KR100344844B1 - 액정표시소자및그제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 액정표시소자는 제1기판 및 제2기판과, 제1기판에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과, 화소영역에 게이트배선과 평행하게 배열된 공통배선과, 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와, 제1기판의 화소영역 위에 형성된 적어도 한쌍의 평행한 공통전극 및 데이터전극과, 공통전극과 동일한 평면에 형성된 축적용량배선과, 박막트랜지스터 위의 기판 전체에 걸쳐 적층된 보호막과, 축적용량배선 형성부에서 상기 데이터배선과 축적용량배선을 연결하는 투명금속과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층과, 상기 제1기판과 제2기판 위에 형성되고 상기한 액정층 내의 액정분자의 배향방향을 결정하는 적어도 하나의 배향막을 포함하여 구성된다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{A Liquid Crystal Display Device And The Method For Manufacturing The Same}
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 개구율 증가와 함께 제조공정수를 감소시킨 액정표시소자에 관한 것이다.
고화질, 저전력의 평판표시장치(flat panel display device)로서 주로 사용되는 트위스트 네마틱 모드(twisted nematic mode) 액정표시소자(liquid crystal display device)는 시야각이 좁다는 단점이 있다. 이것은 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로, 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정패널(liquid crystal panel)에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.
따라서, 최근에는 액정분자를 기판과 거의 수평한 방향으로 배향하여 시야각문제를 해결하는 횡전계방식 액정표시소자(in plane switching mode LCD)가 활발하게 연구되고 있다.
도 1(a)는 종래 횡전계방식 액정표시소자의 단위화소의 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도로서 도면에 나타낸 바와 같이, 투명한 제 1 기판(10)에는 화소영역을 정의하는 게이트 배선(1) 및 데이터 배선(2)이 종횡으로 배열되어 있다. 실제의 액정패널은 복수의 화소영역으로 구성되어 있지만 도면에서 는 단위화소만을 나타낸다. 상기한 화소영역 내에는 게이트 배선(1)과 평행한 공통배선(16)이 배열되어 있으며, 게이트 배선(1)과 데이터 배선(2)의 교차점에는 박막트랜지스터(thin film transistor)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터는 게이트 전극(3), 게이트 절연막(19), 소스전극(4a), 드레인 전극(4b), 반도체층(12), 오믹컨택층(13)으로 구성되며, 상기한 게이트 전극(3) 및 소스전극(4a)은 각각 게이트 배선(1) 및 데이터 배선(2)에 접속된다. 또한 게이트 절연막(12)은 기판 전체에 걸쳐 서 적층되어 있다.
화소영역에는 서로 평행하게 배열되어 횡전계를 인가하는 공통전극(7) 및 데이터 전극(8)이 형성되어 있다. 공통전극(7)은 제 1 기판(10) 위에 게이트 전극(3)과 동시에 형성되어 공통배선(16)에 접속되며, 데이터전극(8)은 게이트 절연막(19)위에 소스전극(4a) 및 드레인 전극(4b)과 동시에 형성되어 박막트랜지스터의 드레인 전극(4b)에 접속된다. 그리고 제 1 기판(10) 전체에 걸쳐서 보호막(22) 및 제 1 배향막(도시하지 않음)이 도포되어 있다.
제 2 기판(11)에는 박막트랜지스터, 게이트 배선(1), 데이터 배선(2) 근처로빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(15)와 칼라 필터층(25)이 형성되어 있으며,
그 위에 제 2 배향막(도시하지 않음)이 도포되어 있다.
상기한 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(11) 사이에는 액정층(30)이 형성된다.
상기한 구조의 액정표시소자에서 전압이 인가되지 않는 경우에는 액정층(30)내의 액정분자가 상기 제 1 배향막 및 제 2 배향막의 배향방향에 따라 배향되지만, 공통전극(7)과 데이터 전극(8) 사이에 전압이 인가되면 상기한 공통전극(7)과 데이터전극(8) 사이에 기판(10)의 표면과 평행한 횡전계가 인가되어 액정층(30)내의 액정분자가 상기한 횡전계에 의해 상기한 공통전극(7) 및 데이터전극(8)의 연장방향 으로 회전하게 된다. 즉, 초기 배향방향으로부터 두 전극 사이의 전기장의 방향을 따라 회전하게 되는 것이다. 상기한 바와 같이, 액정층(30)내의 액정분자가 항상 동일한 평면상에서 스위칭되기 때문에, 상하방향 및 좌우방향의 시야각 방향에서 계조표시(gray level)의 반전이 일어나지 않는다.
