JP2772405B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2772405B2 JP2772405B2 JP31983490A JP31983490A JP2772405B2 JP 2772405 B2 JP2772405 B2 JP 2772405B2 JP 31983490 A JP31983490 A JP 31983490A JP 31983490 A JP31983490 A JP 31983490A JP 2772405 B2 JP2772405 B2 JP 2772405B2
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- Japan
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- video signal
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- insulating film
- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示装置、特に、薄膜トランジスタ及
び画素電極で画素を構成するアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
び画素電極で画素を構成するアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
TFT（薄膜トランジスタ）を搭載したアクティブマト
リクス構成の液晶表示装置に関しては、例えば、1989
年、電子通信学会技術研究報告（ED89-32）項41や特開
昭62-47621号公報がある。
リクス構成の液晶表示装置に関しては、例えば、1989
年、電子通信学会技術研究報告（ED89-32）項41や特開
昭62-47621号公報がある。
TFT液晶表示装置は、小型低消費電力のディスプレイ
装置として、主としてマイクロコンピュータシステムに
おけるモニター等に用いられている。このような用途と
して、アクティブマトリクス液晶表示装置は製造工程が
複雑であるため、短絡不良等が発生しやすく、またこれ
らの不良は画像として容易に認識できるため、これらの
不良低減が可能な技術が要求されている。
装置として、主としてマイクロコンピュータシステムに
おけるモニター等に用いられている。このような用途と
して、アクティブマトリクス液晶表示装置は製造工程が
複雑であるため、短絡不良等が発生しやすく、またこれ
らの不良は画像として容易に認識できるため、これらの
不良低減が可能な技術が要求されている。
点欠陥の原因として最も多いものは、透明なインジュ
ウムスズ酸化物ITOで形成された表示を行う画素電極が
ホト工程でのレジスト残りやエッチング工程でのエッチ
ング不良等で加工残りが、画素電極ITOと映像信号を外
部駆動回路から供給する映像信号線（ドレイン線）ある
いは隣合う画素電極ITO同士が電気的短絡を生じる不良
である。
ウムスズ酸化物ITOで形成された表示を行う画素電極が
ホト工程でのレジスト残りやエッチング工程でのエッチ
ング不良等で加工残りが、画素電極ITOと映像信号を外
部駆動回路から供給する映像信号線（ドレイン線）ある
いは隣合う画素電極ITO同士が電気的短絡を生じる不良
である。
上記前者の従来技術を用いたTFT液晶ディスプレイの
断面構造を第２図に示す。同図（ａ）は映像信号線に対
して平面上で隣合う画素電極に対して映像信号線（ドレ
イン線）DLに垂直線上に切った断面図、同図（ｂ）は走
査信号線GLに対して平面上で隣合う画素電極ITOに対し
て走査信号線GL（ゲート線）に垂直線上に切った断面図
である。
断面構造を第２図に示す。同図（ａ）は映像信号線に対
して平面上で隣合う画素電極に対して映像信号線（ドレ
イン線）DLに垂直線上に切った断面図、同図（ｂ）は走
査信号線GLに対して平面上で隣合う画素電極ITOに対し
て走査信号線GL（ゲート線）に垂直線上に切った断面図
である。
この技術を用いた場合、画素電極ITOと映像信号線DL
の短絡については絶縁膜GIで分離されており、この点で
の不良対策は行われている。しかしながら、同図中の映
像信号線DLに対し、長さＬDの間げきを持って形成され
た隣合う画素電極間ITOの短絡について、及び走査信号
線GLに対し長さＬGの間げきを持って形成された隣合う
画素電極間ITOの短絡については同一平面上に形成され
ているため依然として不良の発生が多い。もちろん、Ｌ
D,LGを大きくしていくとこの不良率はポアソン分布統計
に従い、ＬD,LGに対して指数的に低下するが、このこと
は光の透過する開口率を著しく低下させ、好ましくな
い。
の短絡については絶縁膜GIで分離されており、この点で
の不良対策は行われている。しかしながら、同図中の映
像信号線DLに対し、長さＬDの間げきを持って形成され
た隣合う画素電極間ITOの短絡について、及び走査信号
線GLに対し長さＬGの間げきを持って形成された隣合う
画素電極間ITOの短絡については同一平面上に形成され
ているため依然として不良の発生が多い。もちろん、Ｌ
D,LGを大きくしていくとこの不良率はポアソン分布統計
に従い、ＬD,LGに対して指数的に低下するが、このこと
は光の透過する開口率を著しく低下させ、好ましくな
い。
また、特開昭62-47621号公報の技術は、半導体膜と絵
素電極の重畳部位に絶縁膜を介在させ且つソース・ドレ
イン電極と半導体層の間にリンドープのアモルファスシ
リコン層を介在させたものである。この従来例は映像信
号線下部に画素電極が設けられ、また前記重畳構造によ
り、上記従来技術と同様の欠点を有していた。
素電極の重畳部位に絶縁膜を介在させ且つソース・ドレ
イン電極と半導体層の間にリンドープのアモルファスシ
リコン層を介在させたものである。この従来例は映像信
号線下部に画素電極が設けられ、また前記重畳構造によ
