KR970018721A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 게이트 배선 금속을 이중 금속을 사용하여 형성함으로써 게이트 배선과 본딩 패드부의 연결부에서 발생하는 연결 접촉 불량을 구조적으로 해결하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 구성은 기판 위에 도전 물질로 형성되어 있는 제1도전막, 상기 제1도전막 위에 도전 물질로 형성되어 있는 제2도전막, 상기 제2도전막 위를 전면 덮고 있는 절연막, 상기 제1도전막 및 상기 제2도전막이 형성되어 있지 않은 기판 위에 대응하는 상기 절연막의 상부에 도전 물질로 형성되어 있는 패드 금속막, 상기 제2도전막과 접속되게 상기 패드 금속위에 형성되어 있는 패드 투명 전극막을 포함하고 있다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터기판의 박막 트랜지스터부를 나타낸 단면도이고,
제8도의 (가)-(바)는 본 발명의 제1 실시에에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 박막 트랜지스터부의 제조 공정순서를 나타낸 단면도이다.
제9도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트 패드부를 나타낸 단면도이고,
제10도의 (가)-(바)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트 패드부의 제조 공정 순서를 나타낸 단면도이다.
제11도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 소스/드레인 패드부를 나타낸 단면도이다.

Claims (22)

  1. 기판, 상기 기판 위에 도전 물질로 형성되어 있는 제1도전막, 상기 제1도전막 위에 도전 물질로 형성되어 있는 제2도전막, 상기 제2도전막 위를 전면 덮고 있는 절연막, 상기 제1도전막 및 상기 제2도전막이 형성되어 있지 않은 기판 위에 대응하는 상기 절연막의 상부에 도전 물질로 형성되어 있는 패드 금속막, 상기 제2도전막과 접속되게 상기 패드 금속위에 형성되어 있는 패드 투명 전극막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  2. 제1항에서, 상기 제1도전막은 알루미늄으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  3. 제1항 또는 제2항에서, 상기 제2도전막은 탄탈륨으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  4. 제1항에서, 상기 제2도전막은 일부를 제외하고 양극산화시킨 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  5. 제1항에서, 상기 패드 금속막은 크롬으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  6. 제1항에서, 상기 패드 투명 전도막은 ITO로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  7. 기판, 상기 기판 위에 도전 물질로 형성되어 있는 제1도전막, 상기 제1도전막 위에 도전 물질로 형성되어 있는 제2도전막, 상기 제2도전막 위에 일부분이 상기 제2도전막이 드러나도록 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막이 형성되어 있지 않은 상기 제2도전막 위에 형성되어 있는 패드 투명 전극막을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  8. 제7항에서, 상기 제1도전막은 알루미늄으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  9. 제7항 또는 제8항에서, 상기 제2도전막은 탄탈륨으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  10. 제7항에서, 상기 제2도전막은 일부를 제외하고 양극산화시킨 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  11. 제7항에서, 상기 패드 금속막은 크롬으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부.
  12. 제7항에서, 상기 패드 투명 전도막은 ITO로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 트랜지스터 기판의 패드부.
  13. 기판 위에 제1도전 물질과 제2도전 물질을 연속하여 적층하고 식각하여, 박막 트랜지스터부에는 상구 게이트 전극과 하부 게이트 전극을 형성하고, 동시에 게이크 패두부에는 제1도전막과 제2도전막을 형성하는 제1공정, 박막 트랜지스터부의 상부 게이트 전극을 양극 산화시켜 양극 산화막을 형성하고, 게이트 패드부의 끝부분은 양극 산화시키지 않게 상기 제2도전막의 일부분만 양극 산화시키는 제2공정, 상기 양극 산화막 위 전면에 게이트 절연막을 적층한 후 상기 박막 트랜지스터부의 상기 게이트 절연막 위에 반도체막과 외인성 반도체막을 차례로 적층하고 식각하여 액티브막을 형성하는 제3공정, 상기 액티브막 위에 도전 물질을 적층하고 식각하여 상기 박막 트랜지스터부의 상기 액티브막 위에 소스/드레인 전극을 형성하고, 동시에 상기 게이트 패드부의 상기 제1도전막 및 상기 제2도전막이 형성되어 있지 않은 상기 기판 위에 대응하는 상기 절연막의 상부에 패드 금속막을 형성하며, 소스 패드부의 기판 위에 패드 금속막을 형성하는 제4공정, 상기 소스/드레인 전극과 게이트 절연막 위에 보호 물질을 적층한 후 식각하여, 상기 박막 트랜지스터부의 소스/드레인 전극 상부에 보호막을 형성하는 제5공정, 상기 보호막 위 전면에 ITO막을 적층하고 식각하여, 상기 박막 트랜지스터의 화소 전극을 형성하고, 동시에 상기 게이트 패드부와 상기 데이타 패드부의 패드 금속막 위에 패드 투명 전극막을 형성하는 제6공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  14. 제13항에서, 상기 상부 게이트 전극은 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에서, 상기 하부 게이트 전극은 탄탈륨으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  16. 제13항에서, 상기 소스/드레인 전극은 크롬으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  17. 제13항에서, 상기 화소 전극은 ITO로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 패드부의 제조 방법.
  18. 기판 위에 제1도전 물질과 제2도전 물질을 연속하여 적층하고 식각하여, 박막 트랜지스터부에는 상부 게이트 전극과 하부 게이트 전극을 형성하고, 동시에 게이크 패두부에는 제1도전막과 제2도전막을 형성하는 제1공정, 상기 박막 트랜지스터부의 상기 상부 게이트 전극을 양극 산화시켜 양극 산화막을 형성하고, 상기 게이트 패드부의 끝부분은 양극 산화시키지 않게 상기 제2도전막의 일부분만 양극 산화시키는 제2공정, 상기 양극 산화막 위 전면에 절연막을 적층한 후 식각하고, 상기 게이트 패드부의 상기 제2도전막이 드러나도록 절연막을 형성하고, 박막 트랜지스터부의 상기 절연막 위에 반도체막과 외인성 반도체막을 차례로 적층하고 식각하여 액티브막을 형성하는 제3공정, 상기 액티브막 위에 도전 물질을 적층하고 식각하여 상기 박막 트랜지스터부의 상기 액티브막 위에 소스/드레인 전극을 형성하고, 동시에 소스/드레인 패드부의 상기 기판 위에 패드 금속막을 형성하는 제4공정, 상기 소스/드레인 전극 위에 보호 물질을 적층한 후 식각하여, 상기 박막 트랜지스터부의 상기 소스/드레인 전극 상부에 보호막을 형성하는 제5공정, 상기 보호막 위 전면에 ITO막을 적층하고 식각하여, 상기 박막 트랜지스터의 화소 전극을 형성하고, 동시에 상기 게이트 패드부와 상기 데이타 패드부의 패드 금속막 위에 패드 투명 전극막을 형성하는 제6공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  19. 제18항에서, 상기 상부 게이트 전극은 알루미늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  20. 제18항 또는 제19항에서, 상기 하부 게이트 전극은 탄탈륨으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  21. 제18항에서, 상기 소스/드레인 전극은 크롬으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  22. 제18항에서, 상기 화소 전극은 ITO로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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