도 2(a)는 도 1(a)에 나타낸 액정표시소자의 축적용량배선 형성부의 평면도이도, 도 2(b)는 도 2(a)의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도로서, 도면에 나타내듯이, 게이트전극(3) 및 축적용량배선(5) 위에는 오픈영역(18)을 갖는 게이트절연막(19)과 반도체층(12)이 순서대로 적층되어 있고, 상기 반도체층(12)위에는 상기 게이트절연막(19)의 오픈영역(18)을 통하여 상기 축적용량배선(5)과 접속되는 데이터배선(2)이 형성된다. 이때, 데이터배선(14)은 도 1(a)의 소스/드레인 전극(4a,4b) 형성시 에 함께 형성된다. 또한, 상기 데이터배선(2) 위에는 보호막(22)이 기판 전체에 걸쳐 적층되어 있다.
상기한 구조는 이하에 설명하는 도 3의 제고공정을 따른다.
도 3은 종래 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면으로서, TFT영역은 도 1(a)의 Ⅰ-Ⅰ'선에 다른 단면영역을, 스토리지영역은 도 2(a)의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면영역을 나타낸다. 도면에 나타내듯이, 종래 횡전계방식 액정표시소자의 제조는 게이트전극(3), 공통전극(7) 및 축적용량배선(5)을 패터닝하는 단계(가)와, 상기 게이트전극(3)위에 게이트절연막(19), 반도체층(12) 및 오믹컨택층(13)을 형성한 후 반도체층(12) 및 오믹컨택층(13)을 패터닝하는 단계(나)와, 축적용량배선 형성부의 게이트절연막(19)의 일부를 오픈하여 오픈영역(18)을 형성하는 단계(다)와, 상기 오믹컨택층(13) 및 게이트절연막(19) 위에 소스/드레인 전극(4a,4b), 데이터전극(8) 및 데이터 배선(2)을 패터닝하는 단계(라)와, 그리고 n+드라이 에칭 후, 보호막(22)을 형성하는 단계(마)를 포함한다.
그러나, 상기한 종래 횡전계방식 액정표시소자는 축적용량배선을 형성하기 위해 게이트 패턴시에 축적용량배선들을 각각 만들고, 패드오픈 공정에서 오픈영역을 형성한 후 이를 통하여 데이터배선으로 전체를 연결해야 하는 등 공정이 복잡하다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 보호막/패드동시 에칭 후 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명금속으로 외부구동회로와의 접속부를 형성하고, 그것에 의해 축적용량배선을 형성함으로써 고개구율의 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시소자는 제1기판 및 제 2기판과, 제1기판에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과, 화소영역에 게이트배선과 평행하게 배열된 공통배선과, 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와, 제1기판의 화소영역 위에 형성된 적어도 한 쌍의 평행한 공통전극 및 데이터전극과, 공통전극과 동일한 평면에 형성된 축적용량 배선과, 박막트랜지스터 위의 기판 전체에 걸쳐 적층된 보호막과, 축적용량배선 형성부에서 상기 데이터배선과 축적용량배선을 연결하는 투명금속과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층과, 상기 제1기판과 제2기판 위에 형성되고 상기한 액정층 내의 액정분자의 배향방향을 결정하는 적어도 하나의 배향막을 포함하여 구성되고, 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계와, 상기 제1기판위에 금속을 적층하고 에칭하여 게이트배선, 게이트전극, 공통배선, 공통전극 및 축적용량배선을 형성하는 단계와, 상기 제1기판 전체에 걸쳐서 무기물, 비정질실리콘 및 불순물 비정질실리콘을 연속 적층하는 단계와, 상기한 연속 적층된 층 위에 소스/드레인전극 및 데이터배선을 형성하는 단계와, 상기 소스/드레인전극을 마스크로 그 하부의 불순물 비정질실리콘층 제거 및 상기 공통배선 및 공통전극 주변의 상기 불순물 비정질실리콘층, 비정질실리콘층, 무기물을 제거하고, 상기 축적용량배선을 선택적으로 노출시키는 단계와, 상기 제1기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 위에 데이터전극 및 상기 축적용량배선과 상기 데이터배선을 전기적으로 연결하는 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 제1기판 전체에 걸쳐 제1배향막을 도포하고 배향처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서는 게이트 절연막을 기판 전체에 걸쳐 형성한 후, 그 위에 반도체층을 패터닝하고, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성한다. 그후, 상기 소스/드레인 전극을 마스크로 하여 n+드라이 에칭함으로써 오믹컨택층을 형성한 후, 기판 전체에 걸쳐 보호막을 적층한다. 계속해서, 보호막과 패드를 동시에 에칭하여 오픈 영역을 형성한 후, 오픈 영역 위에 ITO와 같은 투명금속으로 외부구동회로와의 접속부 및 공통 전극을 형성한다. 그 후의 공정은 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 공정으로 진행된다.
