KR20030025999A - 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스토리지 캐패시터를 포함하는 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 독립 스토리지 캐패시터 방식 액정 표시 장치에서는 스토리지 캐패시터용 전극이 불투명한 물질로 이루어지므로 개구율이 낮아지게 되는데, 특히 상부 기판의 블랙 매트릭스를 형성할 때 합착 마진을 고려하여 폭을 넓게 형성해야 하므로, 개구율이 더욱 저하되는 문제가 생긴다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 배선을 이용한 독립 스토리지 캐패시터를 게이트 배선과 인접하게 형성하고, 블랙 매트릭스를 공통 배선 및 게이트 배선과 일부 중첩시킴으로써 개구율이 저하되는 것을 방지하며, 또한, 게이트 배선을 이용한 여분의 스토리지 캐패시터를 더 형성함으로써, 캐패시터의 용량을 증가시켜 신호의 누설은 더욱 방지할 수 있다.

Description

어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치{an array panel and a liquid crystal display using by it}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스토리지 캐패시터를 가지는 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 그 중 액정 표시 장치(liquid crystal display)가 활발하게 개발되고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 삽입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직임으로써 빛의 투과율에 따라 화상을 표현하는 장치이다.
액정 분자를 구동하는 방법에는 신호선(data line)과 주사선(gate line)에걸린 전압의 차이를 이용하는 수동 행렬(passive matrix) 구동법과 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 이용하는 능동 행렬(active matrix) 구동법 등이 있다.
이중에서, 능동 행렬 액정 표시 장치가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치의 하부 기판은 화소 전극 및 화소 전극에 신호를 인가하는 박막 트랜지스터를 포함하고, 상부 기판은 공통 전극을 포함한다.
하부 기판의 화소 전극은 상부 기판의 공통 전극과 함께 액정 캐패시터를 이루는데, 액정 캐패시터에 인가된 전압은 다음 신호가 들어올 때까지 유지되지 못하고 누설되어 사라진다. 따라서, 인가된 전압을 유지하기 위해 액정 캐패시터에 스토리지 캐패시터를 연결해야 한다. 스토리지 캐패시터는 상기한 신호 유지 이외에도 계조 표시의 안정, 플리커 감소 및 잔상효과 감소 등의 장점을 가진다.
이러한 스토리지 캐패시터 중 스토리지 캐패시터용 전극을 별도로 형성하여 공통 전극과 연결하여 사용하는 방식을 스토리지 온 커먼(storage on common) 방식 또는 독립 스토리지 캐패시터 방식이라고 하고, 게이트 배선을 스토리지 캐패시터의 일 전극으로 이용하는 방식을 스토리지 온 게이트(storage on gate) 방식 또는 전단 게이트(previous gate) 방식이라고 한다.
이중, 독립 스토리지 캐패시터 방식 액정 표시 장치에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래의 독립 스토리지 캐패시터 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에 대한 평면도로서, 도시한 바와 같이 가로 방향의 게이트 배선(11)과 세로 방향의 데이터 배선(12)이 교차하여 화소 영역(P1)을 정의하고, 게이트 배선(11)과 데이터 배선(12)이 교차하는 부분에는 박막 트랜지스터(T1)가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 배선(11)에서 연장된 게이트 전극(13)과 데이터 배선(12)에서 연장된 소스 전극(14), 그리고 게이트 전극(13)을 중심으로 소스 전극(14)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(15) 및 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(16)을 포함한다.
한편, 화소 영역(P1)의 중앙에는 가로 방향으로 연장된 공통 배선(17)이 형성되어 있으며, 그 위에 캐패시터 전극(18)이 형성되어 있어, 공통 배선(17)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성한다.
다음, 도시하지 않았지만 게이트 배선(11)과 데이터 배선(12) 및 박막 트랜지스터(T1), 공통 배선(17), 그리고 캐패시터 전극(18)은 보호막으로 덮여 있고, 보호막은 드레인 전극(15)과 캐패시터 전극(18) 상부에 각각 제 1 및 제 2 콘택홀(19a, 19b)을 가진다.
다음, 화소 영역(P1)에는 화소 전극(20)이 형성되어 있는데, 화소 전극(20)은 제 1 및 제 2 콘택홀(19a, 19b)을 통해 드레인 전극(15) 및 캐패시터 전극(18)과 각각 연결되어 있으며, 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(12)과 일부 중첩되어 있다.
이와 같이, 종래에는 화소 영역에 별도의 공통 배선을 이용하여 스토리지 캐패시터를 형성함으로써, 액정 캐패시터에 걸린 전압이 누설되는 것을 방지할 수 있다.
