사진 식각하여 게이트 라인 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 도전 물질을 적층하고 포토 레지스트를 도포한 다음 제2마스크를 사용하여 사진 식각하여 상기 게이트 라인과 연결되는 제1게이트 패드 금속을 형성하는 제2단계, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인을 양극 산화시켜 양극 산화막을 형성한 후 상기 포토 레지스트를 제거하는 제3단계, 절연막과 반도체막 그리고 외인성 반도체막을 차례로 적층한 후 제3마스크를 이용하여 상기 반도체막과 상기 외인성 반도체막을 사진 식각하여 액티브층을 형성하는 제4단계, 도전막을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 외인성 반도체막 위에 소스/드레인 전극을 형성한 후 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 외인성 반도체막을 식각하는 제5단계, 전면에 보호막을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 식각하여 컨택 구멍을 형성하는 제6단계, 투명 도전막을 적층한 후 제6마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 컨택 구멍을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되는 화소 전극 및 상기 제1게이트 패드 금속과 연결되는 제2게이트 패드 금속을 형성하는 제7단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극은 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 제1게이트 패드 금속은 Ta로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 절연막은 SiNx로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 반도체막은 a-Si으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 외인성 반도체막은 n+a-Si으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 소스/드레인 전극은 크롬으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 보호막은 SiNx로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서, 상기 제2게이트 패드 금속과 상기 화소 전극은 ITO로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 기판 위에 도전 물질을 적층하고 제1마스크를 사용하여 사진 식각하여 게이트 라인 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 도전 물질을 적층하고 포토 레지스트를 도포한 다음 제2마스크를 사용하여 사진 식각하여 상기 게이트 라인과 연결되는 제1게이트 패드 금속을 형성한후, 상기 게이트 전극 및 게이트 라인을 양극 산화시켜 양극 산화막을 형성하고 상기 포토 레지스트를 제거하는 제2단계, 절연막과 반도체막 그리고 제2절연막을 차례로 적층한 후 제3마스크를 이용하여 상기 제2절연막을 사진 식각하여 에치 스토퍼를 형성하는 제3단계, 외인성 반도체막과 소스/드레인 도전막을 적층하고 제4마스크를 이용하여 사진 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 외인성 반도체막 및 반도체막을 식각하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 식각하여 컨택 구멍을 형성하는 제5단계, 투명 도전막을 적층한 후 제6마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 컨택구멍을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되는 화소 전극과 상기 제1게이트 패드 금속과 연결되는 제2게이트 패드 금속을 형성하는 제6단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10항에서, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극은 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10항에서, 상기 제1게이트 패드 금속은 Ta로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10항에서, 상기 절연막은 SiNx로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10항에서, 상기 반도체막은 a-Si으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
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