り、上記従来技術と同様の欠点を有していた。
本発明の目的は、液晶表示装置において、液晶表示装
置の画素が不良となる点欠陥を低減することが可能な技
術を提供する。
置の画素が不良となる点欠陥を低減することが可能な技
術を提供する。
本願において開示される発明は、次の二つの手段によ
って達成される。第一番目は、先に所定の厚さを持つ映
像信号線を形成し、次に前記映像信号線上に絶縁膜を被
服し、その後ITOを堆積、加工する。あるいは、先に所
定の厚さを持つ走査映像信号線を形成し、次に前記走査
信号線上の電極材料を陽極酸化して形成した陽極酸化膜
を形成し、その後ITOを堆積、加工する。第２番目は、
映像信号線に沿って形成される隣合う画素電極ITOを同
一平面上に形成せず、映像信号線の垂直方向の同一平面
上の画素電極ITO間の距離Ｌを隣合う映像信号線の距離
より大きくする。
って達成される。第一番目は、先に所定の厚さを持つ映
像信号線を形成し、次に前記映像信号線上に絶縁膜を被
服し、その後ITOを堆積、加工する。あるいは、先に所
定の厚さを持つ走査映像信号線を形成し、次に前記走査
信号線上の電極材料を陽極酸化して形成した陽極酸化膜
を形成し、その後ITOを堆積、加工する。第２番目は、
映像信号線に沿って形成される隣合う画素電極ITOを同
一平面上に形成せず、映像信号線の垂直方向の同一平面
上の画素電極ITO間の距離Ｌを隣合う映像信号線の距離
より大きくする。
前記目的を達成するために、本願発明は、１つの走査
信号線と１つの映像信号線の交点に薄膜トランジスタを
形成し、前記走査信号線は薄膜トランジスタのゲート電
極に接触され、前記映像信号線は薄膜トランジスタのド
レイン電極に接触され、前記薄膜トランジスタのソース
電極に接触された画素電極によって液晶を駆動する機能
を有する単位画素を透明基板上にマトリクス状に形成し
た液晶表示装置において、映像信号線上に第一の絶縁膜
が形成され、透明な画素電極は前記第一の絶縁膜が無い
開口領域に形成され、その一部を除去される第一の絶縁
膜が3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示
装置を構成したものである。
信号線と１つの映像信号線の交点に薄膜トランジスタを
形成し、前記走査信号線は薄膜トランジスタのゲート電
極に接触され、前記映像信号線は薄膜トランジスタのド
レイン電極に接触され、前記薄膜トランジスタのソース
電極に接触された画素電極によって液晶を駆動する機能
を有する単位画素を透明基板上にマトリクス状に形成し
た液晶表示装置において、映像信号線上に第一の絶縁膜
が形成され、透明な画素電極は前記第一の絶縁膜が無い
開口領域に形成され、その一部を除去される第一の絶縁
膜が3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示
装置を構成したものである。
また、本発明は、１つの走査信号線と１つの映像信号
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、映像信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画
素電極は前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、
映像信号線とその一部を除去される第一の絶縁膜がとも
に3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示装
置を構成したものである。
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、映像信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画
素電極は前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、
映像信号線とその一部を除去される第一の絶縁膜がとも
に3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示装
置を構成したものである。
また、本発明は、１つの走査信号線と１つの映像信号
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、映像信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画
素電極は前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、
透明な画素電極は前記映像信号線上に堆積された前記第
一の絶縁膜上の前記映像信号線の占有する面積上以外の
前記第一の絶縁膜上をエッチング除去された領域にのみ
形成され、その一部を除去される第一の絶縁膜が3000Å
以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示装置を構成
したものである。
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、映像信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画
素電極は前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、
透明な画素電極は前記映像信号線上に堆積された前記第
一の絶縁膜上の前記映像信号線の占有する面積上以外の
前記第一の絶縁膜上をエッチング除去された領域にのみ
形成され、その一部を除去される第一の絶縁膜が3000Å
以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示装置を構成
したものである。
また、本発明は、１つの走査信号線と１つの映像信号
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、映像信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画
