JPH10325964A - 液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法Info
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- JPH10325964A JPH10325964A JP9225905A JP22590597A JPH10325964A JP H10325964 A JPH10325964 A JP H10325964A JP 9225905 A JP9225905 A JP 9225905A JP 22590597 A JP22590597 A JP 22590597A JP H10325964 A JPH10325964 A JP H10325964A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率が高く、クロストークの発生を抑えた
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
並びに画素電極同士の電気的な短絡を検出するアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁性基板１上に、薄膜トランジスタ
２、ゲート配線３及びソース配線４を形成する。次に、
無色透明で絶縁性を有する有機樹脂材料を用いて、層間
絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５にコンタクトホール６
を形成し、層間絶縁膜５上に画素電極８を形成する。画
素電極８は、コンタクトホール６を介して薄膜トランジ
スタ２と電気的に接続する。そして、画素電極８をマス
クとして用いて、酸素プラズマを用いたリアクティブイ
オンエッチングにより、自己整合的に層間絶縁膜５をエ
ッチングし、層間絶縁膜５の画素電極８間に溝２１を形
成する。さらに、溝２１及びコンタクトホール６に遮光
膜７を形成し、配向膜を形成してアクティブマトリクス
基板９を完成する。
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
並びに画素電極同士の電気的な短絡を検出するアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁性基板１上に、薄膜トランジスタ
２、ゲート配線３及びソース配線４を形成する。次に、
無色透明で絶縁性を有する有機樹脂材料を用いて、層間
絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５にコンタクトホール６
を形成し、層間絶縁膜５上に画素電極８を形成する。画
素電極８は、コンタクトホール６を介して薄膜トランジ
スタ２と電気的に接続する。そして、画素電極８をマス
クとして用いて、酸素プラズマを用いたリアクティブイ
オンエッチングにより、自己整合的に層間絶縁膜５をエ
ッチングし、層間絶縁膜５の画素電極８間に溝２１を形
成する。さらに、溝２１及びコンタクトホール６に遮光
膜７を形成し、配向膜を形成してアクティブマトリクス
基板９を完成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法に関す
るもので、特に、薄膜トランジスタを用いたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びにアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法に関す
るものである。
その製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法に関す
るもので、特に、薄膜トランジスタを用いたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びにアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、高精細な表示を目指した大容量及び高
密度のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が盛
んである。
装置においては、高精細な表示を目指した大容量及び高
密度のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が盛
んである。
【０００３】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置を実現するために、図８乃至図１０に示すよう
に、ゲート配線５１、ソース配線５２及びゲート配線５
１とソース配線５２との交差部の近傍に設けられた薄膜
トランジスタ５３と、薄膜トランジスタ５３に接続され
た液晶層５４に電圧を印加するための画素電極５５と
を、層間絶縁膜５６を介して異なる層に形成するアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置が提案されている。
示装置を実現するために、図８乃至図１０に示すよう
に、ゲート配線５１、ソース配線５２及びゲート配線５
１とソース配線５２との交差部の近傍に設けられた薄膜
トランジスタ５３と、薄膜トランジスタ５３に接続され
た液晶層５４に電圧を印加するための画素電極５５と
を、層間絶縁膜５６を介して異なる層に形成するアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置が提案されている。
【０００４】図８は従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を示す断面図、図９は図８におけるアクティブ
マトリクス基板を示す平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ線
における断面図である。
表示装置を示す断面図、図９は図８におけるアクティブ
マトリクス基板を示す平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ線
における断面図である。
【０００５】図８乃至図１０のような構成のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置では、画素電極５５をゲート
配線５１及びソース配線５２上に重畳するように形成す
ることができるため、大幅に開口率を高くすることがで
きる。
マトリクス型液晶表示装置では、画素電極５５をゲート
配線５１及びソース配線５２上に重畳するように形成す
ることができるため、大幅に開口率を高くすることがで
きる。
【０００６】図８乃至図１０において、５７は絶縁性基
板、５８はゲート電極、５９はゲート絶縁膜、６０は半
導体膜、６１はソース電極、６２はドレイン電極、６３
はソース接続配線、６４はドレイン接続配線、６５はコ
ンタクトホール、６６はアクティブマトリクス基板、６
７は対向電極、６８はカラーフィルター、６９は遮光
膜、７０は対向基板である。
板、５８はゲート電極、５９はゲート絶縁膜、６０は半
導体膜、６１はソース電極、６２はドレイン電極、６３
はソース接続配線、６４はドレイン接続配線、６５はコ
ンタクトホール、６６はアクティブマトリクス基板、６
７は対向電極、６８はカラーフィルター、６９は遮光
膜、７０は対向基板である。
【０００７】一方、開口率を高めるための別の方法とし
て、対向基板に形成されている遮光膜（ブラックマトリ
クス）を、アクティブマトリクス基板に形成する方法が
提案されている。
て、対向基板に形成されている遮光膜（ブラックマトリ
クス）を、アクティブマトリクス基板に形成する方法が
提案されている。
【０００８】遮光膜をアクティブマトリクス基板に形成
すれば、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り
合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないた
め、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率
を高くすることができる。
すれば、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り
合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないた
め、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率
を高くすることができる。
【０００９】遮光膜をアクティブマトリクス基板に形成
した例としては、特開平２−２０７２２２号公報に開示
されているように、ゲート配線及びソース配線を遮光膜
として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が提
案されている。
した例としては、特開平２−２０７２２２号公報に開示
されているように、ゲート配線及びソース配線を遮光膜
として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が提
案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述した特開平２−２
０７２２２号公報に開示されているアクティブマトリク
ス型液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板と対
向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する
必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなく
なり、開口率を高くすることができるが、ゲート配線及
びソース配線として金属を用いる必要があり、遮光膜の
光の反射率が高く、表示品位が低くなるという問題点が
ある。
０７２２２号公報に開示されているアクティブマトリク
ス型液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板と対
向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する
