JP2008257168A - 液晶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配線とその上に形成される電極との絶縁構造を容易に形成できる横電界モードの液晶装置を提供する。
【解決手段】液晶層を挟んで互いに対向する基板１１及び基板２２と、基板１１上に設けられた信号線１４と、信号線１４に導電接続したスイッチング素子１３及び画素電極１５と、基板１１上に設けられた配線１７と、画素電極１５、スイッチング素子１３及び配線１７を覆って基板１１上に設けられた誘電体膜１６と、誘電体膜１６上に設けられて画素電極１５に対向した共通電極１８とを有する液晶装置である。共通電極１８はスリット２７を有して平行に並んだ複数の線状電極部２８を画素電極１５に対向する領域に有し、共通電極１８は誘電体膜１６の外側で配線１７と導電接続する。
【選択図】図１

Description

本発明は、横電界型の液晶動作モードであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置に関するものである。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。この液晶装置において、誘電体膜を介在させて第１電極と第２電極とを１つの基板上に互いに対向させて設けると共に、間隙をおいて平行に配置された複数の線状電極部によって上記の第２電極を形成し、そして第１電極を面状電極によって形成して成るＦＦＳモードの液晶装置が知られている。ここで、スイッチング素子としては、３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

また、アクティブマトリクス方式の液晶装置において、複数の画素を個々にオン（白表示）／オフ（黒表示）駆動するためのスイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子を用いた液晶装置や、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子を用いた液晶装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特許文献２に開示された液晶装置は縦電界方式の液晶装置であり、シール材を用いて貼り合わされた一対の基板の一方に第１電極が設けられ、他方に第２電極が設けられている。第１電極及び第２電極にはそれぞれ配線が導電接続されて必要な信号が供給される。特許文献２の液晶装置では、第２電極とその第２電極に信号を供給する配線とは異なる基板上に設けられており、それらの第２電極と配線とはシール材の内部に設けられた導通部材を介して導電接続されている。
特開２００１− ８３５４０号公報（第４〜５頁、図３） 特開２００３− ２９２８９号公報（第５頁、図１）

特許文献１に開示された液晶装置はＦＦＳモードであるので、ＴＮ（Twisted Nematic：ツイステッドネマチック）モードに代表される縦電界方式の動作モードと比較して、広視野角及び高コントラストの表示特性を実現できる。

しかしながら、特許文献１に開示された液晶装置は画素に印加する電圧を制御するためのスイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いているので、基板上に形成される要素の構成が複雑であり、製造工程が複雑であり、コストが高くなるという問題があった。

そこで発明者は、特許文献２に開示された２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いて横電界方式の液晶装置の構成を簡単化することを考えた。しかしながら、ＴＦＤ素子を用いてＦＦＳモードの液晶装置を構成する場合には、縦電界方式の場合とは異なり、複数の第２電極とそれらの第２電極に導電接続される複数の配線とが同一基板上に配設されることになるので、配線の構造によっては配線とその配線に接続されるものとは別の第２電極とが短絡するおそれがある。

このような問題点は、ＴＦＤ素子を用いる場合に限られず、３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いた場合にも同様に生じるおそれがある。

これを解消するためには、それらの配線と第２電極とを電気的に絶縁する構造が必要であるが、この絶縁構造を配線と第２電極とのためだけに特別に設けることにすると、液晶装置の構成を十分に簡単化できないおそれがある。また、そのような特別な絶縁構造を採用すると、基板上における配線と電極の構造に制限が生じ、基板上に形成される要素の構成を簡単化することを阻害するおそれがある。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、横電界モードの液晶装置において、配線とその上に形成される電極との絶縁構造を容易に形成することのできる構造を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明では、液晶層を挟んで互いに対向する第１基板及び第２基板を有する液晶装置において、前記第１基板上には、信号線と、該信号線に導電接続したスイッチング素子と、該スイッチング素子に導電接続した第１電極と、配線と、前記第１電極、前記スイッチング素子及び前記配線を覆う誘電体膜と、該誘電体膜上で前記第１電極に対向する第２電極と、を有し、前記第２電極は前記誘電体膜上から該誘電体膜が存在していない領域に向けて導出されて、当該誘電体膜が存在していない領域を経由して前記配線に導電接続していることを特徴とする。

本発明に係る第１の液晶装置によれば、ＦＦＳモード等といった横電界モードの動作モードを実現できる。ＦＦＳモードは液晶の光学的性質を基板と平行な電界、いわゆる横電界によって制御するモードであるので、ＴＮモードに代表される縦電界モードの場合に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。また、本発明を適用した液晶装置は、第２電極を前記誘電体膜上から当該誘電体膜が存在していない領域に向けて導出し、その誘電体膜が存在していない領域で第２電極と前記配線を導電接続する構成とした。従って、本発明によれば、第１電極と第２電極とを電気的に絶縁する誘電体膜を用いて、配線と、その配線に接続されるものとは別の第２電極とを電気的に絶縁することができるので、配線を絶縁する構造を特別に設ける必要がなくなる。その結果、配線と第２電極とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。また、本発明によれば、配線とその配線に導電接続される第２電極とを導電接続するにあたって、誘電体膜が存在しない領域を利用するので、配線と第２電極との導電接続が誘電体膜によって阻害されることを略完全に防止でき、良好な接触性を得ることができる。

本発明において、前記第２電極は、前記誘電体膜が存在していない領域で前記配線に導電接続していることが好ましい。

本発明において、前記第２電極は、直接、前記配線に導電接続している構成、および前記第２電極は、中継電極を介して前記配線に導電接続している構成を採用することができる。

本発明において、前記配線は、平面視で前記誘電体膜の端辺から露出する部分（誘電体膜が存在していない領域で露出する部分）を有しており、前記第２電極は、前記誘電体膜から露出した部分の前記配線に導電接続される構成を採用することができる。

本発明では、前記誘電体膜において、前記配線と平面視で重なる位置には、当該誘電体膜が厚み方向に除去されたコンタクトホール（誘電体膜が存在していない領域）が設けられ、前記第２電極は前記コンタクトホールを経由して前記配線に導電接続されている構成を採用することができる。このような構成を採用した場合も、第１電極と第２電極とを電気的に絶縁する誘電体膜を用いて、配線とその配線に接続されるものとは別の第２電極とを電気的に絶縁することができるので、配線を絶縁する構造を特別に設ける必要がなくなる。その結果、配線と第２電極とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。

本発明にでは、前記誘電体膜において、前記第２電極と平面視で重なる位置には、当該誘電体膜が厚み方向に除去されたコンタクトホール（誘電体膜が存在していない領域）が設けられ、前記第２電極は前記コンタクトホールを経由して前記配線に導電接続されている構成を採用することができる。

本発明において、前記スイッチング素子は、例えば、第１導電膜と、該第１導電膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２導電膜とを有する２端子型スイッチング素子である。このように構成すると、ＴＦＴ素子等といった３端子型のスイッチング素子を用いた場合と比較して、少ない工程数で容易に製造でき、低コスト化を図ることができる。この場合、前記配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方と同層に形成されていることが好ましい。このように構成すると、配線を形成するに新たな導電膜を追加する必要がないので、少ない工程数で製造でき、低コスト化を図ることができる。

本発明において、前記スイッチング素子は、前記信号線が導電接続するソース領域、チャネル領域、および前記第１電極が導電接続するドレイン領域を備えた半導体層と、前記チャネル領域に対してゲート絶縁層を介して対向するゲート電極とを有する３端子型スイッチング素子である構成を採用してもよい。この場合、前記配線は、前記ゲート電極および前記信号線のうちの一方と同層に形成されていることが好ましい。このように構成すると、配線を形成するに新たな導電膜を追加する必要がないので、少ない工程数で製造でき、低コスト化を図ることができる。

本発明において、前記信号線は、前記第１基板上に同一方向に複数が並列して延在し、前記第１電極は、前記第１基板上で前記信号線の延在方向および当該信号線の延在方向に交差する方向の各々に沿って複数形成され、前記第２電極は、前記信号線の延在方向と交差する方向に延在して複数の前記第１電極と平面視で重なり合う帯状電極であり、当該帯状電極は、前記信号線の延在方向で所定の間隔を空けて複数本が並列している構成を採用することができる。このような構成を採用すると、第２電極は複数の第１電極に共通した共通電極として機能させることができる。

この場合、前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合うサブ画素が複数配列されている領域によって表示領域が形成され、前記配線は、平面視で前記表示領域の外側領域に形成されていることが好ましい。このような構成を採用すると、複数の第１電極と複数の第２電極を基板上の狭い領域内に効率的に配置できる。

本発明において、前記配線は、前記表示領域の外側領域のうち、当該表示領域を間に挟む両側に形成されていることが好ましい。このような構成を採用すると、複数の第１電極と複数の第２電極を基板上の狭い領域内にさらに効率的に配置できる。