素電極は前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、
透明な画素電極は前記映像信号線上に堆積された前記第
一の絶縁膜上の前記映像信号線の占有する面積上以外の
前記第一の絶縁膜上をエッチング除去された領域にのみ
形成され、映像信号線とその一部を除去される第一の絶
縁膜がともに3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする
液晶表示装置を構成したものである。
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、映像信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画
素電極は前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、
透明な画素電極は前記映像信号線上に堆積された前記第
一の絶縁膜上の前記映像信号線の占有する面積上以外の
前記第一の絶縁膜上をエッチング除去された領域にのみ
形成され、映像信号線とその一部を除去される第一の絶
縁膜がともに3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする
液晶表示装置を構成したものである。
また、本発明は、１つの走査信号線と１つの映像信号
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、複数本存在する映像信号線の第１番目と最終番目を
除く前記映像信号線を平面上で垂直方向の断面構造に
て、前記第１番目と最終番目を除く前記映像信号線に対
して隣合う画素電極が、隣合う画素の一方が透明基板あ
るいは第一の絶縁膜上に形成され、他方の画素電極との
平面上のほぼ中間位置に形成された映像信号線が前記第
一の絶縁膜上に形成され、前記他方の画素電極が前記映
像信号線上に形成された第２の絶縁膜上に形成されたも
のである。ここで、前記画素電極が映像信号線上に存在
しないものがよい。また、複数本存在する走査信号線の
第１番目と最終番目を除く前記走査信号線を平面上で垂
直方向の断面構造にて、前記第１番目と最終番目を除く
前記走査信号線に対して隣合う画素電極が、隣合う画素
の一方が透明基板あるいは第一の絶縁膜上に形成され、
他方の画素電極との平面上のほぼ中間位置に形成された
走査信号線が前記第一の絶縁膜上に形成され、前記他方
の画素電極が前記走査信号線上に形成された第２の絶縁
膜上に形成されたものがよい。
線の交点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線
は薄膜トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像
信号線は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接触された画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明
基板上にマトリクス状に形成した液晶表示装置におい
て、複数本存在する映像信号線の第１番目と最終番目を
除く前記映像信号線を平面上で垂直方向の断面構造に
て、前記第１番目と最終番目を除く前記映像信号線に対
して隣合う画素電極が、隣合う画素の一方が透明基板あ
るいは第一の絶縁膜上に形成され、他方の画素電極との
平面上のほぼ中間位置に形成された映像信号線が前記第
一の絶縁膜上に形成され、前記他方の画素電極が前記映
像信号線上に形成された第２の絶縁膜上に形成されたも
のである。ここで、前記画素電極が映像信号線上に存在
しないものがよい。また、複数本存在する走査信号線の
第１番目と最終番目を除く前記走査信号線を平面上で垂
直方向の断面構造にて、前記第１番目と最終番目を除く
前記走査信号線に対して隣合う画素電極が、隣合う画素
の一方が透明基板あるいは第一の絶縁膜上に形成され、
他方の画素電極との平面上のほぼ中間位置に形成された
走査信号線が前記第一の絶縁膜上に形成され、前記他方
の画素電極が前記走査信号線上に形成された第２の絶縁
膜上に形成されたものがよい。
上記した手段１は、本発明者が段差に対するITOのス
ッテプカバレジを実験した結果に基ずく。第３図にその
実験結果を示す。縦軸は段差でのITOの切断率、横軸はI
TOが被服すべき段差である。段差が1000Å以下では切断
率はほぼ０％と小さいが3000Å以上で急増し、4000Å以
上では90％以上の切断率となる。この実験結果を基にす
るならば、上記手段１の様に、まず所定の厚さ（3000Å
以上が望ましい）の映像信号線あるいは走査信号線を形
成、絶縁膜を被服しあるいは前記走査信号線の電極材料
を陽極酸化し、その後にITOを堆積、加工すれば、たと
え隣合う画素電極ITO間にエッチング不良等によりITOが
残ったとしても、段差でITOが切断され短絡不良は低減
する。
ッテプカバレジを実験した結果に基ずく。第３図にその
実験結果を示す。縦軸は段差でのITOの切断率、横軸はI
TOが被服すべき段差である。段差が1000Å以下では切断
率はほぼ０％と小さいが3000Å以上で急増し、4000Å以
上では90％以上の切断率となる。この実験結果を基にす
るならば、上記手段１の様に、まず所定の厚さ（3000Å
以上が望ましい）の映像信号線あるいは走査信号線を形
成、絶縁膜を被服しあるいは前記走査信号線の電極材料
を陽極酸化し、その後にITOを堆積、加工すれば、たと
え隣合う画素電極ITO間にエッチング不良等によりITOが
残ったとしても、段差でITOが切断され短絡不良は低減
する。
上記手段２は、映像信号線の垂直方向の画素電極ITO
間の距離が、隣合う映像信号線の距離より大きいため、
距離に対するポアソン分布統計に従い短絡不良は著しく
低減する。