必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなく
なり、開口率を高くすることができるが、ゲート配線及
びソース配線として金属を用いる必要があり、遮光膜の
光の反射率が高く、表示品位が低くなるという問題点が
ある。
【００１１】また、ゲート配線、ソース配線及び薄膜ト
ランジスタと画素電極とを層間絶縁膜を介して異なる層
に形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置では、
画素電極をゲート配線及びソース配線上に重畳するよう
に形成することができるため、大幅に開口率を高くする
ことができるが、画素電極がゲート配線及びソース配線
上に重畳するように形成されているため、クロストーク
が問題となる。
ランジスタと画素電極とを層間絶縁膜を介して異なる層
に形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置では、
画素電極をゲート配線及びソース配線上に重畳するよう
に形成することができるため、大幅に開口率を高くする
ことができるが、画素電極がゲート配線及びソース配線
上に重畳するように形成されているため、クロストーク
が問題となる。
【００１２】さらに、このクロストークを避けるため、
画素電極とゲート配線及びソース配線とを重畳しないよ
うに形成すれば、隣接する画素電極同士の横方向の電界
に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁
部から光漏れが発生し、コントラストの低下が生じると
いう問題がある。
画素電極とゲート配線及びソース配線とを重畳しないよ
うに形成すれば、隣接する画素電極同士の横方向の電界
に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁
部から光漏れが発生し、コントラストの低下が生じると
いう問題がある。
【００１３】さらに、画素電極をパターニングする際
に、エッチング不良等によって隣り合う画素電極同士が
分離されなかった場合には、この分離されなかった画素
電極同士が電気的に短絡して欠陥となるが、このような
欠陥は、液晶表示装置として点灯させてみなければ欠陥
を検出できないという問題がある。
に、エッチング不良等によって隣り合う画素電極同士が
分離されなかった場合には、この分離されなかった画素
電極同士が電気的に短絡して欠陥となるが、このような
欠陥は、液晶表示装置として点灯させてみなければ欠陥
を検出できないという問題がある。
【００１４】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、開口率が高く、クロストーク
の発生を抑えたアクティブマトリクス型液晶表示装置及
びその製造方法並びに画素電極同士の電気的な短絡を検
出するアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査
方法を提供することを目的としている。
みなされたものであって、開口率が高く、クロストーク
の発生を抑えたアクティブマトリクス型液晶表示装置及
びその製造方法並びに画素電極同士の電気的な短絡を検
出するアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査
方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、ゲート配線と、ソース配線と、前記
ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けら
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記
ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタ
の上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形
成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成され、
前記画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されてい
ることを特徴としている。
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、ゲート配線と、ソース配線と、前記
ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けら
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記
ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタ
の上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形
成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成され、
前記画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されてい
ることを特徴としている。
【００１６】請求項２記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記遮光膜は低誘電率材料から
なることを特徴としている。
晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記遮光膜は低誘電率材料から
なることを特徴としている。
【００１７】請求項３記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１または請求項２記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記薄膜トラン
ジスタと前記画素電極とは、前記層間絶縁膜を貫くコン
タクトホールを介して接続され、前記コンタクトホール
にも前記遮光膜が形成されていることを特徴としてい
る。
晶表示装置は、請求項１または請求項２記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記薄膜トラン
ジスタと前記画素電極とは、前記層間絶縁膜を貫くコン
タクトホールを介して接続され、前記コンタクトホール
にも前記遮光膜が形成されていることを特徴としてい
る。
【００１８】請求項４記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１乃至請求項３記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の
前記画素電極間に位置する部分に溝が形成され、前記溝
に前記遮光膜が形成されていることを特徴としている。
晶表示装置は、請求項１乃至請求項３記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の
前記画素電極間に位置する部分に溝が形成され、前記溝
に前記遮光膜が形成されていることを特徴としている。
【００１９】請求項５記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１乃至４記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、前記遮光膜の表面は、前
記画素電極の表面と略同一平面上に位置していることを
特徴としている。
晶表示装置は、請求項１乃至４記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、前記遮光膜の表面は、前
記画素電極の表面と略同一平面上に位置していることを
特徴としている。
【００２０】請求項６記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記遮光膜は、各々の前記画素
電極の周縁下部にも形成されていることを特徴としてい
る。
晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記遮光膜は、各々の前記画素
電極の周縁下部にも形成されていることを特徴としてい
る。
【００２１】請求項７記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項６記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記遮光膜は、前記層間絶縁膜
が染色されたものであることを特徴としている。
晶表示装置は、請求項６記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記遮光膜は、前記層間絶縁膜
が染色されたものであることを特徴としている。
【００２２】請求項８記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、ゲート配線と、ソース配線
と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極
とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
方法において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前
記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂から
なる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に
前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極をマスク
として前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前
記画素電極間の前記層間絶縁膜に溝を形成する工程と、
前記溝に絶縁性を有する遮光膜を形成する工程とを有す
ることを特徴としている。
晶表示装置の製造方法は、ゲート配線と、ソース配線
と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極
とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
方法において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前
記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂から
なる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に
前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極をマスク
として前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前
記画素電極間の前記層間絶縁膜に溝を形成する工程と、
前記溝に絶縁性を有する遮光膜を形成する工程とを有す
ることを特徴としている。
【００２３】請求項９記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、請求項８記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記エッ
チング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブ
イオンエッチングを用いることを特徴としている。
晶表示装置の製造方法は、請求項８記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記エッ
チング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブ
イオンエッチングを用いることを特徴としている。
【００２４】請求項１０記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法は、請求項８または請求項９記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮光膜の形
成を真空引きしながら行うことを特徴としている。
液晶表示装置の製造方法は、請求項８または請求項９記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮光膜の形
成を真空引きしながら行うことを特徴としている。
【００２５】請求項１１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法は、ゲート配線と、ソース配線
と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極
とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
方法において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前
記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂から
なる可染性の層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶
縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極
をマスクとして前記層間絶縁膜を不透明に染色する工程
とを有することを特徴としている。
液晶表示装置の製造方法は、ゲート配線と、ソース配線
と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極
とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
方法において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前
記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂から
なる可染性の層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶
縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極
をマスクとして前記層間絶縁膜を不透明に染色する工程
とを有することを特徴としている。
【００２６】請求項１２記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の欠陥検査方法は、ゲート配線と、ソース
配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の
近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素
電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の
欠陥検査方法において、前記ゲート配線、前記ソース配
線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機
樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に
前記画素電極を形成して、前記画素電極間に絶縁性を有
する遮光膜を形成し、前記遮光膜の幅を光学的画像検査
によって測定することにより、前記画素電極同士の短絡
を検査することを特徴としている。
液晶表示装置の欠陥検査方法は、ゲート配線と、ソース
配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の
近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素
電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の
欠陥検査方法において、前記ゲート配線、前記ソース配
線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機
樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に
前記画素電極を形成して、前記画素電極間に絶縁性を有
する遮光膜を形成し、前記遮光膜の幅を光学的画像検査
によって測定することにより、前記画素電極同士の短絡
を検査することを特徴としている。
【００２７】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トラン
ジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁
膜が形成され、層間絶縁膜上に画素電極が形成され、画
素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていること
により、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り
合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないた
め、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率
を高くすることができる。
装置によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トラン
ジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁
膜が形成され、層間絶縁膜上に画素電極が形成され、画
素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていること
により、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り
合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないた
め、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率
を高くすることができる。
【００２８】さらに、遮光膜は低誘電率材料からなるこ
とにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と
重畳するように画素電極が形成されていても、クロスト
ークの発生を抑えることができる。
とにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と
重畳するように画素電極が形成されていても、クロスト
ークの発生を抑えることができる。
【００２９】また、薄膜トランジスタと画素電極とは、
層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、
コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることによ
り、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立た
なくすることができる。
層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、
コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることによ
り、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立た
なくすることができる。
【００３０】また、層間絶縁膜の画素電極間に位置する
部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていること
により、画素電極と画素電極が形成されていない部分と
の段差をなくすことができ、平坦な状態として配向膜を
形成することができるため、表示品位を向上させること
ができる。
部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていること
により、画素電極と画素電極が形成されていない部分と
の段差をなくすことができ、平坦な状態として配向膜を
