KR960035115A - 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법 - Google Patents

액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 액정디스플레이 박막트랜지스터 기판 제조방법에 관한 것이다.
박막트랜지스터 액정디스플레이 소자 제조시 마스킹 횟수를 줄이면서도 소자의 신뢰도를 높은 수율을 얻을 수 있고, 소오스/드레인 메탈 증착전 실시하는 불산 세정에서 2중 막에 의해 안전하게 보호받을 수 있으며, 보호막증착 후 ITO 패턴을 형성하기 때문에 ITO에칭액이 하부레이어인 게이트 라인에 침투되는 것을 방지할 수 있는, 게이트라인 및 패드를 형성 단계와; 전면 양극산화 단계와; 절연막을 형성 단계와; 액티브 패턴을 형성 단계와; 소오스/드레인 라인을 형성 단계와; 보호막을 형성 단계로 이루어진 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 있어서, 패드부에 형성되어 있는 산화막, 절연막, 보호막을 동시에 사진식각하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것이다.

Description

액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판의 구조를 나타낸 측단면도이고, 제2도는 이 발명의 실시예에 따른 방법으로 제조된 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판의 구조를 나타낸 측단면도이고, 제3도는 산화막, 절연막, 보호막을 동시에 사진식각하는 것을 나타낸 측단면도이다.

Claims (9)

  1. 게이트라인(2) 및 패드(2-1)를 형성한 후 패턴하는 제1공정단계와; 상기 게이트라인(2) 및 패드(2-1)를 전면 양극산화(3,3-1)하는 제2공정단계와; 상기 양극산화막(3,3-1)의 상부에 절연막(4,4-1)을 형성하는 제3공정단계와; 상기 절연막(4,4-1)위에 아몰퍼스실리콘(5) 및 N+아몰퍼스실리콘(6)을 적충한 후 액티브 패턴을 형성하는 제4공정단계와; 상기 액티브 패턴의 상부에 메탈을 형성한 후 패턴하여 소오스/드레인 라인(7)을 형성하는 제5공정단계와; 상기 소오스/드레인 라인(7) 및 패드부의 절연막(4-1) 상부에 보호막(8,8-1)을 적층하는 제6공정단계와; 상기 패드부의 양극산화막(3-1)과 절연막(4-1) 및 보호막(8-1)을 동시에 사진식각하는 제7공정단계와 상기 보호막(8,8-1)의 상부에 화소전극(9)을 형성한 후 패턴하는 제8공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2공정단계의 양극산화막(3,3-1)은 Ta2O5를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2공정단계의 양극산화막은 에칭 레이트를 높이기 위해 400Watts 이내의 전원과 300mTorr의 압력하에서 에칭하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2공정단계의 양극산화막 형성시 가스는 SF6+O2또는 CF4+O2를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2공정단계의 양극산화막은 Ta2O5에칭 후 드러나게되는 Ta 막과의 선택적 에칭기술이 중요한데 Ta와 Ta2O5의 선택비는 1:1 정도로 하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3공정단계의 절연막(4,4-1) 에칭은 800Watts 이상의 전원과 200mTorr 정도의 압력하에서 행하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제6공정단계의 보호막(8,8-1)은 보호막은 100mTorr 이하의 낮은 압력과 300Watts 이하의 낮은 전원에서 에칭하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제6공정단계의 보호막(8,8-1)은 60초간 14000Å 이상으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지서트 기판 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제6공정단계의 보호막(8,8-1) 에칭은 상기 양극산화막 및 상기 게이트 절연막과 동일한 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판 제조방법.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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