JP3077445B2 - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、駆動素子として薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor;TFT）、ダイオー
ド、ＭＩＭ（metal/insulator/metal ）、バリスタ等を
用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に係り、特
に、開口率を低下させること無く、表示画質のコントラ
ストを向上させることができるアクティブマトリクス液
晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＴＦＴ型アクティブマトリクス液
晶表示装置としては、図８及び図９に示すような表示装
置があった。図８は、従来のアクティブマトリクス液晶
表示装置の一画素の平面説明図であり、図９は、図８の
Ｄ−Ｄ′部分の模式断面説明図である。アクティブマト
リクス液晶表示装置は、図９に示すように、ＴＦＴ基板
１、対向基板２及び液晶３から構成され、ＴＦＴ基板１
と対向基板２とが一定間隔で対峙し、ＴＦＴ基板１と対
向基板２との間隙が液晶３で満たされている。

【０００３】ＴＦＴ基板１には、列（縦）方向の信号線
４と行（横）方向の走査線５とがマトリクス状に形成さ
れ、信号線４と走査線５との各交点には駆動素子である
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６と、透明導電体から成る
画素電極７が形成されている。そして、各ＴＦＴ６のゲ
ート電極８は行毎に共通の走査線５に接続され、ソース
電極９は列毎に共通の信号線４に接続され、ドレイン電
極１０は画素電極７に接続され、更に基板全体を覆うよ
うに配向膜１３が形成されている。

【０００４】一方、透光性基板から成る対向基板２に
は、下面にＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６、各配線
部分及び画素電極７と各配線との隙間部分を覆うための
ブラックマトリクス１１が形成され、その下に共通電極
である対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うよ
うに配向膜１３′が設けられている。

【０００５】上記のように形成されたＴＦＴ基板１及び
対向基板２は、液晶分子を基板に対して一定のプレチル
ト角をもって一定方向に配向させて、表示画質を均一に
するために、配向膜１３，１３′をポリエステル等の布
で一方向に擦る処理（ラビング処理）が施されている。
ここでは、ＴＦＴ基板１のラビング方向を図８の右下か
ら左上に向かう方向とし、対向基板２のラビング方向を
右上から左下に向かう方向としている。そして、ＴＦＴ
基板１と対向基板２とは配向膜１３，１３′が互いに向
かい合うように保持され、その間に液晶３が満たされて
いる。

【０００６】次に、上記従来のアクティブマトリクス液
晶表示装置の駆動方法について説明する。走査線５の１
本に選択電圧（Ｖg,on）が印加されると、その走査線５
に接続されているＴＦＴ６がオン状態となり、画素電極
７の電位が信号線４の電位と等しくなって、信号線４に
出力されているデータ電圧が画素電極７に書き込まれ
る。一方、対向電極１２は一定電圧に保持されているた
め、画素電極７に書き込まれたデータ電圧と対向電極７
との電位差により、間に挾まれている液晶３に垂直方向
の電界が掛かり、この電界の強度に応じて液晶３の配向
状態が変化し、それに伴って光透過率が変化して画像表
示が行われるものである。

【０００７】画素電極７に書き込まれたデータ電圧は、
走査線５に次の選択電圧（Ｖg,on）が印加されるまでの
間、つまり、非選択電圧（Ｖg,off ）が印加されている
間は保持されるので、アクティブマトリクス液晶表示装
置は、単純マトリクス液晶表示装置に比べて、高いコン
トラストを得ることができるものである。

【０００８】しかしながら、上記従来のアクティブマト
リクス液晶表示装置においては、非選択期間中に、画素
電極７と信号線４との間又は画素電極７と走査線５との
間に電位差を生じ、画素電極７の周辺部に横方向電界が
発生することがある。この横方向電界は、画素電極７の
箇所によっては液晶分子のチルト方向を逆にする作用が
あり、図８に示すように、液晶分子のチルト方向が逆転
したリバースチルト領域２０が発生し、コントラストの
低下や視覚特性の低下の一因となっていた。

【０００９】ここで、リバースチルト領域（リバースチ
ルトドメイン）２０が発生するメカニズムについて図９
の断面説明図を用いて具体的に説明する。ＴＦＴ基板１
はラビング処理されているので、画素電極７と信号線４
との間に電位差がない場合は、基板近傍の液晶分子は、
基板の配向膜１３の配向面に対してプレチルト角θで一
様に配向している。