本発明において、前記配線は、前記第２電極の延在方向と交差する方向に延在する第１部分と、該第１部分に接続されて前記第２電極と平行な方向に延在する第２部分とを有し、前記第２電極は前記第２部分に導電接続されることが好ましい。

本発明において、前記第２部分は、前記第１部分から前記表示領域が位置する側と反対側に延在していることが好ましい。この構成によれば、表示領域およびその周辺近傍のみに誘電体膜を形成し、さらに外側に誘電体膜を存在させない構造とするだけで、外側で配線を確実に露出させることができ、その露出した部分において配線と第２電極とを確実に導電接続させることができる。

本発明において、前記第２部分は、前記第１部分から前記表示領域が位置する側と同一側に延在している構成を採用してもよい。

本発明では、前記第２部分において、当該第２部分の延在方向と直交する方向の幅Ｗ１は、前記第１部分において、当該第１部分の延在方向と直交する方向の幅Ｗ０に比べて広いことが好ましい。このような構成を採用すると、第２電極と配線の第１部分とが接触する面積を大きくとることができるので、第２電極と配線をより確実に導電接続させることができる。

本発明において、前記第２電極は、間隙を有して並列する複数の線状電極部を前記第１電極に対向する領域に有していることが好ましい。このように構成すると、フリンジフィールドを効率よく形成することができる。

この場合、前記第２電極において、前記間隙及び前記線状電極部は、複数の前記サブ画素ごとに形成されることが好ましい。このように構成すると、第２電極の面積を大きく確保できるので配線抵抗を低く維持できる。

本発明では、前記第２電極において、前記間隙及び前記線状電極部は、複数の前記サブ画素に跨って連続して形成される構成を採用することができる。このような構成を採用すると。間隙及び線状電極部のパターニングを容易にできる。

本発明において、前記第２電極の前記線状電極部の個々は、その一部分又は全部が平面視で前記第１電極に重なり合う構成を採用することができる。

本発明において、前記第１電極は間隙を持たない面状電極である構成を採用することができる。このように構成すると、第２電極の個々の線状電極部はその全部が第１電極に平面視で重なり合うことになり、ＦＦＳモードを実現することができる。

ここで、第１電極は面状電極ではなく第２電極と同様に間隙と線状電極部とによって形成してもよい。この場合、第２電極の個々の線状電極部の全部ではなくて一部分が平面視で第１電極に重なり合うことがある。

本発明において、前記第１基板に設けられた第１配向膜及び第１偏光層と、前記第２基板に設けられた第２配向膜及び第２偏光層と、をさらに有し、前記第１配向膜及び前記第２配向膜にはラビングが施され、該ラビングの方向と前記線状電極部の延在方向との成す角度をαとするとき、
５°≦α≦２０°
であり、前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１配向膜に施されるラビングの方向と平行であり、前記第２配向膜に施されるラビングの方向は前記第１基板側のラビングの方向に対して逆平行であり、前記第２偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向に直交することが好ましい。このような構成を採用すると、ＦＦＳモードにおけるオン電圧印加時の液晶分子の配向変化を安定化することができ、しかもその配向変化が生じるしきい値電圧を低減でき、ＦＦＳモードにおいて高コントラストの表示を実現できる。

本発明において、前記液晶層は正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いて形成されることが好ましい。ラビングの方向の角度範囲を上記の角度範囲内の角度αに設定した液晶装置は、液晶層に正の誘電異方性を有する液晶を用いることができる。また、ＦＦＳモードを実現する際、液晶は正の誘電異方性を有する液晶に代えて、負の誘電異方性を有する液晶を用いることもできる。誘電異方性が正負で異なる場合には、ラビング方向がそれぞれに対して適正な方向に選定される。一般には、適正なラビング方向が両者間で９０°異なっている。

本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。本発明に係る液晶装置によれば、ＦＦＳモード等といった横電界モードの動作モードを実現できるので、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。また、第２電極と配線とを、第１電極と第２電極とを電気的に絶縁する誘電体膜を用いて絶縁することにしたので、配線と第２電極とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。従って、本発明を適用した液晶装置を用いた本発明に係る電子機器においても、低コストで簡単に高品質の表示を実現できる。

以下、本発明に係る液晶装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素を分かり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。

［液晶装置の第１実施形態］
図１は本発明の一実施形態である液晶装置の平面構造を示している。図２は図１のＺＢ−ＺＢ線に従った液晶装置の行方向Ｘに沿った断面構造を示している。図１において、左右方向を行方向Ｘとし、上下方向を列方向Ｙとしている。図２では、左右方向が行方向Ｘであり、紙面垂直方向が列方向Ｙである。行方向Ｘと列方向Ｙは互いに直交する方向である。本実施形態において、行方向Ｘは、後述するサブ画素の短手方向または後述する走査線の延在方向である。一方、列方向Ｙは、サブ画素の長手方向または後述するデータ線の延在方向である。

図２において、液晶装置１は液晶パネル２及び照明装置３を有する。矢印Ａで示す側が観察側であり、照明装置３は観察側と反対側に配置されてバックライトとして作用する。液晶パネル２は互いに対向する素子基板４及びカラーフィルタ基板５を有する。これらの基板は矢印Ａ方向（基板法線方向ということがある）から見て環状すなわち枠状のシール材７によって貼り合わされている。本実施形態では、カラーフィルタ基板５が観察側に配置され、素子基板４が背面側に配置される。

素子基板４とカラーフィルタ基板５の間には所定（例えば５μｍ程度）の間隙であるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層６が形成されている。液晶層は正の誘電異方性を有するネマチック液晶によって形成されている。正の誘電異方性を有する液晶は、電界が作用したときに液晶分子の長軸方向が電界方向と平行になるように旋回移動する性質を有している。

素子基板４は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性を有する材料によって形成された第１基板１１を有している。第１基板１１は基板法線方向から見て図１に示すように列方向Ｙに長い長方形状に形成されている。第１基板１１は正方形状であっても良い。図２において第１基板１１の外側の面上に第１偏光板１２が設けられている。必要に応じて、第１偏光板１２と第１基板１１との間に位相差膜を設けても良い。

第１基板１１の内側（液晶層側）の面上には、２端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子１３と、ＴＦＤ素子１３に導電接続された信号線としてのセグメントライン１４と、第１電極としての島状の画素電極１５とが設けられている。ＴＦＤ素子１３は２つのＴＦＤ要素を逆極性で直列に接続した、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造（詳しくは後述する）として形成されている。セグメントライン１４は、Ｃｒ（クロム）又はＣｒ合金から成り、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。セグメントライン１４は複数形成されており、図１に示すように、個々は列方向Ｙに延びる細い線状であり、それらの複数が行方向Ｘに所定間隔で互いに平行に形成されている。セグメントライン１４は、例えば液晶を駆動するための１つの信号であるデータ信号を伝送する。１本のセグメントライン１４に接続される複数のＴＦＤ素子１３はそのセグメントライン１４に沿って間隔を空けて設けられている。

図２において、画素電極１５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）等といった透光性を有する金属酸化物から成り、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。画素電極１５は複数形成されており、図１に示すように、個々は基板法線方向から見て列方向Ｙに長い長方形状の島状であり、それらの複数が行方向Ｘ及び列方向Ｙに列状に並ぶ状態に（いわゆる、ドットマトリクス状に）形成されている。

図２において、第１基板１１の両側の側方領域にコモンラインとしての複数の配線１７が設けられている。これらの配線１７は、いわゆる引回し配線である。これらの配線１７は、第１層であるＣｒの配線上に第２層であるＩＴＯの配線を積層することによって形成されている。これらの配線１７は、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。配線１７は、例えば液晶を駆動するための他の信号である走査信号を伝送する。なお、配線１７は、Ｃｒ又はその他の導電性金属によって単層で形成することもできる。

配線１７は、図１に示すように列方向Ｙへ異なった長さで線状に延びる部分１７ａと、行方向Ｘへ異なった長さで線状に延びる部分１７ｂとを有する。この配線１７の詳細については後述する。

図２において、ＴＦＤ素子１３、セグメントライン１４、画素電極１５及び配線１７を覆って誘電体膜１６が設けられている。誘電体膜１６は、例えばＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）等といった窒化膜や酸化膜、その他の有機系の透明樹脂によって形成されている。窒化膜及び酸化膜は無機膜である。誘電体膜１６はフォトエッチング処理によって、図１に示すように、全ての画素電極１５を覆う状態の長方形状に形成されている。

図２において、誘電体膜１６の上に第２電極としての共通電極１８が形成されている。共通電極は複数のサブ画素間にわたって設けられる共通の電極である。共通電極１８はＩＴＯ、ＩＺＯ等といった透光性を有する金属酸化物から成り、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。共通電極１８は、図１に示すように複数形成されており、個々は行方向Ｘに延びる帯状であり、それらの複数が列方向Ｙに間隔をおいて互いに平行に形成されている。複数の共通電極１８は１本ずつ左右へ交互に張り出す状態に形成されている。この張り出した共通電極１８の端部が配線１７に導電接続される。この共通電極１８と配線１７との接続構造についての詳細は後述する。

