KR100366081B1 - 액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

목적 : 디스플레이장치의 표시품질을 향상시키기 위해 스토리지 캐패시터를 다결정실리콘층-게이트절연층-공통전극라인층으로 구성하여 빛이 차단되는 영역을 최소화함으로써 개구율을 향상시킬 수 있는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법에 대해 개시한다.
구성 : 본 발명의 액티브 매트릭스형 디스플레이장치는, 기판 상의 각 화소영역에 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역을 포함하는 이온도핑된 다결정실리콘층을 형성시키되, 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 고유 다결정실리콘층으로 형성시키며, 드레인전극의 콘택영역의 다결정실리콘층이 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되는 활성영역과; 활성영역 상에 형성되며, 스토리지 캐패시터 전극의 절연체 역할을 수행하는 게이트절연층과; 게이트절연층 상의 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이에 형성되며, 게이트라인에 접속된 게이트전극과; 게이트전극과 같은 층상에 독립적으로 연장되어 형성되며, 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되고 게이트라인과 같은 층상에서 같은 방향으로 형성된 공통전극라인을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
효과 : 게이트절연층을 스토리지 캐패시터 전극의 절연막으로 사용함으로써 스토리지 캐패시터 전극의 면적을 2배 내지 4배 줄일 수 있고, 이로 인해 빛이 차단되는 면적을 최소화하여 개구율을 향상시킬 수 있다. 결국, 표시품질의 향상을 기대할 수 있다.

Description

액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법{Active matrix type displayer for progressing aperture ratio and method for manufacturing as the same}
본 발명은 디스플레이장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 디스플레이장치의 표시품질을 향상시키기 위해 스토리지 캐패시터를 다결정실리콘층-게이트절연층-공통전극라인층으로 구성하여 빛이 차단되는 영역을 최소화함으로써 개구율을 향상시킬 수 있는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
인간과 컴퓨터(및 기타의 컴퓨터화된 기계)의 인터페이스를 담당하는 디스플레이장치의 퍼스널화, 스페이스 절약화의 요구에 부응하여 지금까지의 디스플레이장치, 특히 비교적 거대한 음극선관(CRT)을 대신하여 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), EL(Electroluminescence) 등 각종 평면 스크린이나 평판 디스플레이장치가 개발되어 왔다. 이들 평판 패널 디스플레이들 중에서도 액정표시장치(LCD)의 기술 진전은 가장 획기적이라 할 수 있으며, 어떤 형태로서는, CRT의 컬러화질에 필적하거나 그 이상을 실현하기에 이르렀다. 그래서, 이하 설명의 편의상 디스플레이장치 중에서 액정표시장치에 대해 설명하기로 한다.
액정표시장치에는 단순 매트릭스형(simple matrix type) 또는 액티브 매트릭스형(active matrix type)이 있으며, 전계(electric field)에 의하여 액정분자의 배열이 변화하는 액정의 전기광학적 성질을 이용하고 있다. 특히 상기의 액정기술과 반도체기술을 융합한 액티브 매트릭스형 액정표시장치는 CRT와 경합하여 CRT를능가할 디스플레이장치로 인식되어 있다.
상기 액티브 매트릭스 액정표시장치는 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 비선형 특성을 갖춘 액티브소자를 부가하여 이 소자의 스위칭특성을 이용하여 각 화소의 동작을 제어한다. 상기 액티브 매트릭스 액정표시장치의 한 형태로서는, 액정의 전기광학효과를 통하여 메모리기능을 구현한 것도 있다. 액티브소자로는 통상 3단자형인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor ; 이하 TFT라 함)가 이용되며, 2단자형인 MIM(Metal Insulator Metal) 등 박막다이오드(Thin Film Diode ; TFD)가 사용되기도 한다. 이러한 액티브소자를 이용한 액티브 매트릭스 액정표시장치에는, 화소 어드레스 배선과 함께 수만개 내지 수백만개가 유리기판상에 집적화되어서, 스위칭 소자로서 작용하는 TFT와 함께 매트릭스 구동 회로를 구성한다.
그러나 이러한 액티브 매트릭스 액정표시장치에서는 디스플레이장치의 대화면화와 고정세화에 따라 화소수가 증가하고 그에 따라 각 화소의 개구율(aperture ratio)이 감소하여 결국 그에 상응하는 액정패널의 휘도가 떨어지는 문제점이 발생한다.