【００１０】しかし、画素電極７と信号線４との間に電
位差が生じると、図９に示すように、画素電極７と信号
線４とを結ぶように横方向電界が発生する。特に、ＴＦ
Ｔ基板１のラビング開始方向に相当する画素電極７の端
部（図８では画素電極７の右下隅部分）においては、液
晶分子のチルト方向を正常な画素電極７の領域とは逆方
向、すなわち−θ方向に配向させるような横方向電界が
生じるために、この部分にリバースチルト領域２０が発
生する。リバースチルト領域２０は、他の領域と光透過
率が異なるために、表示画素のコントラストを低下させ
るという問題があった。

【００１１】この問題は、アクティブマトリクス液晶表
示装置特有の問題であり、駆動素子としてＴＦＴ以外の
ダイオード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いた場合でも同様
である。

【００１２】リバースチルト領域によるコントラストの
低下を防止するための従来の方法は、リバースチルト領
域の発生を防止する方法と、リバースチルト領域が発生
してもそれを目立たなくする方法とに大別される。リバ
ースチルト領域の発生を防止する方法としては、プレチ
ルト角θを大きくする方法と、横方向電界の強度を小さ
くする方法があった。

【００１３】まず、プレチルト角を大きくする方法とし
ては、プレチルト角θが大きい液晶材料を用いる方法
（澤田他，電子情報通信学会技術研究報告［電子ディス
プレイ］：EID91-72,p1(1991) 参照）、プレチルト角θ
が大きい配向膜を用いる方法（佐谷他，National Techn
ical Report Vol.38 No.3,p54(1992) 参照）、対向基板
の対向電極をストライプ状に形成する方法（西木他,EID
91-121,p35(1991)参照）、画素電極端部に傾斜を設ける
ことにより見かけ上のチルト角を大きくする方法（特開
平４−５５８１９号公報参照）等が知られている。

【００１４】また、横方向電界の強度を小さくする方法
としては、画素電極７の端部を切り欠き、画素電極７と
信号線４との間の距離を大きくする方法（特開平１−２
６６５１２号、特公平４−４９６９２号公報参照）、リ
バースチルト領域をＴＦＴが接続している部分に重なっ
て発生させるようにラビング方向を選択する方法（特開
平３−１７７８１７号公報参照）等が知られている。後
者のラビング方向を選択する方法は、逆スタガ型のＴＦ
Ｔではドレイン電極がゲート電極にオーバーラップする
ために、ゲート電極上において横方向電界が小さくなる
ことを利用したものである。

【００１５】発生したリバースチルト領域を目立たなく
する方法としては、リバースチルト領域を覆うようにブ
ラックマトリクスを形成する方法（特開平１−２６６５
１２号公報参照）、画素電極７の端部をブラックマトリ
クスの下部まで拡張し、更に画素電極７の面積拡張に対
応して信号線の線幅を変形して、拡張部分にリバースチ
ルト領域を発生させ、リバースチルト領域を覆うように
ブラックマトリクスを形成する方法（特開平２−１３９
２７号公報参照）等が知られている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
のアクティブマトリクス液晶表示装置においては、非選
択時に、信号線と画素電極との間、または走査線と画素
電極との間の横方向電界によって、リバースチルト領域
が発生してコントラストが低下するという問題点があ
り、その解決策としての上記従来のプレチルト角を大き
くする方法があるが、コントラスト改善にある程度の効
果はあるものの、十分な効果は得られず、また、リバー
スチルト領域がＴＦＴ部分に重なる部分で発生するよう
にラビング方向を選択する方法では、ＴＦＴのドレイン
電極のある部分でしかリバースチルト領域の発生を防止
することができないという問題点があった。

【００１７】更に、従来の別の解決策であるリバースチ
ルト領域を目立たなくする方法としての画素電極端部を
切り欠く方法や、画素電極の端を信号線の変形に対応さ
せて拡張し、この拡張部分にリバースチルト領域を発生
させ、ブラックマトリクスで覆う方法では、コントラス
トは改善されるものの、開口率が減少するため素子の明
るさが低下するという問題点があった。