形成することができるため、表示品位を向上させること
ができる。
【００３１】さらに、遮光膜の表面が画素電極の表面と
略同一平面上に位置していることにより、遮光膜と画素
電極との段差をなくすことができ、さらに平坦な状態と
して配向膜を形成することができる。
略同一平面上に位置していることにより、遮光膜と画素
電極との段差をなくすことができ、さらに平坦な状態と
して配向膜を形成することができる。
【００３２】また、遮光膜が各々の画素電極の周縁下部
にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士
の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、
画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止する
ことができる。
にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士
の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、
画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止する
ことができる。
【００３３】さらに、遮光膜は層間絶縁膜が染色された
ものであることにより、簡便に画素電極の周縁下部にも
遮光膜を形成することができる。
ものであることにより、簡便に画素電極の周縁下部にも
遮光膜を形成することができる。
【００３４】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び
薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からな
る層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電
極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁
膜をエッチングすることによって画素電極間の層間絶縁
膜に溝を形成する工程と、溝に絶縁性を有する遮光膜を
形成する工程とを有することにより、遮光膜を自己整合
的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成
することができる。
装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び
薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からな
る層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電
極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁
膜をエッチングすることによって画素電極間の層間絶縁
膜に溝を形成する工程と、溝に絶縁性を有する遮光膜を
形成する工程とを有することにより、遮光膜を自己整合
的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成
することができる。
【００３５】さらに、エッチング方法として、酸素プラ
ズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いるこ
とにより、異方性のエッチングを行うことができ、画素
電極をレジストとして層間絶縁膜をエッチングし、精度
よく溝を形成することができる。
ズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いるこ
とにより、異方性のエッチングを行うことができ、画素
電極をレジストとして層間絶縁膜をエッチングし、精度
よく溝を形成することができる。
【００３６】また、遮光膜は有機樹脂であり、遮光膜の
形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませ
ることなく遮光膜を形成することができる。
形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませ
ることなく遮光膜を形成することができる。
【００３７】また、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配
線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂
からなる可染性の層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶
縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスク
として層間絶縁膜を不透明に染色する工程とを有するこ
とにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアク
ティブマトリクス基板に形成することができ、画素電極
の周縁下部にも自己整合的に精度よく、簡便に遮光膜を
形成することができる。
晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配
線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂
からなる可染性の層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶
縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスク
として層間絶縁膜を不透明に染色する工程とを有するこ
とにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアク
ティブマトリクス基板に形成することができ、画素電極
の周縁下部にも自己整合的に精度よく、簡便に遮光膜を
形成することができる。
【００３８】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の欠陥検査方法によれば、ゲート配線、ソース配線
及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂か
らなる層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に画素電極を
形成して、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜を形成
し、遮光膜の幅を光学的画像検査によって測定し、画素
電極同士の短絡を検査することにより、液晶表示装置と
して点灯させなくても、アクティブマトリクス基板の状
態で画素電極同士の短絡を検査することができる。
装置の欠陥検査方法によれば、ゲート配線、ソース配線
及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂か
らなる層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に画素電極を
形成して、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜を形成
し、遮光膜の幅を光学的画像検査によって測定し、画素
電極同士の短絡を検査することにより、液晶表示装置と
して点灯させなくても、アクティブマトリクス基板の状
態で画素電極同士の短絡を検査することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】図１乃至図７を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００４０】（実施の形態１）図１乃至図４を用いて、
本発明の液晶表示装置及びその製造方法について説明す
る。図１は本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図、
図２は図１におけるアクティブマトリクス基板を示す平
面図、図３は図２のＡ−Ａ線における断面図、図４は本
発明に係わる液晶表示装置の製造方法を示す工程図であ
る。
本発明の液晶表示装置及びその製造方法について説明す
る。図１は本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図、
図２は図１におけるアクティブマトリクス基板を示す平
面図、図３は図２のＡ−Ａ線における断面図、図４は本
発明に係わる液晶表示装置の製造方法を示す工程図であ
る。
【００４１】図１乃至図３に示すように、本発明に係わ
る液晶表示装置は、絶縁性基板１、薄膜トランジスタ
２、ゲート配線３、ソース配線４、層間絶縁膜５、コン
タクトホール６、遮光膜７及び画素電極８からなるアク
ティブマトリクス基板９と、絶縁性基板１、カラーフィ
ルター１０及び対向電極１１からなる対向基板１２との
間に液晶層１３を封入して構成されている。
る液晶表示装置は、絶縁性基板１、薄膜トランジスタ
２、ゲート配線３、ソース配線４、層間絶縁膜５、コン
タクトホール６、遮光膜７及び画素電極８からなるアク
ティブマトリクス基板９と、絶縁性基板１、カラーフィ
ルター１０及び対向電極１１からなる対向基板１２との
間に液晶層１３を封入して構成されている。
【００４２】薄膜トランジスタ２は、ゲート電極１４、
ゲート絶縁膜１５、ソース電極１６、ドレイン電極１
７、半導体膜１８、ソース接続配線１９、ドレイン接続
配線２０から構成されている。
ゲート絶縁膜１５、ソース電極１６、ドレイン電極１
７、半導体膜１８、ソース接続配線１９、ドレイン接続
配線２０から構成されている。
【００４３】ソース電極１６とソース配線４とはソース
接続配線１９によって接続され、ドレイン電極１７と画
素電極８とはドレイン接続配線２０によってコンタクト
ホール６を介して接続されている。
接続配線１９によって接続され、ドレイン電極１７と画
素電極８とはドレイン接続配線２０によってコンタクト
ホール６を介して接続されている。
【００４４】遮光膜７は、層間絶縁膜５上の画素電極８
間に形成されるとともに、コンタクトホール６に形成さ
れることが望ましい。
間に形成されるとともに、コンタクトホール６に形成さ