間の距離が、隣合う映像信号線の距離より大きいため、
距離に対するポアソン分布統計に従い短絡不良は著しく
低減する。
（実施例１） 本発明の実施例１であるアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置の液晶表示部の１画素を第４図（要部平面
図）で示し、第４図のＩ−Ｉ切断線で切った断面を第１
図で示す。
液晶表示装置の液晶表示部の１画素を第４図（要部平面
図）で示し、第４図のＩ−Ｉ切断線で切った断面を第１
図で示す。
第４図に示すように、液晶表示装置は、下部透明ガラ
ス基板の内側（液晶側）の表面上に、薄膜トランジスタ
TFT及び画素電極ITOを有する画素が構成されている。
ス基板の内側（液晶側）の表面上に、薄膜トランジスタ
TFT及び画素電極ITOを有する画素が構成されている。
各画素は、隣接する２本の走査信号線（ゲート信号線
（GL）と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号
線）DLとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域
内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタTF
T、画素電極ITO及び付加容量Caddを含む。走査信号線GL
は、列方向に延在し、行方向に複数本配置されている。
映像信号線DLは、行方向に延在し、列方向に複数本配置
されている。
（GL）と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号
線）DLとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域
内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタTF
T、画素電極ITO及び付加容量Caddを含む。走査信号線GL
は、列方向に延在し、行方向に複数本配置されている。
映像信号線DLは、行方向に延在し、列方向に複数本配置
されている。
断面構造は、第１図に示すように、液晶層LCを基準に
下部透明ガラス基板SUB1側には液晶配向膜ORI1、薄膜ト
ランジスタTFT及び透明画素電極ITO1が形成され、下部
基板SUB1の下には偏光板POL1、上部透明ガラス基板SUB2
側には、配向膜ORI2、カラーフィルターFIL、遮光用ブ
ラックマトリクスパターンBMが形成され、透明ガラス基
板SUB2上には偏光板POL2が形成されている。また上記断
面構造には、共通透明画素電極ITO2、保護膜PSV1及びPS
V2、絶縁膜GIのそれぞれの層が形成されている。
下部透明ガラス基板SUB1側には液晶配向膜ORI1、薄膜ト
ランジスタTFT及び透明画素電極ITO1が形成され、下部
基板SUB1の下には偏光板POL1、上部透明ガラス基板SUB2
側には、配向膜ORI2、カラーフィルターFIL、遮光用ブ
ラックマトリクスパターンBMが形成され、透明ガラス基
板SUB2上には偏光板POL2が形成されている。また上記断
面構造には、共通透明画素電極ITO2、保護膜PSV1及びPS
V2、絶縁膜GIのそれぞれの層が形成されている。
本実施例の特徴は第１図の断面構造にある。絶縁膜GI
上には第１導電膜d1及び第２導電膜d2の積層構造で形成
された映像信号線DLがあり、その上には保護膜PSV1膜が
形成され、前記保護膜PSV1はホトエッチング技術で加工
されている。画素電極ITO1は前記構造形成後に形成され
る。従って、隣合う画素電極ITO1間には段差4000Å以上
の保護膜PSV1の加工段差が２ヵ所、映像信号線の段差が
２ヵ所ある。点欠陥を誘因する隣合う長さＬの間隙に画
素電極ITO1が残膜として残ったとしても、上記４箇所の
段差により第３図実験データに従い断線され点欠陥は生
じない。第１図の断線構造及びこの記述において映像信
号線DLを挾んで隣合う２つの画素電極ITO1間の段差（保
護膜PSV1及び映像信号線DLによる）は共に3000（Å）と
設定されているが、本実施例においては映像信号線は30
00（Å）以下でも本発明の効果は達成される。
上には第１導電膜d1及び第２導電膜d2の積層構造で形成
された映像信号線DLがあり、その上には保護膜PSV1膜が
形成され、前記保護膜PSV1はホトエッチング技術で加工
されている。画素電極ITO1は前記構造形成後に形成され
る。従って、隣合う画素電極ITO1間には段差4000Å以上
の保護膜PSV1の加工段差が２ヵ所、映像信号線の段差が
２ヵ所ある。点欠陥を誘因する隣合う長さＬの間隙に画
素電極ITO1が残膜として残ったとしても、上記４箇所の
段差により第３図実験データに従い断線され点欠陥は生
じない。第１図の断線構造及びこの記述において映像信
号線DLを挾んで隣合う２つの画素電極ITO1間の段差（保
護膜PSV1及び映像信号線DLによる）は共に3000（Å）と
設定されているが、本実施例においては映像信号線は30
00（Å）以下でも本発明の効果は達成される。
（実施例２） 本実施例２は、前記液晶表示装置の液晶表示部の点欠
陥を低減した、本発明の他の実施例である。
陥を低減した、本発明の他の実施例である。
本発明の実施例２である液晶表示部の液晶表示部の複
数画素を第５図（要部平面図）に、同図のVI-VI切断線
で切った断面を第６図に示す。
数画素を第５図（要部平面図）に、同図のVI-VI切断線
で切った断面を第６図に示す。
本実施例２の液晶表示装置は、第６図に示すように、
映像信号線DLに直角方向線上の断面構造に直角方向線上
の断面構造において、映像信号線DL、隣合う画素電極IT
O11及びITO12がそれぞれ絶縁膜GI、保護膜PSV1、PSV2を
用いて電気的に絶縁されていると共に、走査信号線GI、
隣合う画素電極ITO1及びITO2がそれぞれ絶縁膜GI、保護
膜PSV1、用いて電気的に絶縁されている。従って、例え
