KR980003740A - 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조 - Google Patents

액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조 Download PDF

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Abstract

본발명은 TFT를 포함하는 액정표시장치의 기판의 제조방법에서 게이트절연막등을 단차특성이 우수한 유전율이 3.0 이하인 유기절연막인 벤조싸이클로부텐 (Benxocyclobutene;BCB) 등으로 구성함으로써 데이타버스라인과 게이트버스라인 등의 라인간에 쇼트불량이 줄어들며, 또한 액티브 매트릭스 액정표시장치의 표면단차를 더 평탄화 할 수 있고, 액정의 배향 불량을 줄일 수 있기 때문에 액정표시장치의 화질 불량을 방지 할 수 있고, 그만틈의 수율 향상을 기대할 수 있다.

Description

액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 실시예 1의 공정도.
제5도는 실시예 2의 공정도.

Claims (30)

  1. 게이트전극, 게이트절연막, 반도체층, 오믹접촉층, 소스/드레인전극으로 구성되는 스위칭 소자를 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 유기절연막을 사용하여 상기 게이트절연막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 반도체층과 오믹접촉층 사이에 에치스토퍼층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서; 상기 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서; 상기 유기절연막은 유전율이 3.0이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서; 상기 유기절연막은 BCB, PFBC 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 게이트전극, 게이트절연막, 반도체층, 오믹접촉층, 소스/드레인전극으로 구성되는 스위칭 소자를 포함하는 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트절연막은 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서; 상기 반도체층과 오믹접촉층 사이에 에치스토퍼층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제6항에 있어서; 상기 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서; 상기 유기절연막은 유전율이 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  10. 제9항에 있어서; 상기 유기절연막은 BCB, PFBC 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  11. 기판 위에 형성된 차광금속막과, 상기 차광금속막을 덮는 절연막과, 상기 차광금속막을 덮는 절연막 위에 소스전극, 드레인전극, 오믹접촉층, 반도체층, 게이트절연막, 게이트전극으로 구성되는 스위칭 소자를 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서; 상기 소자의 게이트절연막이 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서; 상기 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치으 제조방법.
  13. 제1항에 있어서; 상기 차광금속막을 덮는 절연막과 상기 스위칭 소자의 게이트절연막이 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서; 상기 차광금속막을 덮는 절연막과 상기 스위칭 소자의 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서; 상기 유기절연막은 유전율이 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서; 상기 유지절연막은 BCB, PFBC 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  17. 기판 위에 형성된 차광금속막과, 상기 차광금속막을 덮는 절연막과, 상기 차광금속막을 덮는 절연막 위에 소스전극, 드레인 전극, 오믹접촉층, 반도체층, 게이트절연막, 게이트전극으로 구성되는 스위칭 소자를 포함하는 액정표시장치에 있어서; 상기 스위칭 소자의 게이트절연막이 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  18. 제17항에 있어서; 상기 게이트 절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  19. 제17항에 있어서; 상기 차광금속막을 덮는 절연막과 상기 스위칭 소자의 게이트절연막이 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  20. 제19항에 있어서; 상기 차광금속막을 덮는 절연막과 상기 스위칭 소자의 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  21. 제17항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서; 상기 유기절연막은 유전율이 3.0이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  22. 제21항에 있어서; 상기 유기절연막은 BCB, PFBC중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  23. 기판의 동일 평면 위에 반도체층과 일체형으로 반도체층의 양쪽에 형성된 오믹접촉층과, 상기 반도체층 위에 정합하여 적층되게 섬모양으로 형성된 게이트절연막 및 게이트전극과, 상기 오믹접촉층과 게이트전극을 덮으면서 선택적으로 콘택홀을 가지는 보호막과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 오믹접촉층과 접촉되게 상기 보호막 위에 형성된 소스/드레인전극을 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서; 상기 게이트 절연막은 유기절연막인 것을 특지으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  24. 제23하에 있어서; 상기 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  25. 제23항 또는 제24항에 있어서; 상기 유기절연막은 유전율이 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서; 상기 유기절연막은 BCB, PFBC 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  27. 기판의 동일 평면 위에 반도체층과 일체형으로 반도체층의 양쪽에 형성된 오믹접촉층과, 상기 반도체층 위에 정합하여 적층되게 섬모양으로 형성된 게이트절연막 및 게이트전극과, 상기 오믹접촉층과 게이트전극을 덮으면서 선택적으로 콘택홀을 가지는 보호막과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 오믹접촉층과 접촉되게 상기 보호막 위에 형성된 소스/드레인전극을 포함하는 액정표시장치에 있어서; 상기 게이트절연막은 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  28. 제27항에 있어서; 상기 게이트절연막은 유기절연막과 적어도 한층 이상의 무기절연막이 적층되게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  29. 제27항 또는 제28항에 있어서; 상기 유기절연막은 유전율이 3.0이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  30. 제29항에 있어서; 상기 유기절연막은 BCB, PFBC 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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