個々が島状に形成された複数の画素電極１５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに並べて配置されており、いわゆるドットマトリクス状に配置されている。一方、行方向Ｘに延びる帯状の共通電極１８は行方向Ｘに並んだ複数の画素電極１５と平面視で重なっている。画素電極１５と共通電極１８とが平面視で重なり合うドット状、すなわち島状の領域は複数の画素電極１５と同じくドットマトリクス状、すなわち行列状に並んでいる。これらの個々の島状領域は液晶駆動の制御単位であるサブ画素Ｐを構成する。そして、ドットマトリクス状に配置された複数のサブ画素Ｐによって表示領域Ｖが構成されている。

共通電極１８には、ＦＦＳモードを実現するために、個々のサブ画素Ｐに対応して、間隙としての複数のスリット２７及びそれらのスリット２７の間に形成された複数の線状電極部２８とが形成されている。これらのスリット２７及び線状電極部２８についての詳細は後述する。

本実施形態の液晶装置において、例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色を用いてカラー表示を行う場合には、個々のサブ画素Ｐにそれら３色のうちの各１色が割り当てられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した３つのサブ画素Ｐによって１つの表示画素が構成され、その表示画素がドットマトリクス状に集まって表示領域Ｖが構成される。Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に他の１色（例えば、青緑）を加えて４色でカラー表示を行う場合は、４つのサブ画素Ｐによって１つの表示画素が構成される。また、白黒２色やその他の任意の２色によって表示を行う場合には、個々のサブ画素Ｐがそのまま１つの表示画素になる。

図２において、共通電極１８及び誘電体膜１６を覆って第１基板１１上に第１配向膜１９が設けられている。図１では第１配向膜１９の図示を省略している。図２の第１配向膜１９は、例えばポリイミドから成り、例えば印刷法や転写法によって所定形状に形成されている。第１配向膜１９には、液晶層６内の液晶分子を所望の方向へ配向させるためのラビング処理が施されている。

次に、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性を有する材料によって形成された第２基板２２を有している。第２基板２２は基板法線方向から見て図１に鎖線で示すように列方向Ｙに長い長方形状に形成されている。第２基板２２は正方形状であっても良い。第２基板２２の列方向Ｙに沿った長さは第１基板１１よりも短くなっており、第１基板１１は１つの端辺部分において第２基板２２の外側へ張り出している。この第１基板１１の張出し部分上に駆動用ＩＣ２１がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって実装されている。第１基板１１上に設けたセグメントライン１４及び配線１７はそれぞれ駆動用ＩＣ２１の出力端子に導電接続されている。駆動用ＩＣ２１は、例えばセグメントライン１４にデータ信号を供給し、配線１７に走査信号を供給する。本実施形態においては、駆動用ＩＣ２１を３個設け、別個の駆動用ＩＣ２１によってセグメントライン１４と配線１７のそれぞれに信号が供給される構成となっている。この構成に代えて、１個の駆動用ＩＣ２１によってセグメントライン１４と配線１７の両方に信号を供給することもできる。

なお、第１基板１１と第２基板１２の張出し部以外の３つの辺端は、図１では構造を分かり易く示すために互いに位置がずれた状態で示されているが、実際には、それら３つの辺端は平面視で略一致して重なった状態となっている。

図２において第２基板２２の外側の面上に第２偏光板２３が設けられている。必要に応じて、第２偏光板２３と第２基板２２との間に視角補償用あるいはその他の用途の位相差膜を設けても良い。第２基板２２の内側（液晶層側）の面上には、カラーフィルタを構成する着色膜２４が設けられ、それらの周囲に遮光膜２５が設けられている。着色膜２４に括弧書きで付されたＲ、Ｇ、Ｂの符号は、それらの着色膜がＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各色を透過する特性を有することを示している。本実施形態では着色膜の配列形態としてストライプ配列が採用されており、行方向Ｘに沿ってＲ、Ｇ、Ｂの異なる色が交互に並び、列方向ＹにＲ、Ｇ、Ｂの同色が並んでいる。しかしながら、着色膜２４の色の配列形態はその他の任意の配列、例えばモザイク配列、デルタ配列でも良い。

着色膜２４は、例えば感光性樹脂に顔料や染料を混合させて成る樹脂材料から成り、例えばフォトリソグラフィ処理によって所定の配列のパターンに形成されている。遮光膜２５は、遮光性の樹脂材料、遮光性の金属材料、又は色の異なる着色膜２４を２色又は３色重ねることによって形成されている。

着色膜２４及び遮光膜２５の上にオーバーコート層２９が設けられている。オーバーコート層２９は着色膜２４の層の平坦化及び液晶層６の保護のため等に用いられる。オーバーコート層２９は、例えばアクリル系有機樹脂膜や、シリコン酸化膜等といった無機膜等を印刷することによって形成されている。そして、オーバーコート層２９の上に第２配向膜３０が設けられている。第２配向膜３０は、例えばポリイミドから成り、例えば印刷法や転写法によって所定形状に形成されている。第２配向膜３０には、液晶層６内の液晶分子を所望の方向へ配向させるためのラビング処理が施される。

素子基板４上の第１配向膜１９に対して行われるラビングの方向と、カラーフィルタ基板５上の第２配向膜３０に対して行われるラビングの方向は逆平行（アンチパラレル）の関係にあり、これらのラビングによって配向性を持ったそれらの配向膜により、液晶層６はホモジニアス配向に配向する。ホモジニアス配向は、周知の通り、基板に対してプレチルトを持った略平行の配向である。

次に、１つのサブ画素Ｐ及びその周辺の構成を図３及び図４に基づいて説明する。図３（ａ）は図１の素子基板４において第１基板１１上に誘電体膜１６を形成する前の段階の平面構造を示している。図３（ｂ）は第１基板１１上に帯状の共通電極１８を形成した段階の平面構造を示している。図４（ａ）は、図３（ａ）のＴＦＤ素子を拡大して示している。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＺＤ−ＺＤ線に従った断面構造を示している。

図３（ａ）において、個々のサブ画素Ｐの隅部にスイッチング素子としての薄膜ダイオードであるＴＦＤ素子１３が設けられている。ＴＦＤ素子１３は図４（ａ）に示すように２つのＴＦＤ要素１３ａ及び１３ｂを直列に接続して成る、いわゆるバック・ツー・バック構造に形成されている。ＴＦＤ素子１３は、もちろん、バック・ツー・バック構造でなく１つのＴＦＤ要素によって形成することもできる。個々のＴＦＤ要素１３ａ、１３ｂは、図４（ｂ）に示すように、第１基板１１上に形成された第１導電膜３２と、第１導電膜３２上に形成された絶縁膜３３と、絶縁膜３３上に形成された第２導電膜３４ａ、３４ｂとによって形成されている。

第１導電膜３２は、例えばＴａ（タンタル）又はＴａ合金から成り、例えばフォトエッチング処理によって島状に形成されている。絶縁膜３３は、例えば陽極酸化処理によってＴａＯｘ（酸化タンタル）として形成されている。第２導電膜３４ａ、３４ｂは、例えばＣｒによってセグメントライン１４をフォトエッチング処理によって形成する際に同時に形成される。第１ＴＦＤ要素１３ａと第２ＴＦＤ要素１３ｂは電気的には逆極性のダイオード素子であり、これらを直列に接続することにより、安定した電圧− 電流特性が得られるようになっている。第１ＴＦＤ要素１３ａの入力端子である第２導電膜３４ａはセグメントライン１４から一体的に延びている。第２ＴＦＤ要素１３ｂの出力端子である第２導電膜３４ｂは画素電極１５に導電接続されている。画素電極１５はサブ画素Ｐの領域内で面状に形成されている。

図３（ｂ）において、画素電極１５上に重ねて形成された帯状の共通電極１８は、個々のサブ画素Ｐに対応して間隙としての複数のスリット２７と、これらのスリット２７の間に形成された複数の線状電極部２８とを有している。複数のスリット２７及び複数の線状電極部２８は互いに平行に形成されている。スリット２７の延在方向（従って線状電極部２８の延在方向）とサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）との成す角βは、例えば
５°≦β≦２０°
の範囲内の角度に設定することができる。