도 1(a)는 종래 횡전계방식 액정표시소자의 단위 화소의 평면도
도 1(b)는 도 1(a)의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도
도 2(a)는 도 1(a)에 나타낸 액정표시소자의 축적용량배선 형성부의 평면도
도 2(b)는 도 2(a)의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도
도 3은 종래 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면
도 4(a)는 본 발명에 따른 액정표시소자의 단위화소의 평면도
도 4(b)는 도 4(a)의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도
도 5(a)는 도 4(a)에 나타낸 액정표시소자의 축적용량배선 형성부의 평면도
도 5(b)는 도 5(a)의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 단면도
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 게이트 배선102 : 데이터 배선
103 : 게이트 전극104a : 소스 전극
104b : 드레인 전극107 : 공통 전극
108 : 데이터 전극110 : 제 1 기판
111 : 제 2 기판112 : 반도체층
113 : 오믹컨택층116 : 공통 배선
119 : 게이트 절연층120 : 투명금속층
122 : 보호막123 : 대향전극
125 : 칼라필터층130 : 액정층
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자를 상세히 설명한다.
도 4(a)는 본 발명의 액정표시소자의 단위화소의 평면도이고, 도 4(b)는 도 4(a)의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도로서, 도면에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(110) 위에는 게이트 배선(101) 및 ITO와 같은 투명금속의 데이터배선(102)이 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의한다. 화소영역 내에는 상기한 게이트배선(101)과 평행한 공통배선(116)이 배열되어 있다. 게이트배선(101)과 데이터배선(102)의 교차점에는 박막트랜지스터가 형성되어 박막트랜지스터의 게이트전극(103)이 게이트배선(101)에 접속되고 소스전극(104a)이 데이터배선(102)에 접속된다. 화소영역 내에는 대략서로 평행한 공통전극(107)과 ITO와 같은 투명금속의 데이터전극(108)이 형성되는 데, 공통전극(107)은 공통배선(116)에 접속되고, 데이터전극(108)은 투명금속층(120)을 통하여 드레인전극(104b)에 접속된다.
도면에서는 공통전극(107)과 데이터전극(108)이 제1기판(110)에 형성되어 있지만, 상기한 양전극(107,108)이 동일한 층에 형성되는 다른 구성도 가능하다. 다시 말해서, 게이트 절연막(119)이 제 1 기판(110) 전체에 적층되고 그 위에 양전극(107,108)이 형성되는 것도 가능하다. 이때 공통배선(116)과 공통전극(107)은 게이트절연막(119)이나 보호막(122) 위에 배열되어 서로 접속되거나 또는 게이트절연막(119)이나 보호막(122)에 형성된 홀을 통해 서로 접속될 수 있다.
박막트랜지스터의 게이트 절연막(119) 위에는 반도체층(112)이 형성되어 있다. 또한, 상기한 반도체층(112)은 게이트 배선(101)과 데이터배선(102)의 교차부분 및 공통배선(116)과 데이터전극(108) 사이에 적층되어 단락을 방지한다.
그리고, 상기한 제 1 기판(110) 전체에 걸쳐서 제 1 배향막(도시하지 않음)이 도포되고 배향처리되어 배향방향이 결정된다.
