JP4552780B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、液晶表示装置、ＥＬ装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。また、電気光学物質としてＥＬ（Electro Luminescence）を用いたＥＬ装置も知られている。

上記のような電気光学装置の中には構成要素として絶縁膜を有するものがあ（例えば、特許文献１〜４参照）。特許文献１には、電気光学装置を構成する基板上においてＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といったスイッチング素子や配線が設けられる層と画素電極が設けられる層とを分けるための層間絶縁膜が開示されている。また、特許文献１には、層間絶縁膜の厚さを厚くすると共に層間絶縁膜として比誘電率の低いものを用いることにより、配線と電極との間の寄生容量を低くするという技術が開示されている。

また、特許文献２には、電気光学装置の素子基板において画素電極とＴＦＴ素子のゲート電極と間に層間絶縁膜を設けるという技術が開示されている。また、特許文献３には、電気光学装置の素子基板においてソース配線、ゲート配線等といった配線と画素電極との間に絶縁膜を設けるという技術が開示されている。また、特許文献４には、電気光学装置の素子基板においてゲートバスライン、ソースバスライン、ＴＦＴ素子、及び透明電極の上に絶縁層を設けるという技術が開示されている。

特開平１０−２２１７０４号公報（第４頁、図２） 特開２００１−０６００６７号公報（第７−８頁、図３） 特開２００２−０４０４１１号公報（第６頁、図１） 特開２００４−０８５７２０号公報（第６頁、図２）

上記の各文献に開示された電気光学装置において、絶縁膜は有効表示領域の全面にわたって略均一な厚さに形成されていた。そのため、基板上に形成されたデータ線、走査線等といった配線と、それに隣接する画素電極との間に寄生容量が発生して、表示品質が低下することがあった。具体的には、有効表示領域内のある１つの領域における表示が他の領域における表示に影響を及ぼすという、いわゆるクロストークが発生して表示品質が低下することがあった。より具体的には、有効表示領域内のある１つの領域における表示が表示面内で当該領域の上下位置に存在する他の領域における表示に影響を及ぼすという、いわゆる縦クロストークが発生して表示品質が低下することがあった。

本発明は、従来の電気光学装置における上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電気光学装置の構成要素である絶縁膜に工夫を加えることによってクロストークの発生を抑制して表示品質を高く維持できる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、（１）基板と、（２）電気光学物質の層と、（３）前記基板に形成されたスイッチング素子と、（４）前記スイッチング素子に接続された配線と、（５）前記スイッチング素子上及び前記配線上に形成された絶縁膜と、（６）該絶縁膜に形成されたスルーホールと、（７）前記スルーホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極と、（８）前記配線と、当該配線に隣接する他の配線に前記スイッチング素子を介して接続された前記画素電極との間隙領域の前記絶縁膜内に設けられた凹部と、を有し、（９）前記絶縁膜の誘電率をε１とし、前記凹部に収容される前記電気光学物質の誘電率をε２とするとき、ε１＞ε２であることを特徴とする。

上記構成の本発明に係る電気光学装置においては、１つの配線と、それに隣接する他の配線にスイッチング素子を介して接続された画素電極との間隙領域の絶縁膜内に凹部を設けた。この凹部には電気光学物質が収容される。本発明の電気光学装置では、凹部が設けられた絶縁膜の誘電率をε１とし、電気光学物質の誘電率をε２とするとき、ε１＞ε２としたので、配線とそれに隣接する画素電極との間に存在する寄生容量を下げることができる。そしてこれにより、クロストークの発生を抑制でき、表示品質を高めることができる。

以下、この構成について考察する。図８（a）及び図８（b）において、透光性基板１０１上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等といったスイッチング素子１０２が設けられ、さらに、スイッチング素子１０２に信号を伝送する走査線、データ線等といった配線１０３が設けられている。そして、素子１０２及び配線１０３の上に絶縁膜１０４が設けられ、その上に画素電極１０５が設けられ、さらにその上に液晶層１０７が設けられている。画素電極１０５と素子１０２とは、絶縁膜１０４の中に形成されたスルーホール１０６によって電気的につながっている。実際の電気光学装置ではこれら以外にも種々の要素が用いられるが、本発明に関連しない要素の図示は省略している。