図５は、図３（ｂ）におけるＺＥ線に従った断面構造を示している。図５において、画素電極１５は面状電極として形成されているので、共通電極１８の線状電極部２８はその幅全域が平面視で画素電極１５に重なり合っている。線状電極部２８と画素電極１５が平面視で重なり合った部分の誘電体膜１６には静電容量が形成される。画素電極１５と共通電極１８との間にしきい値電圧以上の電圧が印加されると、ＴＦＤ素子１３がオン状態になり、画素電極１５と共通電極１８の線状電極部２８との間に電界Ｅが形成される。電界Ｅが生じると、液晶層６を形成する正の誘電異方性の液晶の液晶分子６ａの長軸がその電界方向と平行になるように基板と平行の面内で旋回移動して配向が変化する。この液晶分子６ａの旋回移動により、液晶層６を通過する偏光が変調される。本実施形態における液晶分子６ａの配向制御は上記の通りに基板と平行の面内で行われるので、ＴＮモード等のような基板垂直方向での配向制御に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を行うことができる。

横電界モードとしてＦＦＳモードの他にＩＰＳ（In-Plain Switching）モードが知られている。ＩＰＳモードの場合には、図５において、画素電極１５が面状電極ではなく共通電極１８と同様な線状電極又は枠状電極として形成される。そして、共通電極１８の線状電極部２８が画素電極１５と平面視で重なり合うことなく、共通電極１８の線状電極部２８と画素電極１５の線状電極部分又は枠状電極部分との間に平面視で大きな間隔が形成される構造となっている。この構成のため、ＩＰＳモードの場合には、画素電極と共通電極との間に横電界を発生させることはできるが、共通電極の直上領域に十分な強度の電界を形成することができなかった。これに対し、ＦＦＳモードの場合には、共通電極１８の線状電極部２８が画素電極１５に平面視で重なっているので、線状電極部２８の直上領域にも十分な強度の電界を形成することができ、該領域を表示領域として十分に活用できる。このため、本実施形態のＦＦＳモードによれば、ＩＰＳモードの場合に比べて、より一層の広視野角化、より一層の高コントラスト化、より一層の高透過率化を得ることができる。

次に、図２の素子基板４上の第１偏光板１２及び第１配向膜１９、並びにカラーフィルタ基板５上の第２偏光板２３及び第２配向膜３０の光軸関係について、図６に基づいて説明する。図６（ａ）において、符号Ｒ１で示す矢印は素子基板４側の第１配向膜１９（図２参照）に対して行われるラビングの方向を示している。このラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して平行に設定されている。

そして、素子基板４上の共通電極１８内に形成されたスリット２７の延在方向（従って線状電極部２８の延在方向）とラビング方向Ｒ１との成す角度αは、例えば
５°≦α≦２０°
の範囲内の任意の角度に設定することができる。図３（ｂ）においてスリット２７の延在方向とサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）との成す角βが、例えば
５°≦β≦２０°
の範囲内の角度に設定できることは既述したが、サブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対するスリット２７の成す角度βと、スリット２７に対するラビング方向Ｒ１の成す角度αとが等しければ、ラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの短手方向と同じ方向である。α≠βであれば、ラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの短手方向に対してずれた方向となる。

スリット２７に対するラビング方向Ｒ１の成す角度αを、５°≦α≦２０°に設定すれば、ＦＦＳモードにおけるオン電圧印加時の液晶分子の配向変化を安定化することができ、しかもその配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる。

図７は偏光板の透過軸とラビング方向との関係を図式的に描いている。図７に示すように、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５上の第２配向膜３０（図２参照）に対して行われるラビングの方向は、符号Ｒ２で示すように素子基板４側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行である。そして、素子基板４側の第１偏光板１２の偏光透過軸２１２は素子基板４側のラビング方向Ｒ１と平行であり、カラーフィルタ基板５側の第２偏光板２３の偏光透過軸２２３は素子基板４側の偏光透過軸２１２に直交している。以上の光軸関係の設定により、ＦＦＳモードによる白表示と黒表示の切り替えを安定して実現できる。

図６（ａ）は画素電極１５と共通電極１８との間にＴＦＤ素子のしきい値電圧以下の電圧であるオフ電圧を印加した黒表示の状態を示している。このオフ電圧印加時、液晶分子６ａはその長軸がラビング方向Ｒ１と平行である初期配向状態にある。画素電極１５と共通電極１８との間にＴＦＤ素子のしきい値電圧以上の電圧であるオン電圧が印加されて白表示の状態になると、図６（ｂ）において、スリット２７の延在方向（従って、線状電極部２８の延在方向）に対して直角の方向に基板と平行な電界、いわゆる横電界が発生する。また、本実施形態では、共通電極１８の線状電極部２８と画素電極１５とが平面視で重なり合う位置関係になっているので、スリット２７と線状電極部２８との境界部分において基板に対して垂直方向の電界（いわゆる横斜め電界、放物線電界等と呼ばれる電界）が発生する。このような基板垂直方向の電界が発生する領域が、いわゆるフリンジフィールドと呼ばれている。正の誘電異方性を有する液晶の液晶分子６ａはその長軸が電界方向と同じ方向を向くように、基板と平行な平面内で旋回移動して配向が変化する。

以上に説明した本実施形態の液晶装置によれば、図２において照明装置３から液晶パネル２へ供給された面状の光は第１偏光板１２によって偏光された状態で液晶層６へ供給される。そして、図１の駆動用ＩＣ２１からの走査信号とデータ信号とによって図２の液晶層６に印加する電圧をサブ画素Ｐごとに制御することにより、液晶層６内の液晶分子６ａ（図６参照）の配向をサブ画素Ｐごとに制御し、液晶層６を通過する照明装置３からの光をサブ画素Ｐごとに変調する。こうして変調された光が第２偏光板２３へ供給され、第２偏光板２３で吸収されずに当該偏光板を透過した偏光によって図１の表示領域Ｖ内に画像が表示される。こうして透過型の表示が行われる。

以上のように構成された本実施形態の液晶装置は、図２に示すように、画素電極１５と共通電極１８の両電極が１つの基板である素子基板４上に設けられる構成の横電界型の液晶装置であるので、液晶分子は基板に対して平行な面内で配向制御される。このため、本実施形態の液晶装置によれば、ＴＮ型に代表される縦電界型の液晶装置に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

さらに、本実施形態の液晶装置は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、共通電極１８の線状電極部２８が画素電極１５に平面視で重なり合う構造のＦＦＳモードの液晶装置であるので、線状電極部２８の直上領域にも十分な電界を形成することができる。このため、線状電極部２８の直上領域に十分な電界を形成することができないＩＰＳモードに比べて、本実施形態の液晶装置は、より一層広視野角で、より一層高透過率の表示を実現できる。

本実施形態の液晶装置１によれば、ＴＦＤ素子１３をスイッチング素子として用いてＦＦＳモードの動作モードを実現できる。従来、スイッチング素子としてＴＦＴ素子に代表される３端子型スイッチング素子を用いる液晶装置が知られているが、３端子型スイッチング素子を用いた液晶装置は構成が複雑であり、その製造にあたって多くの工数を必要とし、コストアップは避けられない。これに対し、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いた本実施形態の液晶装置１は少ない工数で容易に低コストで製造できる。

このように本実施形態の液晶装置１は低コストで簡単に製造できるにも関らず、その動作モードはＦＦＳモード（すなわち、基板と平行な電界、いわゆる横電界によって液晶分子の配向を制御するモード）であるので、ＴＮモードに代表される縦電界モードの場合に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

次に、図１に示す第１基板１１上における誘電体膜１６、配線１７及び共通電極１８の構成について詳しく説明する。

まず、配線１７の構成について説明する。各配線１７は、共通電極１８と平面視で交差する方向（列方向Ｙ）に線状に延びる第１部分としての線状部分１７ａと、当該線状部分１７ａから略直角に曲げて設けられ、共通電極１８と平面視で平行の方向に延在する第２部分としての面状部分１７ｂとを有する。線状部分１７ａのシール材７よりも外側の端部は駆動用ＩＣ２１の出力端子（図示せず）に、例えばＡＣＦ等といった接着材によって導電接続されている。この線状部分１７ａは、駆動用ＩＣ２１から各共通電極１８までの間に設けられている。また、線状部分１７ａは、表示領域Ｖの外側の領域（いわゆる額縁領域）に配設されている。線状部分１７ａは駆動用ＩＣ２１と共通電極１８を接続するための引回し配線である。

一方、面状部分１７ｂは、線状部分１７ａを挟んで表示領域Ｖの反対側へ向けて行方向Ｘに延在する部分である。すなわち、線状部分１７ａから基板１１の端辺１１ｂ又は１１ｃへ向けて延在する部分である。各面状部分１７ｂは、それぞれが共通電極１８に平面視で重なる位置に配設されている。この面状部分１７ｂは、共通電極１８に導電接続される部分である。線状部分１７ａ及び面状部分１７ｂの一方又は両方は、Ｃｒ単体、Ｃｒ合金、Ａｌ（アルミニウム）単体、Ａｌ合金又は他の導電性金属材料によって単層に形成できる。また、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ又は他の金属酸化物を積層しても良い。