제 2 기판(111)에는 상기 공통전극(107) 및 데이터 전극(108)과 함께 수직 및 경사전계를 인가하는 적어도 하나의 대향전극(123)과 게이트배선(101), 데이터 배선(102), 박막트랜지스터 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 차광층인 블랙매트릭스(115)가 형성되어 있으며, 그 위에 칼라필터층(125)이 적층되어 R, G, B가 각 화소에 반복한다. 칼라필터층(125) 위에는 제 2 배향막(도시하지 않음)이 도포되고, 배향처리되어 배향방향이 결정된다. 칼라필터층(125)과 제 2 배향막 사이에는 평탄성을 향상시키기 위해 오버코트층(over coat layer)이 형성될 수도 있다.
또한, 상기한 블랙매트릭스가 Vcom전극의 역할을 하는 것도 가능하다.
도 5(a)는 도 4(a)에 나타낸 액정표시소자의 축적용량배선 형성부의 평면도 이고, 도 5(b)는 도 5(a)의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 단면도로서, 도면에 나타내듯이, 게이트전극(103) 및 축적용량배선(105) 위에는 게이트절연막(119), 반도체층(112), 및 데이터배선(102)이 연속적으로 형성된다. 이때, 데이터배선(102)은 도 4(a)의 소스/드레인전극(104a,104b) 형성시에 함께 형성되고, 그 위에 보호막(122)이 기판 전체에 걸쳐 적층되어 있다. 또한, 상기 데이터배선(102) 위에는 축적용량 배선 형성부에서 상기 축적용량배선(105)과 데이터배선(102)을 연결하는 ITO와 같은 투명금속층(120)이 적층된다. 이때 상기 보호막(122)은 화소영역을 제외하고, 박막트랜지스터에만 한전되어 형성될 수 있는데, 이 경우 인가되는 전계의 세기를 한층 강화시키는 효과가 있다.
상기한 구조는 이하에 설명하는 도 6의 제조공정을 따른다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 나타내는 도면으로서, TFT 영역은 도 4(a)의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따른 단면영역을, 스토리지영역은 도 5(a)의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따른 단면영역을 나타낸다. 도면에 나타내듯이, 본 발명에 따른 액정표시소자는 우선, 제 1 기판(110) 위에 Ta, Cr, Mo, Al 및 Al합금 등과 같은 금속을 스퍼터링(sputtering)방법으로 적층한 후 에칭하고 게이트전극(103), 공통전극(107) 및 축적용량배선(105)을 형성한다(가). 이때, 도면에는 나타내지 않았지만, 상기한 게이트전극(103) 및 공통전극(107) 형성시 게이트배선과 공통배선이 동시에 형성된다. 또한, 절연성의 향상을 위해 상기한 게이트전극(103)과 공통전극!(07)을 양극산화하여 양극산화막(anodization layer)을 형성할 수도 있다. 그후, SiOx나 SiNx와 같은 무기물, 비정실실리콘(a-Si) 및 불순물 비정질실리콘(n+a-Si)을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 연속 적층한 후, 상기 연속 적층된 층 위에 오픈 영역으 갖도록 데이터배선(102)을 패터닝하고 소스/드레인전극(104a,104b) 및 데이터전극(108)을 형성한다(나). 계속해서, 상기 데이터배선(102) 및 소스/드레인전극(104a,104b)을 마스크로하여 게이트절연막(119)과 반도체층(112)을 패터닝하고, 불순물 비정질실리콘층을 에칭하여 오믹콘택층(113)을 형성한다(다). 그 후 SiOx나 SiNx등과 같은 무기물 또는 BCB(benzocyclobutene)와같은 유기물을 적층하고 에칭하여 보호막(122)을 형성한 후(라), 상기 게이트절연막(119), 반도체층(112) 및 데이터배선(102)을 접소시킨다(마). 박막트랜지스터의 반도체층(112) 위에는 불순물 비정질실리콘층 에칭시 상기 한 반도체층(112)이 에칭되는 것을 방지하기 위한 ES(etching stopper layer)를 형성할 수도 있다. 계속해서, 기판 전체에 걸쳐서 제 1 배향막을 도포한다. 배향막으로는 폴리이미드(polyimide) 또는 광반응성물질을 사용한다. 폴리이미드를 배향막으로 사용하는 경우에는 배향막의 배향방향을 결정하기 위해 러빙(rubbing)과 같은 기계적인 방법이 사용되지만, PVCN(polyvinylcinnamate)계나 폴리실록산(polysiloxane)계와 같은 광반응성 물질을 사용하는 경우에는 자외선과 같은 광을 배향막에 조사하여 배향방향을 결정한다. 특히, 광반응성 배향막에 결정되는 배향방향은 조사되는 광의 편광방향과 같이 광의 고유한 성질에 따라 배향방향이 달라지기 때문에 기계적인 러빙을 사용했을 때 배향막에 먼지나 정전기가 생기는 문제를 해결할 수 있게 된다.