図８（ａ）は絶縁膜に改良が加えられていない従来例を示している。図８（ｂ）は絶縁膜１０４に凹部１０８Ａが設けられた本発明の一例を示している。凹部１０８Ａは、図８（ｂ）の紙面垂直方向に配線１０３と平行に設けられている。また、凹部１０８Ａの中には液晶層１０７を形成する液晶が収容されている。

図８（ａ）に示す従来例において、配線１０３とそれに隣接する画素電極１０５との間隔を“ｌ”、断面積を“Ｓ”、絶縁膜１０４の誘電率を“ε１”とすると、配線１０３と画素電極１０５との間に存在する絶縁膜１０４に起因して発生する寄生容量Ｃは、
Ｃ＝ε１×Ｓ／ｌ……（１）
である。

一方、図８（ｂ）に示す本発明の構成において、配線１０３から画素電極１０５に至る経路のうち絶縁膜１０４を通る長さを“ｌ１”とし、凹部１０８Ａ内の液晶を通る長さを“ｌ２”とし、液晶の誘電率を“ε２”とすると、この場合の寄生容量Ｃ’は、
１／Ｃ’＝１／（ε１×Ｓ／ｌ１）＋１／（ε２×Ｓ／ｌ２）……（２）
である。

上記の式（１）及び式（２）から、
Ｃ’−Ｃ＝
｛ε１・Ｓ・ｌ２（ε２−ε１）｝／（ｌ１＋ｌ２）（ε１・ｌ２＋ε２・ｌ１）
……（３）
の式が得られる。この式（３）から考えれば、ε２＜ε１に設定すれば、すなわち、液晶１０７の誘電率ε２を絶縁膜１０４の誘電率ε１よりも小さく設定すれば、
Ｃ’−Ｃ＜０、すなわち、Ｃ’＜Ｃ
となることが分かる。

Ｃ’＜Ｃというのは、本発明に係る電気光学装置における配線と画素電極との間の寄生容量Ｃ’が、従来の電気光学装置における同じ個所の寄生容量Ｃに比べて小さいということである。このように配線と画素電極との間の寄生容量を小さくできれば、電気光学装置を用いて行われる表示におけるクロストークの発生を抑制でき、表示品質を高めることができる。

なお、図８（ｂ）の実施形態では絶縁膜１０４を貫通する貫通穴、すなわち貫通溝によって凹部１０８Ａを形成したが、これに代えて、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜１０４に内部に底を有する凹部によって凹部１０８Ｂを形成しても良い。

