KR950006516A - 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 - Google Patents
액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(Active matrix liquid crystal display:AM LCD) 및 그 제조방법에 관한 것으로 액티브 패턴 형성 후 양극산화 가능한 물질이나 드라이 에치가 가능한 물질 예컨데, 탄탈륨과 같은 물질을 소스/드레인 라인으로 상기 액티브 패턴이 형성된 기판 상에 도포하고 난후 픽셀 개구부 및 패드부를 드라이 에치 방법으로 오픈시키고, 이후 상기 패턴상에 ITO화소 투면전극막을 도포한 후 상기 본딩 패드부 및 소스/드레인 라인을 동시에 식각하여 패터닝하므로써 상기 화소 투명전극 식각시 ITO 에천트의 침투로 인한 게이트 알루미늄 오픈을 방지할 수 있고, 또한 별도의 패드 금속 및 패턴형상 공정이 불필요하므로 마스크 수를 줄일수 있게되어 수율향상 및 원가절감을 할 수 있는 고신뢰성의 액티브 매트릭스 액정디스플레이를 실현할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 따른 TFT구조의 단면도 및 평면도.
제2(A-a),(A-b)도 내지 제2(E-a),(E-b)도는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 TFT구조의 제조공정을 도시한 단면도 및 평면도.
제3(A)도 및 제3(B)도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 TFT고조를 도시한 평면도이다.
Claims (9)
- 유기리판 위에 게이트 금속을 증착한 후 게이트라인을 패터닝 한 다음 양극산화기법으로 제1절연막을 형성하는 ,공정과, 상기 제1절연막 상에 제2절연막과 반도체막 및 에치스토퍼막을 연속 증착한 다음 에치스토퍼 패턴을 형성하는 공정과, 상기 패턴 상에 액티브층인 n+형 실리콘막을 증착한 후 n+실리콘 막 및 제2절연막을 패터닝하는 공정과, 상기 n+형 실리콘 패턴이 형성된 기판 상에 소스/드레인 금속을 증착시키고 콘택 및 픽셀 개구부를 오픈시킨 후 상기 소스/드레인 및 픽셀부 상에 화소 투명전극막을 패터닝하는 공정과, 그 후 화소 투명전극을 마스크로 하여 소스/드레인 전극을 양극산화기법으로 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막 및 반도체막은 각각 산화알루미늄과, 실리콘나이트라이드 및 비정질실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은 양극산화 가능하거나 드라이에치 가능한 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은 탄탈륨으로 형성됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 액티브 매트릭스 액정 디스플레이는 소스전극에 연결되는 데이터 라인과 상기 데이터 라인의 일측에 상호 연결된 전극 패드를 더 포함하며, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 패드와 동일 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 픽셀 개구부는 콘택 오픈시 패드부와 동시에 오픈되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 픽셀 패턴은 상기 소스/드레인 패턴과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 액티브 패턴 형성시 픽셀 개구부에 상기 액티브층인 n+형 실리콘을 식각시키지 않고 남겨두어 콘택 및 픽셀 개구부 오픈시 상기 필셀 개구부에 제2절연막이 남아있도록 형성함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 제조방법.
- 유기리판 상에 형성된 게이트 금속과, 상기 게이트 금속상의 전면에 형성된 제1절연막과 상기 제1절연막이 형성된 기판 전면상에 형성된 제2절연막과 상기 제2절연막 상부에 제1절연막과 동일폭으로 형성된 반도체막과, 상기 반도체막 상에 형성된 에치스토퍼 패턴과, 상기 에치스토퍼 패턴상의 콘택 주변부에 오믹 콘택층으로 형성된 n+형 실리콘막과, 상기 n+형 실리콘막이 형성된 기판의 전면에 형성된 소스/드레인 패턴과, 상기 소스/드레인 패턴의 콘택부에 형성된 양극산화막과, 상기 소스/드레인 패턴이 형성된 기판의 전면에 형성된 ITO투명전극막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930015830A KR950006516A (ko) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019930015830A KR950006516A (ko) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR950006516A true KR950006516A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=66817657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930015830A KR950006516A (ko) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR950006516A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100268008B1 (ko) * | 1997-10-06 | 2000-10-16 | 구본준 | 액정표시 소자 |
KR100486686B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-08-16 KR KR1019930015830A patent/KR950006516A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100268008B1 (ko) * | 1997-10-06 | 2000-10-16 | 구본준 | 액정표시 소자 |
KR100486686B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
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