ば、同一平面上（同一絶縁膜GIあるいは保護膜PSV1上）
にある画素電極ITO11あるいはITO12の映像信号線DLに直
角方向の距離は隣合う映像信号線間の距離より大きくな
る。
映像信号線DLに直角方向線上の断面構造に直角方向線上
の断面構造において、映像信号線DL、隣合う画素電極IT
O11及びITO12がそれぞれ絶縁膜GI、保護膜PSV1、PSV2を
用いて電気的に絶縁されていると共に、走査信号線GI、
隣合う画素電極ITO1及びITO2がそれぞれ絶縁膜GI、保護
膜PSV1、用いて電気的に絶縁されている。従って、例え
ば、同一平面上（同一絶縁膜GIあるいは保護膜PSV1上）
にある画素電極ITO11あるいはITO12の映像信号線DLに直
角方向の距離は隣合う映像信号線間の距離より大きくな
る。
このように構成される画素は、同一平面上の画素電極
間の距離が大きくなるので、点欠陥不良に対する歩留Ya
はポアソン分布統計を用いた次の指数式に従い著しく向
上することができる。
間の距離が大きくなるので、点欠陥不良に対する歩留Ya
はポアソン分布統計を用いた次の指数式に従い著しく向
上することができる。
Ya＝exp（−Ｄ・ＬD/LN）×100（％） ここで、Ｄは第２図で示した従来構造を用いた場合の
点欠陥不良率、ＬDは同じく第２図の隣合う画素電極間
の距離で、ＬN本実施例の同一平面上の画素電極間の距
離を示す。
点欠陥不良率、ＬDは同じく第２図の隣合う画素電極間
の距離で、ＬN本実施例の同一平面上の画素電極間の距
離を示す。
一例として、対角10.4インチ水平方向の映像信号線が
1920本（隣合う映像信号線間の距離を110（μｍ））、
走査信号線線数480本のアクティブマトリクス方式の液
晶表示装置で、第２図の従来構造での隣合う画素電極間
の距離ＬDを20（μｍ）として、従来構造と同じ寸法ル
ールで液晶表示装置を作成すると、ＬNは130（μｍ）と
なる。この場合、従来構造の不良率を0.4（歩留Ya＝60
％）、0.2（歩留Ya＝80％）とすると、本実施例の点欠
陥歩留Yaはそれぞれ94％、97％と従来構造に比べて著し
く向上することができる。
1920本（隣合う映像信号線間の距離を110（μｍ））、
走査信号線線数480本のアクティブマトリクス方式の液
晶表示装置で、第２図の従来構造での隣合う画素電極間
の距離ＬDを20（μｍ）として、従来構造と同じ寸法ル
ールで液晶表示装置を作成すると、ＬNは130（μｍ）と
なる。この場合、従来構造の不良率を0.4（歩留Ya＝60
％）、0.2（歩留Ya＝80％）とすると、本実施例の点欠
陥歩留Yaはそれぞれ94％、97％と従来構造に比べて著し
く向上することができる。
なお、第５図に示す様に同一平面上にある画素電極IT
O11あるいはITO12は走査信号線GLに対しても、同一平面
の隣合う距離は隣合う走査電極間の距離より大きいので
点欠欠陥さらに低減できるという特徴を持つ。
O11あるいはITO12は走査信号線GLに対しても、同一平面
の隣合う距離は隣合う走査電極間の距離より大きいので
点欠欠陥さらに低減できるという特徴を持つ。
以上説明したように、本発明の実施例によれば、無対
策の場合の映像信号線を挾んで形成された画素電極間の
短絡不良が、映像信号線に保護膜を被服した後に形成さ
れた映像信号線や保護膜の段差により、また、無対策の
場合の走査信号線を挾んで形成された画素電極間の短絡
不良が、走査信号線に走査信号線材料を陽極酸化して形
成された陽極酸化膜の段差により、不良として残ったIT
Oを切断せしめるためや、映像信号線と垂直方向で隣合
う画素電極ITO間の距離が隣合う映像信号線間の距離よ
り大きくなっているため、点欠陥を著しく低減させると
いう効果がある。
策の場合の映像信号線を挾んで形成された画素電極間の
短絡不良が、映像信号線に保護膜を被服した後に形成さ
れた映像信号線や保護膜の段差により、また、無対策の
場合の走査信号線を挾んで形成された画素電極間の短絡
不良が、走査信号線に走査信号線材料を陽極酸化して形
成された陽極酸化膜の段差により、不良として残ったIT
Oを切断せしめるためや、映像信号線と垂直方向で隣合
う画素電極ITO間の距離が隣合う映像信号線間の距離よ
り大きくなっているため、点欠陥を著しく低減させると
いう効果がある。
第１図は本発明の実施例１であるアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置の液晶表示部の１画素を要部断面図
であり、本図は第４図の要部平面図の映像信号線に対す
る直角方向の断面図でＩ−Ｉ切断線で切った部分、第２
図は従来構造の断面図、第３図はインジュウムスズ酸化
物の段差に対する切断率、第４図は本発明の実施例１で
あるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の液晶表
示部の１画素を示す要部平面図、第５図は本発明の実施
例２であるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の
液晶表示部の複数の画素を配置したときの平面図、第６
図は第５図のVI-VI切断線で切った部分で映像信号線に
対する直角方向の断面図である。 SUB……透明ガラス基板、GL……走査信号線、DL……映
像信号線、GI……絶縁膜、GT……ゲート電極、SD……ソ
ース電極、PSV……保護膜、LC……液晶、TFT……薄膜ト
ランジスタ、ITO……透明電極、ｄ……導電膜、Cadd…
…保持容量素子、AO……陽極酸化膜、Cpix……液晶容量
（英文字の後の数字の添字は省略）。
方式の液晶表示装置の液晶表示部の１画素を要部断面図
であり、本図は第４図の要部平面図の映像信号線に対す
る直角方向の断面図でＩ−Ｉ切断線で切った部分、第２
図は従来構造の断面図、第３図はインジュウムスズ酸化
物の段差に対する切断率、第４図は本発明の実施例１で
あるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の液晶表