그런데, 이러한 독립 스토리지 캐패시터 방식에서 캐패시터를 이루는 공통 배선과 캐패시터 전극은 주로 금속과 같이 불투명한 물질로 이루어진다. 따라서, 스토리지 캐패시터가 위치한 부분에서는 빛이 투과되지 못하게 된다. 또한, 액정 표시 장치는 화소 영역 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 방지하기 위해 상부 기판에 블랙 매트릭스를 형성하는데, 상부 기판과 하부의 어레이 기판을 합착할 때 오정렬(misalign)이 발생하는 것을 막기 위해, 일정 값의 합착 마진을 고려하여 블랙 매트릭스의 폭을 결정한다.
이에 따라, 독립 스토리지 캐패시터 방식 액정 표시 장치에서 화상이 표시되는 영역은 도 2의 빗금친 영역 A에 해당하게 되므로, 개구율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 스토리지 캐패시터를 형성하여 전압의 누설을 방지하면서, 액정 표시 장치의 개구율이 저하되는 것을 막을 수 있는 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 어레이 기판에 대한 평면도.
도 2는 종래의 어레이 기판에서 개구율 부분을 도시한 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도.
도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 평면도.
도 6은 도 5에서 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 자른 단면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 평면도.
도 8은 도 7에서 Ⅷ-Ⅷ선을 따라 자른 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
110 , 190 : 기판121 : 게이트 배선
122 : 게이트 전극125 : 공통 배선
130 : 게이트 절연막141 : 액티브층
151, 152 : 오믹 콘택층161 : 데이터 배선
162 : 소스 전극163 : 드레인 전극
165 : 캐패시터 전극170 : 보호막
171 : 콘택홀181 : 화소 전극
191 : 블랙 매트릭스192 : 공통 전극
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판에서는 절연 기판 상부에 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극, 그리고 제 1 방향으로 연장되고, 상기 게이트 배선에 인접하는 공통 배선이 형성되어 있다. 그 위에 게이트 절연막이 형성되어 있으며, 게이트 절연막 상부에는 액티브층과 오믹 콘택층이 각각 형성되어 있다. 다음, 제 2 방향으로 연장된 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극, 상기 소스 전극 맞은 편에 형성되어 있는 드레인 전극이 형성되어 있으며, 또한 공통 배선과 중첩하는 제 1 캐패시터 전극이 형성되어 있다. 이어, 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극, 그리고 제 1 캐패시터 전극 상부에 보호막이 형성되어 있고, 그 위에 드레인 전극 및 제 1 캐패시터 전극과 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.
여기서, 공통 배선은 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 제 1 캐패시터 전극은 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 드레인 전극과 연결되어 있을 수 있다.
본 발명은 게이트 절연막 상부에 게이트 배선과 중첩하며, 화소 전극과 연결되어 있는 제 2 캐패시터 전극을 더 포함할 수 있으며, 제 2 캐패시터 전극은 제 1 캐패시터 전극과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
한편, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제 1 기판 상부에 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 또한, 게이트 배선에 인접하며 게이트 배선과 나란한 방향을 가지는 공통 배선이 형성되어 있으며, 공통 배선과 중첩하여 캐패시터를 이루는 제 1 캐패시터 전극이 형성되어 있다. 다음, 화소 영역 상에는 박막 트랜지스터 및 제 1 캐패시터 전극과 연결되는 화소 전극이형성되어 있다. 다음, 제 1 기판 상부에 일정 간격 이격되어 제 2 기판이 위치하고, 제 2 기판 하부에 게이트 배선 및 공통 배선과 일부 중첩하는 블랙 매트릭스이 형성되어 있다. 이어, 블랙 매트릭스 하부에는 공통 전극이 형성되어 있다.
여기서, 공통 배선은 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 제 1 캐패시터 전극은 데이터 배선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명은 게이트 배선과 중첩하여 캐패시터를 이루며, 화소 전극과 연결되어 있는 제 2 캐패시터 전극을 더 포함할 수 있고, 이때 제 2 캐패시터 전극은 제 1 캐패시터 전극과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 배선을 이용한 독립 스토리지 캐패시터를 게이트 배선과 인접하게 형성하고, 블랙 매트릭스를 공통 배선 및 게이트 배선과 일부 중첩시킴으로써 개구율이 저하되는 것을 방지하며, 또한, 게이트 배선을 이용한 여분의 스토리지 캐패시터를 더 형성함으로써, 캐패시터의 용량을 증가시켜 신호의 누설은 더욱 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이고, 도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(110) 위에 금속과 같은 물질로 이루어지고 가로 방향으로 연장된 게이트 배선(121)과, 게이트 배선(121)에서 연장된 게이트 전극(122), 그리고 게이트 배선(121)과 인접하여 게이트 전극(122)이 위치하는 방향으로 돌출부분을 가지는 가로 방향의 공통 배선(125)이 형성되어 있다.