次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板に対向する対向基板と、互いに隣接する前記画素電極の間の領域に対向して前記対向基板上に設けられた遮光部材とを有することができる。つまり、スイッチング素子が形成される基板に対向する基板上に遮光部材、いわゆるブラックマスクを形成することができる。このブラックマスクは、電気光学装置を用いた表示におけるコントラストを向上させることに関して有効に機能する。対向基板に遮光部材を形成した本発明の態様においては、前記間隙領域の前記凹部の幅は前記遮光部材の幅よりも狭いことが望ましい。内部に液晶が収容された凹部を設けた個所では液晶層厚が部分的に変化するので表示ムラが発生するおそれがあるが、この部分に対応して凹部よりも幅が広い遮光部材を設けるようにすれば、表示ムラが外部から視認されることを防止でき、高い表示品質を維持できる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、前記絶縁膜と前記画素電極との間に配置される光反射膜を有することができ、この場合、前記画素電極は長方形状に形成でき、前記光反射膜は前記画素電極よりも面積の小さい長方形状に形成できる。そしてこの場合には、前記間隙領域の前記凹部は少なくとも前記光反射膜の長手方向の長さを有することが望ましい。この構成によれば、配線と画素電極との間の寄生容量を、クロストークの発生を抑制できる程度に十分に低減できる。なお、前記凹部は、有効表示領域の縦方向又は横方向の全域にわたる長さを有するものとして形成することもできる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は第１電極上に絶縁膜を有し該絶縁膜の上に第２電極を有する薄膜ダイオード（すなわち、ＴＦＤ）素子とすることができ、この場合には、前記配線は前記第１電極に接続される。そしてこの場合、前記間隙領域の前記凹部は前記配線に対して平行に延びることが望ましい。この構成によれば、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いる構造の電気光学装置に関して、配線と画素電極との間の寄生容量を小さく抑制することによってクロストークの発生を抑制して、表示品質を高めることができる。なお、この構成の電気光学装置において、前記配線は、例えば、ＴＦＤ素子へデータ信号を伝送するデータ線とすることができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は、半導体層と、該半導体層を挟んで配置された複数の電極とを有する薄膜トランジスタ（すなわち、ＴＦＴ）素子とすることができ、この場合には、前記配線は２つあり、その１つは前記複数の電極の１つに接続され、他の１つは前記複数の電極の他の１つに接続されることになる。そしてこの場合、前記間隙領域の前記凹部は前記１つの配線及び／又は前記他の１つの配線に対して平行に延びることが望ましい。この構成によれば、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いる構造の電気光学装置に関して、配線と画素電極との間の寄生容量を小さく抑制することによってクロストークの発生を抑制して、表示品質を高めることができる。なお、この構成の電気光学装置において、前記配線の１つは、例えば、ＴＦＴ素子へデータ信号を伝送するデータ線であり、配線の他の１つはＴＦＴ素子へ走査信号を伝送する走査線とすることができる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の本発明に係る電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置によれば、既述の通り、１つの配線とそれに隣接する画素電極との間隙領域に存在する絶縁層に凹部を設け、その凹部の中に電気光学物質を収容し、そして絶縁膜の誘電率ε１と電気光学物質の誘電率ε２との関係をε１＞ε２に設定したので、配線とそれに隣接する画素電極との間に存在する寄生容量を下げることができ、それによりクロストークの発生を抑制でき、それにより表示品質を高めることができる。従って、この電気光学装置を用いた本発明の電子機器においても、電気光学装置を用いて行われる電子機器に関する表示を高い表示品質で行うことができる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態では、２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用するものとする。

図１は、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置の一実施形態を示している。図２は、図１のＡ−Ａ線に従った側面断面図である。図３は、図１の液晶表示装置における１つの画素部分を拡大して示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に従ってサブ画素の短手側の断面構造を示している。図４は、図３（ａ）のＣ−Ｃ線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｅで示す部分を示している。図５は、図３（ｂ）の矢印Ｄで示す部分を拡大して示している。

図１において、電気光学装置としての液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。液晶パネル２にはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４が接続されている。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は図２に示すように素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６は図１に示すようにその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。

セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｅで示す部分の拡大図である図４にも示すように、配線としてのデータ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子２１がデータ線１９に接続して形成されている。データ線１９は図１に示すように複数本が互いに平行に設けられている。また、ＴＦＤ素子２１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。

それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１９の上に、図４に示すように、それらを覆うように絶縁膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。

光反射膜２３及び画素電極２４は、図１に示すように、素子基板７上にドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、個々のＴＦＤ素子２１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。複数の画素電極２３は図示の通り個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図４の配向膜２６ａは図１において素子基板７の表面の略全域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図４において、層間絶縁膜２２には、光反射膜２３とＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２７が形成される。このコンタクトホール２７は、層間絶縁膜２２をフォトリソグラフィ処理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２７は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＤ素子２１とは重ならない位置であって、光反射膜２３と重なる位置に形成される。

ＴＦＤ素子２１は、本実施形態では、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素２５ａ及び２５ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素２５ａは、第１素子電極２８、絶縁膜２９、そして第２素子電極３１ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素２５ｂは、第１素子電極２８、絶縁膜２９、そして第２素子電極３１ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極２８は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜２９は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３１ａ，３１ｂは、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン合金によって形成される。

第１ＴＦＤ要素２５ａ内の第２素子電極３１ａはデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素２５ｂ内の第２素子電極３１ｂはコンタクトホール２７及び光反射膜２３を介して画素電極２４に接続されている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素２５ａと第２ＴＦＤ要素２５ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。

本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＤ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において表示を見易くできる。

図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図４にも示すように、着色要素３６が形成され、その周囲に遮光部材３７が形成され、着色要素３６及び遮光部材３７の上にオーバーコート層３８が形成され、その上に帯状電極３９が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極３９は、図４の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。