또한 상기의 액티브 매트릭스 액정표시장치에서 표시되는 이미지의 균일성(uniformity)을 확보하기 위하여 기입동작 중에 데이타선을 통하여 인가된 제1 신호의 인가전압을 다음 제2 신호를 수용할 때까지, 일정시간 동안 유지시켜줄 필요가 있다. 또한, 표시 화면 특성을 향상시키기 위하여, 액정셀과 병렬로 보조 커패시터를 형성시켜 주게 된다. 액정셀과 병렬로 보조용량을 형성하는 방법으로서 부가용량방식과 축적용량방식이 있다.
그러면, 여기서 종래의 축적용량방식의 액정표시장치에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 종래 액정표시장치의 레이아웃도이고, 도 4는 종래 액정표시장치의 B - B'에 따른 단면도이다. 여기서, 설명의 편의상 하나의 화소영역에 대해서만 도시한다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 게이트라인(10)과 데이터라인(20)이 매트릭스형으로 형성되며, 그 내부에 화소영역이 형성된다. 이 화소영역에는 도 3에 도시된 바와 같이, TFT소자와 접속되는 화소전극(30)과 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되는 공통전극라인(40)이 형성되어 있음을 알 수 있다.
상기와 같은 구성으로 이루어진 액티브 매트릭스형 액정표시장치를 제조하기 위해, 먼저, 유리 또는 석영 등의 투명한 절연성 기판(50) 상에 버퍼층(52)을 적층시키고, 상기 버퍼층(52) 상에 다결정실리콘층을 적층 형성하고 패터닝하여 활성영역(54)을 정의한다. 이 활성영역(54)에는 고유 다결정실리콘(56) 영역이 포함되어 있다. 이후, 활성영역(54)을 포함하여 전면에 게이트절연층(58)을 증착시킨다. 그리고, 상기 게이트절연층(58) 상에 금속층을 증착시키고 패터닝하되, 상기 고유 다결정실리콘(56) 상에 게이트전극(60)을 형성시키고, 상기 화소영역에 공통전극라인(62)을 형성시킨다. 이 때, 상기 공통전극라인(62)은 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되는 것이다. 이후, 게이트전극을 마스크로 하여 불순물(P 또는 B) 이온주입 공정을 수행하여 활성영역(54)의 양측에 콘택영역을 정의한다.
이 때, 게이트전극(60) 및 공통전극라인(62)은 불순물이 함유된 다결정실리콘을 사용할 수도 있다.
상기 게이트전극(60) 및 공통전극라인(62)을 포함하는 상부에 층간절연막(64)을 형성시킨다. 이후, 이 층간절연막(64)에서 상기 소스전극 및 드레인전극 콘택영역을 개구시키고, 금속층을 적층하고 패터닝하여 소스전극(66) 및 드레인전극(68)을 형성시킨다. 이 때, 상기 드레인전극(68)은 화소영역으로 확장시켜 형성된다.
이후, 패시베이션(70)을 형성하고 필요개소에 비아홀을 정의한 후, 상기 드레인전극(68)과 접속되는 화소전극(72)을 형성시킨다.
도 4에 도시된 바와 같이, 공통전극라인(62), 층간절연막(64), 및 드레인전극(68)이 스토리지 캐패시터(SC)가 된다.
그런데, 상기와 같은 공정과정에 의해 제조된 액정표시장치는, 4000Å 정도 증착되는 층간절연막(64)을 절연층으로 이용함으로써 도 3에 도시된 바와 같이 50％ 정도의 낮은 개구율을 가져 휘도가 떨어지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 디스플레이장치의 표시품질을 향상시키기 위해 스토리지 캐패시터를 다결정실리콘층-게이트절연층-공통전극라인층으로 구성하여 빛이 차단되는 영역을 최소화함으로써 개구율을 향상시킬 수 있는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 화소영역과, 상기 화소영역 사이에 서로 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인을 포함하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치에 적용되는데, 본 발명의 액티브 매트릭스형 디스플레이장치는 상기 기판 상의 각 화소영역에 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역을 포함하여 이온도핑된 다결정실리콘층을 형성시키되, 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 고유 다결정실리콘층으로 형성시키며, 상기 드레인전극 콘택영역의 다결정실리콘층을 스토리지 캐패시터 전극으로 사용할 수 있도록 상기 화소영역으로 확장시킨 활성영역과; 상기 활성영역을 포함한 상부에 형성되며, 상기 스토리지 캐패시터 전극의 절연체 역할을 수행하는 게이트절연층과; 상기 게이트절연층 상의 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이에 형성되며, 상기 게이트라인에 접속된 게이트전극과; 상기 게이트전극과 같은 층상에 독립적으로 연장되어 형성되고, 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되며, 상기 게이트라인과 같은 방향으로 형성된 공통전극라인과; 상기 게이트전극 및 공통전극라인 상에 형성된 층간절연층과; 상기 다결정실리콘층과 접속되며, 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역에 형성된 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극 상에 형성시키는 패시베이션층과; 상기 드레인전극과 접속되며, 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되며, 상기 공통전극라인을 포함하여 화소영역에 형성되는 화소전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 공통전극라인은 게이트라인 방향의 동일 행 화소영역에 걸쳐 일체형으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트라인, 데이터라인, 및 공통전극라인은 동일한 물질로 형성되거나, 서로 다른 물질로 형성되는 것도 바람직하다.
