KR960011529A - 전하 유지용 저장 캐패시터를 갖는 액정 디스플레이 - Google Patents

전하 유지용 저장 캐패시터를 갖는 액정 디스플레이 Download PDF

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Abstract

저장 캐패시터가 실질적으로 기판의 전 영역에 걸쳐서 연장하는 투명 전도성층으로 만들어진 저장 캐패시터 전극과 절연층을 통해 저장 캐패시터 전극과 오버랩하는 픽셀 전극에 의해 구성된다. 저장 캐패시터 전극은 픽셀 전극의 전 표면과 마주 보도록 위치된다. 투명 전도성 저장 캐피시터 전극은 개구 비를 감소시키지 않으므로 저장 캐패시터는 큰 캐패시턴스를 갖는다. 저장 캐패시터 전극에 가해지는 신호 전압은 선택되지 않은 박막 트랜지스터를 활성화하지 않도록 결정된다. 광 차단층은 저장 캐패시터 전극 위에 또는 아래에 있는 픽셀 전극 사이에 존재한다. 광 차단층은 입사광으로부터 박막 트랜지스터, 게이트 라인, 및 드레인 라인을 차단하고 이에 따라 디스플레이된 화상의 콘트라스트 감소를 방지한다. 또한 열처리를 받고 형성된 반 반사 층은 저장 캐패시터 전극과 광 차단층 사이의 경계부에 위치되며 액정 디스플레이의 화상 가시도를 보장해주는 데에 효과적이다.

Description

전하 유지용 저장 캐패시터를 갖는 액정 디스플레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 라인 3X-3X'을 따라서 취한 액정 디스플레이의 단면도.

Claims (10)