이후, 제 2 기판에 상기 공통전극 및 데이터 전극과 함께 수직 및 경사전계를 인가하는 적어도 하나의 대향전극을 형성한 후, Cr이나 CrO 등으로 이루어진 블랙매트릭스, 칼라필터층, 제 2 배향막을 형성하고, 제 1 기판과 제 2 기판 사이로 액정을 주입하여 횡전계방식 액정표시소자를 완성한다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면으로서, 제 2 실시예가 제 1 실시예와 다른 점은 게이트절연막이 기판 전체에 걸쳐 형성된다는 것과, 반도체층이 별개로 패터닝된다는 것이다.
도 7의 TFT영역은 도 4(a)의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따른 단면영역을, 스토리지영역은 도 5(a)의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따른 단면영역을 나타낸다. 도면에 나타내듯이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치 제조는 제 1 기판(110) 위에 Ta, Cr, Mo, Al 및 Al 합금 등과 같은 금속을 스퍼터링(sputtering) 방법으로 적층하고 에칭하여 게이트전극(103), 공통전극(107), 및 축적용량배선(105)을 형성한다(가). 이때, 도면에 는 나타내지 않았지만, 상기한 게이트전극(103) 및 공통전극(107) 형성시 게이트배선과 공통배선이 동시에 형성된다. 또한, 절연상의 향상을 위해 상기한 게이트전극(103)과 공통전극(107)을 양극산화하여 양극산화막(anodization layer)을 형성할 수도 있다. 그 후, SiOx나 SiNx와 같은 무기물을 기판 전체에 적층하여게이트절연막(119)을 형성하고, 비정질실리콘(a-Si) 및 불순물 비정질실리콘(n+a-Si)을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 연속 적층한 후, 패터닝하여 반도체층(112) 및 오믹컨텍층(113)을 형성한다(나), 계속해서, 상기 연속 적층된 층 위에 소스/드레인 전극(104a,104b) 및 데이터배선(102)을 패터닝한다 (다). 그 후, 상기 소스/드레인전극을 마스크로하여 오믹컨택층(113)에 대하여 n+드라이에칭후, SiOx나 SiNx등과 같은 무기물 또는 BCB(benzocyclobutene)와 같은 유기물을 적층하고 에칭하여 기판 전체에 걸쳐 보호막(122)을 형성한다(라). 보호막(122)을 형성한 후, 상기 게이트절연막(119), 반도체층(112) 및 데이터배선(102)의 오픈영역 위에 ITO와 같은 투명금속을 적층하여 축적용량배선(105)과 데이터배선(102)을 전기적으로 접속시키고, 데이터전극(108)을 형성한다(마). 이때, 스토리지영역의 보호막(122)과 게이트절연막(122)은 동시에 에칭된다. 그외 본 발명의 액정표시소자를 제조하는 공정은 본 발명의 제 1 실시예와 동일하다.
본 발명에 따르면 보호막/패드 동시 에칭 후 ITO로 외부구동회로와의 접속부를 형성하고, 그것에 의해 축적용량배선을 형성하므로써 단축된 공정으로 고개구율 의 액정표시소자를 제조하는 것이 가능하다.