게이트 배선(121)과 게이트 전극(122), 그리고 공통 배선(125) 상부에는 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트 절연막(130)이 형성되어 이들을 덮고 있다.
다음, 게이트 전극(122) 상부의 게이트 절연막(130) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(141)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 포함되어 있는 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(151, 152)이 형성되어 있다.
다음, 오믹 콘택층(151, 152) 상부에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어지고 세로 방향으로 연장되어 있는 데이터 배선(161)과, 데이터 배선(161)에서 연장된 소스 전극(162), 그리고 게이트 전극(122)을 중심으로 소스 전극(162)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(163) 및 공통 배선(125)과 중첩하며 드레인 전극(163)에 연결되어 있는 캐패시터 전극(165)이 형성되어 있다. 여기서, 데이터 배선(161)은 게이트 배선(121)과 교차하여 화소 영역(P2)을 정의하고, 소스 및 드레인 전극(162, 163)은 게이트 전극(122)과 함께 박막 트랜지스터(T2)를 이룬다.
이어, 데이터 배선(161)과 소스 및 드레인 전극(162, 163), 그리고 캐패시터 전극(165) 상부에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(170)이 형성되어 있고, 보호막(170)은 캐패시터 전극(165)을 일부 드러내는 콘택홀(171)을 가진다.
다음, 보호막(170) 상부의 화소 영역(P2)에는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(181)이 형성되어 있는데, 화소 전극(181)은 콘택홀(171)을 통해 캐패시터 전극(165)과 연결되고, 또한 드레인 전극(163)과도 연결되며, 게이트 배선(121) 및 데이터 배선(161)과 일부 중첩한다. 한편, 본 발명에서는 화소 전극(181)이 박막 트랜지스터(T2)를 덮고 있으나, 덮지 않을 수도 있다.
이러한 어레이 기판을 이용한 액정 표시 장치를 도 5 및 도 6에 도시하였는데, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 6은 도 5에서 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 자른 단면도이다. 여기서, 하부의 어레이 기판은 앞선 도 3 및 도 4의 어레이 기판과 동일하므로, 동일한 부호를 부여하며 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 한편, 일반적으로 액정 표시 장치의 상부 기판은 컬러필터를 도시하는데, 여기서는 간략하게 블랙 매트릭스와 공통 전극 만을 도시하였다.
도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 게이트 배선(121)에 인접한 공통 배선(125)과, 공통 배선(125) 상부의 캐패시터 전극(165)으로 이루어진 스토리지 캐패시터를 가지는 어레이 기판 상부에, 일정 간격 이격되어 상부의 투명 기판(190)이 배치되어 있고, 그 하부에 블랙 매트릭스(191)와 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극(192)이 각각 배치되어 있다.
블랙 매트릭스(191)는 화소 영역(P2) 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 방지하기 위한 것으로, 본 발명에서는 블랙 매트릭스(191)가 게이트 배선(121)과 공통 배선(125) 사이에 대응하며, 게이트 배선(121) 및 공통 배선(125)과 일부 중첩하도록 형성되어 있다. 본 발명에서, 게이트 배선(121) 및 공통 배선(125)은 금속과 같은 불투명한 도전 물질로 형성되므로, 블랙 매트릭스(191)가 게이트 배선(121) 및 공통 배선(125)과 일부만 중첩하더라도 이 부분에서 빛이 새는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 앞선 실시예에서 게이트 배선을 이용하여 스토리지 캐패시터를 더 형성함으로써, 캐패시터의 용량을 더욱 향상시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 7 및 도 8에 도시하였다. 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 8은 도 7에서 Ⅷ-Ⅷ선을 따라 자른 단면도이다.
도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 투명한 제 1 기판(210) 위에 가로 방향으로 연장된 게이트 배선(221)과, 게이트 배선(221)에서 연장된 게이트 전극(222), 그리고 게이트 배선(221)과 인접하여 게이트 전극(222)이 위치하는 방향으로 돌출부분을 가지는 가로 방향의 공통 배선(225)이 형성되어 있다.
다음, 그 위에 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(230)이 형성되어 이들을 덮고 있고, 게이트 전극(222) 상부의 게이트 절연막(230) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(241)이 형성되어 있다. 여기서, 도시하지 않았지만 액티비층(241) 상부에는 불순물이 포함되어 있는 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층이 형성되어 있다.
