JP2000075280A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2000075280A
JP2000075280A JP10243502A JP24350298A JP2000075280A JP 2000075280 A JP2000075280 A JP 2000075280A JP 10243502 A JP10243502 A JP 10243502A JP 24350298 A JP24350298 A JP 24350298A JP 2000075280 A JP2000075280 A JP 2000075280A
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JP10243502A
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English (en)
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Masayuki Iida
正幸 飯田
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Sony Corp
ソニー株式会社
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    • G02OPTICS
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
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    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L29/78606Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Abstract

(57)【要約】 【課題】 遮光膜を持つ液晶表示装置において、ゲート
線遅延を回避することができる構造の液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 基板上に形成した薄膜トランジスタを備
える液晶表示装置において、基板側からの入射光を遮光
する遮光膜1を、画素トランジスタ22,24を遮光す
る部分以外については、付加容量線4下あるいはゲート
線3と付加容量線4との間のゲート線3を避けた位置に
配置して、ゲート線3との間の寄生容量を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、基板上に形成した薄膜トランジスタを備える
液晶表示装置に関するものである。

【0002】

【従来の技術】従来より、ガラスや石英等より成る基板
上に薄膜トランジスタを形成した液晶表示装置が知られ
ている(特開平5−150262号公報、同5−257
164号公報、同10−70277号公報等)。薄膜ト
ランジスタ(以下適宜TFTと称することもある)は、
表示電極としての機能を果たす。

【0003】従来のこの種のもの、たとえばポリシリコ
ン薄膜トランジスタや、あるいはa−Si(アモルファ
スシリコン)薄膜トランジスタ等により形成された液晶
表示装置は、基板(石英基板等)側からの入射光によ
り、画素トランジスタのオフ電流が上がって、画素電位
がリークしてしまう現象が生じるという問題点を有す
る。この現象は、特に、液晶表示装置がプロジェクタ用
で使われる場合に、生じる傾向が大きい。

【0004】上記現象を避けるため、従来技術にあって
は、図2に平面構造で示し、図3に断面構造で示すよう
に、画素トランジスタの直下に光を通さない金属層等を
配置して遮光膜としている。遮光膜をなすたとえば金属
層は、周辺部でVss,Vcomなどの固定電位に接続
している。

【0005】ところがこのような従来技術における金属
層の接続方法では、一般にこれを、横方向のブラックマ
トリックス下に形成しているが、この固定電位の金属層
とゲート線との寄生容量により、ゲート電位の遅延が引
き起こされる。結果的に、液晶表示のコントラスト低
下、あるいはユニフォーミティ劣化などの不具合を引き
起こす。

【0006】従来技術の構成及び問題点について、図2
及び図3を参照してさらに説明すると、次のとおりであ
る。図2は従来例を、遮光膜をなす金属層〜データ線の
部分の平面構造で示すものであり、図3は、図2のA−
A’線断面対応図である。

【0007】図2及び図3に示すように、基板10(こ
こでは石英基板)上に形成した第1のシリコン層21,
23と、その上層のゲート線3(第2のシリコン層)と
により(両者の間にはゲート酸化膜31が介在する)、
画素トランジスタ22,24が形成されている。前述の
ように、画素トランジスタ22,24を遮光する必要が
あるので、図3に示すように、基板10側に、遮光膜1
として、金属層を設ける。この遮光膜1は、図2に特に
細点を施して示す。図示のように、この遮光膜1はVs
s,Vcomなどの固定電位を持つ金属層7に接続する
とともに、従来技術にあっては遮光膜1は、ゲート線3
の直下に形成される。ゲート線3及び付加容量線は、第
2のシリコン層から形成され、特に図2においても斜線
を施して示す。

【0008】上記のように従来技術にあっては、固定電
位の金属層7と接続する遮光膜1はゲート線3の直下に
形成されるため、固定電位の金属層7とゲート線3との
寄生容量により、ゲート電位の遅延が引き起こされ、こ
れに伴う問題が生じ得るのである。