【００１８】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、素子の開口率を減少させること無く、リバースチル
ト領域によるコントラストの低下を防止することのでき
るアクティブマトリクス液晶表示装置を提供することを
目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、行方向に形成され
た複数の走査線と、列方向に形成された複数の信号線
と、前記走査線と前記信号線の各交差位置に形成された
駆動素子と、前記各駆動素子に接続する画素電極と、前
記複数の画素電極上面に表面をラビングにより配向処理
された配向膜とを有する第１の基板と、前記第１の基板
の画素電極以外の部分を遮蔽する遮光層と、前記画素電
極に対向する対向電極と、前記対向電極上面に表面をラ
ビングにより配向処理された配向膜とを有する第２の基
板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に満たさ
れた液晶とを具備するアクティブマトリクス液晶表示装
置において、前記画素電極が前記第１の基板の配向膜の
ラビングによる配向処理の開始方向の二辺に当たる走査
線と信号線の少なくとも一方の配線の線幅を横切って覆
うように絶縁層を介して形成されたことを特徴としてい
る。

【００２０】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、行方向に形成された複数の走査線
と、列方向に形成された複数の信号線と、前記走査線と
前記信号線の各交差位置に形成された駆動素子と、前記
各駆動素子に接続する画素電極と、前記複数の画素電極
上面に表面をラビングにより配向処理された配向膜とを
有する第１の基板と、前記第１の基板の画素電極以外の
部分を遮蔽する遮光層と、前記画素電極に対向する対向
電極と、前記対向電極上面に表面をラビングにより配向
処理された配向膜とを有する第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に満たされた液晶とを具備
するアクティブマトリクス液晶表示装置において、前記
画素電極が前記第１の基板の配向膜のラビングによる配
向処理の開始方向の二辺に当たる走査線と信号線の少な
くとも一方の配線の一部を覆うように絶縁層を介して形
成されたことを特徴としている。

【００２１】

【作用】請求項１記載の発明によれば、第１の基板の配
向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と信号線
の少なくとも一方の配線の線幅を横切って配線を覆うよ
うに絶縁層を介して画素電極が形成されたアクティブマ
トリクス液晶表示装置としているので、画素電極と信号
線又は走査線との間で発生する電気力線は、信号線又は
走査線の上面より発して画素電極のした面に垂直に終端
するので、液晶内に横方向の電界を発生させることはな
く、リバースチルト領域の発生を防ぐことができ、開口
率を低下させることなく、表示画素のコントラストを向
上させることができる。

【００２２】請求項２記載の発明によれば、第１の基板
の配向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と信
号線の少なくとも一方の配線の一部を覆うように絶縁層
を介して画素電極が形成されたアクティブマトリクス液
晶表示装置としているので、画素電極と走査線又は信号
線との間における横方向電界によりリバースチルト領域
が発生するが、発生するリバースチルト領域の大部分は
走査線又は信号線の上部となり、第２の基板に形成され
た遮光層によって遮蔽されるために、表示画面への影響
は極めて小いものとなり、開口率を低下させることな
く、表示画素のコントラストを向上させることができ
る。

【００２３】

【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るアクティ
ブマトリクス液晶表示装置のＴＦＴ基板側の平面説明図
であり、図２は、図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図であ
り、図３は、図１のＢ−Ｂ′部分の模式断面説明図であ
る。尚、図８及び図９と同様の構成をとる部分について
は、同一の符号を用いて説明する。

【００２４】本実施例のアクティブマトリクス液晶表示
装置は、図３に示すように、各画素の透過／不透過のオ
ン／オフを行う薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び信号
線、走査線を具備する下側のＴＦＴ基板１と、ブラック
マトリクス及び共通電極である対向電極を具備する上側
の対向基板２と、両基板の間に挾まれて充填された液晶
３とから構成されている。

【００２５】更に、具体的に本実施例のアクティブマト
リクス液晶表示装置の各部について説明する。ＴＦＴ基
板１のガラス基板１′の上面には、信号線４と走査線５
とが絶縁層１５′を介してマトリクス状に形成され、信
号線４と走査線５との各交点には駆動素子である薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）６と、酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）等から成る透明導電体の画素電極７が形成されて
おり、各ＴＦＴ６のゲート電極８は行毎に共通の走査線
５に接続され、ソース電極９は列毎に共通の信号線４に
接続され、ドレイン電極１０は各画素の画素電極７に接
続されている。更に、上面全体を覆うように配向膜１３
が形成され、図１において、右下から左上に向かってラ
ビング処理が施されている。