着色要素３６は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色要素３６は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ（図４の紙面垂直方向）及び列方向Ｙ（図４の左右方向）にマトリクス状に配列されている。遮光部材３７はそれらの着色要素３６を囲む格子状に形成されている。着色要素３６の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色要素３６が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。

なお、着色要素３６の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色要素３６の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光部材３７は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光部材３７は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ等といった遮光性の材料が考えられる。

着色要素３６及び遮光部材３７の上に形成されたオーバーコート層３８は、着色要素３６及び遮光部材３７の表面を平坦化するものであり、帯状電極３９はこうして平坦化されたオーバーコート層３８の上に形成される。帯状電極３９は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極３９は、図１に示すように、カラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極３９は行方向Ｘに延びている。図４において帯状電極３９の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図２において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極３９は、列方向Ｙに並ぶ複数の画素電極２４と矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２４と帯状電極３９は矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素領域Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素領域Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素３６を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素３６に対応する３つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図３（ａ）に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。

図３のＣ−Ｃ線に従った断面図である図４において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素領域Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図３（ａ）に示すようにサブ画素領域Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素領域Ｄ内の残りの長方形状の領域である。

個々のサブ画素領域Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図４において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図４の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。

層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。

カラーフィルタ基板８において着色要素３６の周囲に形成された遮光部材３７は、図３（ａ）に鎖線で示すように、サブ画素Ｄの周囲を取り囲むように形成されている。この遮光部材３７は、サブ画素Ｄの周囲から光が漏れ出るのを防止して表示のコントラストを向上させる。

次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子４８に導電接続する。

複数の配線４７の一部はデータ線１９となって第１透光性基板７ａの表面上を延びている。また、複数の配線４７の残りの一部はシール材６の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材４９を介してカラーフィルタ基板８上に設けられた帯状電極３９に導電接続されている。導通材４９は、図２では模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材６の断面の幅よりも小さいものであり、シール材６の１つの断面内に複数の導通材４９が含まれるのが普通である。

張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、カラーフィルタ基板８上に形成された帯状電極３９へ走査信号を伝送する。

次に、図３（ａ）のＢ−Ｂ線に従った断面図である図３（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２２は基板７ａの全面に均一な厚さで設けられるのではなく、個々のサブ画素Ｄ内のデータ線１９と、それに隣接する他のサブ画素Ｄ内の画素電極２４との間の領域内に凹部４１を有している。この凹部４１は層間絶縁膜２２をフォトリソグラフィ処理によってパターニングする際に形成される。液晶層１２を形成する液晶はこの凹部４１内に収容されている。こうして凹部４１及びそれの中に収容された液晶によって寄生容量の調整領域が形成されている。凹部４１は、図３（ａ）に示すようにデータ線１９と平行に設けられ、さらに図１において有効表示領域Ｖの張出し部４６側の端辺から反対側の端辺にわたって切れ目無く延びている。

図３（ｂ）に示す層間絶縁膜２２の誘電率をε１とし、液晶層１２を構成する液晶の誘電率をε２とすると、本実施形態では、それらの誘電率がε１＞ε２となるように層間絶縁膜２２及び液晶１２の材質を選択している。以下、この点に関連する技術を説明する。図３（ｂ）の矢印Ｄに示す部分の拡大図である図５において、１つのサブ画素領域Ｄ内のデータ線１９から当該サブ画素領域Ｄに隣接する他のサブ画素領域Ｄ内の画素電極２４に至る直線経路Ｋを考える。そして、この経路Ｋのうち層間絶縁膜２２内の長さをｌ１とし、層間絶縁膜２２の凹部４１内の長さをｌ２とする。

さらに、経路Ｋに沿って発生する寄生容量をＣ’とし、断面積をＳとすれば、層間絶縁膜２２の誘電率がε１であり、液晶層１２を構成する液晶の誘電率がε２であることを考慮すれば、
１／Ｃ’＝１／{ε１×（Ｓ／ｌ１）}＋１／{ε２×（Ｓ／ｌ２）}……（４）
のように表すことができる。

一方、仮に凹部４１を設けることなく、層間絶縁膜２２を一様な厚さで基板７ａ上の全面に設けることにした場合に、経路Ｋに沿って発生する寄生容量をＣとすれば、
Ｃ＝ε１×（Ｓ／ｌ）……（５）
のように表すことができる。但し、ｌ＝ｌ１＋ｌ２である。