本実施形態において、配線１７の面状部分１７ｂは線状部分１７ａに比べて太く形成されている。すなわち、面状部分１７ｂの延在方向に直交する方向（列方向Ｙ）の当該面状部分１７ｂの幅Ｗ１は、線状部分１７ａの延在方向に直交する方向（行方向Ｘ）の当該線状部分１７ａの幅Ｗ０に比べて大きく形成されている（Ｗ０＜Ｗ１）。面状部分１７ｂは共通電極１８と導電接続される部分であり、この面状部分１７ｂの幅Ｗ１を大きくすることにより、共通電極１８との接触面積を大きくとることができる。その結果、配線１７と共通電極１８とを確実に接触させることができる。一方、線状部分１７ａは、表示領域Ｖの外側領域に引回される配線である。この線状部分１７ａの幅Ｗ０を小さくすることにより、外側領域を狭くできるので、液晶パネル２を小さく形成して液晶装置の小型化に寄与できる。また、表示領域Ｖを大きく形成して液晶装置の大画面化に寄与できる。

次に、誘電体膜１６、配線１７及び共通電極１８の相互の構造について説明する。複数の配線１７上には、図２に示すように、誘電体膜１６が設けられている。すなわち、配線１７は誘電体膜１６によって覆われている。この誘電体膜１６は、画素電極１５と共通電極１８の間に設けられてそれらの電極１５と電極１８とを電気的に絶縁する膜である。この誘電体膜１６を配線１７上まで延在させることにより、配線１７を覆っている。誘電体膜１６は、行方向Ｘに関して、面状部分１７ｂの途中まで延在しているため、誘電体膜１６が存在していない領域がある。従って、誘電体膜１６が存在していない領域では、面状部分１７ｂの一部が誘電体膜１６の端辺から露出している。

なお、誘電体膜１６は、図１に示すように、シール材７より内側の領域に形成されており、線状部分１７ａのうちシール材７の外側に延びる部分（すなわち、第１基板１１の張出し部上に延びる部分）は誘電体膜１６から露出している。

誘電体膜１６上において行方向Ｘに帯状に形成された共通電極１８は、それぞれが面状部分１７ｂに平面視で重なる部分において誘電体膜１６の端辺から外側に延出している。すなわち、共通電極１８は誘電体膜１６上から当該誘電体膜１６が形成されていない領域に向けて導出されている。このように共通電極１８の延出した部分が、図２に示すように、誘電体膜１６が形成されていない領域において、誘電体膜１６の端辺から露出した配線１７の面状部分１７ｂ上に載って接触する。これにより、共通電極１８と配線１７とが導電接続する。

ＴＦＤ素子を用いたＦＦＳモードの液晶装置では、図１に示すように、複数の共通電極１８とそれらの共通電極１８に導電接続される複数の配線１７とが同じ基板１１上に配設されている。この構成において、列方向Ｙに延びる線状部分１７ａと行方向Ｘに延びる共通電極１８とが平面視で重なる部分（例えば、図１において斜線で示す部分）が生じる。この部分は、複数の配線１７と複数の共通電極１８のうち、互いに導電接続されないもの同士が交差する部分であり、電気的に絶縁する必要がある。

本実施形態では、図２に示すように、画素電極１５と共通電極１８とを電気的に絶縁する誘電体膜１６によって配線１７を覆う構成とした。これにより、当該誘電体膜１６を用いて、配線１７とその配線１７に接続されるものとは別の共通電極１８とを電気的に絶縁することができるので、配線１７を絶縁する構造を特別に設ける必要がなくなる。その結果、配線１７と共通電極１８とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。

また、配線１７の面状部分１７ｂの一部を誘電体膜１６の端辺から露出させ、その露出した部分に共通電極１８が載って接触する構成とした。こうすれば、誘電体膜１６の外側で面状部分１７ｂと共通電極１８とが確実に接触できるので、それらの間に誘電体膜が介在することなく、配線１７と共通電極１８とを確実に導電接続できる。

［液晶装置の第２実施形態］
次に、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態を説明する。図８は、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態を示す図であり、液晶装置の観察側から見た平面図である。図９は、図８のＺＩ− ＺＩ線に従った断面構造を示す図である。図８及び図９において、図１及び図２に示した液晶装置１と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにしてそれらについての説明は省略する。

図１に示した第１実施形態に係る液晶装置１では、素子基板４の構成要素である第１基板１１上において、配線である配線１７を誘電体膜１６で覆い、配線１７の一部を誘電体膜１６の端辺から露出させ、その露出した部分において第２電極としての帯状の共通電極１８と導電接続する構成としている。これに対して本実施形態では、共通電極とコモンラインとの接続構造に改変を加えている。

図８において、誘電体膜１６が全ての画素電極１５及び全ての配線１７を覆うことは、図１に示す実施形態と同じである。図８の実施形態が図１の実施形態と異なっているのは、図１では面状部分１７ｂの一部が誘電体膜１６の端辺から露出しているのに対し、図８では面状部分１７ｂの全体が誘電体膜１６で覆われていることである。

誘電体膜１６の各面状部分１７ａに平面視で重なる部分には、コンタクトホール４６（誘電体膜が存在していない領域）が形成されている。このコンタクトホール４６は、図９に示すように、誘電体膜１６の厚み方向（図の上下方向）に貫通する穴である。従って、面状部分１７ｂの表面はコンタクトホール４６において誘電体膜１６から露出している。なお、図８に示すコンタクトホール４６は平面形状が矩形状であるが、これに代えて円形状としても良い。

このように、コンタクトホール４６が形成された誘電体膜１６上に、共通電極１８が形成されている。共通電極１８は、行方向Ｘに帯状に形成されており、その端部が面状部分１７ｂに平面視で重なっている。この共通電極１８は、図９に示すように、コンタクトホール４６の内側にも形成され、そのコンタクトホール４６の底部で配線１７の面状部分１７ｂ上に載って接触することにより、配線１７と導電接続されている。

本実施形態においても、図８に示すように、画素電極１５と共通電極１８とを電気的に絶縁する誘電体膜１６によって配線１７を覆う構成としたことにより、当該誘電体膜１６を用いて、配線１７とその配線１７に接続されるものとは別の共通電極１８とを電気的に絶縁することができる。具体的には、配線１７の線状部分１７ａと共通電極１８とが平面的に重なる部分（図の斜線部分）を誘電体膜１６によって絶縁することができる。従って、配線１７を絶縁する構造を特別に設ける必要がなくなる。その結果、配線１７と共通電極１８とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。

また、配線１７の面状部分１７ｂに平面視で重なる部分の誘電体膜１６にコンタクトホール４６を形成し、そのコンタクトホール４６を介して共通電極１８と配線１７の面状部分１７ｂとを導電接続する構成とした。こうすれば、配線１７の線状部分１７ａと共通電極１８とが平面的に重なる部分（図の斜線部分）を絶縁しつつ、コンタクトホール４６において面状部分１７ｂと共通電極１８とが接触できるので、配線１７と共通電極１８とを確実に導電接続できる。

液晶装置において導電接続をするために設けられるコンタクトホールは、一般に、面状部分の幅に対して小さい幅に形成される。しかしながら、本実施形態では、コンタクトホール４６を、面状部分１７ｂの延在方向に直交する方向（列方向Ｙ）の幅Ｗ１と略同じであって、できるだけ幅Ｗ１に近くなるように大きく形成している。また、コンタクトホール４６の幅は、面状部分１７ｂの幅Ｗ１と全く同じ幅にすることもできるし、場合によっては幅Ｗ１より広くすることもできる。いずれの場合においても、共通電極１８と面状部分１７ｂとが接触する面積を大きくできるので、それらの接触性を良好にできる。なお、コンタクトホール４６は、共通電極１８と面状部分１７ｂとの接触性を阻害することがない程度に面状部分１７ｂの幅Ｗ１より小さい幅に形成することもできる。

［液晶装置の第３実施形態］
上記の第１実施形態および第２実施形態では、スイッチング素子として二端子素子を用いたが、以下に説明する第３実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（三端子素子）を用いた例を説明する。なお、本形態の基本的な構成は、第１実施形態と同様であるため、可能な限り、共通する部分には同一の符号を付して説明する。また、薄膜トランジスタを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。

（全体構成）
図１０は、本発明を適用した液晶装置１に用いた素子基板４の表示領域Ｖの電気的な構成を示す等価回路図である。図１０に示すように、液晶装置１の表示領域Ｖには複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に形成されている。複数のサブ画素Ｐの各々には、第１電極としての画素電極１５、および画素電極１５を制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ８０が形成されており、データ信号（画像信号）を線順次で供給するデータ線８ａが薄膜トランジスタ８０のソースに導電接続されている。薄膜トランジスタ８０のゲートには走査線９ａが導電接続されている。画素電極１５は、薄膜トランジスタ８０のドレインに導電接続されており、薄膜トランジスタ８０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線８ａから供給されるデータ信号を各サブ画素Ｐに所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１５を介して、液晶６に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板４に形成された第２電極としての共通電極１８との間で一定期間保持される。ここで、画素電極１５と共通電極１８との間には保持容量６０が形成されており、画素電極１５の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置１が実現できる。