れることが望ましい。
【００４５】このような液晶表示装置の製造方法は、図
４（ａ）に示すように、ガラスからなる絶縁性基板１上
に、ＴａまたはＡｌ等をスパッタリング法によって堆積
し、パターニングすることによってゲート配線３及びゲ
ート電極１４を形成する。
４（ａ）に示すように、ガラスからなる絶縁性基板１上
に、ＴａまたはＡｌ等をスパッタリング法によって堆積
し、パターニングすることによってゲート配線３及びゲ
ート電極１４を形成する。
【００４６】次に、ゲート絶縁膜１５を形成する。ゲー
ト絶縁膜１５としては、ゲート配線３及びゲート電極１
４を陽極酸化することによって形成する酸化タンタルも
しくは酸化アルミニウム、またはプラズマＣＶＤ法で堆
積する窒化シリコンもしくは酸化シリコン等を単独また
は組み合わせて用いる。
ト絶縁膜１５としては、ゲート配線３及びゲート電極１
４を陽極酸化することによって形成する酸化タンタルも
しくは酸化アルミニウム、またはプラズマＣＶＤ法で堆
積する窒化シリコンもしくは酸化シリコン等を単独また
は組み合わせて用いる。
【００４７】ゲート絶縁膜１５上に、低圧ＣＶＤ法また
はプラズマＣＶＤ法によって半導体膜１８を堆積してパ
ターニングし、プラズマドーピング法または低加速イオ
ン注入法等により、ソース電極１６及びドレイン電極１
７を自己整合的に形成する。
はプラズマＣＶＤ法によって半導体膜１８を堆積してパ
ターニングし、プラズマドーピング法または低加速イオ
ン注入法等により、ソース電極１６及びドレイン電極１
７を自己整合的に形成する。
【００４８】次に、ＩＴＯ等の透明な導電性の材料を用
いて、ソース電極１６とソース配線４とを電気的に接続
するソース接続配線１９、及びドレイン電極１７と画素
電極８とを電気的に接続するドレイン接続配線２０を形
成し、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＩＴＯ等を用いて
ソース配線４を形成する。
いて、ソース電極１６とソース配線４とを電気的に接続
するソース接続配線１９、及びドレイン電極１７と画素
電極８とを電気的に接続するドレイン接続配線２０を形
成し、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＩＴＯ等を用いて
ソース配線４を形成する。
【００４９】さらに、ポリイミド等の無色透明で絶縁性
を有する材料を用いて、層間絶縁膜５を形成し、層間絶
縁膜５にコンタクトホール６を形成して、層間絶縁膜５
上にＩＴＯ等の透明な導電性の材料で画素電極８を形成
する。
を有する材料を用いて、層間絶縁膜５を形成し、層間絶
縁膜５にコンタクトホール６を形成して、層間絶縁膜５
上にＩＴＯ等の透明な導電性の材料で画素電極８を形成
する。
【００５０】画素電極８は、コンタクトホール６を介し
てドレイン接続配線２０と接続され、ドレイン電極１７
と電気的に接続される。
てドレイン接続配線２０と接続され、ドレイン電極１７
と電気的に接続される。
【００５１】そして、図４（ｂ）に示すように、画素電
極８をレジストとして用いて、酸素プラズマを用いたリ
アクティブイオンエッチングにより、自己整合的に層間
絶縁膜５をエッチングし、層間絶縁膜５の画素電極８間
に溝２１を形成する。
極８をレジストとして用いて、酸素プラズマを用いたリ
アクティブイオンエッチングにより、自己整合的に層間
絶縁膜５をエッチングし、層間絶縁膜５の画素電極８間
に溝２１を形成する。
【００５２】このとき、画素電極８をパターニングする
際に用いたフォトレジストを、レジストとして用いて層
間絶縁膜５をエッチングして溝２１を形成してもよく、
エッチング方法については、酸素プラズマを用いたリア
クティブイオンエッチングに限定されるものではなく、
例えばウエットエッチングによって溝２１を形成しても
よい。
際に用いたフォトレジストを、レジストとして用いて層
間絶縁膜５をエッチングして溝２１を形成してもよく、
エッチング方法については、酸素プラズマを用いたリア
クティブイオンエッチングに限定されるものではなく、
例えばウエットエッチングによって溝２１を形成しても
よい。
【００５３】次に、図４（ｃ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板９上に真空引きしながら絶縁性及び遮
光性を有する樹脂２２を塗布し、加熱または紫外線を照
射することによって絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２
を硬化する。真空引きしながら絶縁性及び遮光性を有す
る樹脂２２を塗布することにより、絶縁性及び遮光性を
有する樹脂２２に気泡が発生することを防止できる。
ブマトリクス基板９上に真空引きしながら絶縁性及び遮
光性を有する樹脂２２を塗布し、加熱または紫外線を照
射することによって絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２
を硬化する。真空引きしながら絶縁性及び遮光性を有す
る樹脂２２を塗布することにより、絶縁性及び遮光性を
有する樹脂２２に気泡が発生することを防止できる。
【００５４】そして、図４（ｄ）に示すように、絶縁性
及び遮光性を有する樹脂２２をマスク等を用いることな
く全面をエッチングし、画素電極８上の絶縁性及び遮光
性を有する樹脂２２を除去することにより、溝２１及び
コンタクトホール６に遮光膜７を形成し、配向膜を形成
してアクティブマトリクス基板９を完成する。
及び遮光性を有する樹脂２２をマスク等を用いることな
く全面をエッチングし、画素電極８上の絶縁性及び遮光
性を有する樹脂２２を除去することにより、溝２１及び
コンタクトホール６に遮光膜７を形成し、配向膜を形成
してアクティブマトリクス基板９を完成する。
【００５５】このとき、遮光膜７の表面が画素電極８の
表面と略同一平面上に位置するように形成すれば、その
上に形成する配向膜をさらに平坦な状態とすることがで
きるため、表示品位を向上させることができる。
表面と略同一平面上に位置するように形成すれば、その
上に形成する配向膜をさらに平坦な状態とすることがで
きるため、表示品位を向上させることができる。
【００５６】遮光膜７の材料としては、カーボンブラッ
クもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポ
リイミド等の有機樹脂を用いればよく、特に限定される
ものではないが、低誘電率材料を用いることが望まし
い。
クもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポ
リイミド等の有機樹脂を用いればよく、特に限定される
ものではないが、低誘電率材料を用いることが望まし
い。
【００５７】遮光膜７の材料として低誘電率のものを用
いれば、画素電極８間、すなわちゲート配線３及びソー
ス配線４上に低誘電率の遮光膜７が形成されているた
め、画素電極８とゲート配線３及びソース配線４の間で
形成されるコンデンサーの静電容量を小さくすることが
できる。このため、ゲート信号とソース信号とのクロス
トークを低減することができる。
いれば、画素電極８間、すなわちゲート配線３及びソー
ス配線４上に低誘電率の遮光膜７が形成されているた
め、画素電極８とゲート配線３及びソース配線４の間で
形成されるコンデンサーの静電容量を小さくすることが
できる。このため、ゲート信号とソース信号とのクロス
トークを低減することができる。
【００５８】一方、ガラスからなる絶縁性基板１上に、
カラーフィルター１０、ＩＴＯ等からなる対向電極１１
及び配向膜を形成し、対向基板１２を完成する。
カラーフィルター１０、ＩＴＯ等からなる対向電極１１
及び配向膜を形成し、対向基板１２を完成する。
【００５９】このようにして完成したアクティブマトリ
クス基板９と対向基板１２とを、シール材料を介して貼
り合わせ、液晶層１３を封入して液晶表示装置を完成す
る。
クス基板９と対向基板１２とを、シール材料を介して貼
り合わせ、液晶層１３を封入して液晶表示装置を完成す
る。
【００６０】次に、図５及び図６を用いて、本発明の液
晶表示装置の欠陥検査方法について説明する。図５は画
素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示す平面図、
図６は本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を示
す概略図である。
晶表示装置の欠陥検査方法について説明する。図５は画
素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示す平面図、
図６は本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を示
す概略図である。
【００６１】本発明では、画素電極８間に遮光膜７が自
己整合的に形成されるため、図５に示すように、画素電
極８間の幅が狭くなっている場合、これにともなって遮
光膜７の幅も狭くなり、画素電極８同士が電気的に短絡
しているときには、遮光膜７が途切れてしまい、欠陥２
３となる。
己整合的に形成されるため、図５に示すように、画素電
極８間の幅が狭くなっている場合、これにともなって遮
光膜７の幅も狭くなり、画素電極８同士が電気的に短絡
しているときには、遮光膜７が途切れてしまい、欠陥２
３となる。
【００６２】このため、遮光膜７の幅について光学的な
画像検査を行うことにより、画素電極８同士が電気的に
短絡している欠陥２３を検出することが可能となる。
画像検査を行うことにより、画素電極８同士が電気的に
短絡している欠陥２３を検出することが可能となる。
【００６３】図６に示すように、アクティブマトリクス
基板９をＣＣＤカメラ２４によって撮像し、画像処理装
置２５により、画像に対して２値化処理を行って遮光膜
７のみを抽出し、遮光膜７が途切れているか否かを検査
して、画素電極８同士が電気的に短絡しているか否かを
判定する。
基板９をＣＣＤカメラ２４によって撮像し、画像処理装
置２５により、画像に対して２値化処理を行って遮光膜
７のみを抽出し、遮光膜７が途切れているか否かを検査
して、画素電極８同士が電気的に短絡しているか否かを
判定する。
【００６４】このようにして、アクティブマトリクス基
板９の状態で、画素電極８同士の電気的な短絡を検査す
ることができる。