【００２６】対向基板２のガラス基板２′の下面には、
ＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６及び信号線４、走査
線５の配線部分を覆うためのブラックマトリクス１１又
はカラーフィルタ（図示せず）が形成され、その下側に
対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うように配
向膜１３′が設けられ、図１の右上から左下に向かって
ラビング処理が為されている。

【００２７】また、ＴＦＴ基板１における各画素のＴＦ
Ｔ６は、図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板１のガ
ラス基板１′上に、クロム（Ｃｒ）等の金属から成る走
査線５及び走査線５と一体成型されたゲート電極８と、
二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）から成るゲート絶縁層１５
と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等から成る半導
体活性層１４と、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）から成る上部
絶縁層１６と、不純物が添加された半導体膜から成るソ
ース電極９及びドレイン電極１０とが順次積層された逆
スタガ型の構造となっている。

【００２８】そして、ポリイミド等の層間絶縁層１７を
介してソース電極９に接続するアルミニウム（Ａｌ）か
ら成る信号線４が形成され、更にポリイミド等の層間絶
縁層１８が積層され、この層間絶縁層１８に設けられた
開口部を介してドレイン電極１０に接続する酸化インジ
ウム・スズ（ＩＴＯ）等から成る画素電極７が形成さ
れ、この上に配向膜１３が積層された構成となってい
る。

【００２９】また、本実施例では駆動素子をＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）としているが、ＴＦＴに限らず、ダイ
オード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いても良い。

【００３０】そして、本実施例の特徴部分である画素電
極７の形状は、画素電極７を囲む２本の信号線４と２本
の走査線５とで形成される四辺形の４辺の内、隣り合う
２辺の信号線４及び走査線５の上部を覆うように形成さ
れている。ここで、本実施例においては、画素電極７で
覆われる隣り合う２辺は、ラビング開始方向の画素隅を
交点とする２辺としている。すなわち、図１に示すよう
に、画素電極７は、画素の右側に隣接する信号線４ａ
と、画素の下側に隣接する走査線５ａの上部に重なるよ
うに形成され、特に、ＴＦＴ部分を除いて信号線４ａと
走査線５ａの線幅を横切って線幅を覆い、ラビング開始
方向である画素の右下部分に画素電極７を拡張して形成
している。

【００３１】特に、本実施例では、ＴＦＴ６部分を除く
信号線４ａ及び走査線５ａの線幅が画素電極７によって
完全に覆われるように、画素電極７の右端は、図１にお
いて信号線４ａよりも右になるように、また、画素電極
７の下端は、図１において走査線５ａよりも下になるよ
うに形成されている。

【００３２】また、ＴＦＴ６の近傍においては、画素電
極７の右端を信号線４ａの上部中央まで拡張して形成
し、下端を走査線５ａの上部中央まで拡張して形成して
いる。これは、ＴＦＴ６部分が段差を有するために、隣
接する画素電極７同士が短絡するのを防ぐためである。
同様に、信号線４ａと走査線５ａとの交差部分も段差が
大きくなるので、隣接する画素電極７同士が短絡するの
を防ぐため、図１に示すような微小な切り欠きを設けて
いる。この切り欠き部分は小さいので、開口率への影響
は小さい。

【００３３】ここで、本実施例のアクティブマトリクス
液晶表示装置の電界と液晶の配向について図３の模式断
面説明図を用いて説明する。コントラストを低下させる
リバースチルト領域は、信号線４又は走査線５と画素電
極７との間の横方向電界によって生じ、特に、画素のラ
ビング開始方向に相当する隅に発生することが知られて
いる。

【００３４】本実施例では、画素電極７をラビング開始
方向の隅を共有する信号線４ａと走査線５ａの上部にま
で拡張し、更に、信号線４ａ及び走査線５ａの線幅を覆
うように形成しているため、信号線４ａ又は走査線５ａ
と画素電極７との電位差で生ずる電気力線は、信号線４
ａ又は走査線５ａの上面より発し、画素電極７の下面に
垂直終端にするので、液晶３内に横方向の電界を発生さ
せることなく、これにより、リバースチルト領域の発生
を防ぐことができ、開口率を低下させること無く、コン
トラストを向上させることができる。