（各画素の詳細な構成）
図１１は、本発明を適用した液晶装置１に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図である。図１２（ａ）、（ｂ）は、本形態の液晶装置のサブ画素１つ分の断面図、および共通電極と配線との接続部分の構造を示す断面図である。図１２（ａ）は、図１１のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図に相当し、図１２（ｂ）は、図１１のＢ−Ｂ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図に相当する。

図１１および図１２（ａ）に示すように、素子基板４上には、マトリクス状にＩＴＯ膜からなる複数の透明な画素電極１５（第１電極）が各サブ画素Ｐ毎に形成され、画素電極１５の縦横の境界領域に沿ってデータ線８ａおよび走査線９ａが形成されている。画素電極１５は、間隙を持たない面状電極である。

また、素子基板４の表示領域Ｖには、走査線９ａの延在方向に延びたＩＴＯ膜からなる帯状の共通電極１８が形成されており、かかる共通電極１８は、データ線８ａが延びている方向に複数、並列している。共通電極１８には、スリット２７（間隙）が複数、形成されており、複数のスリット２７の各間に線状電極部２８が形成されている。本形態において、複数のスリット２７および線状電極部２８は、走査線９ａの延設方向に対して斜めに延びており、複数のスリット２７同士、および線状電極部２８同士は互いに平行に延びている。スリット２７の延在方向（線状電極部２８の延在方向）とサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）との成す角βは、例えば
５°≦β≦２０°
の範囲内の角度に設定することができる。なお、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５上の第２配向膜３０に対して行われるラビングの方向は、素子基板４側の第１配向膜１９に対して行われるラビング方向に対して逆平行である。なお、図示を省略するが、素子基板４側の第１偏光板の偏光透過軸は素子基板４側の第１配向膜１９に対するラビング方向と平行であり、カラーフィルタ基板５側の第２偏光板の偏光透過軸は素子基板４側の偏光透過軸に直交している。

図１２（ａ）に示す素子基板４の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの第１基板１１からなり、カラーフィルタ基板５の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの第２基板２２からなる。本形態では、第１基板１１および第２基板２２のいずれについてもガラス基板が用いられている。カラーフィルタ基板５では、第２基板２２にカラーフィルタ２４およびオーバーコート層２９が形成されている。

素子基板４には、第１基板１１の表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜１１ａが形成されているとともに、その表面側において、各画素電極１５と重なる位置にトップゲート構造の薄膜トランジスタ８０が形成されている。図１１および図１２（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ８０は、島状の半導体膜８４に対して、チャネル領域８４ａ、ソース領域８４ｂ、ドレイン領域８４ｃが形成された構造を備えており、チャネル領域８４ａの両側に低濃度領域を備えたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するように形成されることもある。本形態において、半導体膜８４は、アモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。

半導体膜８４の上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜８１が形成され、ゲート絶縁膜８１の上層には、チャネル領域８４ａと対向するように、走査線９ａの一部がゲート電極として重なっている。本形態では、ゲート電極は、チャネル方向における２箇所に形成されたツインゲート構造を有する場合がある。

ゲート電極（走査線９ａ）の上層にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜８２が形成されている。層間絶縁膜８２の表面にはデータ線８ａが形成され、このデータ線８ａは、層間絶縁膜８２に形成されたコンタクトホール４７ａを介してソース領域８４ｂに導電接続している。また、層間絶縁膜８２の表面にはドレイン電極８ｂが形成されており、ドレイン電極８ｂは、データ線８ａと同時形成された導電膜である。

データ線８ａおよびドレイン電極８ｂの上層側には、層間絶縁膜８３が形成されている。本形態において、層間絶縁膜８３は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。

層間絶縁膜８３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極１５が島状に形成されている。画素電極１５は、層間絶縁膜８３に形成されたコンタクトホール４８を介してドレイン電極８ｂに導電接続し、このドレイン電極８ｂは、層間絶縁膜８２およびゲート絶縁膜８１に形成されたコンタクトホール４７ｂを介してドレイン領域８４ｃに導電接続している。

画素電極１５の表面には誘電体膜１６が形成されている。本形態において、誘電体膜１６は、膜厚が４００ｎｍ以下のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる。

誘電体膜１６の上層には、ＩＴＯ膜からなる共通電極１８が形成されている。共通電極１８は、画素電極１５に対する対向電極と機能し、画素電極１５と共通電極１８との間に形成された電界によって液晶層６を駆動することができる。また、共通電極１８は、画素電極１５に対して誘電体膜１６を介して対向し、保持容量６０が形成されている。

（共通電極１８と配線との導電接続構造）
本形態の液晶装置１において、複数の走査線９ａは、表示領域Ｖの外側領域で走査線駆動回路（図示せず）まで引き回されている。また、外側領域Ｗには、共通電極１８と導電接続される複数の配線１７が引き回されている。図１１および図１２（ｂ）に示す例では、共通電極１８に対する複数の配線１７は、表示領域Ｖの外側領域Ｗで走査線９ａの引き回し配線９ｅよりもさらに外側で引き回されている。

配線１７は、共通電極１８の延在方向と交差する方向に延在する第１部分としての線状部分１７ａと、線状部分１７ａに接続されて共通電極１８が延在する方向に延在する第２部分としての面状部分１７ｂを有している。本形態では、面状部分１７ｂは、線状部分１７ａから表示領域Ｖが位置する側と同一側に延在している。また、面状部分１７ｂにおいて、面状部分１７ｂの延在方向と直交する方向の幅Ｗ１は、線状部分１７ａにおいて、線状部分１７ａの延在方向と直交する方向の幅Ｗ０に比べて広くなっている。

ここで、配線１７は、走査線９ａと同時形成された導電膜であり、ゲート絶縁層８１と層間絶縁膜８２との層間に形成されている。

このように構成した液晶装置１において、共通電極１８と配線１７とを導電接続するにあたって、本形態では、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６において、配線１７と重なる位置にコンタクトホール４９（誘電体膜が存在していない領域）が形成されており、かかるコンタクトホール４９の底部では配線１７が露出している。従って、本形態では、共通電極１８をコンタクトホール４９と重なる位置まで導出し、コンタクトホール４９を経由して、共通電極１８と配線１７とを導電接続している。その際、共通電極１８と走査線９ａの引き回し配線９ｅが交差することになるが、共通電極１８と走査線９ａの引き回し配線９ｅとの間には、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６が介在するので、短絡することがない。

また、共通電極１８は、他の共通電極１８と導電接続する配線１７と交差するが、共通電極１８と配線１７との間にも、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６が介在するので、短絡することがない。

このように、本形態によれば、共通電極１８の絶縁分離に誘電体膜１９を利用したので、絶縁膜を追加しなくてもよい。また、本形態では、複数の共通電極１８の各々に配線１７を接続したため、複数の共通電極１８において異なる信号を供給する駆動方式を採用することができる。

また、複数の共通電極１８を共通の配線１７に導電接続した構造を採用することもでき、この場合も、共通電極１８と配線１７との導電接続には、図１１および図１２（ｂ）に示す構造を採用すればよい。

なお、上記の説明では、便宜上、表示領域Ｖの外側領域Ｗの一方のみで共通電極１８と配線１７との導電接続を行なった例を説明したが、表示領域Ｖの外側領域Ｗのうち、表示領域Ｖを挟む両側を利用して共通電極１８と配線１７との導電接続を行なってもよい。

［液晶装置の第４実施形態］
図１３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の第４実施形態に係る液晶装置１に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図、および共通電極と配線との接続部分の構造を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、第３実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明するとともに、サブ画素Ｐの構成は、図１２（ａ）などを参照して説明する。

図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１においても、第３実施形態と同様、外側領域Ｗには、共通電極１８と導電接続される複数の配線１７が引き回されている。また、ここに示す例では、共通電極１８に対する複数の配線１７は、表示領域Ｖの外側領域Ｗで走査線９ａの引き回し配線９ｅよりもさらに外側で引き回されている。配線１７は、共通電極１８の延在方向と交差する方向に延在する第１部分としての線状部分１７ａと、線状部分１７ａに接続されて共通電極１８が延在する方向に延在する第２部分としての面状部分１７ｂを有している。本形態では、面状部分１７ｂは、線状部分１７ａから表示領域Ｖが位置する側と同一側に延在している。

ここで、配線１７は、図１２（ａ）を参照して説明したデータ８ａと同時形成された導電膜であり、層間絶縁膜８２と層間絶縁膜８３との層間に形成されている。

このように構成した液晶装置１において、共通電極１８と配線１７とを導電接続するにあたって、本形態では、層間絶縁膜８３および誘電体膜１６において、配線１７と重なる位置にコンタクトホール４９が形成されており、かかるコンタクトホール４９の底部では配線１７が露出している。従って、本形態では、共通電極１８をコンタクトホール４９と重なる位置まで導出し、コンタクトホール４９を経由して、共通電極１８と配線１７とを導電接続している。その際、共通電極１８と走査線９ａの引き回し配線９ｅが交差することになるが、共通電極１８と走査線９ａの引き回し配線９ｅとの間には、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６が介在するので、短絡することがない。また、共通電極１８は、他の共通電極１８と導電接続する配線１７と交差するが、共通電極１８と配線１７との間にも、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６が介在するので、短絡することがない。それ故、本形態によれば、共通電極１８の絶縁分離に誘電体膜１９を利用したので、絶縁膜を追加しなくてもよい。また、本形態では、複数の共通電極１８の各々に配線１７を接続したため、複数の共通電極１８において異なる信号を供給する駆動方式を採用することができる。

また、複数の共通電極１８を共通の配線１７に導電接続した構造を採用することもでき、この場合も、共通電極１８と配線１７との導電接続には、図１１および図１２（ｂ）に示す構造を採用すればよい。なお、上記の説明では、便宜上、表示領域Ｖの外側領域Ｗの一方のみで共通電極１８と配線１７との導電接続を行なった例を説明したが、表示領域Ｖの外側領域Ｗのうち、表示領域Ｖを挟む両側を利用して共通電極１８と配線１７との導電接続を行なってもよい。

［液晶装置の第５実施形態］
図１４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の第５実施形態に係る液晶装置１に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図、および共通電極と配線との接続部分の構造を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、第３実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明するとともに、サブ画素Ｐの構成は、図１２（ａ）などを参照して説明する。

図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１においても、第３実施形態と同様、外側領域Ｗには、共通電極１８と導電接続される複数の配線１７が引き回されている。但し、ここに示す例では、第３実施形態と違って、共通電極１８に対する複数の配線１７は、表示領域Ｖの外側領域Ｗで走査線９ａの引き回し配線９ｅよりも内側で引き回されている。配線１７は、共通電極１８の延在方向と交差する方向に延在する第１部分としての線状部分１７ａと、線状部分１７ａに接続されて共通電極１８が延在する方向に延在する第２部分としての面状部分１７ｂを有している。本形態では、面状部分１７ｂは、線状部分１７ａから表示領域Ｖが位置する側と同一側に延在している。

ここで、配線１７は、第４実施形態と同様、図１２（ａ）を参照して説明したデータ線８ａと同時形成された導電膜であり、層間絶縁膜８２と層間絶縁膜８３との層間に形成されている。このため、層間絶縁膜８３および誘電体膜１６において、配線１７と重なる位置にコンタクトホール４９が形成されており、かかるコンタクトホール４９を経由して、共通電極１８と配線１７とを導電接続している。その際、共通電極１８と走査線９ａの引き回し配線９ｅが交差することになるが、共通電極１８と走査線９ａの引き回し配線９ｅとの間には、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６が介在するので、短絡することがない。また、共通電極１８は、他の共通電極１８と導電接続する配線１７と交差するが、共通電極１８と配線１７との間にも、層間絶縁膜８２、８３および誘電体膜１６が介在するので、短絡することがない。それ故、本形態によれば、共通電極１８の絶縁分離に誘電体膜１９を利用したので、絶縁膜を追加しなくてもよい。

［液晶装置の第６実施形態］
図１５は、本発明の第６実施形態に係る液晶装置１に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図である。なお、本形態の基本的な構成は、第３実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。

第３実施形態などでは、平面視で矩形のコンタクトホール４９を１つ用いて共通電極１８と配線１７とを導電接続したが、図１５に示すように、例えば、平面視で円形のコンタクトホール４９を複数、用いて共通電極１８と配線１７とを導電接続してもよい。

［液晶装置の第７実施形態］
図１６は、本発明の第７実施形態に係る液晶装置１に用いた素子基板に形成した薄膜トランジスタの断面図である。上記第３実施形態などでは、半導体膜８４として、ポリシコン膜を用いたが、図１６に示すように、アモルファスシリコン膜を用いてもよい。この場合、素子基板４には、第１基板１１の表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側には、走査線９ａ、ゲート絶縁層８１、アモルファスシリコンからなる半導体膜８４、およびデータ線８ａがこの順に形成される。また、半導体膜８４には、データ線８ａと同層のドレイン電極８ｂが部分的に重なって、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタ８０が形成されている。データ線８ａおよびドレイン電極８ｂの上層側には、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜８２、および感光性樹脂からなる層間絶縁膜８３が形成されている。層間絶縁膜８３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極１５が島状に形成されている。画素電極１５は、層間絶縁膜８２、８３に形成されたコンタクトホール４８を介してドレイン電極８ｂに導電接続している。画素電極１５の表面には誘電体膜１６が形成されている。本形態において、誘電体膜１６は、膜厚が４００ｎｍ以下のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる。誘電体膜１６の上層には、ＩＴＯ膜からなる共通電極１８が形成されている。共通電極１８は、画素電極１５に対する対向電極と機能し、画素電極１５と共通電極１８との間に形成された電界によって液晶層６を駆動することができる。なお、共通電極１８には、スリット２７および線状電極部２８が形成されている。

このような構成の液晶装置１でも、共通電極１８は、表示領域の外側領域で配線と導電接続される。配線は、走査線９ａあるいはデータ線８ａと同層の導電膜を用いることができ、いずれの場合も、誘電体層１６およびゲート絶縁層８１を貫通するコンタクトホール（誘電体層１６が存在していない領域）を経由して、共通電極１８と配線とを導電接続することができる。

［液晶装置の第８実施形態］
上記実施形態では、共通電極１８と配線１７は直接、導電接続している構成であったが、共通電極１８が中継電極を介して配線１７に導電接続している構成を採用してもよい。例えば、図１２（ｂ）に示す構造において、データ線と同時形成された中継電極と、共通電極１８とを層間絶縁膜８３および誘電体膜１８を貫通するコンタクトホールを介して導電接続させ、走査線と同時形成された配線１７と、中継電極とを層間絶縁膜８２およびゲート絶縁層８１を貫通するコンタクトホールを介して導電接続させてもよい。この場合、中継電極と共通電極１８とを導電接続するコンタクトホール（誘電体層１６が存在していない領域）と、中継電極と配線とを導電接続するコンタクトホールについては、平面視で重なっている構成に限らず、平面視でずれた位置に形成されていてもよい。

かかる構成の場合、配線と平面視で重なる位置には、誘電体膜が厚み方向に除去されたコンタクトホールが形成されていないが、誘電体膜において、共通電極と平面視で重なる位置には、誘電体膜が厚み方向に除去されたコンタクトホールが設けられ、共通電極は、当該コンタクトホールを経由して配線に導電接続されることになる。

［その他の実施形態］
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例えば、以上の各実施形態では、図１又は図８等に示すように、帯状電極である共通電極１８内にスリット２７及び線状電極部２８が形成され、これらのスリット２７及び線状電極部２８と、対向する画素電極１５との協働により、基板と平行な電界及びフリンジフィールド領域に形成される斜め電界が形成される。そして、スリット２７及び線状電極部２８を個々の画素電極１５に対応する領域（従って、個々のサブ画素Ｐに対応する領域）ごとに形成している。但し、この構成に代えて、スリット２７及び線状電極部２８を複数のサブ画素Ｐにわたって連続状態で形成することも可能である。

スリット２７及び線状電極部２８を個々のサブ画素Ｐごとに形成する場合には、共通電極１８の面積を大きく確保できるので、その共通電極１８の配線抵抗を低く維持できる。一方、スリット２７及び線状電極部２８を複数のサブ画素Ｐにわたって連続して形成する場合には、スリット２７及び線状電極部２８のパターニングを容易にできる。

また、本実施形態では、図２又は図９などに示す液晶層６を形成する液晶として、正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いた。この正の誘電異方性のネマチック液晶に代えて、負の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いることもできる。どちらの液晶を用いる場合でも、ラビング方向を適切に選定することにより、ＦＦＳモードのための液晶分子の適正な初期配向を得ることができる。一般には、適正なラビング方向は両者間で９０°異なっている。

［電子機器の第１実施形態］
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図１７は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。また、制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１０１は、図１〜図１６を参照して説明した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、ＴＦＤ素子１３や薄膜トランジスタ８０をスイッチング素子として用いてＦＦＳモードの動作モードを実現できる。スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いれば、液晶装置１を少ない工数で容易に低コストで製造できる。また、共通電極１８と配線１７とを、画素電極１５と共通電極１８の間の誘電体膜１６を用いて絶縁することにしたので、配線１７と共通電極１８とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。それにも関らず、液晶装置１はＦＦＳモードの液晶装置であるので、電子機器の表示装置として好適である広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

［電子機器の第２実施形態］
図１８は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１４が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１５に表示される。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。本体部１１１には操作ボタン１１６及び送話部１１７が設けられる。

表示装置１１３は、例えば、図１〜図１６を参照して説明した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、ＴＦＤ素子１３や薄膜トランジスタ８０をスイッチング素子として用いてＦＦＳモードの動作モードを実現できる。スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いれば、液晶装置１を少ない工数で容易に低コストで製造できる。また、共通電極１８と配線１７とを、画素電極１５と共通電極１８の間の誘電体膜１６を用いて絶縁することにしたので、配線１７と共通電極１８とを電気的に絶縁する構成を容易に形成できる。それにも関らず、液晶装置１はＦＦＳモードの液晶装置であるので、電子機器の表示装置として好適である広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の電子機器を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例えば、本発明は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。

本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す平面断面図である。 図１のＺＢ− ＺＢ線に従った液晶装置の行方向Ｘに沿った断面図である。 図１の液晶装置のサブ画素及びその近傍の平面図であり、（ａ）は共通電極形成前の状態を示し、（ｂ）は共通電極形成後の状態を示している。 ＴＦＤ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 図３（ｂ）におけるＺＥ線に従った断面図である。 液晶分子の配向状態を示す平面図であり、（ａ）はオフ電圧印加時の初期配向状態、（ｂ）はオン電圧印加時の状態を示している。 ラビング方向及び偏光透過軸の光軸関係を図式的に示す図である。 本発明に係る液晶装置の他の実施形態を示す平面断面図である。 図８のＺＩ− ＺＩ線に従った液晶装置の行方向Ｘに沿った断面図である。 本発明の第３実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。 本発明の第３実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本形態の液晶装置のサブ画素１つ分の断面図、および共通電極と配線との接続部分の構造を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の第４実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図、および共通電極と配線との接続部分の構造を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の第５実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図、および共通電極と配線との接続部分の構造を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板の複数のサブ画素を抜き出して示す平面図である。 本発明の第７実施形態に係る液晶装置に用いた素子基板に形成した薄膜トランジスタの断面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す回路ブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。

符号の説明

１、４１、５１．液晶装置、 ２．液晶パネル、 ３．照明装置、 ４．素子基板、 ５．カラーフィルタ基板、 ６．液晶層、 ６ａ．液晶分子、 ７．シール材、 ８ａ．データ線、 ９ａ．走査線、 １１．第１基板、 １２．第１偏光板、 １３．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、 １３ａ．第１ＴＦＤ要素、 １３ｂ．第２ＴＦＤ要素、 １４．セグメントライン（信号線）、 １５．画素電極（第１電極）、 １６．誘電体膜、 １７．配線、 １７ａ．線状部分（第１部分）、１７ｂ．面状部分（第２部分）、 １８．共通電極（第２電極）、 １９．第１配向膜、２１．駆動用ＩＣ、 ２２．第２基板、 ２３．第２偏光板、 ２４．着色膜、２５．遮光膜、 ２７．スリット（間隙）、 ２８．線状電極部、２９．オーバーコート層、 ３０．第２配向膜、 ３２．第１導電膜、 ３３．絶縁膜、 ３４ａ、３４ｂ．第２導電膜、 ４６、４９．コンタクトホール（誘電体膜が存在していない領域）、 ８０．薄膜トランジスタ、 １０１．液晶装置、 １１０．携帯電話機（電子機器）、 ２１２、２２３．偏光透過軸、 Ｅ．電界、 Ｐ．サブ画素、 Ｖ．表示領域、 Ｗ０．線状部分の幅、 Ｗ１．面状部分の幅

Claims (25)

1. 液晶層を挟んで互いに対向する第１基板及び第２基板を有する液晶装置において、
   前記第１基板上には、信号線と、該信号線に導電接続したスイッチング素子と、該スイッチング素子に導電接続した第１電極と、配線と、前記第１電極、前記スイッチング素子及び前記配線を覆う誘電体膜と、該誘電体膜上で前記第１電極に対向する第２電極と、を有し、
   前記第２電極は前記誘電体膜上から該誘電体膜が存在していない領域に向けて導出されて、当該誘電体膜が存在していない領域を経由して前記配線に導電接続していることを特徴とする液晶装置。
2. 前記第２電極は、前記誘電体膜が存在していない領域で前記配線に導電接続していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第２電極は、直接、前記配線に導電接続していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 前記第２電極は、中継電極を介して前記配線に導電接続していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
5. 前記配線は、平面視で前記誘電体膜の端辺から露出する部分を有しており、
   前記第２電極は、前記誘電体膜から露出した部分の前記配線に導電接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
6. 前記誘電体膜において、前記配線と平面視で重なる位置には、当該誘電体膜が厚み方向に除去されたコンタクトホールが設けられ、
   前記第２電極は前記コンタクトホールを経由して前記配線に導電接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
7. 前記誘電体膜において、前記第２電極と平面視で重なる位置には、当該誘電体膜が厚み方向に除去されたコンタクトホールが設けられ、
   前記第２電極は前記コンタクトホールを経由して前記配線に導電接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
8. 前記スイッチング素子は、第１導電膜と、該第１導電膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２導電膜とを有する２端子型スイッチング素子であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
9. 前記配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方と同層に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
10. 前記スイッチング素子は、前記信号線が導電接続するソース領域、チャネル領域、および前記第１電極が導電接続するドレイン領域を備えた半導体層と、前記チャネル領域に対してゲート絶縁層を介して対向するゲート電極とを有する３端子型スイッチング素子であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
11. 前記配線は、前記ゲート電極および前記信号線のうちの一方と同層に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置。
12. 前記信号線は、前記第１基板上に同一方向に複数が並列して延在し、
    前記第１電極は、前記第１基板上で前記信号線の延在方向および当該信号線の延在方向に交差する方向の各々に沿って複数形成され、
    前記第２電極は、前記信号線の延在方向と交差する方向に延在して複数の前記第１電極と平面視で重なり合う帯状電極であり、当該帯状電極は、前記信号線の延在方向で所定の間隔を空けて複数本が並列していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
13. 前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合うサブ画素が複数配列されている領域によって表示領域が形成され、
    前記配線は、平面視で前記表示領域の外側領域に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
14. 前記配線は、前記表示領域の外側領域のうち、当該表示領域を間に挟む両側に形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置。
15. 前記配線は、前記第２電極の延在方向と交差する方向に延在する第１部分と、該第１部分に接続されて前記第２電極と平行な方向に延在する第２部分とを有し、
    前記第２電極は前記第２部分に導電接続されることを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置。
16. 前記第２部分は、前記第１部分から前記表示領域が位置する側と反対側に延在していることを特徴とする請求項１５に記載の液晶装置。
17. 前記第２部分は、前記第１部分から前記表示領域が位置する側と同一側に延在していることを特徴とする請求項１５に記載の液晶装置。
18. 前記第２部分において、当該第２部分の延在方向と直交する方向の幅Ｗ１は、前記第１部分において、当該第１部分の延在方向と直交する方向の幅Ｗ０に比べて広いことを特徴とする請求項１５に記載の液晶装置。
19. 前記第２電極は、間隙を有して並列する複数の線状電極部を前記第１電極に対向する領域に有していることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装置。
20. 前記第２電極において、前記間隙及び前記線状電極部は、複数の前記サブ画素ごとに形成されることを特徴とする請求項１９に記載の液晶装置。
21. 前記第２電極において、前記間隙及び前記線状電極部は、複数の前記サブ画素に跨って連続して形成されることを特徴とする請求項１９に記載の液晶装置。
22. 前記第２電極の前記線状電極部の個々は、その一部分又は全部が平面視で前記第１電極に重なり合うことを特徴とする請求項１９に記載の液晶装置。
23. 前記第１電極は間隙を持たない面状電極であることを特徴とする請求項１９に記載の液晶装置。
24. 前記第１基板に設けられた第１配向膜及び第１偏光層と、前記第２基板に設けられた第２配向膜及び第２偏光層と、をさらに有し、前記第１配向膜及び前記第２配向膜にはラビングが施され、該ラビングの方向と前記線状電極部の延在方向との成す角度をαとするとき、
    ５°≦α≦２０°
    であり、
    前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１配向膜に施されるラビングの方向と平行であり、
    前記第２配向膜に施されるラビングの方向は前記第１基板側のラビングの方向に対して逆平行であり、
    前記第２偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向に直交することを特徴とする請求項１９に記載の液晶装置。
25. 前記液晶層は正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いて形成されていることを特徴とする請求項１の記載の液晶装置。

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