板９の状態で、画素電極８同士の電気的な短絡を検査す
ることができる。
【００６５】（実施の形態２）図７を用いて、本発明の
他の液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
図７は本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図で
ある。尚、実施の形態１と同様の部分については、説明
を省略する。
他の液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
図７は本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図で
ある。尚、実施の形態１と同様の部分については、説明
を省略する。
【００６６】図７に示すように、本発明に係わる他の液
晶表示装置は、絶縁性基板１、薄膜トランジスタ、ゲー
ト配線、ソース配線４、層間絶縁膜５、コンタクトホー
ル、遮光膜７及び画素電極８からなるアクティブマトリ
クス基板９と、絶縁性基板１、カラーフィルター１０及
び対向電極１１からなる対向基板１２との間に液晶層１
３を封入して構成されている。
晶表示装置は、絶縁性基板１、薄膜トランジスタ、ゲー
ト配線、ソース配線４、層間絶縁膜５、コンタクトホー
ル、遮光膜７及び画素電極８からなるアクティブマトリ
クス基板９と、絶縁性基板１、カラーフィルター１０及
び対向電極１１からなる対向基板１２との間に液晶層１
３を封入して構成されている。
【００６７】遮光膜７は、層間絶縁膜５上の画素電極８
間に形成されるとともに、各々の画素電極８の周縁下部
にも形成される。
間に形成されるとともに、各々の画素電極８の周縁下部
にも形成される。
【００６８】このような液晶表示装置の製造方法は、実
施の形態１と同様に、ガラスからなる絶縁性基板１上
に、ゲート配線、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体
膜、ソース電極、ドレイン電極、ソース接続配線及びド
レイン接続配線を形成し、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏまた
はＩＴＯ等を用いてソース配線４を形成する。
施の形態１と同様に、ガラスからなる絶縁性基板１上
に、ゲート配線、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体
膜、ソース電極、ドレイン電極、ソース接続配線及びド
レイン接続配線を形成し、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏまた
はＩＴＯ等を用いてソース配線４を形成する。
【００６９】さらに、ポリビニルアルコール系、アクリ
ル系またはゼラチン系等の可染性で無色透明の絶縁性を
有する材料を用いて、層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁
膜５にコンタクトホールを形成して、層間絶縁膜５上に
ＩＴＯ等の透明な導電性の材料で画素電極８を形成す
る。画素電極８は、コンタクトホールを介してドレイン
接続配線と接続され、ドレイン電極と電気的に接続され
る。
ル系またはゼラチン系等の可染性で無色透明の絶縁性を
有する材料を用いて、層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁
膜５にコンタクトホールを形成して、層間絶縁膜５上に
ＩＴＯ等の透明な導電性の材料で画素電極８を形成す
る。画素電極８は、コンタクトホールを介してドレイン
接続配線と接続され、ドレイン電極と電気的に接続され
る。
【００７０】可染性で無色透明の絶縁性を有する材料と
しては、染色法で形成されるカラーフィルターに用いら
れるものと同様のものを用いてもかまわない。
しては、染色法で形成されるカラーフィルターに用いら
れるものと同様のものを用いてもかまわない。
【００７１】そして、画素電極８をマスクとして、黒色
の酸性染料または反応性染料を用いて自己整合的に層間
絶縁膜５を１〜２μｍ染色し、層間絶縁膜５の画素電極
８間及び画素電極８の周縁下部を不透明に染色して、遮
光膜７を形成する。そして、配向膜を形成してアクティ
ブマトリクス基板９を完成する。
の酸性染料または反応性染料を用いて自己整合的に層間
絶縁膜５を１〜２μｍ染色し、層間絶縁膜５の画素電極
８間及び画素電極８の周縁下部を不透明に染色して、遮
光膜７を形成する。そして、配向膜を形成してアクティ
ブマトリクス基板９を完成する。
【００７２】染色方法としては、カラーフィルターの染
色方法と同様に行えばよく、染色は等方性であるため、
層間絶縁膜５の画素電極８間及び画素電極８の周縁下部
に同時に遮光膜７を形成することができる。このよう
に、実施の形態１よりも少ない工程で遮光膜７を形成す
ることができる。
色方法と同様に行えばよく、染色は等方性であるため、
層間絶縁膜５の画素電極８間及び画素電極８の周縁下部
に同時に遮光膜７を形成することができる。このよう
に、実施の形態１よりも少ない工程で遮光膜７を形成す
ることができる。
【００７３】このとき、実施の形態１と同様に、層間絶
縁膜５としてポリイミド等の無色透明で絶縁性を有する
ものを用いてもよいが、その場合は等方性プラズマエッ
チングまたはウエットエッチング等の等方性のエッチン
グにより、画素電極８をレジストとして用いて、層間絶
縁膜５をエッチングして層間絶縁膜５の画素電極８間及
び画素電極８の周縁下部に溝を形成し、カーボンブラッ
クもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポ
リイミド等の有機樹脂を塗布して、加熱または紫外線を
照射することによって樹脂を硬化し、マスク等を用いる
ことなく全面をエッチングして、画素電極８間及び画素
電極８の周縁下部に遮光膜７を形成すればよい。
縁膜５としてポリイミド等の無色透明で絶縁性を有する
ものを用いてもよいが、その場合は等方性プラズマエッ
チングまたはウエットエッチング等の等方性のエッチン
グにより、画素電極８をレジストとして用いて、層間絶
縁膜５をエッチングして層間絶縁膜５の画素電極８間及
び画素電極８の周縁下部に溝を形成し、カーボンブラッ
クもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポ
リイミド等の有機樹脂を塗布して、加熱または紫外線を
照射することによって樹脂を硬化し、マスク等を用いる
ことなく全面をエッチングして、画素電極８間及び画素
電極８の周縁下部に遮光膜７を形成すればよい。
【００７４】一方、ガラスからなる絶縁性基板１上に、
カラーフィルター１０、ＩＴＯ等からなる対向電極１１
及び配向膜を形成し、対向基板１２を完成する。
カラーフィルター１０、ＩＴＯ等からなる対向電極１１
及び配向膜を形成し、対向基板１２を完成する。
【００７５】このようにして完成したアクティブマトリ
クス基板９と対向基板１２とを、シール材料を介して貼
り合わせ、液晶層１３を封入して液晶表示装置を完成す
る。本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、
本発明の液晶表示装置の欠陥検査方法を行うことができ
る。
クス基板９と対向基板１２とを、シール材料を介して貼
り合わせ、液晶層１３を封入して液晶表示装置を完成す
る。本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、
本発明の液晶表示装置の欠陥検査方法を行うことができ
る。
【００７６】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線、ソ
ース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有
機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上に
画素電極が形成され、画素電極間に絶縁性を有する遮光
膜が形成されていることにより、遮光膜を大きめに形成
する必要がなくなり、開口率を高くすることができるた
め、明るい表示を行うことができる。
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線、ソ
ース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有
機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上に
画素電極が形成され、画素電極間に絶縁性を有する遮光
膜が形成されていることにより、遮光膜を大きめに形成
する必要がなくなり、開口率を高くすることができるた
め、明るい表示を行うことができる。
【００７７】さらに、遮光膜は低誘電率材料からなるこ
とにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と
重畳するように画素電極が形成されていても、クロスト
ークの発生を抑えることができるため、表示品位を向上
することができる。
とにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と
重畳するように画素電極が形成されていても、クロスト
ークの発生を抑えることができるため、表示品位を向上
することができる。
【００７８】また、薄膜トランジスタと画素電極とは、
層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、
コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることによ
り、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立た
なくすることができるため、表示品位を向上することが
できる。
層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、
コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることによ
り、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立た