【００３５】次に、本実施例のアクティブマトリクス液
晶表示装置の製造方法について、図４（ａ）〜（ｄ）、
図５（ｅ）（ｆ）のプロセス断面説明図を用いて説明す
る。まず、ガラス、石英、セラミック等から成るＴＦＴ
基板１の基板１′上に、クロム（Ｃｒ）をスパッタリン
グ法により着膜し、フォトリソグラフィー及びエッチン
グによりパターニングしてＴＦＴ６のゲート電極８及び
走査線５を形成する（図４（ａ）参照）。

【００３６】次に、ＳｉＯ₂ を堆積し、ゲート絶縁層１
５を形成する。ゲート絶縁層１５は、走査線５と信号線
４との交差部の絶縁層１５′としても機能するものであ
る。そして、半導体活性層１４としてのアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）を堆積し、その上に、上部絶縁層１
６としてのＳｉＮx を堆積し、フォトリソグラフィー及
びエッチングによりパターニングしてゲート電極８に対
向するよう上部絶縁層１６を形成する（図４（ｂ）参
照）。

【００３７】その上に、不純物を添加したｎ+ ａ−Ｓｉ
を着膜し、ｎ+ ａ−Ｓｉ層と、ａ−Ｓｉ層を連続してパ
ターニングし、ソース電極９，ドレイン電極１０及び半
導体活性層１４を形成する（図４（ｃ）参照）。尚、信
号線４又は画素電極７とのコンタクト抵抗を低減するた
めに、ソース電極９及びドレイン電極１０の上部にタン
グステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等のバリアメタルを設
けても良い。

【００３８】そして、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又はポ
リイミドから成る層間絶縁層１７を積層し、層間絶縁層
１７にソース電極９に接続するためのコンタクトホール
を形成し、次に、アルミニウム（Ａｌ）を着膜し、パタ
ーニングして、信号線４を形成する。信号線４を形成す
るエッチングでは、その上に形成される画素電極７が信
号線４のパターンエッジ部の段差により断線するのを防
止するために、４５度以上のテーパーエッチングを行
い、信号線４による段差を緩くすることが望ましい（図
４（ｄ）参照）。

【００３９】そして、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又はポ
リイミドを着膜し、画素電極７とドレイン電極１０とを
接続するためのコンタクトホールを形成して、層間絶縁
層１７，１８を形成する。コンタクトホール形成のエッ
チングでは、層間絶縁層１８上部に形成する画素電極７
としてのＩＴＯがホール底部に十分着膜して断線を起こ
さないように４５度以上のテーパーエッチングを行うこ
とが好ましい。

【００４０】更にその上に、画素電極７としてのＩＴＯ
を着膜し、ラビング開始方向である画素右下部分に、信
号線４ａと走査線５ａとの交差部分を除いて、画素電極
７の面積を拡張するように、図１中で画素電極７の右側
に隣接する信号線４ａと下側に隣接する走査線５ａとの
上部を覆うようにパターニングして、画素電極７を形成
する（図５（ｅ）参照）。

【００４１】そして、その上にポリイミドを塗布して配
向膜を形成して、ラビング処理を施し、ＴＦＴ基板１が
形成される（図５（ｆ）参照）。そして、別に形成した
対向基板２との間に液晶を充填保持して固定し、アクテ
ィブマトリクス液晶表示装置が形成される。

【００４２】また、本実施例で使用した材料以外にも、
ＴＦＴのゲート電極８の材料としては、クロム（Ｃｒ）
の他にアルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）等の金属を、ゲート絶縁層１５の材料と
しては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）の他に窒化ケイ素
（ＳｉＮx ）、ゲート電極の金属酸化物を、また、半導
体活性層１４の材料としては、ａ−Ｓｉの他にＣｄＳ
ｅ，ＣｄＳ，Ｔｅ，ＰｂＴｅ，多結晶シリコン（poly-S
i ）を、上部絶縁層１６の材料としてはＳｉＮx の他に
ＳｉＯ₂ を、画素電極７の材料としては、酸化スズ、酸
化亜鉛を、層間絶縁層１７，１８の材料としては、ポリ
イミドの他にＳｉＯ₂ 、ＳｉＮx 等を用いても良い。

