KR970022425A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서 기판을 식각한 후 식각된 부위에 게이트 전극을 형성함으로써 다층 배선에 따라 받생하는 단차를 줄여 수율율 높일 수 있으며, 저저항인 게이트 전극을 형성하여 RC딜레이를 감소시키고, 게이트 전극과 소스/드레인 전극 사이의 저장 캐패시터를 줄여 킥백 현상을 방지 시킬 수 있게 하는 것을 목적으로 한다. 이러한 액정 표시 장치는 기판의 중앙부를 식가한 후 식각된 부분에 게이트 전극을 형성하여 게이트 전극의 두께를 조절하기 용이하게 하여 저항을 낮추고 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극 사이에 헝성되는 저장 캐패시터를 감소시키도륵 소스/드레인 전극을 자기 정합에 가깝게 형성한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도.

Claims (30)

1. 투명한 절연 물질로 되어 있으며 중앙부가 식각되어 있는 기판, 상기 기판의 식각된 부분의 내부에 금속으로 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 상부에 형성되어 있으며, 상기 기판의 식각된 부분의 내부에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위와 상기 기판 위를 덮도록 형성되어 있는 반도체막, 상기 반도체막 위에 형성되어 있으며 중앙부가 식각되어 있는 소스/드레인 전극, 상기 소스/드레인 전극 위와 상기 반도체막 위를 덮도록 형성되어 있는 보호막, 상기 소스/드레인 전극과 연결되도록 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
2. 제1항에서, 상기 반도체막과 상기 소스/드레인 전극 사이에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치의 해당 부분이 식각되어 있는 외인성 반도체막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
3. 제2항에서, 상기 외인성 반도체막은 n+ 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
4. 제1항에서, 상기 기판 중앙부의 식각된 부분의 깊이는 5000Å 내지 10000Å으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 정치의 박막 트랜지스터 기판.
5. 제1항에서, 상기 게이트 전극의 두께는 3000Å 내지 5000Å으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
6. 제1항에서, 상기 게이트 절연막의 높이와 상기 기판의 높이가 동일하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
7. 제1항에서, 상기 반도체막은 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
8. 투명한 절연 물질로 되어 있으며 중앙부가 식각되어 있는 기판, 상기 기판의 식각된 부분의 내부에 금속으로 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 상부에 형성되어 있으며, 상기 기판의 식각된 부분의 내부에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 기판의 식각된 부분의 내부에 형성되어 있는 반도체막, 상기 반도체막 위에 형성되어 있으며 중앙부가 식각되어 있는 소스/드레인 전극, 상기 소스/드레인 전극 위에 형성되어 있는 보호막, 상기 소스/드레인 전극과 연결되도록 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
9. 재8항에서, 상기 반도체막과 상기 소스/드레인 전극 사이에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치의 해당 부분이 식각되어 있는 외인성 반도체막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
10. 제8항에서, 상기 외인성 반도체막은 상기 기판의 식가된 중앙부에 형성되어 있으며 상기 기판의 식각되지 않는 부분에 비해 돌출되지 않는 두께로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
11. 제9항 또는 제10항에서, 상기 외인성 반도체막은 n+ 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스틴 기판.
12. 제8항에서, 상기 기판 중앙부의 식각된 부분의 깊이는 5000Å 내지 10000Å으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
13. 제8항에서, 상기 게이트 전극의 두께는 3000Å 내지 5000Å으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
14. 제8항에서, 상기 게이트 절연막의 높이와 상기 기판의 높이가 동일하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판.
15. 제8항에서, 상기 반도체막은 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 박막 트랜지스터 기판.
16. 투명한 절연 물질로 이루어진 기판의 중앙부를 식각하는 제1단계, 상기 기관의 식각된 중앙부에 금속을 적층한 후 식각하여 게이트 전극을 형성하는 제2단계와, 상기 게이트 전극 위에 상기 기판의 식각된 중앙부에 절연 물질을 적층하고 식각하여 게이트 절연막을 형성하는 제3단계와, 상기 게이트 절연막 위와 상기 기판위를 덮도록 반도체를 적층한 후 식각하여 반도체막을 형성하는 제4단계, 상기 반도체막 위에 금속을 적층한 후 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 저5단계, 상기 소스/드레인 전극 위를 덮도록 보호막을 적층하고, 식각하여 컨택구멍을 형성하는 제6단계, 상기 보호막 위에 투명 도전 물질을 적층한 후 식각하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되도록 화소전극을 형성하는 제7단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
17. 제16항에서, 상기 반도체막 위에 오믹 컨택을 향상시키기 위하여 외인성 반도체막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
18. 제16항에서, 상기 기판의 중앙부를 식각할 때 에칭액은 불산을 함유한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
19. 제16항에서, 상기 기판 중앙부의 식각된 부분의 깊이는 5000Å 내지 10000Å으로 형성하는 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
20. 제16항에서, 상기 게이트 전극을 형성할 때 알루미늄을 사용하여 스퍼터링방식으로 적층하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
21. 제16항에서, 상기 게이트 전극은 두께를 3000Å 내지 5000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
22. 투명한 절연 물질로 이루어진 기판의 중앙부를 식각하는 제1단계, 상기 기판의 식각된 중앙부에 금속을 적층한 후 식각하여 게이트 전극을 형성하는 제2단계 상기 게이트 전극 위에 상기 기판의 식각된 중앙부에 절연 물질을 적층하고 식각하여 게이트 절연막을 형성하는 제3단계, 상기 게이트 절연막 위에 상기 기판의 식각된 중앙부에 반도체를 적층하고 식각하여 반도체막을 형성하는 제4단계, 상기 반도체막 위에 금속을 적층한 후 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 제5단계, 상기 소스/드레인 전극 위를 포함하도록 보호막을 적층하고, 식각하여 컨택 구멍을 형성하는 제6단계, 상기 보호막 위에 투명 도전 물질을 적층한 후 식각하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되도록 화소전극을 형성하는 제7단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
23. 제21항에서, 상기 반도체막 위에 오믹 컨택을 향상시키기 위하여 n+ 비정질 실리콘막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
24. 제21항에서, 상기 게이트막을 마스크로하여 백노광하여 상기 게이트 전극에 대응하는 위치의 채널부인 n+ 비정질막 실리콘막을 식각하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
25. 제21항에서, 상기 기판은 중앙부를 식각할 때 불산을 함유한 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
26. 제21항에서, 상기 기판 중앙부의 식각된 부분이 테이퍼 모양이 되게 에칭하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
27. 제21항에서, 상기 기판 중앙부외 식각된 부분외 깊이는 5000Å 내지 10000Å으로 형성하는 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
28. 재21항에서, 상기 게이트 전극을 형성할 때 알루미늄을 사용하여 스퍼터링 방식으로 적층하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치외 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
29. 제21항에서, 상기 게이트 전극은 두께를 3000Å 내지 5000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
30. 제21항에서, 상기 게이트 전극과 상기 게이트 절연막 그리고 반도체막 모두 상기 기판의 식각된 중앙부에 형성되어 있어 상기 기판의 표면 위로 돌출되지 않도록 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.