式（４）及び式（５）を参照すれば、
Ｃ’−Ｃ
＝｛ε１・Ｓ・ｌ２（ε２−ε１）｝／（ｌ１＋ｌ２）（ε１・ｌ２＋ε２・ｌ１）
……（６）
が得られる。本実施形態では、上記の通り、ε１＞ε２となるように層間絶縁膜２２及び液晶１２の材質を選択したので、式（６）においてＣ’−Ｃ＜０となり、従って
Ｃ’＜Ｃ
となる。このことは、図５に示すように絶縁膜２２内に凹部４１を設ければ、絶縁膜２２内に凹部４１を設けない場合に比べて、データ線１９の回りに生じる寄生容量を小さくできるということである。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の帯状電極３９との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。

本実施形態では、図５に関連して説明したように、
層間絶縁膜２２の誘電率ε１＞液晶１２の誘電率ε２
となるように層間絶縁膜２２及び液晶１２の材質を選択したので、データ線１９の回りに生じる寄生容量Ｃ’を、凹部４１を設けない場合の寄生容量Ｃに比べて小さくすること、すなわちＣ’＜Ｃにすることができた。このように寄生容量を小さくできたことにより、クロストーク、特に縦クロストークの発生を抑えることができ、鮮明な表示を得ることができた。

なお、本実施形態では図３（ｂ）に示すように絶縁膜２２を貫通する溝によって凹部４１を形成したが、これに代えて、内部に底を有する凹部によって絶縁膜２２に凹部４１を形成しても良い。

また、本実施形態では、素子基板７に設けた凹部４１の幅Ｗ０はカラーフィルタ基板８に設けた遮光部材３７の幅Ｗ１よりも狭く設定されている。内部に液晶１２が収容された凹部４１を設けた個所では液晶層厚が部分的に変化するので表示ムラが発生するおそれがあるが、この部分に対応して凹部４１よりも幅が広い遮光部材３７を設けるようにすれば、表示ムラが外部から視認されることを防止でき、高い表示品質を維持できる。

また、本実施形態では、図３（ａ）に示す凹部４１は図１において有効表示領域ＶのＩＣ実装側の端辺から反対側の端辺にかけて切れ目無く設けられている。このように凹部４１を有効表示領域Ｖの１つの端辺から対向側の端辺へかけて切れ目無く設ければ、絶縁膜２２に起因する寄生容量を低減することに関して非常に有効である。なお、凹部４１は必ずしもそのように有効表示領域Ｖ内に切れ目無く設けなければならないものではなく、場合によっては切れ目を設けて、すなわち間欠的に設けても良い。しかしながら、凹部４１は、望ましくは、図３（ａ）において光反射膜２３の長手方向の長さＬ２よりも長い長さに設定する。こうすれば、データ線１９と画素電極２４との間の寄生容量を、クロストークの発生を抑制できる程度に十分に低減できる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を図６及び図７を用いて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態では、３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用するものとする。

本実施形態に係る液晶表示装置の全体的な構成は図１及び図２に示した先の実施形態の場合と略同じである。異なるのは、先の実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＤ素子２１（図４参照）を用いたのに対し、本実施形態ではそれに代えてＴＦＴ素子を用いたことであり、そのことに関連していくつかの点で改変が加えられている。なお、図２の素子基板７上にＴＦＴ素子、すなわちスイッチング素子が形成され、カラーフィルタ基板８上にカラーフィルタ、すなわち着色要素が形成されることは先の実施形態と同じである。

図６（a）は、図２の素子基板７の液晶側表面であって矢印Ｅで示す１つのサブ画素領域Ｄの近傍部分を矢印Ａ方向から平面的に見た場合の構成を示している。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＦ−Ｆ線に従ってサブ画素領域Ｄの短手側の断面構造を示している。また、図７は図６（ａ）のＧ−Ｇ線に従ってサブ画素領域Ｄの長手方向の断面構造を示している。図６（ｂ）において、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間にセルギャップＧが形成され、このセルギャップＧ内に液晶層１２が形成されている。

