KR960032058A - 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 제조방법에 관한 것으로서, 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자 제조시 마스킹 횟수를 줄이면서도 소자의 신뢰도를 높여 수율의 소자를 얻기 위하여, 기판 위에 게이트 패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트 패턴 위에 양극산화막(절연막 I)패턴이 적층되어 있고, 상기 양극산화막(절연막 I)패턴의 상부에 절연막 II 패턴이 적층되어 있고, 상기 절연막 II 패턴의 상부에 아몰퍼스실리콘 패턴이 적층되어 있고, 상기 아몰퍼스실리콘 패턴의 상부에 n+아몰퍼스실리콘 및 소오스/드레인인 차례로 패턴되어 적층되어 있고, 상기 소오스/드레인 패턴의 상부에 보호막 패턴이 형성되어 있고, 상기 보호막 패턴의 상부에 화소전극 패턴이 형성되어 있는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 제조방법에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 측단면도이고,
제5도의 (가)~(사)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 공정순서를 나타낸 측단면도이고,
제6도는 (가)~(사)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 공정순서를 나타낸 평면도이다.

Claims (8)

  1. 기판 위에 게이트 전극 패턴과 게이트 패드가 형성되어 있고; 상기 게이트 전극 패턴 위에 절연막이 있고; 상기 절연막 위에 실리콘 패턴이 적층되어 있고; 상기 아몰퍼스실리콘 패턴 위에 상기 게이트 패턴의 좌우로 소오스/드레인 전극이 패턴되어 있는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터의 상부에 보호막이 형성되어 있고; 게이트 패드부 상에는 보호막과 절여막 II가 동일 형태로 오픈되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막이 2개 이상의 레이어인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 절연막 중 한 레이어는 게이트 금속의 양극 산화막인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보호막의 상부와 상기 게이트 패드부 상부에 화소전극 금속 패턴이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.
  5. 기판 위에 게이트 메탈을 적층한 후 사진식각하여 게이트전극 패턴과 게이트 패드 패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트전극 패턴과 게이트 패드 패턴위에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 패턴 상부 절연막 위에 실리콘 패턴과 소오스/드레인 전극 패턴을 형성하여 복수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 게이트패드 패턴의 상부에 동시에 보호막을 적층하는 단계와; 박막트랜지스터의 드레인 전극 일부 위의 보호막과 게이트 패드 위의 보호막과 절연막을 1회의 사진 공정으로 제거해 내는 단계를 포함한것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 보호막 위에 화소전극막을 적층한 후 사진식각하여 화소전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 절연막이 2개 이상의 레이어로 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 절연막 중 한 레이어는 게이트 금속의 양극산화시켜서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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