KR970062778A - 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

높은 개구 비율을 갖는 활성 매트릭스 액정 디스플레이가 제공된다. 유기체 수지 물질이나 비유기체 물질로 구성된 유전층을 통해 블랙 매트릭스(black matrix)와 픽셀(pixel) 전극 사이에 보유 커패시티(retaining capacitor)가 생성된다. TFT를 덮는 이러한 블랙 매트릭스의 영역은 전부 사용된다. 그러므로, 이전보다 더 넓은 영역이 영상을 디스플레이하는데 사용될 수 있다. 본 발명에서는 다른 유전층간의 상대 유전 상수의 차이가 사용된다. 그러므로, 기생성 용량(parastic capacitance)을 고려할 필요없이 보유 커패시터가 생성될 수 있다.

Description

전기 광학 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 액정 디스플레이에서 픽셀 영역의 구성을 설명하는 도면.

Claims (17)

  1. 공통 기판상에 행과 열로 배열된 게이트선과 데이터선, 게이터선과 데이터선의 교점에 배치된 픽셀 전극, 및 픽셀 전극과 연결된 TFT를 갖는 전기 광학 장치에 있어서, 상기 게이트선을 덮는 제1중간층 유전막과 상기 데이터선을 덮도록 LPD에 의해 형성된 제2중간층 유전막과, 상기 제2중간층을 유전막을 통해 상기 TFT에 걸쳐 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스를 덮도록 LPD에 의해 형성된 제3중간층 유전막, 및 상기 제3중간층 유전막상에 형성된 픽셀 전극을 구비하고, 그에 의해 상기 제3중간층 유전막을 통해 상기 블랙 매트릭스와 상기 픽셀 전극 사이에보유 커패시터가 생성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 2.0 내지 4.0의 상대 유전 상수를 갖고, 상기 제3중간층 유전막이 3.0 내지 20의 상대 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 0.1 내지 5.0㎛의 두께를 갖고, 상기 제3중간층 유전막이 0.1 내지 0.3㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제1항에 있어서,상기 제3중간층 유전막이 5 내지 20의 상대 유전 상수를 갖는 비유기체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 LPD가 용액을 얻도록 유기체 수지 물질이나 비유기체 물질을 용매에 녹이고, 상기 용액을 처리되는 기판에 인가하고, 또한 원하는 막을 얻도록 상기 용액에 열을 가하는 수단인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 공통 기판상에 행과 열로 배열된 게이트선과 데이터선, 게이터선과 데이터선의 교점에 배치된 픽셀 전극, 및 픽셀 전극과 연결된 TFT를 갖는 전기 광학 장치에 있어서, 상기 게이트선을 덮는 제1중간층 유전막과, 상기 데이터선을 덮도록 LPD에 의해 형성되고 하나 이상의 유기체 수지 물질층으로 구성되는 제2중간층 유전막과, 상기 제2중간층 유전막을 통해 상기 TFT, 게이트선, 및 데이터선에 걸쳐 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트리스를 덮도록 LPD에 의해 형성되고, 하나 이상의 유기체 수지 물질 또는 비유기체 물질층으로 구성되고, 상기 제2중간층 유전막보다 더 큰 상대 유전 상수를 갖는 제3중간층 유전막, 및 상기 제3중간층 유전막상에 형성된 픽셀 전극을 구비하고, 그에 의해 상기 제3중간층 유전막을 통해 상기 블랙 매트릭스와 상기 픽셀 전극 사이에 보유 커패시터가 생성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 2.0 내지 4.0의 상대 유전 상수를 갖고, 상기 제3중간층 유전막이 3.0 내지 20의 상대 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 0.1 내지 5.0㎛의 두께를 갖고, 상기 제3중간층 유전막이 0.1 내지 0.3㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 5 내지 20의 상대 유전 상수를 갖는 비유기체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 LPD가 용액을 얻도록 유기체 수지 물질이나 비유기체 물질을 용매에 녹이고, 상기 용액을 처리되는 기판에 인가하고, 또한 원하는 막을 얻도록 상기 용액에 열을 가하는 수단인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 공통 기판상에 행과 열로 배열된 게이트선과 데이터선, 게이터선과 데이터선의 교점에 배치된 픽셀 전극, 및 픽셀 전극과 연결된 TFT를 갖는 전기 광학 장치에 있어서, 상기 게이트선을 덮는 제1중간층 유전막과, 상기 데이터선을 덮도록 형성된 제2중간층 유전막과, 상기 제2중간층 유전막을 통해 상기 TFT에 걸쳐 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스를 덮도록 형성된 제3중간층 유전막, 및 상기 제3중간층 유전막상에 형성된 픽셀 전극을 구비하고, 그에 의해 상기 제3중간층 유전막을 통해 상기 블랙 매트릭스와 상기 필셀 전극 사이에 보유 커패시터가 생성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 공통 기판상에 행과 열로 배열된 게이트선과 데이터선, 게이터선과 데이터선의 교점에 배치된 픽셀 전극, 및 픽셀 전극과 연결된 TFT를 갖는 전기 광학 장치를 제작하는 방법에 있어서, 상기 게이트선을 덮는 제1중간층 유전막을 형성하는 단계와, 상기 데이터선을 덮도록 LPD 에 의해유기체 수지 물질로 제2중간층 유전막을 형성하는 단계와, 블랙 매트릭스를 형성하도록 상기 제2중간층 유전막상에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 블랙 매트릭스를 덮도록 LPD에 의해 유기체 수지 물질이나 비유기체 물질로 제3중간층 유전막을 형성하는 단계와, 상기 제2 및 제3중간층 유전막에 접촉홀을 형성하는 단계, 및 상기 제3중간층 유전막상에 투명 전도성막으로 픽셀 전극을 형성하는 단계를 구비하고, 그에 의해 상기 제3중간층 유전막을 통해 상기 블랙 매트릭스와 상기 필셀 전극 사이에 보유 커패시터가 생성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제3중간층 유전막이 상기 제2중간층 유전막보다 더 큰 상대 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 2.0 내지 4.0의 상대 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제2중간층 유전막이 0.1 내지 5.0㎛의 두께를 갖고, 상기 제3중간층 유전막이 0.1 내지 0.3㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 제3중간층 유전막 5 내지 20의 상대 유전 상수를 갖는 비유기체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 LPD가 용액을 얻도록 유기체 수지 물질이나 비유기체 물질을 용매에 녹이고, 상기 용액을 처리되는 기판에 인가하고, 또한 원하는 막을 얻도록 상기 용액에 열을 가하는 수단인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 제조 방법.
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