KR960024600A - 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 게이트와 화소전극이 직접 접촉되지 않도록 하여 컨택저항을 개선시킨 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 게이트가 형성되어 있고, 상기 게이트 상부에 제1양극산화막과 제2양극산화막이 적층되어 있고, 상기 게이트 상부에 제1양극산화막과 제2양극산화막의 선택적으로 식각된 부분에 양극산화가 가능한 물질이 성막되어 있고, 상기 제2양극산화막의 상부에 게이트절연막이 적층되어 있고, 상기 게이트절연막의 상부에 게이트패드가 형성되어 있고, 상기 게이트패드의 상부와 게이트절연막의 상부에 선택적으로 보호막이 형성되어 있고, 상기 게이트패드, 보호막, 게이트절연막, 제1양극산화막, 제2양극산화막, 양극산화가능한 물질의 외주를 선택적으로 둘러싸는 형태로 화소전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부를 나타낸 단면도이다.

Claims (8)

  1. 기판위에 게이트메탈을 성막한 후, 게이트메탈 상부에 양극 산화가 가능한 물질을 성막하고, 게이트라인을 패턴하는 단계와; 상기 게이트라인 상부의 게이트패드와 연결할 부위를 양극산화하는 양극산화막을 형성하는 단계와; 상기 양극산화막 상부에 게이트절연막, 아몰퍼스 실리콘층, n+아몰퍼스 실리콘층을 연속적으로 성막하는 단계와; 상기 아몰퍼스 실리콘층과, n+아몰퍼스 실리콘층에 액티브아일랜드를 형성하는 단계와; 소오스/드레인 메탈을 성막한 후, 소오스/드레인 패턴과 데이타패드, 게이트패드의 패턴을 형성하는 단계와; 보호막을 성막하고, 게이트패드와 게이트라인 연결부와 화소콘택부를 형성하는 단계와; 화소전극을 성막하고 게이트패드 연결부와 화소전극을 패턴하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법.
  2. 상기 양극산화가 가능한 물질로 탄탈륨(Ta) 또는 탄탈몰리브데늄(MoTa) 또는 타이타늄(Ti)등을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1양극산화막은 산화알루미늄막(AlOx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2양극산화막은 산화탄탈륨막(TaOx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법.
  5. 기판 위에 게이트가 형성되어 있고, 상기 게이트 상부에 제1양극산화막과 제2양극산화막이 적층되어 있고, 상기 게이트 상부에 제1양극산화막과 제2양극산화막의 선택적으로 식각된 부분에 양극산화가 가능한 물질이 성막되어 있고, 상기 제2양극산화막의 상부에 게이트절연막이 적층되어 있고, 상기 게이트절연막의 상부에 게이트패드가 형성되어 있고, 상기 게이트패드의 상부와 게이트절연막의 상부에 선택적으로 보호막이 형성되어 있고, 상기 게이트패드, 보호막, 게이트절연막, 제1양극산화막, 제2양극산화막, 양극산화가능한 물질의 외주를 선택적으로 둘러싸는 형태로 화소적극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부.
  6. 제5항에 있어서, 상기 양극산화가 가능한 물질로 탄탈륨(Ta) 또는 탄탈몰리브데늄(MoTa) 또는 타이타늄(Ti)등을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 액정 디스플레이 소자의 패드부.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1양극산화막은 산화알루미늄막(AlOx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제2양극산화막은 산화탄탈륨막(TaOx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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