なくすることができるため、表示品位を向上することが
できる。
【００７９】また、層間絶縁膜の画素電極間に位置する
部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていること
により、平坦な状態として配向膜を形成することができ
るため、表示品位を向上させることができる。
部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていること
により、平坦な状態として配向膜を形成することができ
るため、表示品位を向上させることができる。
【００８０】さらに、遮光膜の表面が画素電極の表面と
略同一平面上に位置していることにより、さらに平坦な
状態として配向膜を形成することができるため、表示品
位をさらに向上させることができる。
略同一平面上に位置していることにより、さらに平坦な
状態として配向膜を形成することができるため、表示品
位をさらに向上させることができる。
【００８１】また、遮光膜が各々の画素電極の周縁下部
にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士
の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、
画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止する
ことができ、クロストークの発生及びコントラストの低
下を防ぐことができる。
にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士
の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、
画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止する
ことができ、クロストークの発生及びコントラストの低
下を防ぐことができる。
【００８２】さらに、遮光膜は層間絶縁膜が染色された
ものであることにより、簡便に画素電極の周縁下部にも
遮光膜を形成することができる。
ものであることにより、簡便に画素電極の周縁下部にも
遮光膜を形成することができる。
【００８３】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び
薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からな
る層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電
極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁
膜をエッチングすることによって画素電極間の層間絶縁
膜に溝を形成する工程と、溝に絶縁性を有する遮光膜を
形成する工程とを有することにより、遮光膜を自己整合
的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成
することができるため、製造コストを抑えて開口率の高
い液晶表示装置を得ることができる。
装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び
薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からな
る層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電
極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁
膜をエッチングすることによって画素電極間の層間絶縁
膜に溝を形成する工程と、溝に絶縁性を有する遮光膜を
形成する工程とを有することにより、遮光膜を自己整合
的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成
することができるため、製造コストを抑えて開口率の高
い液晶表示装置を得ることができる。
【００８４】さらに、エッチング方法として、酸素プラ
ズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いるこ
とにより、精度よく溝を形成することができるため、開
口率の高い液晶表示装置を得ることができる。
ズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いるこ
とにより、精度よく溝を形成することができるため、開
口率の高い液晶表示装置を得ることができる。
【００８５】また、遮光膜は有機樹脂であり、遮光膜の
形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませ
ることなく遮光膜を形成することができるため、コント
ラストの高い液晶表示装置を得ることができる。
形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませ
ることなく遮光膜を形成することができるため、コント
ラストの高い液晶表示装置を得ることができる。
【００８６】また、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配
線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂
からなる可染性の層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶
縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスク
として層間絶縁膜を不透明に染色する工程とを有するこ
とにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアク
ティブマトリクス基板に形成することができ、画素電極
の周縁下部にも自己整合的に精度よく、簡便に遮光膜を
形成することができるため、製造コストを抑えて開口率
の高い液晶表示装置を得ることができる。
晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配
線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂
からなる可染性の層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶
縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスク
として層間絶縁膜を不透明に染色する工程とを有するこ
とにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアク
ティブマトリクス基板に形成することができ、画素電極
の周縁下部にも自己整合的に精度よく、簡便に遮光膜を
形成することができるため、製造コストを抑えて開口率
の高い液晶表示装置を得ることができる。
【００８７】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の欠陥検査方法によれば、ゲート配線、ソース配線
及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂か
らなる層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に画素電極を
形成して、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜を形成
し、遮光膜の幅を光学的画像検査によって測定し、画素
電極同士の短絡を検査することにより、アクティブマト
リクス基板の状態で画素電極同士の短絡を簡便に検査す
ることができるため、液晶表示装置として完成する前に
不良品を検出することができ、製造コストを抑えること
ができる。
装置の欠陥検査方法によれば、ゲート配線、ソース配線
及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂か
らなる層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に画素電極を
形成して、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜を形成
し、遮光膜の幅を光学的画像検査によって測定し、画素
電極同士の短絡を検査することにより、アクティブマト
リクス基板の状態で画素電極同士の短絡を簡便に検査す
ることができるため、液晶表示装置として完成する前に
不良品を検出することができ、製造コストを抑えること
ができる。
【図１】本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１におけるアクティブマトリクス基板を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係わる液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図５】画素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図７】本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図
である。
である。
【図８】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】図８におけるアクティブマトリクス基板を示す
平面図である。
平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ線における断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ 薄膜トランジスタ ３ ゲート配線 ４ ソース配線 ５ 層間絶縁膜 ６ コンタクトホール ７ 遮光膜 ８ 画素電極 ９ アクティブマトリクス基板 １０ カラーフィルター １１ 対向電極 １２ 対向基板 １３ 液晶層 １４ ゲート電極 １５ ゲート絶縁膜 １６ ソース電極 １７ ドレイン電極 １８ 半導体膜 １９ ソース接続配線 ２０ ドレイン接続配線 ２１ 溝 ２２ 絶縁性及び遮光性を有する樹脂 ２３ 欠陥 ２４ ＣＣＤカメラ ２５ 画像処理装置 ５１ ゲート配線 ５２ ソース配線 ５３ 薄膜トランジスタ ５４ 液晶層 ５５ 画素電極 ５６ 層間絶縁膜 ５７ 絶縁性基板 ５８ ゲート電極 ５９ ゲート絶縁膜 ６０ 半導体膜 ６１ ソース電極 ６２ ドレイン電極 ６３ ソース接続配線 ６４ ドレイン接続配線 ６５ コンタクトホール ６６ アクティブマトリクス基板 ６７ 対向電極 ６８ カラーフィルター ６９ 遮光膜 ７０ 対向基板