  1. 그 사이에 삽입된 액정층을 갖고 서로 마주보는 첫째 기판과 둘째 기판을 포함하는 액정 디스플레이에 있어서; 첫째 기판이 그 위에, 매트릭스 배열로 정렬된 다수의 픽셀 전극, 픽셀 전극의 열들 사이에 형성된 드레인 라인, 픽셀 전극의 행들 사이에 형성된 게이트라인, 그 각각이 픽셀 전극에 접속된 소스 전극과 드레인 라인에 접속된 드레인 전극과 게이트 라인에 접속된 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터들, 픽셀 전극들 사이에서 광을 차단하는 첫째 광 차단층, 절연층을 통해 픽셀 전극과 오버랩하고 실질적으로 첫째 기판 전 영역에 걸쳐서 도포된 투명 전도층으로 이뤄진 저장 캐패시터 전극, 픽셀 전극과 저장 캐패시터 전극이 서로 오버랩하는 영역에 형성되어 전하를 유지하는 저장 캐패시터를 포함하고, 둘째 기판이 첫째와 둘째 기판이 서로 마주보는 실질적으로 전 영역에 걸쳐서 연장하는 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, 둘째 기판이 첫째 광 차단층에 상응하는 위치에 있는 둘째 광 차단층을 포함하고 둘째 광 차단층이 첫째 광 차단층의 개구보다 넓은 개구를 갖느 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  3. 제1항에 있어서, 각각의 저장 캐패시터 전극이 주변부 에지를 제외하고 실질적으로 첫째 기판 전 영역에 걸쳐서 연장하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  4. 제1항에 있어서, 첫째 광 차단층이 저장 캐패시터 전극 위에 도는 아래에 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  5. 제4항에 있어서, 저장 캐패시터 전극이 인듐과 주석의 합금으로 만들어지고 첫째 광 차단츠잉 크롬으로 만들어지고 산화 크롬으로 만들어진 반(反) 반사 층이 첫째 광 차단층과 저장 캐패시터 전극 사이의 경계부에 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  6. 제5항에 있어서, 반 광사 층이 첫째 캐패시터 전극과 첫째 광 차단층의 형성후에 열처리를 받고 형성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  7. 제1항에 있어서, 박막 트랜지스터가 선택되지 않았을 때 박막 트랜지스터의 드레인 및 소스 전극의 전위와 저장 캐패시터 전극의 전위 사이의 차가 박막 트랜지스터의 작동 문턱 전압보다 작게 되도록 저장 캐패시터 전극에 가해진 저장 캐패시터 신호의 전압이 결정된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  8. 제7항에 있어서, 저장 캐패시터 전극 신호의 전압이 공통 전극에 가해진 공통 전극 신호 전압으로부터 레벨 전이된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  9. 제1항에 있어서, 절연 층과 반도체 층이 게이트 라인 밑에 형성되고, 각각의 소스 전극이 각각의 픽셀 전극의 일부분에 의해 구성되고, 각각의 드레인 전극이 각각의 드레인 라이의 일부분에 의해 구성되고, 반도체 층의 일부분인 채널 층이 소스 전극과 드레인 전극이 서로 인저한 영역에 위치되고, 절연층의 일부분인 게이트 절연층이 채널층 위에서 연장되며, 각각의 게이트 전극이 각각의 게이트 라인의 일부분에 의해 구성되고 게이트 절연층 위에 위치되며, 게이트 라인, 절연층, 및 반도체 층이 동일하게 패턴화되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
  10. 제9항에 있어서, 저장 캐패시터 전극이 첫째 기판 끝의 주변부로 연장하고 절연층을 통해 입력 터미날 전극과 오버랩하며 입력 터미날 전극에 가해진 소망 신호가 저장 캐패시터의 전압을 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100433208B1 (ko) * 2000-12-22 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW317629B (ko) * 1995-11-01 1997-10-11 Samsung Electronics Co Ltd
EP0797182A1 (en) * 1996-03-19 1997-09-24 Hitachi, Ltd. Active matrix LCD with data holding circuit in each pixel
JP2734444B2 (ja) * 1996-03-22 1998-03-30 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP3468986B2 (ja) * 1996-04-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路および表示装置
TWI236556B (en) 1996-10-16 2005-07-21 Seiko Epson Corp Substrate for a liquid crystal equipment, liquid crystal equipment and projection type display equipment
US6831623B2 (en) 1996-10-22 2004-12-14 Seiko Epson Corporation Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same
US7872728B1 (en) 1996-10-22 2011-01-18 Seiko Epson Corporation Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
KR100226494B1 (ko) * 1997-02-20 1999-10-15 김영환 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3716580B2 (ja) 1997-02-27 2005-11-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
US6927826B2 (en) * 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
US6198153B1 (en) * 1997-04-21 2001-03-06 Lsi Logic Corporation Capacitors with silicized polysilicon shielding in digital CMOS process
JP3966614B2 (ja) * 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
GB9803764D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JPH11307782A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2000022162A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Advanced Display Inc 液晶表示装置の製法
JP2000075280A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Sony Corp 液晶表示装置
US6475836B1 (en) * 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100292049B1 (ko) * 1999-04-15 2001-06-01 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
JP3844913B2 (ja) * 1999-06-28 2006-11-15 アルプス電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置
KR100628679B1 (ko) * 1999-11-15 2006-09-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 어레이 패널, 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에따른액정표시장치
KR100638525B1 (ko) * 1999-11-15 2006-10-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP2001318627A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP3753613B2 (ja) * 2000-03-17 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びそれを用いたプロジェクタ
KR100367009B1 (ko) * 2000-05-19 2003-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US6720577B2 (en) * 2000-09-06 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100628257B1 (ko) * 2000-10-20 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 및 반투과형 ｌｃｄ의 구조
KR100776509B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4646420B2 (ja) * 2001-02-28 2011-03-09 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板およびそれを用いた表示装置
TW575777B (en) * 2001-03-30 2004-02-11 Sanyo Electric Co Active matrix type display device
KR100838185B1 (ko) * 2001-09-24 2008-06-13 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치와, 이의 제조방법
JP3669351B2 (ja) * 2001-10-04 2005-07-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100433805B1 (ko) * 2001-10-11 2004-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100835974B1 (ko) * 2001-12-24 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2003207794A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
