KR970048830A - 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970048830A KR970048830A KR1019950047896A KR19950047896A KR970048830A KR 970048830 A KR970048830 A KR 970048830A KR 1019950047896 A KR1019950047896 A KR 1019950047896A KR 19950047896 A KR19950047896 A KR 19950047896A KR 970048830 A KR970048830 A KR 970048830A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- thin film
- film transistor
- data line
- liquid crystal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
- G02F1/133334—Electromagnetic shields
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명의 박막트랜지스터 액정표시소자는, 구동전압을 인가하기 위한 게이트전극과, 상기 게이트 전극에 구동전압 인가시 채런을 형성하여 도통되는 소스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 스위칭 소자로 하고, 상기 소스전극과 일정거리 이격되어 절연되며 상기 드레인전극과는 접속되로록 형성된 데이타 라인을 구비하는 박막트랜지스터 액정표시소자에 있어서, 상기 데이타 라인과 게이트 라인을 완전히 덮으며, 또한 화소전극의 하부에 위치하며 상기 데이타 라인과 화소전극 사이 및 게이트 라인과 화소전극 사이에 빛을 차폐할 수 있는 도전성 물질로 축적전극을 개재(介在)시킴으로써, 상기 축적전극으로 상기 데이타 라인과 화소전극낙 및 게이트 라인과 화서전극 사이를 완전히 차폐시켜 그 사이에서 발생되는 기앳 캐패시턴스를 최소화하고, 이에 따라 앗기 기생캐패시턴스에 의한 크로스 토르를 방지하며, 빛 투과율의 저하없이 개구륭의 읒가시킴으로써 고도로 화일을 개선할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도의 (가)도는 본 발명에 의한 박막따라랜지스터 액정표시소자를 평면도시한 것이며, 제4도의 (나)도는 (가)도의 박막트랜지스터 액정표시소자를 AA′선을 기준으로 자른 수직단면을 도시한 것이다.
Claims (2)
- 구동전압을 인가하기 위한 게이트전극과, 상기 게이트 전극에 구동전압 인가시 채널을 형성하여 도통되는 소스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 스위칭 소자로 하고, 상기 소스전극과 일정거리 이격되어 절연되며 상기 드레인전극과는 접속되도록 형성된 데이타 라인을 구비하는 박막트랜지스터 액정표시소자에 있어서, 상기 데이타 라인과 게이트 라인을 완전히 덮으며, 또한 화소전극의 하부에 위치하여 상기 데이타 라인과 화소전극 사이 및 게이트 라인과 화소전극 사이의 빛을 차단하기 위한 축적전극을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자
- 구동전압을 인가하기 위한 게이트전극과, 상기 게이트전극에 구동전압 인가시 채런을 형성하여 도통되는 소스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 스위칭 소자로 하고, 상기 소스전극과 일정거리 이격되어 절연되며 상기 드레인전극과는 접속되도록 형성된 데이타 라인을 구비하는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 소스/드레인 전극과 데이타 라인이 형성된 구조물 전면에 절연물질을 증착시켜 제1절연막을 형성하는 공정과; 상기 제1절연막 위에 빛을 차단할 수 있는 도전성 물질을 증착시킨 후 패터닝하여 상기 게이트 전극과 대응되는 부분과 데이타 라인 상부에 축적전극을 형성하는 공정과; 상기 축적전극 형성 후 결과물 전면에 절연물질을 중착시켜 제2정연막을 형성하는 공정과; 상기 제2절연막과 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 소스전극의 일부영역이 노출되도록 접촉부를 형성한 후 결과물 전면에 ITO를 증착시키고 상기 ITO를 패터닝하여 상기 소스전극의 일부영역과 데이타라인에 걸쳐 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950047896A KR100218293B1 (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
US08/759,211 US5835169A (en) | 1995-12-08 | 1996-12-05 | Liquid crystal display device of thin film transistor and fabrication method thereof |
DE19650787A DE19650787C2 (de) | 1995-12-08 | 1996-12-06 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit Dünnfilmtransistor und Verfahren zum Herstellen derselben |
JP32636496A JPH09218424A (ja) | 1995-12-08 | 1996-12-06 | 薄膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950047896A KR100218293B1 (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970048830A true KR970048830A (ko) | 1997-07-29 |
KR100218293B1 KR100218293B1 (ko) | 1999-09-01 |
Family
ID=19438648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950047896A KR100218293B1 (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5835169A (ko) |
JP (1) | JPH09218424A (ko) |
KR (1) | KR100218293B1 (ko) |
DE (1) | DE19650787C2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101279654B1 (ko) * | 2006-10-25 | 2013-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW396289B (en) * | 1996-10-29 | 2000-07-01 | Nippon Electric Co | Liquid crystal display device |
KR100225097B1 (ko) * | 1996-10-29 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP3656076B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2005-06-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN1177251C (zh) * | 1997-07-23 | 2004-11-24 | 精工爱普生株式会社 | 液晶装置及电子设备 |
JP3935246B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2007-06-20 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
JP4130490B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100322965B1 (ko) * | 1998-03-27 | 2002-06-20 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시소자의 제조방법 |
KR100451379B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2005-01-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
KR20000020864A (ko) * | 1998-09-24 | 2000-04-15 | 윤종용 | 액정표시장치 패널 구조 |