【００４３】本実施例のアクティブマトリクス液晶表示
装置によれば、ラビング開始方向に画素電極７を拡張
し、ラビング開始方向の画素隅を交点とする信号線４ａ
と走査線５ａの上部に画素電極７を形成し、リバースチ
ルト領域の発生しやすい部分の信号線４ａと走査線５ａ
の線幅を画素電極７によって覆うようにしているので、
リバースチルト領域の原因となるラビング開始方向の画
素隅における横方向電界の発生を抑制し、更に画素電極
７の面積を縮小していないため、開口率を低下させるこ
と無く、リバースチルト領域の発生とそれによるコント
ラストの低下を防ぐことができる効果がある。

【００４４】次に、本実施例に係る別の実施例について
図６、図７を参照しながら説明する。図６は、別の実施
例のアクティブマトリクス液晶表示装置の平面説明図で
あり、図７は図６のＣ−Ｃ′部分の模式断面説明図であ
る。尚、図１及び図３と同様の構成をとる部分について
は同一の符号を付して説明する。

【００４５】別の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示装置は、第１の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示装置とほぼ同様の構成で、画素電極７が、ラビング開
始方向の画素隅を交点とする信号線４ａと走査線５ａの
配線の上部中央にまで拡張して形成されている。具体的
には、画素電極７の右端のパターンエッジが信号線４ａ
の上部中央まで形成され、画素電極７の下端のパターン
エッジが走査線５ａの上部中央まで形成されたアクティ
ブマトリクス液晶表示装置である。

【００４６】画素電極７を囲む４辺を成す信号線４と走
査線５のうち、少なくともリバースチルト領域が発生す
るラビング開始方向の隅（ここでは右下）を交点とする
２辺、すなわち、信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上
部に画素電極７のエッジを重ねて形成するようにしてい
る。更に図６に示すように、３辺又は４辺全部の上にエ
ッジを重ねることも可能である。信号線４又は走査線５
と画素電極７との重なり幅は５μｍ以上としており、１
０μｍ以上であればより望ましい。

【００４７】別の実施例における電界と液晶の配向につ
いて図７を用いて説明する。別の実施例では、少なくと
も、図６中で画素電極７の右端のエッジを信号線４ａの
上部に、画素電極７の下端のエッジを走査線５ａの上部
に形成しているので、図７に示すように、画素電極７と
信号線４ａ又は走査線５ａとの間に横方向電界が発生
し、それによって液晶の配向が逆転するリバースチルト
領域も発生する。しかし、発生したリバースチルト領域
の大部分は、信号線４ａ又は走査線５ａの上部に相当す
るので、対向基板２に設けられたブラックマトリクス１
１により遮蔽され、表示画面のコントラストの低下を極
めて小さく抑えることができるものである。

【００４８】また、画素電極７を囲む４辺の配線部全て
に画素電極７のパターンエッジを重ねて形成した場合
は、液晶パネル背面に配置されたバックライトの光が漏
れ出る隙間がほとんど無くなるため、対向基板のブラッ
クマトリクスの形成箇所を、リバースチルト領域が発生
するラビング開始方向の画素隅のみに限定することがで
きる。

【００４９】別の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示装置よれば、画素電極７を囲む信号線４と走査線５の
内、少なくとも、ラビング開始方向の画素隅を交点とす
る信号線４ａと走査線５ａの上部中央にまで画素電極７
のパターンエッジを重ねて形成しているので、信号線４
又は走査線５と画素電極７との間の横方向電界により生
じるリバースチルト領域は、その大部分が信号線４ａ又
は走査線５ａの上部となり、対向基板２に設けられたブ
ラックマトリクス１１によって遮蔽されることになり、
開口率を損なうこと無くコントラストへの悪影響を小さ
くすることができる効果がある。