다음, 액티브층(241) 상부에는 세로 방향으로 연장되어 있는 데이터 배선(261)과, 데이터 배선(261)에서 연장된 소스 전극(262), 그리고 게이트전극(222)을 중심으로 소스 전극(262)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(263) 및 공통 배선(225)과 중첩하며 드레인 전극(263)에 연결되어 있는 제 1 캐패시터 전극(265), 게이트 배선(221)과 중첩되어 있는 제 2 캐패시터 전극(267)이 형성되어 있다. 여기서, 데이터 배선(261)은 게이트 배선(221)과 교차하여 화소 영역(P3)을 정의하고, 제 1 캐패시터 전극(265)은 공통 전극(225)과 제 1 스토리지 캐패시터를 이루며, 제 2 캐패시터 전극(267)은 게이트 배선(221)과 제 2 스토리지 캐패시터를 이룬다.
이어, 데이터 배선(261)과 소스 및 드레인 전극(262, 263), 그리고 제 1 및 제 2 캐패시터 전극(265, 267) 상부에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(270)이 형성되어 있고, 보호막(270)은 제 1 캐패시터 전극(265)과 제 2 캐패시터 전극(267)을 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀(271, 272)을 가진다.
다음, 보호막(270) 상부의 화소 영역(P3)에는 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(281)이 형성되어 있는데, 화소 전극(281)은 제 1 및 제 2 콘택홀(271, 272)을 통해 제 1 및 제 2 캐패시터 전극(265, 287)과 각각 연결되어 있다. 또한, 화소 전극(281)은 드레인 전극(263)과도 연결되며, 게이트 배선(221) 및 데이터 배선(261)과 일부 중첩한다.
다음, 제 1 기판(210) 상부에는 일정 간격 이격되어 투명한 제 2 기판(290)이 배치되어 있고, 제 2 기판(290) 하부에는 블랙 매트릭스(291)와 공통 전극(292)이 차례로 형성되어 있다.
여기서, 블랙 매트릭스(291)는 게이트 배선(221)과 공통 배선(225) 사이에 위치하며 일부 중첩되어 있어, 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 독립 스토리지 캐패시터 방식에서 게이트 배선을 이용하여 스토리지 캐패시터를 더 형성함으로써, 캐패시터 용량을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 배선을 이용한 독립 스토리지 캐패시터를 게이트 배선과 인접하게 형성하고, 블랙 매트릭스를 공통 배선 및 게이트 배선과 일부 중첩시킴으로써 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 게이트 배선을 이용한 여분의 스토리지 캐패시터를 더 형성함으로써, 캐패시터의 용량을 증가시켜 신호의 누설은 더욱 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 절연 기판;
    상기 절연 기판 상부에 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극;
    상기 절연 기판 위에 제 1 방향으로 연장되고, 상기 게이트 배선에 인접하는 공통 배선;
    상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극 및 상기 공통 배선 상부의 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상부의 액티브층;
    상기 액티브층 상부의 오믹 콘택층;
    상기 오믹 콘택층 상부에 형성되고 제 2 방향으로 연장된 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극, 상기 소스 전극 맞은 편에 형성되어 있는 드레인 전극;
    상기 게이트 절연막 상부에 형성되고 상기 공통 배선과 중첩하는 제 1 캐패시터 전극;
    상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극, 그리고 상기 제 1 캐패시터 전극 상부에 형성되어 있는 보호막;
    상기 보호막 상부에 형성되고 상기 드레인 전극 및 상기 제 1 캐패시터 전극과 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 캐패시터 전극은 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 절연막 상부에 상기 게이트 배선과 중첩하며, 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제 2 캐패시터 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 캐패시터 전극은 상기 제 1 캐패시터 전극과 동일한 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 어레이 기판.
  6. 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상부에 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터;
    상기 게이트 배선에 인접하며 상기 게이트 배선과 나란한 방향을 가지는 공통 배선;
    상기 공통 배선과 중첩하여 캐패시터를 이루는 제 1 캐패시터 전극;
    상기 화소 영역 상에 형성되고 상기 박막 트랜지스터 및 상기 제 1 캐패시터 전극과 연결되는 화소 전극;
    상기 제 1 기판 상부에 일정 간격 이격되어 있는 제 2 기판;
    상기 제 2 기판 하부에 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선 및 상기 공통 배선과 일부 중첩하는 블랙 매트릭스;
    상기 블랙 매트릭스 하부에 형성되어 있는 공통 전극
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어진 액정 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 캐패시터 전극은 상기 데이터 배선과 동일한 물질로 이루어진 액정 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 중첩하여 캐패시터를 이루며, 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제 2 캐패시터 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 캐패시터 전극은 상기 제 1 캐패시터 전극과 동일한 물질로 이루어진 액정 표시 장치.
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