KR950003897A - 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 - Google Patents

액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(Active matrix liquid display:AM LCD) 및 그 제조방법에 관한 것으로 축전용량 부위의 대향전극을 투명전극으로 형성하고 게이트 배선을 다중화(예컨데, 투명전도막/탄탈륨/알루미늄)하므로써 축전용량부에 의한 개구율의 감소없이도 고개굴율을 실현할 수 있을 뿐 아니라 내화학성이 약한 알루미늄 배선의 단락(게이트 오픈 등)을 방지할 수 있어 수율을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 액티브 매트릭스 액정 디스플레이를 실현할 수 있게 된다.

Description

액티브 매트릭스 액정 디스플레이(LCD) 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 투명절연기판상에 양극산화되지 않는 투명한 제 1 금속을 적층하여 제 1 게이트 배선 및 축전용량 대향 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 게이트 배선 및 축전용량 대향전극 상에 양극산화가능한 제 2 금속 및 제 3 금속을 연속 증착한 후 상기 제 3 금속을 패턴닝하여 게이트 배선으로 형성하는 공정과, 상기 패턴된 제 3 금속 게이트 배선을 마스크로 전면 양극산화하여 제 3 금속 게이트 배선 하부의 양극산화되지 않은 제 2 금속을 제 2 게이트 배선, 양극산화되지 않고 남아 있는 패턴된 제 3 금속을 제 3 게이트 배선, 제 3 금속의 양극산화막을 제 1 게이트 절연층, 상기 축전용량대향전극상부의 제 2 금속의 양극산화막을 축전용량의 유전막으로 형성하는 공정과, 상기 제 1 게이트 절연층이 형성된기판상에 제 2 게이트 절연층과, 반도체층 및 에치스토퍼층을 형성하는 공정과, 상기 패턴상에 n+비정질 실리콘을 적층하여 액티브층을 형성하는 공정과, 상기 공정후 개구부상에 투명한 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 액티브층이 형성된기판상에 소오스/드레인을 형성하고 상기 액티브층을 식각한 뒤 상기 패턴상에 보호막을 적층하는 공정으로 이루짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속은 ITO로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 및 제 3 금속배선은 각각 탄탈륨 및 알루미늄으로 형성됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 탄탈륨은 1000Å 이하의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 대향전극과, 유전막과, 화소전극은 축전용량을 구성함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 제조방법.
  6. 투명기판상에 투명한 제 1 금속으로 형성된 제 1 게이트 배선및 축전용량 대향전극과, 상기 제 1 게이트배선상에 양극산화가능한 제 2 금속으로 형성된 제 2 게이트 배선과, 상기 제 2 게이트 배선상에 양극산화가능한 제 3 금속으로 형성된 제 3 게이트 배선과, 상기 제 3 게이트 배선이외의 기판상에 제 2 금속의 양극산화막으로 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 3 게이트 배선상에 상기 제 3 금속의 양극산화막으로 형성된 제 1 절연층과, 상기 제 1 절연층이 형성된기판상에 적층된 제 2 절연층과, 상기 제 2 절연층상의 스위칭 소자영역에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층상에 형성된에치스토퍼와, 상기 에치스토퍼상의 콘택 주변부에 n+ 비정질 실리콘으로 형성된 액티브층과, 상기 제 2 절연층상의 화소영역에 형성된 화소전극과, 상기 액티브층 상부와 화소전극상의 일측에 연장 형성된 소오스/드레인과, 상기 소오스/드레인이 형성된 기판의 전면에 형성된 보호층으로 이루어짐을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 대향전극과, 상기 대향전극 상부의 제 1 절연층과 제 2 절연층으로 이루어진 유전막과, 상기 화소전극은 축전용량을 구성함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
KR100299683B1 (ko) * 1998-09-03 2001-10-27 윤종용 액정표시장치
KR100462381B1 (ko) * 1997-12-29 2005-06-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자의 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100462381B1 (ko) * 1997-12-29 2005-06-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자의 제조 방법
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
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