カラーフィルタ基板８の構成要素である透光性基板８ａ上に、着色要素５６が形成され、それを囲むように遮光部材５７が形成され、それらの上にオーバーコート層５８が形成され、その上に共通電極５９が形成され、その上に配向膜７６ｂが形成されている。本実施形態で用いられる共通電極５９は基板８ａ上に一様な厚さで平面的に設けられている。

本実施形態で用いるＴＦＴ素子はアモルファスＴＦＴ素子であり、このＴＦＴ素子は図６ｂに符号６１で示すように、素子基板７の構成要素である基板７ａ上に形成されたゲート電極６２と、それを覆うように基板７ａ上に形成されたゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３を介してゲート電極６２の上に形成されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から成る半導体層６４と、半導体層６４の一方に接続するように形成されたソース電極６５と、半導体層６４の他方に接続するように形成されたドレイン電極６６とを有する。

ソース電極６５は、図６（ｂ）の紙面垂直方向（図６（ａ）の紙面上下方向）に延びる配線としてのソース電極線６５’から延びている。また、ゲート電極６２は図６（ｂ）の紙面左右方向（図６（ａ）の紙面左右方向）に延びる配線としてのゲート電極線６２’から延びている。ソース電極線６５’とゲート電極線６２’は図６（ａ）に示すように絶縁膜を介して互いに直交するように形成されている。ソース電極線６５’は図１において３つの駆動用ＩＣ５２の中央の１つに電気的に接続されてデータ信号を供給される。また、ゲート電極線６２’は図１において３つの駆動用ＩＣ５２の両側の２つに電気的に接続されて走査信号を供給される。

なお、ＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いる本実施形態では、データ線及び走査線がいずれも素子基板７上に形成されるので、図２のシール材６の中に分散された導通材４９を用いた上下導通構造は不要である。

図６（ｂ）において、ＴＦＴ素子６１及びゲート絶縁膜６３の上に層間絶縁膜７２が設けられ、その上に光反射膜７３が形成され、その上に画素電極７４が形成され、その上に配向膜７６ａが形成されている。図６（ｂ）に直交する断面を示す図７において、サブ画素領域Ｄ内で光反射膜７３が存在する領域Ｒが反射表示領域であり、光反射膜７３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。層間絶縁膜７２の誘電率をε１とし、液晶の誘電率をε２とすると、本実施形態では、ε１＞ε２となるように、層間絶縁膜７２の材料及び液晶１２の材料が選択されている。

本実施形態では、図６（ｂ）において、あるサブ画素領域Ｄ内のＴＦＴ素子６１へデータ信号を伝送するソース電極線６５’と、当該サブ画素領域Ｄに隣り合う他のサブ画素領域Ｄ内の画素電極７４との間の絶縁膜７２内に列方向Ｙへ延びる凹部４１ａが設けられる。凹部４１ａの中には液晶層１２を構成する液晶が収容される。ソース電極線６５’から隣の画素電極７４へ至る直線経路Ｋは、絶縁膜７２を通る長さｌ１の領域と、凹部４１ａ内の液晶１２を通る長さｌ２の領域とに分割される。このように凹部４１ａを設けたことにより、ソース電極線６５’の回りの寄生容量を低減できる。

図７において、ＴＦＴ素子６１の構成要素であるゲート電極６２につながるゲート電極線６２’は図７の紙面垂直方向（すなわち、図６（ａ）の紙面左右方向）へ延びている。このゲート電極線６２’はＴＦＴ素子６１へ走査信号を伝送する。あるサブ画素領域Ｄ内のゲート電極線６２’と、当該サブ画素領域Ｄに隣り合う他のサブ画素領域Ｄ内の画素電極７４との間の絶縁膜７２内に行方向Ｘへ延びる凹部４１ｂが設けられる。凹部４１ｂの中には液晶層１２を構成する液晶が収容される。ゲート電極線６２’から隣の画素電極７４へ至る直線経路Ｋは、絶縁膜７２を通る長さｌ１の領域と、凹部４１ｂ内の液晶１２を通る長さｌ２の領域とに分割される。このように凹部４１ｂを設けたことにより、ゲート電極線６２’の回りの寄生容量を低減できる。