한편, 본 발명은 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 화소영역과, 상기 화소영역 사이에 서로 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인을 포함하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스형 디스플레이장치의 제조방법은 상기 기판 상의 각 화소영역에 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역을 포함하여 이온도핑된 다결정실리콘층을 형성시키되, 상기 드레인전극 콘택영역의 다결정실리콘층이 스토리지 캐패시터 전극으로 사용될 수 있도록 상기 게이트라인을 따라 연장된 활성영역을 정의하는 제1 단계와; 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 개구시키고, 개구된 곳에 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 접속시키는 고유 다결정실리콘을 형성시키는 제2 단계와; 상기 제2 단계의 결과물 상에 상기 스토리지 캐패시터 전극에 대해 절연체 역할을 수행할 수 있도록 게이트절연층을 형성시키는 제3 단계와; 상기 제3 단계의 결과물 상에 금속층을 증착시키고 패터닝하되, 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이에 상기 게이트라인과 접속되는 게이트전극을 형성시킴과 동시에 스토리지 캐패시터 전극으로 사용할 수 있도록 상기 드레인전극 콘택영역의 다결정실리콘층 영역을 포함하여 공통전극라인을 형성시키는 제4 단계와; 상기 제4 단계의 결과물 상에 층간절연막을 형성시키는 제5 단계와; 상기 제5 단계의 결과물 상에서 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역에 콘택홀을 형성시킨 후, 금속층을 증착하고 패터닝하여 소스전극 및 드레인전극을 형성시키는 제6 단계와; 상기 제6 단계의 결과물 상에 패시베이션층을 형성시키는 제7 단계와; 상기 제7 단계의 결과물 상에 필요 개소에 비아홀을 형성한 후, 상기 드레인전극과접속되며 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되는 화소전극을 형성시키는 제8 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 게이트절연층을 300Å ∼ 2000Å 범위 내에서 증착하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트전극에 불순물이 함유된 다결정실리콘을 사용하는 것도 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 레이아웃도,
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예로서, 도 1의 A - A'에 따른 액정표시장치의 제조공정을 나타낸 공정단면도,
도 3은 종래 액정표시장치의 레이아웃도,
도 4는 종래 액정표시장치의 B - B'에 따른 단면도이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
100 : 게이트라인 200 : 데이터라인
300 : 활성영역 400 : 게이트전극
500 : 공통전극라인 600 : 화소전극
700 : 기판 720 : 고유 다결정실리콘층
730 : 게이트절연층 750 : 소스전극
760 : 드레인전극 SC : 스토리지 캐패시터
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 레이아웃도이다. 여기서, 설명의 편의상 하나의 화소영역에 대해서만 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스형 액정표시장치의 구조는 일정한 간격으로 복수개의 게이트라인(100)이 형성되고, 이 게이트라인(100)과 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖는 복수개의 데이터라인(200)이 형성되어 있다.
그리고 게이트라인(100)과 데이터라인(200)이 형성된 기판 상의 각 화소영역에 소스전극 및 드레인전극 콘택영역을 포함하는 활성영역(300)이 섬모양으로 형성되어 있다.
그리고 각 활성영역(300)의 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이에서 각 게이트라인(100)에 접속되어 복수개의 게이트전극(400)이 형성되어 있고, 각 활성영역(300) 상에 게이트라인(100)과 동일한 방향으로 복수개의 공통전극라인(500)이형성되어 있다. 상기 각 화소영역에서 공통전극라인(500)을 포함한 영역에 화소전극(600)이 형성되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 공통전극라인(500)의 면적과 개구된 화소전극(600)의 면적이 대략 1：3 정도의 비율로 형성되어 있음을 알 수 있다.