Claims (20)

  1. 제1기판 및 제2기판과,
    제1기판에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과,
    화소영역에 게이트배선과 평행하게 배열된 공통배선과,
    게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와,
    제1기판의 화소영역 위에 형성된 적어도 한쌍의 평행한 공통전극 및 투명한 데이터전극과,
    공통전극과 동일한 평면에 형성된 축적용량배선과,
    박막트랜지스터 위의 기판 전체에 걸쳐 적층된 보호막과,
    축적 용량 배선 형성부에서 데이터배선과 축적용량배선을 연결하는 투명금속과,
    제2기판 위에 형성되어 상기 제1기판 위의 공통전극 및 데이터전극과 함께 수직 및 경사전계를 인가하는 적어도 하나의 대향전극과,
    제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층과,
    제1기판과 제2기판 위에 형성되고 상기한 액정층 내의 액정분자의 배향방향을 결정하는 적어도 하나의 배향막을 포함하여 이루어진 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 박막트랜지스터가,
    게이트배선 및 공통전극에 연결된 게이트전극과;
    게이트전극 위에 적층된 오픈영역을 갖는 절연막과;
    절연막 위에 적층된 오픈영역을 갖는 반도체층과;
    반도체층 위에 적층된 오믹콘택층과;
    오믹콘택층 위에 형성되어 데이터배선 및 데이터전극에 연결된 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자
  3. 제1항에 있어서, 상기한 투명금속과 투명한 데이터 전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자
  4. 제1항에 있어서, 상기한 대향전극이 박막트랜지스터, 게이트배선, 데이터배선 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계와,
    제1기판 위에 금속을 적층하고 에칭하여 게이트배선, 게이트전극, 공통배선, 공통전극 및 축적용량배선을 형성하는 단계와,
    제1기판 전체에 걸쳐서 무기물, 비정질실리콘 및 불순물 비정질실리콘을 연속 적층하는 단계와,
    상기한 연속 적층된 층 위에 소스/드레인전극 및 데이터전극을 형성하는 단계와,
    상기한 금속 및 소스/드레인전극을 마스크로 하여 무기물과 비정질실리콘을에칭하므로써 오픈영역을 갖는 게이트절연막과 반도체층을 형성하고, 불순물 비정질실리콘을 에칭하여 오믹콘택층을 형성하는 단계와,
    제1기판 전체에 걸쳐 유기물 또는 무기물을 적층하고 에칭하여 보호막을 형성하는 단계와,
    게이트절연막, 반도체층 및 금속배선의 오픈영역 위에 투명금속을 적층하는 단계와,
    제1기판 전체에 걸쳐서 제1배향막을 도포하고 배향처리하는 단계로 이루어진 액정표시소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    제2기판 위에 상기 공통전극 및 데이터전극과 함께 수직 및 경사전계를 인가하는 적어도 하나의 대향전극을 형성하는 단계와,
    대향전극 위에 컬러필터층을 형성하는 단계와,
    컬러필터층 위에 제2배향막을 도포하고 배향처리하는 단계와,
    제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기한 투명금속이 ITO(Indiun Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
  8. 제6항에 있어서, 상기한 대향전극이 박막트랜지스터, 게이트배선, 데이터배선 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
  9. 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계와,
    제1기판 위에 게이트배선, 게이트전극, 공통배선, 공통전극 및 축적용량배선을 형성하는 단계와,
    제1기판 전체에 걸쳐서 무기물, 비정질실리콘 및 불순물 비정질실리콘을 연속 적층하는 단계와,
    비정질실리콘 및 불순물 비정질실리콘을 에칭하여 반도체층 및 오믹콘택층을 형성하는 단계와,
    상기한 연속 적층된 층 위에 소스/드레인전극 및 데이터배선을 형성하는 단계와,
    제1기판 전체에 걸쳐 오픈영역을 갖는 보호막을 형성하는 단계와,
    보호막 위에 투명한 데이터전극을 적층하는 단계와,
    제1기판 전체에 걸쳐서 제1배향막을 도포하고 배향처리하는 단계로 이루어진 액정표시소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    제2기판 위에 상기 공통전극 및 데이터전극과 함게 수직 및 경사전계를 인가하는 적어도 하나의 대향전극을 형성하는 단계와,
    대향전극 위에 컬러필터층을 형성하는 단계와,
    컬러필터층 위에 제2배향막을 도포하고 배향처리하는 단계와,
    제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기한 보호막을 형성하는 단계가,
    무기물 또는 유기물을 적층하는 단계와,
    게이트절연막의 일부영역과 함게 에칭하는 단계로 이루어진 액정표시소자의 제조방법