示部の１画素を示す要部平面図、第５図は本発明の実施
例２であるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の
液晶表示部の複数の画素を配置したときの平面図、第６
図は第５図のVI-VI切断線で切った部分で映像信号線に
対する直角方向の断面図である。 SUB……透明ガラス基板、GL……走査信号線、DL……映
像信号線、GI……絶縁膜、GT……ゲート電極、SD……ソ
ース電極、PSV……保護膜、LC……液晶、TFT……薄膜ト
ランジスタ、ITO……透明電極、ｄ……導電膜、Cadd…
…保持容量素子、AO……陽極酸化膜、Cpix……液晶容量
（英文字の後の数字の添字は省略）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−97919（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−188720（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−151835（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−9635（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−228632（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54577（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1343 G02F 1/1333 G09F 9/00
Claims (7)
- 【請求項１】１つの走査信号線と１つの映像信号線の交
点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線は薄膜
トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像信号線
は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、前記薄
膜トランジスタのソース電極に接触された画素電極によ
って液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明基板上
にマトリクス状に形成した液晶表示装置において、映像
信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画素電極は
前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、その一部
を除去される第一の絶縁膜が3000Å以上の厚さを持つこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】１つの走査信号線と１つの映像信号線の交
点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線は薄膜
トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像信号線
は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、前記薄
膜トランジスタのソース電極に接触された画素電極によ
って液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明基板上
にマトリクス状に形成した液晶表示装置において、映像
信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画素電極は
前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、映像信号
線とその一部を除去される第一の絶縁膜がともに3000Å
以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】１つの走査信号線と１つの映像信号線の交
点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線は薄膜
トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像信号線
は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、前記薄
膜トランジスタのソース電極に接触された画素電極によ
って液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明基板上
にマトリクス状に形成した液晶表示装置において、映像
信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画素電極は
前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、透明な画
素電極は前記映像信号線上に堆積された前記第一の絶縁
膜上の前記映像信号線の占有する面積上以外の前記第一
の絶縁膜上をエッチング除去された領域にのみ形成さ
れ、その一部を除去される第一の絶縁膜が3000Å以上の
厚さを持つことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】１つの走査信号線と１つの映像信号線の交
点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線は薄膜
トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像信号線
は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、前記薄
膜トランジスタのソース電極に接触された画素電極によ
って液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明基板上
にマトリクス状に形成した液晶表示装置において、映像
信号線上に第一の絶縁膜が形成され、透明な画素電極は
前記第一の絶縁膜が無い開口領域に形成され、透明な画
素電極は前記映像信号線上に堆積された前記第一の絶縁
膜上の前記映像信号線の占有する面積上以外の前記第一
の絶縁膜上をエッチング除去された領域にのみ形成さ
れ、映像信号線とその一部を除去される第一の絶縁膜が
ともに3000Å以上の厚さを持つことを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項５】１つの走査信号線と１つの映像信号線の交
点に薄膜トランジスタを形成し、前記走査信号線は薄膜
トランジスタのゲート電極に接触され、前記映像信号線
は薄膜トランジスタのドレイン電極に接触され、前記薄
膜トランジスタのソース電極に接触された画素電極によ
って液晶を駆動する機能を有する単位画素を透明基板上
にマトリクス状に形成した液晶表示装置において、複数
本存在する映像信号線の第１番目と最終番目を除く前記
映像信号線を平面上で垂直方向の断面構造にて、前記第
１番目と最終番目を除く前記映像信号線に対して隣合う
画素電極が、隣合う画素の一方が透明基板あるいは第一
の絶縁膜上に形成され、他方の画素電極との平面上のほ
ぼ中間位置に形成された映像信号線が前記第一の絶縁膜
上に形成され、前記他方の画素電極が前記映像信号線上
に形成された第２の絶縁膜上に形成されたことを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項５において、前記画素電極が映像信
号線上以外の部分に形成されたことを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項７】請求項５において、複数本存在する走査信
号線の第１番目と最終番目を除く前記走査信号線を平面
上で垂直方向の断面構造にて、前記第１番目と最終番目
を除く前記走査信号線に対して隣合う画素電極が、隣合
う画素の一方が透明基板あるいは第一の絶縁膜上に形成
され、他方の画素電極との平面上のほぼ中間位置に形成
された走査信号線が前記第一の絶縁膜上に形成され、前
記他方の画素電極が前記走査信号線上に形成された第２
の絶縁膜上に形成されたことを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31983490A JP2772405B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31983490A JP2772405B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04194823A JPH04194823A (ja) | 1992-07-14 |
| JP2772405B2 true JP2772405B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18114737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31983490A Expired - Lifetime JP2772405B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2772405B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265751B1 (ko) * | 1992-09-07 | 2000-09-15 | 윤종용 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JPH0743522A (ja) * | 1993-05-28 | 1995-02-14 | Nippon Oil Co Ltd | 遮光層を有する基板の形成方法、遮光層を有する基板、白黒表示薄膜トランジスタ（ｔｆｔ）アレイ基板用対向電極基板及び白黒表示液晶ディスプレイ装置 |
| KR100320414B1 (ko) * | 1994-07-19 | 2002-10-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| KR100372305B1 (ko) * | 1995-03-30 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의박막트랜지스터기판및그제조방법 |
| JPH0926603A (ja) | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR100385355B1 (ko) * | 1995-09-26 | 2003-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정디스플레이의스페이서도포시스템 |
| WO1997028483A1 (fr) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Seiko Epson Corporation | Substrat pour affichage a cristaux liquides, procede de production d'un substrat pour affichage a cristaux liquides, affichage a cristaux liquides et dispositif electronique |
| KR100387230B1 (ko) * | 1996-06-29 | 2003-08-27 | 삼성전자주식회사 | 액정표시소자패널및그제조방법 |
| KR100249187B1 (ko) * | 1996-07-13 | 2000-03-15 | 구본준 | 박막액정표시장치(tft-lcd)및그제조방법 |
| JP3634089B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| KR100412127B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2004-06-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
| KR100265782B1 (ko) * | 1997-07-04 | 2000-09-15 | 김순택 | 박막트랜지스터형액정표시장치 |
| KR100264887B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2000-09-01 | 구본준 | 액정표시장치 |
| JPH11174491A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100267980B1 (ko) * | 1997-08-16 | 2000-10-16 | 구자홍 | 액정표시장치및그제조방법 |
| TW561297B (en) * | 1997-11-25 | 2003-11-11 | Toshiba Corp | Electrode wiring board subjected to counter measure against static electricity and display device using the same |
| JP3161393B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2001-04-25 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100330095B1 (ko) * | 1998-06-22 | 2003-01-15 | 삼성전자 주식회사 | 수직 배향 비틀린 네마틱 액정 표시 장치 |
| KR100344844B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2002-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법 |
| KR100313952B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
| US6654090B1 (en) | 1998-09-18 | 2003-11-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
| KR100323732B1 (ko) * | 1998-12-08 | 2002-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
| KR100318536B1 (ko) * | 1999-02-23 | 2001-12-22 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
| JP2000305483A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP3576871B2 (ja) | 1999-06-04 | 2004-10-13 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3716132B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2005-11-16 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100375737B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2003-03-15 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 |
| JP3285011B2 (ja) | 1999-07-14 | 2002-05-27 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
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| JP3796072B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2006-07-12 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置 |
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| JPH0254577A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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| JPH02188720A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-24 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02228632A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31983490A patent/JP2772405B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04194823A (ja) | 1992-07-14 |
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