【００５０】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、第１の基
板の配向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と
信号線の少なくとも一方の配線の線幅を横切って配線を
覆うように絶縁層を介して画素電極が形成されたアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置としているので、画素電極
と信号線又は走査線との間で発生する電気力線は、信号
線又は走査線の上面より発して画素電極のした面に垂直
に終端するので、液晶内に横方向の電界を発生させるこ
とはなく、リバースチルト領域の発生を防ぐことがで
き、開口率を低下させることなく、表示画素のコントラ
ストを向上させることができる効果がある。

【００５１】請求項２記載の発明によれば、第１の基板
の配向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と信
号線の少なくとも一方の配線の一部を覆うように絶縁層
を介して画素電極が形成されたアクティブマトリクス液
晶表示装置としているので、画素電極と走査線又は信号
線との間における横方向電界によりリバースチルト領域
が発生するが、発生するリバースチルト領域の大部分は
走査線又は信号線の上部となり、第２の基板に形成され
た遮光層によって遮蔽されるために、表示画面への影響
は極めて小いものとなり、開口率を低下させることな
く、表示画素のコントラストを向上させることができる
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス液晶表示装置の平面説明図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。

【図３】 図１のＢ−Ｂ′部分の模式断面説明図であ
る。

【図４】 （ａ）〜（ｄ）は、本実施例のアクティブマ
トリクス液晶表示装置の製造方法を示すプロセス断面説
明図である。

【図５】 （ｅ）（ｆ）は、本実施例のアクティブマト
リクス液晶表示装置の製造方法を示すプロセス断面説明
図である。

【図６】 本発明の別の実施例に係るアクティブマトリ
クス液晶表示装置の平面説明図である。

【図７】 図６のＣ−Ｃ′部分の模式断面説明図であ
る。

【図８】 従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の
平面説明図である。

【図９】 図８のＤ−Ｄ′部分の模式断面説明図であ
る。

【符号の説明】

１…ＴＦＴ基板、 ２…対向基板、 ３…液晶、 ４…
信号線、 ５…走査線、 ６…ＴＦＴ、 ７…画素電
極、８…ゲート電極、 ９…ソース電極、 １０…ドレ
イン電極、 １１…ブラックマトリクス、 １２…対向
電極、 １３…配向膜、 １４…半導体活性層、 １５
…ゲート絶縁層、 １６…上部絶縁層、１７，１８…層
間絶縁層、 ２０…リバースチルト領域

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−194687（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−34965（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−279228（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−241321（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−265934（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1337 G02F 1/1343

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 行方向に形成された複数の走査線と、列
   方向に形成された複数の信号線と、前記走査線と前記信
   号線の各交差位置に形成された駆動素子と、前記各駆動
   素子に接続する画素電極と、前記複数の画素電極上面に
   表面をラビングにより配向処理された配向膜とを有する
   第１の基板と、前記第１の基板の画素電極以外の部分を
   遮蔽する遮光層と、前記画素電極に対向する対向電極
   と、前記対向電極上面に表面をラビングにより配向処理
   された配向膜とを有する第２の基板と、前記第１の基板
   と前記第２の基板との間に満たされた液晶とを具備する
   アクティブマトリクス液晶表示装置において、前記画素
   電極が前記第１の基板の配向膜のラビングによる配向処
   理の開始方向の二辺に当たる走査線と信号線の少なくと
   も一方の配線の線幅を横切って覆うように絶縁層を介し
   て形成されたことを特徴とするアクティブマトリクス液
   晶表示装置。
2. 【請求項２】 行方向に形成された複数の走査線と、列
   方向に形成された複数の信号線と、前記走査線と前記信
   号線の各交差位置に形成された駆動素子と、前記各駆動
   素子に接続する画素電極と、前記複数の画素電極上面に
   表面をラビングにより配向処理された配向膜とを有する
   第１の基板と、前記第１の基板の画素電極以外の部分を
   遮蔽する遮光層と、前記画素電極に対向する対向電極
   と、前記対向電極上面に表面をラビングにより配向処理
   された配向膜とを有する第２の基板と、前記第１の基板
   と前記第２の基板との間に満たされた液晶とを具備する
   アクティブマトリクス液晶表示装置において、前記画素
   電極が前記第１の基板の配向膜のラビングによる配向処
   理の開始方向の二辺に当たる走査線と信号線の少なくと
   も一方の配線の一部を覆うように絶縁層を介して形成さ
   れたことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
   置。