以上のように、ゲート電極線６２’及びソース電極線６５’という互いに直交する２つの配線を素子基板７上に備えた本実施形態の液晶表示装置では、図６（ａ）、図６（ｂ）及び図７に示すように、それらの各配線のそれぞれに対して平行な２つの凹部４１ａ及び４１ｂを設けたので、いずれの配線に関しても寄生容量を低減でき、それ故、クロストークの発生を確実に低減して、鮮明な表示を行うことができる。

（電気光学装置に関する他の実施形態）
以上に説明した実施形態は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子をスイッチング素子として用いた液晶表示装置、及び３端子型のスイッチング素子であるアモルファスＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた液晶表示装置に関するものである。本発明に係る電気光学装置は、それらの実施形態以外に、高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いる液晶表示装置にも適用できる。

また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、電気光学物質として有機ＥＬ（Electro Luminescence）を用いる有機ＥＬ装置や、電気光学物質としてプラズマガスを用いるプラズマディスプレイ等にも適用できる。

また、上記の実施形態では、例えば図３（ｂ）及び図４に示すように、反射表示領域Ｒを形成する光反射膜２３を画素電極２４とは別に設けたが、この構成に代えて、画素電極自体を光反射性材料によって形成して光反射膜として兼用し、専用の光反射膜を省略することもできる。この場合には、絶縁膜内に設けた凹部は、光反射性材料によって形成された画素電極とデータ線等といった配線との間の寄生容量を低減するように機能する。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図９は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１２１と、これを制御する制御回路１２０とを有する。制御回路１２０は、表示情報出力源１２４、表示情報処理回路１２５、電源回路１２６及びタイミングジェネレータ１２７によって構成される。そして、液晶装置１２１は液晶パネル１２２及び駆動回路１２３を有する。

表示情報出力源１２４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１２７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１２５に供給する。

次に、表示情報処理回路１２５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１２３へ供給する。ここで、駆動回路１２３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１２６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１２１は、例えば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す凹部４１を備えた液晶表示装置や、図６（ａ）、図６（ｂ）、及び図７に示す凹部４１ａ及び４１ｂを備えた液晶表示装置を用いて構成できる。これらの液晶表示装置によれば、データ線、ゲート電極線、ソース電極線等といった配線と、それに隣接する画素電極との間に存在する絶縁層に凹部を設け、その凹部の中に液晶を収容し、そして絶縁膜の誘電率ε１と液晶の誘電率ε２との関係をε１＞ε２に設定したので、配線とそれに隣接する画素電極との間に存在する寄生容量を下げることができ、それによりクロストークの発生を抑制でき、それにより表示品質を高めることができる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態に係る電子機器においても、液晶表示装置を用いて行われる電子機器に関する表示を高い表示品質で行うことができる。

次に、図１０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１３０は、本体部１３１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１３２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１３３は、表示体部１３２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１３２において表示画面１３４によって視認できる。本体部１３１には操作ボタン１３６が配列されている。

表示体部１３２の一端部にはアンテナ１３７が伸縮自在に取付けられている。表示体部１３２の上部に設けられた受話部１３８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１３１の下端部に設けられた送話部１３９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１３３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１３１又は表示体部１３２の内部に格納される。

表示装置１３３は、例えば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す凹部４１を絶縁膜２２内に備えた液晶表示装置や、図６（ａ）、図６（ｂ）、及び図７に示す凹部４１ａ及び４１ｂを絶縁膜７２内に備えた液晶表示装置を用いて構成できる。これらの液晶表示装置によれば、データ線、ゲート電極線、ソース電極線等といった配線と、それに隣接する画素電極との間に存在する絶縁層に凹部を設け、その凹部の中に液晶を収容し、そして絶縁膜の誘電率ε１と液晶の誘電率ε２との関係をε１＞ε２に設定したので、配線とそれに隣接する画素電極との間に存在する寄生容量を下げることができ、それによりクロストークの発生を抑制でき、それにより表示品質を高めることができる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態に係る携帯電話機においても、液晶表示装置を用いて行われる携帯電話機に関する表示を高い表示品質で行うことができる。