  12. 제9항에 있어서, 상기한 데이터전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
  13. 제1기판 및 제2기판과,
    제1기판에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과,
    상기 화소영역에 게이트배선과 평행하게 배열된 공통배선과,
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와,
    상기 제1기판의 화소영역 위에 형성된 적어도 한쌍의 평행한 공통전극 및 데이터전극과,
    상기 공통전극과 동일한 평면에 형성된 축적용량배선과,
    상기 박막트랜지스터 위의 기판 전체에 걸쳐 적층된 보호막과,
    축적 용량 배선 형성부에서 상기 데이터배선과 축적용량배선을 연결하는 투명금속과,
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층과,
    상기 제1기판과 제2기판 위에 형성되고 상기한 액정층 내의 액정분자의 배향방향을 결정하는 적어도 하나의 배향막을 포함하여 이루어진 액정표시소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는
    상기 게이트배선 및 공통전극에 연결된 게이트전극과,
    상기 게이트전극 위에 적층된 오픈영역을 갖는 절연막과,
    상기 절연막 위에 적층된 오픈영역을 갖는 반도체층과,
    반도체층 위에 적층된 오믹콘택층과,
    오믹콘택층 위에 형성되어 데이터배선 및 데이터전극에 연결된 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자
  15. 제13항에 있어서, 상기 투명금속과 데이터 전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  16. 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계와,
    상기 제1기판 위에 금속을 적층하고 에칭하여 게이트배선, 게이트전극, 공통배선, 공통전극 및 축적용량배선을 형성하는 단계와,
    상기 제1기판 전체에 걸쳐서 무기물, 비정질실리콘 및 불순물 비정질실리콘을 연속 적층하는 단계와,
    상기한 연속 적층된 층 위에 소스/드레인전극 및 데이터배선을 형성하는 단계와,
    상기 소스/드레인전극을 마스크로 그 하부의 불순물 비정질실리콘층 제거 및 상기 공통배선 및 공통전극 주변의 상기 불순물 비정질실리콘, 비정질실리콘, 무기물을 제거하고, 상기 축적용량배선을 선택적으로 노출시키는 단계와,
    상기 제1기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와,
    축적 용량 배선 형성부에서 상기 보호막 위에 상기 축적용량배선과 상기 데이터배선을 전기적으로 연결하는 투명금속 및 화소내에 데이터전극을 형성하는 단계와,
    상기 제1기판 전체에 걸쳐서 제1배향막을 도포하고 배향처리하는 단계로 이루어진 액정표시소자의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2기판 위에 상기 공통전극 및 데이터전극과 함께 수직 및 경사전계를 인가하는 적어도 하나의 대향전극을 형성하는 단계와,
    상기 대향전극 위에 컬러필터층을 형성하는 단계와,
    상기 컬러필터층 위에 제2배향막을 도포하고 배향처리하는 단계와,
    제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
  18. 제16항에 있어서, 상기 투명금속과 데이터 전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
  19. 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계와,
    상기 제1기판 위에 게이트배선, 게이트전극, 공통배선, 공통전극 및 축적용량배선을 형성하는 단계와,
    상기 제1기판 전체에 걸쳐 무기물, 비정질실리콘, 불순물 비정질실리콘을 연속 적층하는 단계와,
    상기 비정질실리콘 및 불순물 비정질실리콘을 에칭하여 반도체층 및 오믹콘택층을 형성하는 단계와,
    상기한 연속 적층된 층 위에 소스/드레인전극 및 데이터배선을 형성하는 단계와,
    상기 소스/드레인전극을 마스크로 그 하부의 불순물 비정질실리콘 제거 및 상기 공통배선 및 공통전극 주변의 상기 불순물 비정질실리콘, 비정질실리콘을 제거하고, 상기 축적용량배선을 선택적으로 노출시키는 단계와,
    상기 제1기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와,
    축적 용량 배선 형성부에서 상기 보호막 위에 상기 축적용량배선과 상기 데이터배선을 연결하는 투명금속 및 화소내에 데이터 전극을 형성하는 단계와,
    상기 제1기판 전체에 걸쳐 제1배향막을 도포하고 배향처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
  20. 제19항에 있어서, 상기 투명금속과 데이터 전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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