KR100720084B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
EP1020920B1 (en) * | 1999-01-11 | 2010-06-02 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a driver TFT and a pixel TFT on a common substrate |
US6870180B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
US7768014B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and manufacturing method thereof |
TWI356249B (en) * | 2007-10-26 | 2012-01-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and liquid crystal di |
TWI370311B (en) * | 2008-09-05 | 2012-08-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure of a display panel |
US8179490B2 (en) * | 2009-06-12 | 2012-05-15 | Au Optronics Corporation | Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD |
US8471973B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-06-25 | Au Optronics Corporation | Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD |
TWI397757B (zh) | 2009-12-22 | 2013-06-01 | Au Optronics Corp | 聚合物穩定配向液晶顯示面板及液晶顯示面板 |
CN103399435B (zh) * | 2013-08-01 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
US11018164B2 (en) | 2017-01-19 | 2021-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor substrate, display panel, and display device |
US10852591B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-12-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6455582A (en) * | 1987-08-06 | 1989-03-02 | Ibm | Color display device |
KR940004322B1 (ko) * | 1991-09-05 | 1994-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
FR2682493B1 (fr) * | 1991-10-11 | 1994-02-04 | Thomson Lcd | Dispositif d'amelioration du contraste d'un ecran a cristal liquide et son procede de fabrication. |
JPH05249478A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
EP0592063A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-07-13 | Toshiba Kk | Active matrix liquid crystal display device |
DE4407043B4 (de) * | 1993-03-04 | 2005-10-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
-
1995
- 1995-12-08 KR KR1019950047896A patent/KR100218293B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-05 US US08/759,211 patent/US5835169A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-06 DE DE19650787A patent/DE19650787C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-06 JP JP32636496A patent/JPH09218424A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101279654B1 (ko) * | 2006-10-25 | 2013-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09218424A (ja) | 1997-08-19 |
US5835169A (en) | 1998-11-10 |
KR100218293B1 (ko) | 1999-09-01 |
DE19650787C2 (de) | 2000-04-13 |
DE19650787A1 (de) | 1997-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970048830A (ko) | 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 | |
KR100266189B1 (ko) | 액티브매트릭스액정디스플레이패널및그것을위한배선설계방법 | |
KR100795344B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
KR980003722A (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100247628B1 (ko) | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 | |
KR960011529A (ko) | 전하 유지용 저장 캐패시터를 갖는 액정 디스플레이 | |
KR970059803A (ko) | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 액정표시장치 | |
KR900005613A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전기 광학 표시 장치 | |
KR960002855A (ko) | 강유전체 메모리장치 | |
KR960015017A (ko) | 컬러표시장치 | |
KR100482458B1 (ko) | 박막트랜지스터액정표시소자및그제조방법 | |
KR970071090A (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
KR910013574A (ko) | 박막 디바이스 | |
KR960015962A (ko) | 박막트랜지스터 | |
KR100312329B1 (ko) | 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법 | |
KR100475108B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR100433209B1 (ko) | 액정표시장치의 어래이 기판 및 그 제조방법 | |
KR960001851A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 및 액정표시장치 | |
KR100493380B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR910010224A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20020002516A (ko) | 액정 표시 소자의 게이트 전극 형성방법 | |
KR100697371B1 (ko) | 박막트랜지스터 구조 | |
KR100336898B1 (ko) | 액정표시소자의박막트랜지스터 | |
KR970016683A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100218512B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060522 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |