KR920008944A - 액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터 - Google Patents
액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터 Download PDFInfo
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터의 단면도이고,
제2도는 본 발명의 액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터의 단면도이며,
제3도는 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조 공정도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2,2' : 제1, 제2게이트전극
3,3' : 제1, 제2게이트 절연층 4 : 반도체층
5 : 오믹층 6,6',7,7' : 제1, 제2소오스/드레인전극
8 : 보호층 9 : 광차폐층
11 : 콘택홀
Claims (1)
- 기판(1)상에 게이트 전극(2,2') 및 게이트 절연층(3,3')이 이층으로 형성되고, 그위에 화소전극(10), 반도체층(4) 및 오믹층(5)이 적층되며, 오믹층(5)상에 제1소오스/드레인 전극(6,7)이 형성되고, 상기 제1소오스/드레인 전극(6,7)은 보호층(8)상에 형성된 콘택홀(11)을 통해 제2소오스/드레인 전극(6',7')과 접촉되고, 상기 보호층(8) 위에는 제2소오스/드레인 전극(6',7')과 광차폐층(9)이 동일 면상에 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정표시 소자용 박막 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016831A KR930005745B1 (ko) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터 |
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| KR1019900016831A KR930005745B1 (ko) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920008944A true KR920008944A (ko) | 1992-05-28 |
| KR930005745B1 KR930005745B1 (ko) | 1993-06-24 |
Family
ID=19304960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900016831A KR930005745B1 (ko) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 액티브 매트릭스 액정표시소자용 박막 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR930005745B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101259727B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2013-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
-
1990
- 1990-10-18 KR KR1019900016831A patent/KR930005745B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR101259727B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2013-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US10763372B2 (en) | 2008-10-24 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with dual and single gate structure transistors |
| US11563124B2 (en) | 2008-10-24 | 2023-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including flip-flop circuit which includes transistors |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930005745B1 (ko) | 1993-06-24 |
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