JP4552780B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
C=ε1×S/l……(1)
である。
1/C’=1/(ε1×S/l1)+1/(ε2×S/l2)……(2)
である。
C’−C=
{ε1・S・l2(ε2−ε1)}/(l1+l2)(ε1・l2+ε2・l1)
……(3)
の式が得られる。この式(3)から考えれば、ε2<ε1に設定すれば、すなわち、液晶107の誘電率ε2を絶縁膜104の誘電率ε1よりも小さく設定すれば、
C’−C<0、すなわち、C’<C
となることが分かる。
以下、本発明に係る電気光学装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態では、2端子型の非線形抵抗素子であるTFD(Thin Film Diode)素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用するものとする。
1/C’=1/{ε1×(S/l1)}+1/{ε2×(S/l2)}……(4)
のように表すことができる。
C=ε1×(S/l)……(5)
のように表すことができる。但し、l=l1+l2である。
C’−C
={ε1・S・l2(ε2−ε1)}/(l1+l2)(ε1・l2+ε2・l1)
……(6)
が得られる。本実施形態では、上記の通り、ε1>ε2となるように層間絶縁膜22及び液晶12の材質を選択したので、式(6)においてC’−C<0となり、従って
C’<C
となる。このことは、図5に示すように絶縁膜22内に凹部41を設ければ、絶縁膜22内に凹部41を設けない場合に比べて、データ線19の回りに生じる寄生容量を小さくできるということである。
層間絶縁膜22の誘電率ε1>液晶12の誘電率ε2
となるように層間絶縁膜22及び液晶12の材質を選択したので、データ線19の回りに生じる寄生容量C’を、凹部41を設けない場合の寄生容量Cに比べて小さくすること、すなわちC’<Cにすることができた。このように寄生容量を小さくできたことにより、クロストーク、特に縦クロストークの発生を抑えることができ、鮮明な表示を得ることができた。
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を図6及び図7を用いて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態では、3端子型のスイッチング素子であるTFT(Thin Film Transistor)素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用するものとする。
以上に説明した実施形態は、2端子型のスイッチング素子であるTFD素子をスイッチング素子として用いた液晶表示装置、及び3端子型のスイッチング素子であるアモルファスTFT素子をスイッチング素子として用いた液晶表示装置に関するものである。本発明に係る電気光学装置は、それらの実施形態以外に、高温ポリシリコンTFT素子や、低温ポリシリコンTFT素子等をスイッチング素子として用いる液晶表示装置にも適用できる。
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末器等が挙げられる。
3.照明装置、 4.FPC、 6.シール材、 7.素子基板、
7a.第1透光性基板、 8.カラーフィルタ基板、 8a.第2透光性基板、
12.液晶層、 13.LED、 14.導光体、 18a,18b.偏光板、
19.データ線(配線)、 21.TFD素子(スイッチング素子)、
22.層間絶縁膜、 23.光反射膜、 24.画素電極、
25a,25b.TFD要素、 26a,26b.配向膜、
27.コンタクトホール、 36.着色要素、 37.遮光部材、
38.オーバーコート層、 39.帯状電極、 41.凹部、 52.駆動用IC、
61.TFT素子(スイッチング素子)、
62.ゲート電極、 62’.ゲート電極線(配線)、 63.ゲート絶縁膜、
64.半導体層、 65.ソース電極、 65’.ソース電極線(配線)、
66.ドレイン領域、 72.層間絶縁膜、 73.光反射膜、 74.画素電極、
76a、76b.配向膜、 121.液晶表示装置(電気光学装置)、
130.携帯電話機(電子機器)、 133.表示装置(電気光学装置、
D.サブ画素領域、 G.セルギャップ、 K.直線経路、 L0,L1.光、
L2.光反射膜の長手方向の長さ、 R.反射表示領域、 T.透過表示領域、
V.表示領域、 W0.凹部の幅、 W1.遮光部材の幅
Claims (9)
- 基板と、
電気光学物質の層と、
前記基板に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された配線と、
前記スイッチング素子上及び前記配線上に形成された絶縁膜と、
該絶縁膜に形成されたスルーホールと、
前記スルーホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記配線と、当該配線に隣接する他の配線に前記スイッチング素子を介して接続された前記画素電極との間隙領域の前記絶縁膜内に設けられた凹部と、
を有し、
前記絶縁膜の誘電率をε1とし、前記凹部に収容される前記電気光学物質の誘電率をε2とするとき、ε1>ε2であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1記載の電気光学装置において、
前記基板に対向する対向基板と、
互いに隣接する前記画素電極の間の領域に対向して前記対向基板上に設けられた遮光部材と、
を有し、
前記間隙領域の前記凹部の幅は前記遮光部材の幅よりも狭いことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1又は請求項2記載の電気光学装置において、
前記絶縁膜と前記画素電極との間に配置された光反射膜を有し、
前記画素電極は長方形状に形成され、
前記光反射膜は前記画素電極よりも面積の小さい長方形状に形成され、
前記間隙領域の前記凹部は少なくとも前記光反射膜の長手方向の長さを有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記スイッチング素子は第1電極上に絶縁膜を有し該絶縁膜の上に第2電極を有する薄膜ダイオードであり、
前記配線は前記第1電極に接続され、
前記間隙領域の前記凹部は前記配線に対して平行に延びることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項4記載の電気光学装置において、前記配線はデータ信号を伝送するデータ線であることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記スイッチング素子は、半導体層と、該半導体層を挟んで配置された複数の電極とを有する薄膜トランジスタであり、
前記配線は2つあり、1つは前記複数の電極の1つに接続され、他の1つは前記複数の電極の他の1つに接続され、
前記間隙領域の前記凹部は前記1つの配線及び/又は前記他の1つの配線に対して平行に延びることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項6記載の電気光学装置において、前記1つの配線はデータ信号を伝送するデータ線であり、前記他の1つの配線は走査信号を伝送する走査線であることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1から請求項7のいずれか1つに記載の電気光学装置において、前記間隙領域の前記凹部は前記絶縁膜を貫通する貫通穴か、又は前記絶縁膜内に底を有する凹部であることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1から請求項8のいずれか1つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
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JPH10325964A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-12-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法 |
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JP2003287762A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
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2005
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