한편, 상기 공통전극라인(500)은 게이트라인(100) 방향의 동일 행 화소영역에 걸쳐 일체형으로 형성되고 게이트전극(400)과 동일한 물질로 형성되어 있다.
또한, 공통전극라인(500)은 게이트라인(100) 또는 데이터라인(200) 중 어느 하나와 동일한 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 물론, 게이트라인(100)과 데이터라인(200)은 서로 다른 물질로 형성시킬 수도 있다.
이 때, 상기한 활성영역(300)과 공통전극라인(500)은 스토리지 커패시터 전극으로 사용되며, 공통전극라인(500)과 화소전극(600) 또한 부가적인 스토리지 캐패시터 전극으로 사용된다.
그러면, 여기서 상기와 같은 구성을 갖는 액티브 매트릭스형 액정표시장치의 제조과정을 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예로서, 도 1의 A - A'에 따른 액정표시장치의 제조공정을 나타낸 공정단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 유리 또는 석영 등의 투명한 절연성 기판(700) 상에 버퍼층(710)을 증착하고, 이어서 상기 버퍼층(710) 상에 실리콘층을 적층 형성하고 패터닝하여 활성영역(300)을 정의한다. 이 때, 상기 패터닝에 의해 TFT소자가 제조될 위치가 개구되어 섬모양으로 활성영역(300)이 형성된다. 또한, 상기 섬모양의 활성영역(300) 중에서 드레인전극 콘택영역에 위치한 활성영역(300)은 스토리지 캐패시터 전극으로 이용할 수 있도록 화소영역으로 확장 형성된다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 활성영역(300)에서 개구된 위치에 섬모양의 활성영역(300)을 연결하는 고유 다결정실리콘(720)을 형성시킨다. 상기 활성영역(300)에 정의된 실리콘층은 비정질실리콘층으로서 액시머 레이저의 조사에 의해 다결정실리콘으로 된 것이다. 또한, 상기 고유 다결정실리콘(720)도 액시머 레이저의 조사에 의해 다결정실리콘으로 된 것이다.
이후, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 활성영역(300)과 고유 다결정실리콘(720)을 포함하는 기판(700) 전면 상부에 게이트절연층(730)을 증착시킨다. 그리고, 상기 게이트절연층(730) 상에 금속층을 증착시키고 패터닝하되, 상기 고유 다결정실리콘(720) 상에 게이트전극(400)을 형성시키고, 상기 드레인전극 콘택영역의 활성영역(300)과 대향하는 위치에 공통전극라인(500)을 형성시킨다. 이 때, 상기 공통전극라인(500)은 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되는 것이다.
이 때, 게이트전극(400) 및 공통전극라인(500)은 불순물이 함유된 다결정실리콘을 사용할 수도 있다.
상기한 도 2c까지의 공정에 의해, 드레인전극 콘택영역의 활성영역(300)인 다결정실리콘층, 게이트절연층(730), 및 공통전극라인(500)으로 이루어진 제1 스토리지 캐패시터(제1 SC)가 형성됨을 알 수 있다.
여기에, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(400) 및 공통전극라인(500)을 포함하는 상부에 층간절연막(740)을 형성시킨다. 이후, 이 층간절연막(740)에서 상기 소스전극 및 드레인전극 콘택영역을 개구시키고, 금속층을 적층하고 패터닝하여 소스전극(750) 및 드레인전극(760)을 형성시킨다.
이후, 패시베이션층(770)을 형성하고 필요 개소에 비아홀을 개구시킨 후, 상기 드레인전극(760)과 접속되는 화소전극(600)을 형성시킨다.