KR100746283B1 (ko) * 2002-01-25 2007-08-03 삼성전자주식회사 액정표시장치
TW550531B (en) * 2002-02-07 2003-09-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Pixel driving device of liquid crystal display
TWI282475B (en) * 2002-07-26 2007-06-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display device
US6774459B2 (en) * 2002-08-13 2004-08-10 Micron Technology, Inc. Capacitor layout technique for reduction of fixed pattern noise in a CMOS sensor
TWI300508B (en) * 2003-01-13 2008-09-01 Toppoly Optoelectronics Corp Liquid crystal display
US7012583B2 (en) * 2003-02-07 2006-03-14 Shimadzu Corporation Apparatus and method for testing pixels of flat panel display
US7250930B2 (en) * 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
TWI226712B (en) * 2003-12-05 2005-01-11 Au Optronics Corp Pixel structure and fabricating method thereof
JP4844027B2 (ja) * 2004-07-16 2011-12-21 カシオ計算機株式会社 垂直配向型の液晶表示素子
CN101604087A (zh) * 2004-09-30 2009-12-16 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
TWI290649B (en) * 2004-11-29 2007-12-01 Casio Computer Co Ltd Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
US8068200B2 (en) * 2004-12-24 2011-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions
JP3892882B2 (ja) * 2005-06-13 2007-03-14 三菱電機株式会社 半透過型液晶表示装置
JP2007058172A (ja) * 2005-07-28 2007-03-08 Mitsubishi Electric Corp 遮光膜付き基板、カラーフィルタ基板及びこれらの製造方法、並びに遮光膜付き基板を備えた表示装置。
TWI340607B (en) * 2005-08-12 2011-04-11 Au Optronics Corp Organic electroluminescent display panel and fabricating method thereof
US20070229744A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Casio Computer Co., Ltd. Vertically aligned liquid crystal display device
JP4297505B2 (ja) * 2006-07-28 2009-07-15 株式会社フューチャービジョン 液晶表示装置
TWI351764B (en) * 2007-04-03 2011-11-01 Au Optronics Corp Pixel structure and method for forming the same
TWI332646B (en) * 2007-04-03 2010-11-01 Au Optronics Corp Lcd and driving method thereof
CN101807583B (zh) 2009-02-18 2011-07-27 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US8179490B2 (en) * 2009-06-12 2012-05-15 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
US8471973B2 (en) * 2009-06-12 2013-06-25 Au Optronics Corporation Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD
CN102918451B (zh) * 2010-05-27 2016-01-20 凸版印刷株式会社 液晶显示装置
KR20120071961A (ko) * 2010-12-23 2012-07-03 삼성모바일디스플레이주식회사 평판표시장치
KR20150040873A (ko) 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI657539B (zh) 2012-08-31 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102679509B1 (ko) 2012-09-13 2024-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101961427B1 (ko) * 2012-10-29 2019-03-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
KR20220145922A (ko) 2012-12-25 2022-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9599869B2 (en) 2013-01-23 2017-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
KR20140118027A (ko) * 2013-03-28 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI809225B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR20140146873A (ko) * 2013-06-18 2014-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
TWI521498B (zh) * 2014-02-17 2016-02-11 友達光電股份有限公司 畫素電路及其驅動方法
KR102296073B1 (ko) * 2015-01-06 2021-08-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20170115133A (ko) * 2016-04-04 2017-10-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP6779709B2 (ja) * 2016-08-26 2020-11-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI653621B (zh) 2017-07-05 2019-03-11 友達光電股份有限公司 畫素電路與採用其之顯示面板
TWI666859B (zh) 2017-12-29 2019-07-21 新唐科技股份有限公司 電壓保持電路及使用其之電子裝置
KR20220063448A (ko) * 2020-11-10 2022-05-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2533072B1 (fr) * 1982-09-14 1986-07-18 Coissard Pierre Procede de fabrication de circuits electroniques a base de transistors en couches minces et de condensateurs
JPS59232385A (ja) * 1983-06-15 1984-12-27 株式会社東芝 アクテイブマトリクス型表示装置
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
JPS60120321A (ja) * 1983-12-02 1985-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ−液晶表示装置
JPH0697317B2 (ja) * 1984-04-11 1994-11-30 ホシデン株式会社 液晶表示器
JPS60227235A (ja) * 1984-04-26 1985-11-12 Canon Inc 画像形成装置
JPS614018A (ja) * 1984-06-18 1986-01-09 Canon Inc 表示装置および表示方法
JPS6280626A (ja) * 1985-10-04 1987-04-14 Hosiden Electronics Co Ltd 液晶表示素子
US5283566A (en) * 1988-04-06 1994-02-01 Hitachi, Ltd. Plane display
JP2693513B2 (ja) * 1988-08-30 1997-12-24 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示素子
JPH02228629A (ja) * 1989-02-28 1990-09-11 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH07113731B2 (ja) * 1990-08-03 1995-12-06 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
JP2884782B2 (ja) * 1991-01-21 1999-04-19 松下電器産業株式会社 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写型テレビ
JPH04331924A (ja) * 1991-05-07 1992-11-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100433208B1 (ko) * 2000-12-22 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
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KR100447768B1 (ko) 2005-01-31

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