【0009】なお図2,図3中、符号6は第2のコンタ
クト、符号8は第1のコンタクト、51,52はデータ
線、9は開口部で、11は第1の絶縁層、12は第2の
絶縁層、13は第3の絶縁層、14は平坦化膜、15は
透明電極層、16は液晶層、17は対向基板側透明電極
層、18は対向基板である。

【0010】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点を解決するためになされたもので、本発明の目的
は、遮光膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延
を回避することができる構造の液晶表示装置を提供する
ことである。

【0011】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置は、基板上に形成した薄膜トランジスタを備える液晶
表示装置において、基板側からの入射光を遮光する遮光
膜を、画素トランジスタを遮光する部分以外について
は、付加容量線下あるいはゲート線と付加容量線との間
のゲート線を避けた位置に配置したことを特徴とするも
のである。

【0012】本発明によれば、遮光膜(遮光金属層等)
を、必要な画素トランジスタを遮光する部分以外につい
ては、ゲート線の直下には設置せず、上記の配置にした
構造をとることにより、寄生容量の問題を低減でき、ゲ
ート線駆動トランジスタの負荷を減らし、ゲートパルス
の遅延を抑えることが可能となる。

【0013】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照して具体的な実施の形態例を説
明することにより、さらに説明する。但し当然のことで
はあるが、本発明は以下の説明及び図示の実施の形態例
に限定されるものではない。

【0014】実施の形態例1 本実施の形態例の構成を、図1に平面構造(従来技術を
示した図2に対応)で示す。本実施の形態例は、図2、
図3に示したのとほぼ同様な構造の液晶表示装置である
が、遮光膜1の構造が異なる。図1中、符号は図2、図
3に示したものと対応する。

【0015】遮光するのは、画素トランジスタの直下が
必須であり、その他斜め光を遮光するための画素トラン
ジスタ周辺の一部であれば十分なので、本実施の形態例
では、遮光膜1(遮光金属層で形成。先と同様、特に細
点を施して示す)は、次のような構造にした。すなわ
ち、ゲート線3の直下にはほとんど遮光膜1が存在しな
いようにした。具体的には、ゲート線3を避けて、ゲー
ト線3に対応する部分は切り欠くようにして、遮光膜1
を配置した。たとえば図1にBで示す部位においては、
図示のようにゲート線3を避けて遮光膜1が走る構造に
なっている。

【0016】隣り合う画素間、あるいは周辺のVss,
Vcomなどの固定電位を持つ金属層7への接続は、付
加容量線4の下に遮光膜1を配置するか、または図示の
ように、ゲート線3と付加容量線4との間(ゲート線3
の下は避ける)に遮光膜1を配置する。

【0017】この構造により、遮光金属層等の遮光膜1
が固定電位と接続される場合も、ゲート線3との間で寄
生容量が増加することが抑制され、ゲート線3の負荷増
は最小限に抑えられ、ゲート電位の遅延の極めて少ない
構造となる。

【0018】この結果、コントラスト、ユニフォーミテ
ィの向上が実現され、液晶表示装置の画質が向上する。

【0019】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、遮光
膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延を回避す
ることができ、ゲート電位の遅延が抑制され、コントラ
スト、ユニフォーミティ等の液晶表示装置の画質向上が
実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図1】 本発明の実施の形態例1の構成を平面構造で
示すものである。

【図2】 従来技術の構成を平面構造で示すものであ
る。

【図3】 従来技術の構成を断面構造で示すものであ
り、図2のA−A’線断面対応図である。

【符号の説明】

1・・・遮光膜(遮光用金属層)、21,23・・・第
1のシリコン層、22,24・・・画素トランジスタ、
3・・・ゲート線(第2のシリコン層)、4・・・付加
容量線(第2のシリコン層)、51,52・・・データ
線、6・・・第2のコンタクト、7・・・固定電位を持
つ層、8・・・第1のコンタクト、9・・・開口部、1
0・・・透明基板(石英基板)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に形成した薄膜トランジスタを備
    える液晶表示装置において、 基板側からの入射光を遮光する遮光膜を、画素トランジ
    スタを遮光する部分以外については、付加容量線下ある
    いはゲート線と付加容量線との間のゲート線を避けた位
    置に配置したことを特徴とする液晶表示装置。
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