이 결과, 도 2e에 도시된 바와 같이, 공통전극라인(500), 층간절연막(740), 패시베이션층(770), 및 화소전극(600)으로 이루어진 제2의 스토리지 캐패시터(제2 SC)가 형성됨을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 다결정실리콘층을 이용하여 스토리지 캐패시터의 한쪽 전극을 형성시키고, 게이트절연막을 절연층으로 이용하게 되므로 면적을 줄이더라도 정전용량을 종래와 동일한 정전용량을 얻게 되어 개구율을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 스토리지 캐패시터 전극의 면적을 절반 이하로 줄임으로써 종래의 50％ 정도의 개구율에서 대략 75％ 정도 이상으로 개구율을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
본 실시예에서는 설명의 편의상 액정표시장치에 대해서만 설명하였으나, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법은 각종 디스플레이장치에 적용될 수 있음은 주지의 사실이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스형 디스플레이장치 및 이의 제조방법은, 게이트절연층을 스토리지 캐패시터 전극의 절연막으로 사용함으로써 스토리지 캐패시터 전극의 면적을 2배 내지 4배 줄일 수 있고, 이로 인해 빛이 차단되는 면적을 최소화하여 개구율을 향상시킬 수 있다. 결국, 표시품질의 향상을 기대할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 화소영역과, 상기 화소영역 사이에 서로 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인을 포함하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치에 있어서,
    상기 기판 상의 각 화소영역에 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역을 포함하여 이온도핑된 다결정실리콘층을 형성시키되, 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 고유 다결정실리콘층으로 형성시키며, 상기 드레인전극 콘택영역의 다결정실리콘층을 스토리지 캐패시터 전극으로 사용할 수 있도록 상기 화소영역으로 확장시킨 활성영역과;
    상기 활성영역을 포함한 상부에 형성되며, 상기 스토리지 캐패시터 전극의 절연체 역할을 수행하는 게이트절연층과;
    상기 게이트절연층 상의 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이에 형성되며, 상기 게이트라인에 접속된 게이트전극과;
    상기 게이트전극과 같은 층상에 독립적으로 연장되어 형성되고, 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되며, 상기 게이트라인과 같은 방향으로 형성된 공통전극라인과;
    상기 게이트전극 및 공통전극라인 상에 형성된 층간절연층과;
    상기 다결정실리콘층과 접속되며, 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역에 형성된 소스전극 및 드레인전극과;
    상기 소스전극 및 드레인전극 상에 형성시키는 패시베이션층과;
    상기 드레인전극과 접속되며, 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되며, 상기 공통전극라인을 포함하여 화소영역에 형성되는 화소전극;
    을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극라인은 게이트라인 방향의 동일 행 화소영역에 걸쳐 일체형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트라인, 데이터라인, 및 공통전극라인은 동일한 물질로 형성되거나, 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치.
  4. 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된 화소영역과, 상기 화소영역 사이에 서로 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인을 포함하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치의 제조방법에 있어서,
    상기 기판 상의 각 화소영역에 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역을 포함하여 이온도핑된 다결정실리콘층을 형성시키되, 상기 드레인전극 콘택영역의 다결정실리콘층이 스토리지 캐패시터 전극으로 사용될 수 있도록 상기 게이트라인을 따라 연장된 활성영역을 정의하는 제1 단계와;
    상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 개구시키고, 개구된 곳에 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이를 접속시키는 고유 다결정실리콘을 형성시키는 제2 단계와;
    상기 제2 단계의 결과물 상에 상기 스토리지 캐패시터 전극에 대해 절연체 역할을 수행할 수 있도록 게이트절연층을 형성시키는 제3 단계와;
    상기 제3 단계의 결과물 상에 금속층을 증착시키고 패터닝하되, 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역 사이에 상기 게이트라인과 접속되는 게이트전극을 형성시킴과 동시에 스토리지 캐패시터 전극으로 사용할 수 있도록 상기 드레인전극 콘택영역의 다결정실리콘층 영역을 포함하여 공통전극라인을 형성시키는 제4 단계와;
    상기 제4 단계의 결과물 상에 층간절연막을 형성시키는 제5 단계와;
    상기 제5 단계의 결과물 상에서 상기 소스전극 및 드레인전극의 콘택영역에 콘택홀을 형성시킨 후, 금속층을 증착하고 패터닝하여 소스전극 및 드레인전극을 형성시키는 제6 단계와;
    상기 제6 단계의 결과물 상에 패시베이션층을 형성시키는 제7 단계와;
    상기 제7 단계의 결과물 상에 필요 개소에 비아홀을 형성한 후, 상기 드레인전극과 접속되며 스토리지 캐패시터 전극으로 사용되는 화소전극을 형성시키는 제8 단계;
    를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 게이트절연층을 300Å ∼ 2000Å 범위 내에서 증착하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 게이트전극에 불순물이 함유된 다결정실리콘을 사용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 디스플레이장치의 제조방법.
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