Claims (12)
- 【請求項１】 ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲー
ト配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され
た液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジ
スタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜
が形成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成さ
れ、前記画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成され
ていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
示装置。 - 【請求項２】 前記遮光膜は低誘電率材料からなること
を特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記薄膜トランジスタと前記画素電極と
は、前記層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接
続され、前記コンタクトホールにも前記遮光膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項１または請求項２記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記層間絶縁膜の前記画素電極間に位置
する部分に溝が形成され、前記溝に前記遮光膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記遮光膜の表面は、前記画素電極の表
面と略同一平面上に位置していることを特徴とする請求
項１乃至４記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記遮光膜は、各々の前記画素電極の周
縁下部にも形成されていることを特徴とする請求項１記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記遮光膜は、前記層間絶縁膜が染色さ
れたものであることを特徴とする請求項６記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】 ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲー
ト配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され
た液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法におい
て、 前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジ
スタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜
を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、 前記画素電極をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチン
グすることにより、前記画素電極間の前記層間絶縁膜に
溝を形成する工程と、 前記溝に絶縁性を有する遮光膜を形成する工程とを有す
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項９】 前記エッチング方法として、酸素プラズ
マを用いたリアクティブイオンエッチングを用いること
を特徴とする請求項８記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮
光膜の形成を真空引きしながら行うことを特徴とする請
求項８または請求項９記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲ
ート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられ
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続さ
れた液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法におい
て、 前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジ
スタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる可染性の層
間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、 前記画素電極をマスクとして前記層間絶縁膜を不透明に
染色する工程とを有することを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲ
ート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられ
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続さ
れた液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法に
おいて、 前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジ
スタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜
を形成し、前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成し
て、前記画素電極間に絶縁性を有する遮光膜を形成し、
前記遮光膜の幅を光学的画像検査によって測定すること
により、前記画素電極同士の短絡を検査することを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22590597A JP3587426B2 (ja) | 1996-09-25 | 1997-08-22 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25212396 | 1996-09-25 | ||
| JP6757797 | 1997-03-21 | ||
| JP9-67577 | 1997-03-21 | ||
| JP8-252123 | 1997-03-21 | ||
| JP22590597A JP3587426B2 (ja) | 1996-09-25 | 1997-08-22 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325964A true JPH10325964A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3587426B2 JP3587426B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=27299493
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|---|---|---|---|
| JP22590597A Expired - Fee Related JP3587426B2 (ja) | 1996-09-25 | 1997-08-22 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3587426B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1164890A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
| JPH11160735A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器 |
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| JP2005115153A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法及びそれを用いた液晶表示素子並びに液晶プロジェクタ |
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| KR100632935B1 (ko) | 1999-04-16 | 2006-10-11 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 블랙 매트릭스 형성방법 |
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| CN107078464A (zh) * | 2014-10-20 | 2017-08-18 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备 |
-
1997
- 1997-08-22 JP JP22590597A patent/JP3587426B2/ja not_active Expired - Fee Related
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