（電子機器に関する他の実施形態）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す斜視図である。 図１のＡ−Ａ線に従った断面図である。 図１の装置における１つの画素部分を示す図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に従って画素の短手側断面を示す断面図である。 図３（ａ）のＣ−Ｃ線に従って画素の長手側断面を示す断面図である。 図３（ｂ）において矢印Ｄで示す部分の拡大図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す図である。 図６（ａ）のＧ−Ｇ線に従った断面図である。 本発明の主要な構成を説明するための図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。

符号の説明

１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．照明装置、 ４．ＦＰＣ、 ６．シール材、 ７．素子基板、
７ａ．第１透光性基板、 ８．カラーフィルタ基板、 ８ａ．第２透光性基板、
１２．液晶層、 １３．ＬＥＤ、 １４．導光体、 １８ａ，１８ｂ．偏光板、
１９．データ線（配線）、 ２１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、
２２．層間絶縁膜、 ２３．光反射膜、 ２４．画素電極、
２５ａ，２５ｂ．ＴＦＤ要素、 ２６ａ，２６ｂ．配向膜、
２７．コンタクトホール、 ３６．着色要素、 ３７．遮光部材、
３８．オーバーコート層、 ３９．帯状電極、 ４１．凹部、 ５２．駆動用ＩＣ、
６１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、
６２．ゲート電極、 ６２’．ゲート電極線（配線）、 ６３．ゲート絶縁膜、
６４．半導体層、 ６５．ソース電極、 ６５’．ソース電極線（配線）、
６６．ドレイン領域、 ７２．層間絶縁膜、 ７３．光反射膜、 ７４．画素電極、
７６ａ、７６ｂ．配向膜、 １２１．液晶表示装置（電気光学装置）、
１３０．携帯電話機（電子機器）、 １３３．表示装置（電気光学装置、
Ｄ．サブ画素領域、 Ｇ．セルギャップ、 Ｋ．直線経路、 Ｌ０，Ｌ１．光、
Ｌ２．光反射膜の長手方向の長さ、 Ｒ．反射表示領域、 Ｔ．透過表示領域、
Ｖ．表示領域、 Ｗ０．凹部の幅、 Ｗ１．遮光部材の幅

Claims (9)

1. 基板と、
   電気光学物質の層と、
   前記基板に形成されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に接続された配線と、
   前記スイッチング素子上及び前記配線上に形成された絶縁膜と、
   該絶縁膜に形成されたスルーホールと、
   前記スルーホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
   前記配線と、当該配線に隣接する他の配線に前記スイッチング素子を介して接続された前記画素電極との間隙領域の前記絶縁膜内に設けられた凹部と、
   を有し、
   前記絶縁膜の誘電率をε１とし、前記凹部に収容される前記電気光学物質の誘電率をε２とするとき、ε１＞ε２であることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、
   前記基板に対向する対向基板と、
   互いに隣接する前記画素電極の間の領域に対向して前記対向基板上に設けられた遮光部材と、
   を有し、
   前記間隙領域の前記凹部の幅は前記遮光部材の幅よりも狭いことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、
   前記絶縁膜と前記画素電極との間に配置された光反射膜を有し、
   前記画素電極は長方形状に形成され、
   前記光反射膜は前記画素電極よりも面積の小さい長方形状に形成され、
   前記間隙領域の前記凹部は少なくとも前記光反射膜の長手方向の長さを有することを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
   前記スイッチング素子は第１電極上に絶縁膜を有し該絶縁膜の上に第２電極を有する薄膜ダイオードであり、
   前記配線は前記第１電極に接続され、
   前記間隙領域の前記凹部は前記配線に対して平行に延びることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４記載の電気光学装置において、前記配線はデータ信号を伝送するデータ線であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
   前記スイッチング素子は、半導体層と、該半導体層を挟んで配置された複数の電極とを有する薄膜トランジスタであり、
   前記配線は２つあり、１つは前記複数の電極の１つに接続され、他の１つは前記複数の電極の他の１つに接続され、
   前記間隙領域の前記凹部は前記１つの配線及び／又は前記他の１つの配線に対して平行に延びることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６記載の電気光学装置において、前記１つの配線はデータ信号を伝送するデータ線であり、前記他の１つの配線は走査信号を伝送する走査線であることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記間隙領域の前記凹部は前記絶縁膜を貫通する貫通穴か、又は前記絶縁膜内に底を有する凹部であることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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